TC660十二脉波三相可控硅触发板

C HIPTRONICTC360数字式三相全控整流触发板使用说明书（双闭环恒压恒流控制）---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 深圳市中软创芯电子有限公司版权所有电话Tel：*************传真Fax：*************手机Mob：189****8358技术支持QQ：1092081589邮箱Email：******************网址：版本号：V3.0（2016）---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 请下载电子版，本说明书内容仅供参考，我们将不断改善用户体验，如技术参数变更，恕不另行通知用户。

目录操作前的安全规范及注意项……………………………………………………………………………………………………………3页一、产品概述……………………………………………………………………………………………………………………………5页二、技术规格……………………………………………………………………………………………………………………………5页三、性能特点……………………………………………………………………………………………………………………………6页四、参数设置与使用操作说明…………………………………………………………………………………………………………7页五、输出控制方式操作说明……………………………………………………………………………………………………………9页六、常见故障分析及排除………………………………………………………………………………………………………………10页七、控制过程中的相关原理示意图……………………………………………………………………………………………………11页八、主回路及控制回路接线示意图……………………………………………………………………………………………………12页我们产品的元器件：* 电源变压器采用军工级品质变压器，环氧树脂灌封，经过高温老化锤炼的高品质产品；* 主控芯片采用ATMEL MEGA系列工业级高性能处理器，拥有超强的运算处理能力以及可靠的抗干扰能力；* 被动元器件基本为国巨Yageo品牌，耐高温，低漂移，器件工作寿命达10年以上；* 关键被动器件采用村田Murata及英飞凌Infineon品牌，保证控制板高压关键部位不易损坏；* 接线端子采用町洋DINKLE品牌，内部铜合金制成，不像市场上的控制板是采用铁质端子；* 控制板本安型设计，电源处采用自恢复保险丝来限制电流输出，防止外接线端子意外短路损坏控制板；* 配合我们多年引领行业的核心控制算法及SMD贴片工艺，保证控制板具有可靠稳定的性能。

三相移相可控硅触发器产品例图产品型号TSCR-B三相可控硅触发器优特点：只要个信号：（多种控制信号输入：DC 4-20mA、DC 1-5V、10k电位器），就能给出最佳线性，任意调温调速调压。

可直接触发800A以下的晶闸管另有3000A以下的触发板。

本控制板由进口高性能单片机作为控制、运算放大器、脉冲变压器等单元组成。

可以与各种自动化仪表配套使用，对仪表无干扰，也可以外接电位器手动控制，额定电压：AC380-440产品系列：TR电流性质：交流额定电流：800A 线圈功率：75mA触点切换电流：1触点切换电压：1防护特征：敞开式触点负载：弱功率应用范围：固态型号：TSCR-B吸合电流：1释放电流：1品牌：月盛触点形式：模拟量控制适应电路三相全控桥式可控整流电路带平衡电抗器的双反星形可控整流电路变压器原边交流调压，副边二极管整流电路三相零式整流电路三相半控桥式可控整流电路三相交流相控调压电路三相五柱式双反星形可控硅整流电路三相可控硅触发板接线图（全控整流）三相可控硅触发板接线图（相位调压）.一、可控硅模块产品概述：1.散热能力最强，同等条件温升最低且长期稳定2.外形长方型，环氧树脂灌封(模块)。

3.使用时需配适当散热器，必要时加强迫风冷。

4.国际标准封装。

5.阻燃工程塑料外壳，黄铜底板6.用途广范:如电气开关柜,自动化控制，大功率设备等二.以下是可控硅模块参数:.型号MTC-100A MTC-150A MTC-200A 额定工作电压1200V，1700V反向重复峰值电压800-1200反向重复峰值电流≤20mA浪涌电流ITMS(A) 2980门极触发电流（ma）≤150门极触发电压（V）≤2.5VDC维持电流IH(mA) ≤150通态压降VTM(V) ≤1.8通态门槛VTO(V) 0.80结壳热阻Rth（j-c）0.20（C/W）内部电路工作温度—35～75 ℃散热条件≥25A配散热器,≥40A再加风扇强冷外形尺寸94.0长×38.0高×35.0宽重量168g三.可控硅模块外形尺寸和安装接线图:(单位:mm).四.月盛可控硅模块型号对照表：如有侵权请联系告知删除，感谢你们的配合！。

周年专刊：关于触发脉冲的讨论（只为励磁来，Leildy，Chenxm，Admin）可控硅的导通条件是：阳极加正电压，门极加正电压，导通后门极失去控制作用。

那么想请教一下触发脉冲到底是怎么触发的？好像有什么双脉冲、宽脉冲，谁能详细讲讲，谢谢！简单来说，三相6脉冲全控整流电路共阴极，共阳极支路总共6只管子（不考虑串并联），在一个周期内，共阴极和共阳极管子轮流导通，且每隔60度，一个关断另一个导通，故总共要触发6次，每个管子导通120度。

单宽脉冲是比较早应用的一种触发方式，此脉冲宽度要大于60度，也就是意味着要在此宽度内导通两只管子（一只共阴极，一只共阳极），故整个周期内只发三个脉冲即可，从硬件角度来说节省了（对于早期模拟式器件），但损耗增大了。

