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第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电第五版课后答案第一章简介1.1 什么是模拟电子技术？模拟电子技术是研究模拟电子元器件、电路和系统的原理和设计方法的一门学科。
它主要研究电子元器件和电路在连续信号情况下的原理和应用。
1.2 为什么学习模拟电子技术？学习模拟电子技术有以下几个原因：•模拟电子技术在许多领域中都有广泛的应用，比如通信、医疗设备、汽车电子等。
•模拟电子技术是电子技术的基础，掌握了模拟电子技术可以更好地理解和应用其他领域的电子技术。
•对于电子工程师来说，模拟电子技术是必备的基本技能。
第二章模拟电子元器件2.1 电阻器电阻器是一种常见的电子元器件，其主要功能是阻碍电流流过。
常见的电阻器有稳态电阻器、变阻器等。
2.2 电容器电容器是一种存储电荷的元器件。
电容器的主要特性有容量、介质、工作电压等。
2.3 电感器电感器是一种储存电能的元器件。
它主要由线圈组成，具有自感和互感等特性。
第三章模拟电路基础3.1 基本电路元件模拟电路基础中的基本电路元件包括电阻、电容、电感。
3.2 电路定理小结电路定理是研究电路行为和性质的基本理论。
常见的电路定理有欧姆定律、基尔霍夫定律、戴维南定理等。
第四章放大电路基础知识4.1 放大电路的基本概念放大电路是指通过放大输入信号的幅度来获得输出信号的电路。
放大电路常用于信号放大、功率放大等应用。
4.2 放大电路的分类放大电路可以分为线性放大电路和非线性放大电路两大类。
第五章放大电路的分析与设计5.1 放大电路的基本分析方法放大电路的基本分析方法包括小信号模型、频率响应等。
5.2 放大电路的设计方法放大电路的设计方法主要包括增益的设计、频率响应的设计等。
以上是《模电第五版》中第一章至第五章的课后答案摘要。
希望对你的学习有所帮助！。
复习题一、填空：1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。
2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（+5）元素物质后形成的杂质半导体。
3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。
4.在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。
5．集成运放主要包括输入级、(中间放大极)、(输出极)和?(偏置)电路。
其中输入级一般采用(差模)电路。
6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。
7．与甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（管耗小，效率高），其最高效率可达到（78.5%），但容易产生（交越）失真。
8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（共模干扰）。
9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（10）。
10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（RC）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（LC）振荡器。
11．半导体二极管具有（体积小，重量轻，使用寿命长，输入功率小，功率转换效率高等）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。
12．晶体三极管是一种（电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（反偏）集电结（正偏），而场效应管是一种(电压) 控制型器件。
13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。
14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。
15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。
16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共基极组态、共集电极组态）输入电阻最小的是（共集电极放大）电路。
第六章6.1图P6-1所示，RC 桥式振荡电路中，已知频率为500Hz ，C=0.047μF ，R F 为负温度系数、20k Ω的热敏电阻，试求R 和R1的大小。
解：由于工作频率为500Hz ，所以可选用集成运放LM741。
因提供的热敏电阻为负温度系数，故该电阻应接于R F 的位置。
为了保证起振，要求Ω=<k R R F1021，现取Ω=k .R 861。
根据已知f o 及C ，可求得Ω=⨯⨯⨯π=π=-677610047050021216.C f R o 可取Ω=k .R 86金属膜电阻。
6.2已知RC 振荡电路如图P6.2所示，试求：（1）振荡频率f o =?（2）热敏电阻R t 的冷态阻值，R t 应具有怎样的温度特性？（3）若Rt 分别采用10K Ω和1K Ω固定电阻，试说明输出电压波形的变化。
解：（1）Hz Hz RC f o 9711002.0102.822163=⨯⨯⨯⨯==-ππ（2）R t 应具有正温度系数，R t 冷态电阻Ω=<k R F 521（3）输出波形变化＜3210101110=+=+Ω=Rt R K Rt F 停振 u o=0＞311110111=+=+Ω=Rt R K Rt F u o 为方波6.3 分析图P6.3所示电路，标明二次线圈的同名端，使之满足相位平衡条件，并求出振荡频率。
