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ZXMN10A25G中文资料(Diodes)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

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Value
Units
100
V
20
V
4.0 3.2
A
2.9
5.4
A
17
A
17
A
Value 2.0 16 62.5 3.9 31 32
-55到+150
Units W
mW/°C
°C/W W
mW/°C
°C/W °C
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ZXMN10A25G
电气特性
(@T A = + 25℃,除非另有说明.）
包装
1000 /磁带和卷轴
and Lead-free. 3. Halogen- and Antimony-free "Green” productsare defined asthose which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and
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新产品
ZXMN10A25G
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热特性
（续）
新产品
ZXMN10A25G
4.0A 3.7A
描写
这种新一代的MOSFET的设计,以减少导通
态电阻（R
DS(on) ）,并同时保持出色的开关
性能,使其成为理想的高效率电源管理应用.
新产品 应用
直流电机控制
DC-AC逆变器
特点和优点
低导通电阻 低输入电容 开关速度快
低输入/输出泄漏 无铅完成 ;符合 RoHS（注 1及 2） 卤素和无锑 . “绿色 ”设备（注 3） 符合 AEC-Q101标准的高可靠性
测试条件
VGS = 0V, I D = 250µA VDS = 100V, V GS = 0V VGS = 20V, VDS = 0V
VDS = VGS, ID = 250µA VGS = 10V, I D = 2.9A VGS = 6.0V, I D = 2.6A VDS = 15V, I D = 2.9A VGS = 0V, I S = 4.0A
D
SOT223
顶视图
Pin Out - Top View
G
S
等效电路
订购信息
（注4）
Notes:
零件号
ZXMN10A25GTA
资格 规范
Case SOT223
1. EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant. All applicable RoHS exemptionsapplied.
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Green
ZXMN10A25G
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
产品概述
V(BR)DSS 100V
RDS(on) max
125mΩ @ V GS = 10V 150mΩ @ V GS = 6.0V
ID TA = +25°C
(@T A = + 25℃,除非另有说明.）
特有
A = +25°C
A = +25°C, t ≦10 sec ≦10 秒. （注5）
热特性
(@T A = + 25℃,除非另有说明.）
符
VDSS VGSS
ID ID IS IDM ISM
符
PD R JA PD R JA TJ, TSTG
ZXMN10A25G
动态特性（注 7）
输入电容 输出电容 反向传输电容 总栅极电荷 总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅漏极电荷 开启延迟时间 导通上升时间 关断延迟时间 关断下降时间 体二极管反向恢复时间 体二极管反向恢复电荷
|Yf s|
—
7.3
—
S
VSD
—
0.85
0.95
V
Ciss
—
859
—
Coss
—
57
—
pF
Crss
—
33
机械数据
案例：SOT223 外壳材料：模压塑料,“绿色”模塑料. UL FlammabilityClassification Rating 94V-0 (Note 1) 湿度敏感度：每J-STD-020 1级
端子连接：见下面图表
码头：完成 - 雾锡退火铜线引线框架. 每MIL-STD-202,方法208 重量：0.112克（近似值）
标识信息
ZXMN 10A25
ZXMN10A25 = Product Type Marking Code
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最大额定值
漏源电压 门源电压
(@T A = + 25℃,除非另有说明.）
特有
连续漏电流,V
GS = 10V, t ≦10 sec
连续漏电流（注5）V 最大连续体二极管正向电流（注5）
—
Qg
—
9.6
—
nC
Qg
—
17
—
Qgs
—
3.8
—
nC
Qgd
—
5.4
—
tD(on)
—
4.9
—
tr
—
3.7
—
ns
tD(of f )
—
18
—
tf
—
9.4
—
trr
—
40.5
ns
Qrr
—
62
nC
Notes:
5. Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with thermal viasto bottom layer 1inch square copper plate 6 .Short duration pulse test used to minimize self-heating effect. 7. Guaranteed by design. Not subject to production testing.
VDS = 50V, V GS = 0V f = 1.0MHz VDS = 50V, V GS = 5.0V, I D = 2.9A
VDS = 50V, V GS = 10V, I D = 2.9A
VDS = 50V, V GS = 10V, ID = 1.0A RG = 6.0
VGS = 0V, I S = 2.9A, di / dt = 100A/μs的
GS = 10V
漏电流脉冲（脉冲为10μs,占空比= 1％）
脉冲源电流（10μS脉冲,占空比= 1％）
TA = +25°C TA = +70°C TA = +25°C
新产品 热阻
总功率耗散（注5）,T
线性降额因子
热阻,结到环境（注5） 总功率耗散（注5）,T
线性降额因子
热阻,结到环境,T
工作和存储温度范围
新产品
开关特性（注 6）
漏源击穿电压 零栅压漏电流 门源漏
基本特征（注 6）
栅极阈值电压
特有
静态漏源导通电阻
符
Min
BVDSS 100
IDSS
—
IGSS
—
VGS(th)
2.0
—
RDS (ON)
—
Typ
Max
Unit
——V源自—0.5µA
—
±100
nA
—
4.0
V
—
125
mΩ
—
150
远期转移导纳 二极管的正向电压

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ZXMN3B01FTA中文资料(Zetex Semiconductors)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

ZXMN3B01FTA中文资料(Zetex Semiconductors)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」