后来随着数字式触发器件的发展，已不再象模拟时期要有很多硬件完成触发功能，更关心减少损耗，而双窄脉冲更适合此发展，因为这样每个周期要触发六次，但是每次的宽度都减少了，只要够维持此管子导通即可，故损耗大大降低了，所以现在普遍采用双窄脉冲的触发方式。

我得理解就是这些，希望进一步交流。

Chenxm：对于三相全控桥来说，功耗最小，前沿最陡，传输效率最高的脉冲是双窄脉冲列：用高频脉冲列构成一个双窄脉冲，高频频率为10KHZ左右。

触发脉冲需要用脉冲变压器传输能量，而变压器的传输效率是传输量的频率越高效果越好，在相同传输能力的情况下，宽脉冲需要大的变压器，且脉冲顶部的直流衰减很大；双窄脉冲需要中等大的变压器；双窄脉冲列只需要小变压器即可。

采用脉冲列技术的励磁有：siemens励磁，能达励磁，GE励磁等。

这是我推崇的脉冲技术，是西安电力电子技术搂晓峰传授给我的技术。

双窄脉冲列构成原理：用双窄脉冲去控制一个高频振荡器的输出，即在双脉冲存在的期间，高频脉冲输出，否则，高频振荡不输出。

这样，双窄脉冲列就形成。

这可是最好的脉冲形式。

Admin：楼上的各位说的真好，各有各的看法，我也说说吧：对于三相全控整流电路来说，在任何时刻都必须有两个晶闸管导通，才能形成导电回路，所以为了保证共阴极组和共阳极组各有一只管子导通，或者由于电流断续后再次能导通，必须对两组中应该导通的一对管子同时给触发脉冲，所有就有两种方法：一种是宽脉冲（大于60度）；另一种是在触发某一号管子的同时给前一号管子补发一个脉冲，也就相当于两个窄脉冲等效替代大于60度的宽脉冲，即双脉冲触发。

可控硅中频电源的工作原理可控硅中频电源的基本工作原理,就是通过一个三相桥式整流电路,把50 Hz的工频交流电流整流成直流,再经过一个滤波器(直流电抗器)进行滤波,最后经逆变器将直流变为单相中频交流以供给负载,所以这种逆变器实际上是一只交流—直流—交流变换器,其基本线路如图2 。

下面分整流电路,逆变电路及保护回路分别进行一些介绍。

一三相桥式全控整流电路的工作原理1 三相桥式全控整流电路的工作过程。

三相桥式全控整流电路共有六个桥臂,在每一个时刻必须2个桥臂同时工作,才能够成通路,六个桥臂的工作顺序如图3 。

现假定在时刻t1-t2(t1-t2的时间间隔为60o电角度，既相当于一个周波的1/6)此时SCR 1和SCR6同时工作(图3(a)中涂黑的SCR),输出电压即为VAB。

到时刻t2-t3可控硅SCR2因受脉冲触发而导通,而SCR6则受BC反电压而关闭,将电流换给了SCR2,这时SCR1和SCR2同时工作,输出电压即为VAC,到时刻t3-t4,SCR3因受脉冲触发而导通，SCR1受到VAB的反电压而关闭,将电流换给了SCR3,SC R2和SCR3同时工作,输出电压为VBC,据此到时刻t4-t5, t5-t6, t6-t1分别为SCR3和SCR4, SCR4和S CR5, SCR5和SCR6 同时工作,加到负载上的输出电压分别为VBA,VCA,VCB,这样既把一个三相交流进行了全波整流,从上述分析可以看出,在一个周期中,输出电压有六次脉冲。

这种整流电路由于在每一瞬间都有两个桥臂同时导通,而且每个桥臂导通时间间隔为60o,故对触发脉冲有一定要求,即脉冲的时间间隔必须为60o,而且如果采用单脉冲方式,脉冲宽度必须大于60o,如果采用窄脉冲,则必须采用双脉冲的方法, 既在主脉冲的后面60o的地方再出现一次脉冲。

2 三相同步及触发线路1)三相同步的选取及整形根据三相桥式全控整流过程的有关要求,首先要保证触发电路与三相电源严格同步。

EconoPIM ™2 模块 采用第七代沟槽栅/场终止IGBT7和第七代发射极控制二极管 带有温度检测NTC 和预涂导热介质特性•电气特性-V CES = 1200 V-I C nom = 50 A / I CRM = 100 A -沟槽栅IGBT7-低 V CEsat-过载操作达175°C•机械特性-高功率循环和温度循环能力-集成NTC 温度传感器-铜基板-低热阻的三氧化二铝 Al 2O 3 衬底-预涂导热介质-焊接技术可选应用•辅助逆变器•电机传动•伺服驱动器产品认证•根据 IEC 60747、60749 和 60068标准的相关测试，符合工业应用的要求。