解：(a)同名端标于二次侧线圈的下端MHz Hz Hz LCf o 877.010877.0103301010021216126=⨯=⨯⨯⨯==--ππ(b)同名端标于二次侧线圈的下端MHz Hz Hz f o 52.11052.11010036010036010140216126=⨯=⨯+⨯⨯⨯=--π(c)同名端标于二次侧线圈的下端MHz Hz Hz f o 476.010476.01020010560216126=⨯=⨯⨯⨯=--π6.4 根据自激振荡的相位条件，判断图P6.4所示电路能否产生振荡，在能振荡的电路中求出振荡频率的大小。
模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术的领域中，模拟电子技术一直占据着重要的地位。
它是电子信息工程、通信工程、自动化等专业的基础课程之一。
《模拟电子技术第五版》作为一本经典教材，其中的基础习题对于学生理解和掌握这门课程的知识具有至关重要的作用。
首先，让我们来看看一些关于半导体基础知识的习题。
半导体器件是模拟电子技术的基石，理解其工作原理和特性是学好这门课程的关键。
例如，有这样一道习题：“解释为什么在纯净的半导体中掺入少量杂质可以显著改变其导电性能？”对于这道题，我们需要明白，纯净的半导体中载流子浓度很低，而掺入杂质后会形成施主能级或受主能级，从而增加了载流子的浓度，使得导电性能得到改善。
再比如，“比较 N型半导体和 P 型半导体在导电机制上的差异。
”这道题要求我们清楚 N型半导体中主要是电子导电，P 型半导体中主要是空穴导电，并且要能够详细阐述其形成原因和导电过程。
在二极管这一章节，也有不少具有代表性的习题。
“分析二极管在正向偏置和反向偏置时的电流特性，并解释其原因。
”在解答这道题时，我们要知道在正向偏置时，二极管的 PN 结变薄，电阻减小，电流容易通过；而在反向偏置时，PN 结变厚，电阻增大，只有极小的反向饱和电流。
还有“利用二极管的单向导电性，设计一个简单的整流电路，并计算其输出电压和电流。
”这样的题目则需要我们将理论知识应用到实际电路设计中，通过计算来确定电路的性能参数。
三极管是模拟电子技术中的核心器件，相关的习题更是复杂多样。
“阐述三极管的放大作用原理，以及如何判断三极管的工作状态。
”这道题要求我们深入理解三极管的结构和工作原理，知道三极管通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大作用。
判断工作状态时，需要根据基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系，以及各极之间的电压来确定。
又如“设计一个共射极放大电路，计算其电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
”这就需要我们综合运用三极管的放大原理、电路分析方法以及相关的计算公式来完成。
模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术的学习中，模拟电子技术无疑是一座重要的基石。
而对于学习模拟电子技术的同学来说，通过基础习题的练习和正确的解答来加深对知识的理解和掌握是至关重要的。
首先，让我们来谈谈模拟电子技术的一些基本概念。
模拟电子技术主要研究的是连续变化的电信号，例如电压和电流。
它涉及到半导体器件，如二极管、三极管等，以及由这些器件组成的各种电路，如放大器、滤波器、振荡器等。
在基础习题中，经常会出现关于二极管的问题。
二极管是一种最简单的半导体器件，但它的特性却非常重要。
例如，会让我们计算二极管在不同的电路中的导通和截止状态，或者分析其在整流电路中的作用。
就拿一个简单的二极管整流电路来说，假设输入是一个正弦交流电压，我们需要判断在正半周和负半周二极管的导通情况，从而得出输出电压的波形。
在正半周，二极管导通，电流可以通过；在负半周，二极管截止，没有电流流过。
通过这样的分析，我们就能理解二极管是如何将交流信号转换为直流信号的。
三极管也是模拟电子技术中的核心器件之一。
习题中可能会涉及三极管的放大作用、输入输出特性曲线的理解，以及三极管组成的共射、共集、共基三种基本放大电路的分析。
比如说，在共射放大电路中，我们要考虑三极管的静态工作点设置是否合适，以及输入信号在不同频率下的放大情况。
这就需要我们熟练掌握三极管的工作原理和相关的电路分析方法。
还有一类常见的习题是关于集成运算放大器的。
集成运算放大器具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗等特点，广泛应用于各种模拟电路中。
在习题中，可能会让我们设计一个基于集成运算放大器的加法器、减法器或者积分器、微分器等。
要完成这些设计，就必须清楚集成运算放大器的“虚短”和“虚断”概念，以及各种运算电路的基本结构和工作原理。
再来说说滤波器，这也是模拟电子技术中的重要内容。
滤波器可以分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。
习题可能会要求我们根据给定的技术指标，设计相应的滤波器电路，并计算其参数。
模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?v?，二极管导通电压降ud?0.7v。
试画出ui和uo的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7v时，uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时，uo?ui (3) 当ui??3.7v时，uo??3.7v 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。
解：对于（a）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，uao??6v 采用恒压降模型来说，uao??6.7v对于（c）来说，二极管d1是导通的，二极管d2是截止的。