VDD =15V, I D =2.5A RG =6.0Ω, V GS =10V VDS =15V,V GS =5V, I =2.5A VDS =15V,V GS =10V, I =2.5A
二极管正向电压（1） 反向恢复时间（3） 反向恢复电荷（3）
TJ =25°C, I S=1.7A, VGS =0V TJ =25°C, I F=2.5A, di/dt= 100A/µs
器件标识
WIDTH 8mm 8mm
数量 每卷
3000单位 10000台
4
3Leabharlann 213mm x 2mm Dual MLP underside view
DNB
第 1期
- 2005年 10月 1
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ZXMN3AM832
绝对最大额定值 .
参数 漏源电压 栅源电压 连续漏电流用V 符号
热阻
参数 结到环境（一）（F） 结到环境（B）（F） 结到环境（C）（F） 结到环境（D）（F） 结到环境（D）（G） 结到环境（E ）（G） 符号 值 单元
R JA R JA R JA R JA R JA R JA
83.3 51 125 111 73.5 41.7
°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
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ZXMN3AM832
MPPS微型包装电源解决方案 双 30V N沟道增强型 MOSFET
概要
V (BR)DSS = 30V; R
描述
DS(ON)
= 0.12 ; I
D=
3A
封装在新创新3毫米x 2mmMLP（微引线封装） 概述这种双30V N沟道沟槽MOSFET采用独特结构 结合低导通电阻与开关速度快优点.这项 使它们非常适用于高效率,低电压电源管理 应用程序.用户也将获得其他几个 性能等同于更大封装能力 提高电路效率和功率水平
ZMV832ATA中文资料(Zetex Semiconductors)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

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特征 · 关闭公差C-V特性 · 高调谐比 · 低I R （通常200PA） · 出色相位噪声性能 · 高Q · 微型表面贴装范围包 应用 · VCXO和TCXO · 无线通信 · 寻呼机 · 移动无线
SOT23 SOD523
830系列
SOT323 SOD323
*Where steeper CVslopes are required there is the 12Vhyperabrupt range. ZC930,ZMV930,ZV930,ZV931系 列
CD AE
CE AF
CF
AG
CG
ZMV8Z2M9VA8ZT2MA9VB8ZT3MA0VA8ZT3MA0VB8ZT3MA1VA8ZT3MA1VB8ZT3MA2VA8ZT3MA2VB8ZT3MA3VA8ZT3MA3VB8ZT3MA4VA8ZT3MA4VB8ZT3MA5VA8T3A5BTA
订货代码
带尺寸
7英寸13（英1寸80（毫3米30）毫米）
第 8期 - 2005年 3月 1
SEMICONDUCTORS
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830系列
调谐特性在环境温度 Tamb = 25°C
部分
电容（ pF）
V R=2V, f=1MHz
MIN.
NOM.
MAX.
829A
7.38
8.2
9.02
829B
7.79
8.2
8.61
830A
9.0
SOT23
部 分马 克 订货代码
C2A C5A ZDC833AZTDAC834ATA
300010000
数量每卷
SOD523 订购代码和部件标记
SOD323
ZXGD3102T8中文资料(Diodes)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

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A
符
条件
Min.
Typ
Max.
Unit
V DRAIN ≤ -100m V I OP V DRAIN ≥ 0V
-
2.4 5.2
mA -
VT V G(off)
V G = 1V, (*) V DRAIN ≥ 0V, (*) V DRAIN = -60mV, ( ) V DRAIN = -80mV, ( )
特征
关断时间典型值为160ns
应用
高端OR'ing二极管替代 服务器,计算机 低端OR'ing 电信 理想二极管应用
180V阻断电压
比例栅极驱动
diode
更换
for
2A源​,5A下沉式驱动器 V CC 范围5-15V
元件数量少
引脚输出细节
典型配置
N/C REF GATEL GATEH
1 2 3 4
8 7 6 5
7.当漏源差动电压低于关断阈值时,MOSFET栅极 电压拉低GATEL,关掉设备.这可以防止从高反向电流流动
负载到输入电源可能拉下公用总线电压造成 灾难性系统故障
MOSFET
漏极电压
MOSFET
栅极电压
MOSFET
栅电流
1 2
NC REF GATEL GATEH VCC
3
4
5
6
GND
Bias 7
8
注1
BIAS DRAIN
该引脚连接到V CC 经由电阻器R IREF 这个引脚.见注1 源1.2倍 排水连接 该引脚直接连接到OR'ing MOSFET漏极.
BIAS .
R BIAS 应选择
BIAS and REF 引脚应被假定为在
ZL30310GKG中文资料(microsemi)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

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服务器行为, 例如,IEEE1588服务器
传统PLL行为,再加上数据包时间服务器, 例如,结合同步以太网和IEEE1588服务器
客户端行为, 例如,IEEE1588客户端
传统PLL行为,再加上数据包时客户端, 无论是作为故障转​移从一个到另一个,或组合 例如,结合同步以太网和IEEE 1588客户端
• 支持故障防护持如果服务器流丢失 • 接受八个输入引用,以及多达三个
相关低频对齐或成帧脉冲
• 生成多达四个独立输出时钟 8千赫至100兆赫之间频率
结合同步以太网和
IEEE1588网络同步
ZL30310
数据表
June 2009
ZL30310GKG ZL30310GKG2
256 TEPBGA,17×17毫米 256 TEPBGA,17×17毫米
ISSUE
1
2
ACN
CDCA
日期
24Aug06
APPRD.Leabharlann 上一页封装代码封装编码
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