描述FP50R12N2T7PEconoPIM ™2 模块内容描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1可选应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1产品认证 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 1封装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 2IGBT, 逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3二极管,逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4二极管,整流器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 5IGBT, 斩波器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 6Diode-斩波器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8 7负温度系数热敏电阻 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9 8特征参数图表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10 9电路拓扑图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 10封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 11模块标签代码 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17修订历史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18免责声明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .191封装表 1绝缘参数特征参数代号标注或测试条件数值单位绝缘测试电压V ISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 2.5kV 模块基板材料Cu内部绝缘基本绝缘 (class 1, IEC 61140)Al2O3爬电距离d Creep端子至散热器10.0mm 电气间隙d Clear端子至散热器7.5mm 相对电痕指数CTI>200相对温度指数 (电)RTI封装140°C 表 2特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值杂散电感,模块L sCE35nH 模块引线电阻,端子-芯片R AA'+CC'T H=25°C, 每个开关 5.5mΩ模块引线电阻,端子-芯片R CC'+EE'T H=25°C, 每个开关 4.8mΩ储存温度T stg-40125°C 最高基板工作温度T BPmax150°CM5, 螺丝36Nm 模块安装的安装扭距M根据相应的应用手册进行安装重量G180g注:The current under continuous operation is limited to 50 A rms per connector pin.Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-072IGBT, 逆变器表 3最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T H = 90 °C50A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms100A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 4特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 50 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.50 1.80VT vj = 125 °C 1.64T vj = 175 °C 1.72栅极阈值电压V GEth I C = 2 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V0.92µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C0Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V11.1nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.039nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.01mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.059µs T vj = 125 °C0.061T vj = 175 °C0.062上升时间(感性负载)t r I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.043µs T vj = 125 °C0.047T vj = 175 °C0.049关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.290µs T vj = 125 °C0.380T vj = 175 °C0.420下降时间(感性负载)t f I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.110µs T vj = 125 °C0.200T vj = 175 °C0.270开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 50 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 7.5 Ω, di/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 5.07mJ T vj = 125 °C 6.76T vj = 175 °C7.72关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 50 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 7.5 Ω, dv/dt =2900 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 3.37mJ T vj = 125 °C 5.31T vj = 175 °C 6.58(待续)表 4(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C190At P≤ 7 µs,T vj=175 °C180结－散热器热阻R thJH每个 IGBT, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material0.777K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.3二极管,逆变器表 5最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F50A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms100A I2t-值I2t V R = 0 V, t P = 10 ms T vj = 125 °C465A²sT vj = 175 °C420表 6特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 50 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.72 2.10VT vj = 125 °C 1.59T vj = 175 °C 1.52反向恢复峰值电流I RM I F = 35 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C31A T vj = 125 °C39T vj = 175 °C45恢复电荷Q r I F = 50 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 3.96µC T vj = 125 °C7.37T vj = 175 °C9.89(待续)表 6(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复损耗（每脉冲）E rec I F = 50 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.31mJ T vj = 125 °C 2.52T vj = 175 °C 3.46结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.13K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.4二极管,整流器表 7最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1600V 最大正向均方根电流(每芯片)I FRMSM T H = 60 °C70A最大整流器输出均方根电流I RMSM T H = 60 °C100A 正向浪涌电流I FSM t P = 10 ms T vj = 25 °C560AT vj = 150 °C435I2t-值I2t t P = 10 ms T vj = 25 °C1570A²sT vj = 150 °C945表 8特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 50 A T vj = 150 °C 1.05V 反向电流I r T vj = 150 °C, V R = 1600 V1mA 结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.10K/W 允许开关的温度范围T vj, op-40150°C5IGBT, 斩波器表 9最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T H = 110 °C25A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms50A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 10特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 25 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.60 1.85VT vj = 125 °C 1.74T vj = 175 °C 1.82栅极阈值电压V GEth I C = 0.525 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V0.395µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C0Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V 4.77nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.017nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.004mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.041µs T vj = 125 °C0.043T vj = 175 °C0.044上升时间(感性负载)t r I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.025µs T vj = 125 °C0.028T vj = 175 °C0.030关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.230µs T vj = 125 °C0.320T vj = 175 °C0.350下降时间(感性负载)t f I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.140µs T vj = 125 °C0.220T vj = 175 °C0.280(待续)表 10(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 25 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 9.1 Ω, di/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.47mJ T vj = 125 °C 2.05T vj = 175 °C 2.39关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 25 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 9.1 Ω, dv/dt =3120 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.65mJ T vj = 125 °C 2.58T vj = 175 °C 3.13短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C90At P≤ 7 µs,T vj=175 °C85结－散热器热阻R thJH每个 IGBT, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.19K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.6Diode-斩波器表 11最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F25A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms50A I2t-值I2t V R = 0 V, t P = 10 ms T vj = 125 °C125A²sT vj = 175 °C95表 12特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 25 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.83 2.30VT vj = 125 °C 1.70T vj = 175 °C 1.63(待续)表 12(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复峰值电流I RM I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C21.7A T vj = 125 °C26.7T vj = 175 °C29.8恢复电荷Q r I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.69µC T vj = 125 °C 3.29T vj = 175 °C 4.29反向恢复损耗（每脉冲）E rec I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C0.63mJ T vj = 125 °C 1.28T vj = 175 °C 1.69结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.63K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.7负温度系数热敏电阻表 13特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值额定电阻值R25T NTC = 25 °C5kΩR100偏差ΔR/R T NTC = 100 °C, R100 = 493 Ω-55%耗散功率P25T NTC = 25 °C20mW B-值B25/50R2 = R25 exp[B25/50(1/T2-1/(298,15 K))]3375K B-值B25/80R2 = R25 exp[B25/80(1/T2-1/(298,15 K))]3411K B-值B25/100R2 = R25 exp[B25/100(1/T2-1/(298,15 K))]3433K 注:根据应用手册标定7 负温度系数热敏电阻9电路拓扑图图 110封装尺寸图 211模块标签代码图 3修订历史修订历史修订版本发布日期变更说明1.002022-02-01Initial version商标所有参照产品或服务名称和商标均为其各自所有者的财产。