采用理想模型来说，uao?0 采用恒压降模型来说，uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解：（b）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出：2515＝1.5v 18?225?510u右＝15?＝1v140?10u左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为id＝0（c）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出： 52＝2.5v，u左＝2.5?20?＝0.5v 25?518?210u右＝15?＝1v140?10u左1＝15?由于u右?u左?0.5v，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： t1: 硅管，pnp，11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管，npn，3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管，npn，12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管，pnp，12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管，pnp，14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管，npn，12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（rl??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。
第3章 多级放大电路自 测 题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B（5）C ，B二、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差B .晶体管参数的分散性C .晶体管参数受温度影响D .电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
A .克服温漂B . 提高输入电阻C .稳定放入倍数 （4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ，共模信号是两个输入端信号的 。
A .差B .和C .平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使。
A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强解：（1）C，D （2）C （3）A （4）A，C （5）B（6）Cr=100三、电路如图PT3.3所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bbΩ，静态时｜U B E Q｜≈0.7V。
《模拟电子技术基础》题库华成英主编高等教育出版社一、判断下列各题是否正确，对的打“√”，错的打“×”1．半导体中的空穴带正电。
（√）2．本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（√）3．P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（×）4．未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。
（√）5．稳压管工作在反向击穿状态时，其两端电压恒为U Z。
（×）6．若晶体管将集电极和发射极互换，则仍有较大的电流放大作用。
（×）7．多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
（×）8．射极输出器是电压串联负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。
（√）9. 一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。
（√）10. 一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（√）11.差动放大电路的A VD越大越好，而A VC则越小越好。
（√）12.零点漂移就是静态工作点的漂移。
（√）13.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（√）14．只有直接耦合放大电路才有温漂。
（×）15.不管差分放大电路的参数是否理想对称，R E均有共模负反馈作用。
（√）16．利用两只NPN型管构成复合管只能等效为NPN型管。
（√）17．利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP管。
（×）18．差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。
（×）19．放大电路采用复合管是为了减小输入电阻和放大倍数。
（×）20.镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
（√）21.在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数。
（√）同时也可以增大共模抑制比。
（√）二、选择填空1、型半导体中的多数载流子是_____B__,N型半导体的多数载流子是____A____.A.电子 B .空穴 C. 正离子 D.负离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度__ A ___本征半导体中的载流子的浓度。
A．大于 B.等于 C.小于3、室温附近，当温度升高时，杂质半导体中_____ C __ 浓度明显增加。
