ZXGD3003E6中文资料(Zetex Semiconductors)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

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A IIN1+I IN2 = 10mA A IIN1+I IN2 = 500mA A IIN1+I IN2 = 500mA
ns CL=1nF, R L=1 , ns VCC=12V, V 在 =10V, ns RS=25 ns
ns CL=1nF, R L=1 , ns VCC=12V, V 在 =10V, ns RS=1k ns
A =25°C (a)(b)
热阻
参数 结到环境
(a)(b)
笔记:
(一)对于器件表面安装在25毫米x25毫米x0.6毫米FR4 PCB覆盖率高单面盎司镀铜, 在静止空气条件.
(b)对于设备具有两个活性骰子运行以相等功率. (三)脉冲宽度= 300US限制重复率符合最高结温.
符号
VCC V在 I(汇)PK I(资源) I(水槽) IIN1, IIN2 PD
该ZXGD3003E6固有坚固闩锁和直通,其宽电源电压范围内可实现全面提升,以减少上损失功率 MOSFET或IGBT.
它低输入电压要求,高电流增益可以从低电压控制器IC,高电流驱动,以及优化引脚输出SOT23-6 封装有独立源和汇引脚简化电路板布局,从而降低寄生电感和崛起独立控制和下降转换率.
特征
• 40V工作电压范围 • 5安培峰值输出电流 • 快速开关射极跟随器配置
器件标识
3003
ZXGD3003E6
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ZXGD3003E6
绝对最大额定值
参数 电源电压
输入电压
峰值灌电流
(c)
电源电流@I 灌电流@I
输入电流
IN1 + I IN2 =10mA (a) IN1 + I IN2 =10mA (a)
(c)
功耗在T线性降额因子 工作和来自储温度范围V资源


GND SOT236
顶视图
SINK
引脚说明
引脚名称
V CC 在1 /在 2 GND
资源
SINK
引脚功能 驱动器电源
驱动器输入引脚.这是由电路正常轨道连接在一起.
地面
源电流输出. 灌电流输出.
订购信息
设备
ZXGD3003E6TA
带尺寸 (英寸)
7
胶带宽度 (毫米)
8压花
单位数量
reel
3000
当前 沉输出漏 当前 静态电流
源输出电流I
沉输出电流
源输出电流I
沉输出电流 栅极驱动器 开关时间
栅极驱动器 开关时间
符号
V醇基 VOL
L(源)
IL(汇)
IQ
(资源)
I(水槽)
(来源)PK
I(汇)PK tD(升) tr tD(秋天) tf tD(升) tr tD(秋天) tf
Min.
Typ.
Max.
VCC – 0.4
典型应用电路图
V
Input
V
V IN
ZXGD3003
IN GND
SOURCE SINK
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应用
功率MOSFET和IGBT栅极驱动 • 同步开关模式电源 • 二次侧同步整流 • 等离子显示面板电源模块 • 1,2和3相电机控制电路 • 音频开关放大器功率输出级
引脚配置
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ZXGD3003E6 5A(峰值)采用SOT23-6栅极驱动器
概述
该ZXGD3003E6是一个高速非反相单MOSFET栅极驱动能力高达5A司机 为从电源电压MOSFET或IGBT栅极电容负载高达40V.在典型传播 延迟时间降至2ns和上升/下降时间下降到9ns这个装置确防护功率快速切换 MOSFET或IGBT,以减少功率损耗和失真高电流快速开关应用.
T j, Tstg

40 40 5 1.6 1.4 1 1.1 8.8 -55到+150
单元
V V A A A A W mW/°C
°C
符号
R JC

113
单元
°C/W
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ZXGD3003E6
电气特性(在环境温度Tamb = 25°C除非另有说明).
参数
输出电压,高 输出电压,低 来源输出漏I
•2ns传播延迟时间 •19ns上升/下降时间,1000pF负载 • 低输入电流要求 •1.6A(源)/1.4A(汇)输出在10mA输入电流 • SOT23-6封装 • 为上升和下降时间独立控制,源库输出 • 优化引脚输出,以减轻电路板布局,并尽量减少走线电感 • 无闩锁 • 通过不拍 • - 近零静态电流和输出漏电流
0.4
1
1
20
1
1.6
1
1.4
5
5
1.8 8.9 1.7 8.9
4 77 4 85
单元 条件
V I资源 = 1 A
V Isink = 1 A A VCC = 40V,
VIN1 = VIN2 = 0V A VCC = 40V,
VIN1 = VIN2 = V CC nA VCC = 32V,
VIN1 = VIN2 = 0V A IIN1+I IN2 = 10mA
开关时间测试电路
时序图
芯片中文手册,看全文,戳 典型栅极驱动器特点
ZXGD3003E6