12脉波KGPS中频电源控制原理KGPS系列感应加热晶闸管变频装置是利用晶闸管将三相工频交流电能转换为几百或几千赫的单相交流电能。

具有控制方便、运行可靠、效率高等特点，有利于提高产品的产量和质量。

本装置采用全数字控制，扫频启动方式，无须同步变压器等，线路简单，调试方便，负载适应能力强，启动可靠。

应用于铸钢、不锈钢、合金钢的冶炼，真空冶炼，感应加热等不同场合。

1．主电路原理整流电路原理整流电路主要是将50HZ的交流电整流成直流。

由12个晶闸管组成的12脉波串联全控整流电路，输入工频电网电压(400V)，控制可控硅的导通，实现输出0～510V 连续可调的直流电压。

(如图)六相12脉波全控整流桥工作原理当触发脉冲在任意控制角时，其输出直流电压为：Ud =式中：Ua = 三相进线电压a-控制角逆变电路原理：该产品采用了并联逆变器，这种逆变器对负载变化适应能力强，见图（4）所示。

它的主要作用是将三相整流电压Ud逆变成单相400-10KC的中频交流电。

一般，由于功率大小、进线电压等原因，逆变可控硅的数量有，四只、八只、十六只三种，即采用单管、串管、并管等技术。

但为了分析方便，将其等效为图（4）电路。

下面分析一下逆变器的工作过程，假设图（4）中，先是①②导通③④截止，则直流电流Id经电抗器Ld，可控硅①②流向Lc谐振回路，Lc产生谐振，振荡电压正弦波。

此时电容器两端的电压极性为左正右负，如果在电容器两端电压尚未过零时之前的某一时刻产生脉冲去触发可控硅③④，此时形成可控硅①②③④同时导通状态，由于可控硅③④的导通，电容器两端的电压通过可控硅③④加在可控硅①②上使可控硅①②两端承受反压而关断，也就是说可控硅①②将电流换给了③④。

换流以后，直流电流Id经电抗器Ld、可控硅③④反向流向LC谐振回路。

电容器两端的电压继续按正弦规律变化，而电容器两端电压极性为左负右正，负载回路中的电流也改变了方向。

当电容器右端的正电压要在过零前的某一时刻再将可控硅①②触发导通，再次形成可控硅①②③④同时导通状态。

tb6612fng用法一、概述TB6612FNG是一款常用的马达驱动芯片，常用于电动工具、自动化设备、机器人等需要控制马达的场合。

它的主要功能是提供高效率、高转矩、宽电压范围的马达驱动，同时具有过电流保护等保护功能。

二、TB6612FNG的主要特点1.高效率：TB6612FNG能够提供高效稳定的马达驱动，降低能源的浪费。

2.高转矩：在低电压、低电流的情况下，TB6612FNG仍能提供足够的马达转矩。

3.宽电压范围：TB6612FNG适用于5V至36V的输入电压范围，能够适应不同的电源环境。

4.自动保护：具有过电流保护、过热保护等功能，能有效保护马达和驱动电路。

三、TB6612FNG的连接方式TB6612FNG一般会与电机和电感器连接。

其中电机需要使用适当的功率电阻和电容进行配置。

以下是一个基本的连接方式示例：*将电机与TB6612FNG的“电机”端口连接。

*将电感器的一端与TB6612FNG的“输入”端口连接，另一端连接电机。

*将电源通过TB6612FNG的“输出”端口提供给电机。

四、控制信号TB6612FNG需要使用两个控制信号：启动信号和停止信号。

启动信号可以通过一个高电平有效（例如5V）的启动信号端口提供，停止信号则通过一个低电平有效的停止信号端口提供。

一般情况下，电机转动时启动信号保持为高电平，停止时切换为低电平。

需要注意的是，正确的控制信号延迟设置也是非常重要的。

五、使用注意事项*TB6612FNG在初次使用时，需要先进行上电测试，确保其正常工作。

*在连接电机时，要确保电机的正负极与TB6612FNG的连接正确，避免短路。

*在设置电感器时，要确保电感器的值正确，以避免过电流或电机无法转动的情况。

*在使用过程中，如果发现电机转动不正常或出现异常声音，应该立即断开电源并检查电路。

*确保TB6612FNG的工作环境干燥、无尘，避免潮湿和金属粉尘对其造成损害。

六、总结总的来说，使用TB6612FNG需要一定的电子基础知识，以及对电机驱动和马达控制的理解。

三相可控硅触发板原理
三相可控硅触发板是一种用于控制三相可控硅开通和关断的电路板。

它的工作原理基于对三相电源电流进行触发控制，从而实现对三相可控硅的控制。

该触发板通常由一个触发控制器、传感器、逻辑控制电路和可控硅组成。

传感器用于检测电源的相角，将实时相角信息反馈给触发控制器。

逻辑控制电路用于处理传感器反馈的相角信息，并根据预设的逻辑规则生成触发信号。

触发信号通过触发控制器送至可控硅，从而实现对其开通和关断。

触发器控制器是整个触发板的核心部分。

它通常由一组逻辑电路和计时器组成，用于根据传感器反馈的相角信息，判断何时触发可控硅的开通或关断操作。

触发控制器还可以根据用户设置的参数，自动调整触发信号的时序和频率，以控制可控硅的导通和截止时间。

在工作过程中，当传感器检测到电源相角达到预设值时，触发控制器会根据设置的触发规则生成触发信号，触发可控硅的开通或关断。

利用触发板，可以实现对三相可控硅的精确控制，从而在不同的电力系统中实现电流的正向和逆向控制、功率因数校正等功能。

总之，三相可控硅触发板通过控制可控硅的开通和关断，实现对三相电流的控制。

它利用传感器检测电源的相角，并通过触发控制器生成相应的触发信号，以实现对可控硅的触发控制。

通过调整触发信号的时序和频率，可以实现对可控硅的精确控制，满足不同电力系统的需求。

QJR 系列矿用隔爆兼本质安全型交流真空软起动器使用说明书第二版太原惠特科技有限公司二ＯＯ八年四月服务及销售热线：、7021503传真: 邮编：030006通讯地址：中国山西太原市长治路420号4层该起动器是在本公司畅销产品“QJRP400/1140（660）矿用隔爆兼本质安全型调压调频软起动器”、“QJT250/1140（660）矿用刮板输送机调速起动器”的基础上，吸收优点、摈弃缺点，并结合当前最新的软起动技术潜心开发的第二代软起动产品。

功能更齐全、性能更优越、使用更安全、维修更方便，达到了国际领先水平。

本使用说明书根据GB9969.1-1998标准编写。

本使用说明书随本产品的技术进步而修改，用户需要的话可索取本产品使用说明书的最新版本。

本产品执行标准：“MT/T 943-2005 矿用低压交流软起动器”及其关于“QJR系列矿用隔爆兼本质安全型交流真空软起动器技术申明”。

安装、使用该产品前，请详细阅读本使用说明书。

警告：本起动器必须在接线腔隔爆上盖板、隔爆快开门及其它防爆结构正常关闭、无损伤的情况下，方可通电。

否则，将危及人身和矿井安全！警告：严禁带电检修起动器，带电检修可能引起人身伤亡事故、危及矿井安全！检修电机时，必须把本起动器的电源切断，同时将本起动器的隔离换向开关置于断开位。

用电笔测量进出线无电后，方可检修！警告：起动器外壳必须可靠接地，电源进出线的地线必须可靠连接在内接地端子上；警告：检修和使用中，不得改变本安电路和与本安电路有关的元器件的规格、型号、参数。

目录1.概述 (1)2.结构特征与工作原理 (3)3.技术特性 (7)4.尺寸、重量 (9)5.安装、调试 (9)6.使用、操作、显示 (14)7.故障分析与排除 (19)8.安全保护装置 (19)9.保养、维修 (19)10.运输、贮存 (20)11.开箱及检查 (20)12.其它 (21)软起动开关使用说明(第二版)1 概述1.1主要用途及适用范围QJR系列矿用隔爆兼本质安全型低压交流软起动器(以下简称起动器)，主要用于具有爆炸性危险气体（甲烷）和煤尘的矿井中，对额定电压至1140V、额定频率50Hz、额定电流至400A的三相鼠笼式异步电动机进行控制。

双向可控硅结构原理及应用分享时间：2010-01-19 09:58:05 来源：作者：普通晶闸管(VS)实质上属于直流控制器件。

要控制交流负载，必须将两只晶闸管反极性并联，让每只SCR控制一个半波，为此需两套独立的触发电路，使用不够方便。

双向晶闸管是在普通晶闸管的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的晶闸管，而且仅需一个触发电路，是目前比较理想的交流开关器件。

其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。

构造原理尽管从形式上可将双向晶闸管看成两只普通晶闸管的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。

小功率双向晶闸管一般采用塑料封装，有的还带散热板，外形如图l所示。

典型产品有BCMlAM(1A／600V)、BCM3AM(3A／600V)、2N6075(4A／600V)，MAC218-10(8A／800V)等。

大功率双向晶闸管大多采用RD91型封装。

双向晶闸管的主要参数见附表。

双向晶闸管的结构与符号见图2。

它属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。

因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。

表示，不再划分成阳极或阴极。

其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。

反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。

双向晶闸管的伏安特性见图3，由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。

检测方法下面介绍利用万用表RXl档判定双向晶闸管电极的方法，同时还检查触发能力。

1.判定T2极由图2可见，G极与T1极靠近，距T2极较远。

因此，G—T1之间的正、反向电阻都很小。

在用RXl档测任意两脚之间的电阻时，只有在G-T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧，而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。

这表明，如果测出某脚和其他两脚都不通，就肯定是T2极。

，另外，采用TO—220封装的双向晶闸管，T2极通常与小散热板连通，据此亦可确定T2极。

液晶电视逻辑板维修培训逻辑板维修培训一( 逻辑板就是我们常说的:T-CON板、中控板、解压板、解码板，是液晶屏显示视频图像信号的关键部件;英文 : timing controller的缩写为T-CON中文:时序控制电路作用:控制PANEL时序动作的核心电路，控制扫描驱动电路何时启动，并将输入的视频信号(例如LVDS信号)转换成数据驱动电路所用的数据信号形式(例如mini-LVDS信号或RSDS信号)，传递到数据驱动电路(COF IC)，并控制数据驱动电路适时开启。

TCON电路就是液晶屏的图像驱动电路，液晶电视出现的一些有别于CRT电视的特殊故障花屏、图像翻转、图像发白等都是TCON电路造成。

主要接入脚:1、从数字板传输过来的LVDS信号(包括:RGB基色信号、行同步信号、场同步信号、使能信号、时钟信号);2、格式脚，控制电压符号是:SELLVDS或LVDS OPTION，格式控制电压为高、低电平;3、屏供电多为12V或5V，现在屏多数是12V，如是全高清屏全部是12V 供电。

TCON板电路主要由几部分组成:1.TCON IC(必须的)2.GAMMA IC(必须的)3.PM IC (必须的)4.GPM IC(OPTION)5.LEVEL SHIFT IC(GOA屏专用)1把主板电路送来的LVDS信号转换为供液晶屏显示的栅极驱动信号及源极驱动信号。

完成LVDS到MINI LVDS的转换输出;同时输出Source/Gate Driver所需的各种控制时序.具体就是把主板送来的LVDS信号经过转换;产生向“栅极驱动电路”及“源极驱动电路”提供为进一步转换需要的各种控制信号(STV、CKV、STH、CKH、POL)及图像数据信号(RSDS)。

二( 原理T-CON板主要由五部分组成:1、栅极驱动电路(行驱动电路);2、源极驱动电路(列驱动电路)组成;3、时序控制电路(T-CON);4、DC—DC变换电路(为以上电路提供电压的开关电源电路);5、伽马校正电路(灰阶电压发生电路)。

三相可控硅交流调压移相触发器㈠概述龙科三相可控硅交流调压移相触发器(英文名称为Loncont Solid-State jk trigger，简称LSJK)，它内部集三相电压同步过零检测、移相电路、输入控制电路和六路驱动可控硅的触发电路于一体，独特的全兼容输入控制模式， 0-5Vdc、0-10Vdc、4-20mA、1-5Vdc、0-10mA等自动方式均能适应，无须专门特别订制，也可用电位器手动控制。

在输入控制作用下，产生三相可改变导通角度的强触发脉冲信号再去分别控制可控硅，即可实现三相负载电压从0V到电网全电压的无级可调。

输入调节范围宽，输出调节精度高，三相对称性好，抗干扰能力强。

触发器无须外接同步变压器，也无须外接直流电源，采用SMT贴片工艺，体积小，外围接线少，使用方便。

触发器使用单宽脉冲强触发方式，适应感性负载或阻性负载，Δ形或Y形接法（无须N线）均可，可以触发额定电流达1500A的可控硅。

1、触发器有线性补偿功能，极大地提高了调节均匀性，输出变化接近理想直线，输入调节范围宽，输出调节精度极高，三相对称性好，抗干扰能力强。

2、触发器有上电缓启动功能，有效地减小了负载在通电时的瞬间冲击电流，有效保护模块安全，延长负载寿命。

㈡型号命名：LSJK --- T 3 SCR HLSJK---龙科固态移相触发器T---三相，缺省为单相额定工作电压3：280-430Vac2：160-280Vac1：90-160Vac0：40-90VacSCR---单向可控硅H---单向可控硅反并㈢多种输入方式电位器手动控制方式 0-5Vdc自动控制方式0-10Vdc自动控制方式 4-20mA（1-5Vdc）自动控制方式 0-10mA自动控制方式使用说明1、独特的全兼容输入控制模式， 0-5Vdc、0-10Vdc、4-20mA、1-5Vdc、0-10mA等自动方式均能适应，无须专门特别订制，也可用电位器手动控制。

输入调节范围宽，输出调节精度高，抗干扰能力强。

西安广角电力电子开发部变流专用电路TCZ6.1可控硅三相全控（半控）桥控制板TC-Z6.1可控硅三相全控（半控）桥控制板（使用电路TC787）用于可控硅三相桥式全控或半控整流器的触发，其线路简单、工作可靠、系统适配性高，具备以下特点：1.同步滤波网络可消除同步信号中的畸变和干扰，提供30度相移，并对三相同步信号进行微调，使控制板和工作系统有良好的配合。

2.电路采用集中式恒流源，相对误差小，三相锯齿波线性好、一致性好。

3.电路板上设计有一功能选择点，板上电路TC787的6脚如和17脚相连，输出为全控双脉冲方式；6脚如和3脚相连，输出为半控单脉冲方式。

4.输出为调制脉冲列，适配脉冲变压器触发可控硅，宽度可调，对感性负载的工作系统触发尤为可靠。

5.有脉冲输出控制端，可用作过流过压的保护禁止端，也可用作正反组可逆系统的逻辑切换以及过零触发系统的开关控制端。

6.输出线路稍加修改可用于双向可控硅或反并联可控硅的三相交流调压电路。

7.板上有整流稳压电路，用户只需外接双15－18V的变压器就可工作，TC787单电源即可工作，但考虑用户的需要，板上有±15V的双路稳压输出和24V输出。

一、电路图与工作原理：Array三相同步信号A、B、C输入板上A2、A1、A20，经RC T型网络移相滤波，产生30度的相移，板右三只电位器W1, W2, W3可微调各同步电压的相位，以保证同步信号与主系统的适配，同步电压取30V。

由于TC787单电源供电且同步电压的零点为1/2电源电压，板上采用电容耦合将同步电压Va、Vb、Vc送入电路的18、2、1脚，此时输入电路的同步电压的幅度不应大于电源电压。

电路的16、14、15脚形成锯齿波，电路采用集中式恒流源，一致性好，只要三只电容相对误差小，就能保证线性和幅度。

电路4脚通过运放转换极性，W4用于调整电压转折点，W5可调整电压增益，以便移相电压和电路锯齿波相适配。

A19引出板外，通过接在0-V DD间的电位器调整移相电压，移相极性为移相电压增加，输出导通角愈大。

很高兴接到您的委托，让我来撰写一篇关于nsi6602驱动三相桥晶体管参考电路的文章。

这个主题涉及到电子技术领域中的一些专业知识，我会按照您的要求，从简到繁地深入探讨这个主题，以便让您更好地理解。

1. 简介在电子技术中，nsi6602驱动三相桥晶体管参考电路是一种用于控制电力系统的重要技术。

它可以有效地驱动三相桥晶体管，并实现对电力系统的精确控制，具有广泛的应用价值。

接下来，我将分别从nsi6602驱动、三相桥晶体管和参考电路三个方面展开讨论。

2. nsi6602驱动nsi6602是一种高性能的驱动器芯片，具有快速的响应速度和稳定的性能。

它采用先进的技术，能够有效地控制三相桥晶体管的开关，实现对电力系统的精准调节。

nsi6602驱动器在电力系统中起着至关重要的作用，可以提高系统的稳定性和可靠性，同时也可以减少能源的浪费。

3. 三相桥晶体管三相桥晶体管是电力系统中常用的一种开关元件，它可以实现电流的正反向流动，并对电力系统进行精确的控制。

在nsi6602驱动三相桥晶体管参考电路中，三相桥晶体管承担着重要的作用，需要与驱动器芯片紧密配合，才能实现电力系统的稳定运行。

4. 参考电路参考电路是nsi6602驱动三相桥晶体管的重要组成部分，它可以提供必要的参考信号，帮助驱动器芯片精确地控制三相桥晶体管的开关。

一个优秀的参考电路可以大大提高系统的性能和稳定性，从而实现对电力系统的精准控制。

总结通过对nsi6602驱动三相桥晶体管参考电路的深入探讨，我们可以更好地理解这一重要的电子技术领域。

nsi6602驱动器、三相桥晶体管和参考电路三者之间相互配合，共同实现对电力系统的精准控制。

在未来的发展中，我们可以进一步优化这些技术，提高系统的性能和稳定性，为电力系统的发展做出更大的贡献。

个人观点在我看来，nsi6602驱动三相桥晶体管参考电路是电子技术领域中的一项重要技术，它可以有效地提高电力系统的稳定性和可靠性。

在未来的发展中，我认为我们可以进一步研究和改进这些技术，为电力系统的发展做出更大的贡献。

nsi6602驱动三相桥晶体管参考电路（原创版）目录1.驱动三相桥晶体管的背景介绍2.nsi6602 的作用和特点3.nsi6602 驱动三相桥晶体管的参考电路设计4.实际应用中的注意事项正文一、驱动三相桥晶体管的背景介绍三相桥式晶体管（BJT）是一种常见的电力电子器件，广泛应用于交流电机、变频器、软启动器等电力电子设备中。

由于其具有结构简单、工作可靠、电流容量大等优点，因此被广大工程师所青睐。

然而，如何驱动三相桥晶体管以实现高效、稳定的控制，一直是工程师们关注的问题。

二、nsi6602 的作用和特点si6602 是一款专门用于驱动三相桥晶体管的集成电路，具有以下特点：1.集成度高：nsi6602 集成了六路驱动信号，可以驱动两个三相桥晶体管，大大简化了电路设计。

2.输出电流能力强：nsi6602 的输出电流可达±2A，可以满足大多数应用场景的需求。

3.控制方式灵活：nsi6602 支持电压模式和电流模式控制，可以根据实际应用需求进行选择。

4.保护功能齐全：nsi6602 具有短路保护、过温保护等功能，可以有效保护晶体管免受损坏。

三、nsi6602 驱动三相桥晶体管的参考电路设计在设计 nsi6602 驱动三相桥晶体管的电路时，需要考虑以下几个方面：1.电源设计：根据 nsi6602 的供电需求，设计合适的电源电路，保证其稳定工作。

2.驱动电路设计：根据实际应用场景，设计合适的驱动电路，使得nsi6602 能够输出足够的驱动电流。

3.控制电路设计：根据所需的控制方式，设计控制电路，实现对nsi6602 的精确控制。

4.保护电路设计：根据 nsi6602 的保护需求，设计保护电路，实现对晶体管的有效保护。

四、实际应用中的注意事项在实际应用中，需要注意以下几点：1.电路设计要合理，避免出现元件过热、电源电压波动等问题。

2.驱动电路的输出阻抗要匹配，以保证驱动信号的有效传输。

3.控制电路的采样频率要足够高，以保证控制的快速响应。

电力电子技术课程设计班级电气1002班学号姓名扬州大学能源与动力工程学院电气及自动化工程二零一四年一月目录摘要 (1)第1章绪论 (2)1.1 电力电子技术的发展 (2)1.2电力电子技术在直流整流器上的应用 (3)1.3 整流器的发展 (3)1.4 本设计研究的主要内容及方法 (3)第2章总体设计方案 (5)2.1最优方案选取 (5)2.2系统原理简述及方框图 (5)2.3主电路设计： (6)2.3.1晶闸管的选择及型号的确定 (8)2.3.2变压器的设计 (10)2.3.3触发电路的设计 (11)2. 4保护电路设计 (13)2.4.1过电压保护 (13)2.4.2过电流保护 (15)2. 5系统调试或仿真 (16)2.5.1串联12脉波整流电路建模 (17)2.5.2仿真结果与谐波分析 (21)结论 (27)课程设计总结 (28)参考文献 (29)摘要近些年来随着电力电子技术的快速发展，电力电子技术已广泛应用于各个领域。

直流整流器是以电力电子技术为基础发展起来的。

它是利用电力电子技术的基本特点以小信号输入控制很大的功率输出，放大倍数极高，这就是电力电子设备成为强、弱电之间接口的基础。

利用这一特点能获得节能、环保、高效、高可靠性、安全良好的经济效益。

整流电路是将交流电能变为直流电能的一种装置，整流电路是电力电子电路中出现最早的一种。

它的发展还与其他许多基础学科有着紧密的联系，如微电子技术、计算机技术、拓扑学、仿真技术、信息处理与通信技术等等。

每一门学科或专业技术的重大发展和突破都为电力电子技术的发展带来了巨大的推动力。

关键词：整流电路；控制电路；触发电路；保护电路；第1章绪论1.1 电力电子技术的发展近年来电力电子技术发展异常迅速，新型元器件频繁换代、层出不穷，应用领域不断扩大，日趋成熟。

电力电子技术在生产自动化、节能降耗、信息技术和日用电器等多方面越来越产生着举足轻重的影响。

电力电子技术是利用电力电子器件对电能进行控制和转换的。

bt12可控硅参数BT12可控硅是一种常用的电子元件，广泛应用于电力电子领域。

它具有可控性强、耐压能力高、开关速度快等特点，因此在各种电路中都有着重要的作用。

首先，我们来了解一下BT12可控硅的基本参数。

BT12可控硅的最大额定电流一般为12A，最大额定电压一般为600V。

它的最大封装功率一般为60W，最大耐压能力一般为800V。

此外，BT12可控硅的最大触发电流一般为20mA，最大触发电压一般为1.5V。

这些参数对于设计电路和选择适合的可控硅非常重要。

在实际应用中，我们需要根据具体的需求选择合适的BT12可控硅。

首先，我们需要根据电路的工作电流和电压来确定可控硅的额定电流和电压。

如果电路的工作电流超过了可控硅的额定电流，就会导致可控硅过载而损坏。

同样，如果电路的工作电压超过了可控硅的额定电压，也会导致可控硅击穿而失效。

因此，在选择可控硅时，要确保其额定电流和电压能够满足电路的需求。

除了额定电流和电压外，还有一些其他参数也需要考虑。

例如，可控硅的触发电流和触发电压决定了它的触发灵敏度。

如果触发电流和触发电压较高，那么可控硅就比较不容易触发；反之，如果触发电流和触发电压较低，那么可控硅就比较容易触发。

因此，在选择可控硅时，要根据实际需求来确定合适的触发电流和触发电压。

此外，还有一些其他参数也需要注意。

例如，可控硅的导通压降决定了它在导通状态下的功耗；可控硅的关断时间决定了它在关断状态下的响应速度。

这些参数对于设计高效、稳定的电路非常重要。

总之，BT12可控硅是一种常用的电子元件，具有可控性强、耐压能力高、开关速度快等特点。

在选择BT12可控硅时，我们需要考虑其额定电流和电压、触发电流和触发电压、导通压降和关断时间等参数。

只有选择合适的可控硅，并根据实际需求进行合理设计，才能确保电路的正常工作和稳定性。