A．载流子 B.多数载流子 C.少数载流子 D.离子4、硅二极管的正向导通压降比锗二极管______ A ___,反向饱和电流比锗二极管____ B ___.A.大B.小C. 等于5、温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压___ B ___,反向电流_ A ______.A.增大B.减小C.不变6、工作在放大状态的晶体管，流过发射极的是____ A __电流，流过集电结的是__ B ___电流。
A．扩散 B.漂移 C.反向饱和7、晶体管通过改变____ A __来控制____ C ___,而场效应管是通过改变__B ___控制___ D _____,是一种__ E ____ 控制器件。
A．基极电流 B.栅—源电压 C.集电极电流 D.漏极电流 E．电压 F.电流8、晶体管电流由__ B ___形成，而场效应管的电流由_____ A __形成。
因此晶体管电流受温度的影响比场效应管____ C ____.A.一种载流子B.两种载流子C.大D.小9、 FET 和耗尽型MOS 管在栅—源电压为零时___ A ____导电沟道，而增强型MOS 管则____ B ___导电沟道。
A ．存在B .不存在10、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管11、某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管12、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大13、在图13示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。
A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 14、如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。
A ．1500 B.80 C.50 D.3015、RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。
A. 基本共射放大电路B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路D.同相比例运算电路16、已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。
A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器17、与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
A ．不用输出变压器B ．不用输出端大电容C ．效率高D ．无交越失真 18、稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。
A 、正向导通区B 、反向截止区C 、反向击穿区 19、右图电路中，R2引入的是（ A ）负反馈。
A ：电压串联； B ：电压并联；u I u oC：电流串联；D：电流并联。
20、关于理想运算放大器的错误叙述是( A )。
A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零B．输入信号为零时，输出处于零电位C．频带宽度从零到无穷大D．开环电压放大倍数无穷大21、电流并联负反馈对放大器的影响，正确的是（ D ）A．能稳定静态工作点，增加电压放大倍数的稳定性，减小输入电阻B．使放大器不稳定，可能产生自激振荡C．能稳定静态工作点，提高输入电阻，稳定放大器的输出电压D．能稳定放大器的输出电流，减小输入电阻，但放大器带动负载能力减小22、关于射极输出器的错误叙述是（B ）A．电压放大倍数略小于1，电压跟随性好B．输入阻抗低，输出阻抗高C．具有一定的电流放大能力和功率放大能力D．一般不采用分压式偏置是为了提高输入电阻23、晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结（ A ）偏置；集电结（ B ）偏置。
A．正向；B.反向；C.零向；D.随便。
24、并联反馈的反馈量以（ B ）形式馈入输入回路，和输入（ B ）相比较而产生净输入量。
A．电压 B.电流 C.电压或电流25、正弦波振荡器的振荡频率由（ C ）而定。
A．基本放大器 B.反馈网络 C.选频网络26、稳压管构成的稳压电路，其接法是（ C ）。
A．稳压二极管与负载电阻串联 B.稳压二极管与负载电阻并联。
C.限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联27、正弦波振荡电路的振荡条件是（ A ）。
A．AF=1 B.AF=-1 C.AF>128 、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ A ）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.放大29、在三种不同耦合方式的放大电路中， B 能够放大缓慢变化的信号。
A．阻容耦合B．直接耦合C．变压器耦合30、差动放大电路接入长尾电阻后，A d将 C ，K CMR将 A 。
A.增大，B.减小，C．基本不变。
31、通用型集成运放的输入级多采用 B ，中间级多采用 A ，输出级多采用 CA．共射放大电路 B.差分放大电路 C.OCL电路 D.OTL电路32、集成运放的互补输出级采用 CA．共射接法 B.共基接法 C.共集接法 D.差分电路其原因是 C 。
A．频带宽 B.放大电压的能力强 C.带负载能力强 D.输入电阻大33、集成运放的Aod越大，表示 D ；K CMR越大，表示 BA．最大共模输入电压越大 B.抑制温漂能力越强C．最大差模输入电压越大 D.对差模信号的放大能力越强34、通用型集成运放上限频率很低的原因是ＡA．结电容很多 B.大电阻很多 C.没有耦合电容Ｄ.没有电感35、温度升高后，二极管的反向电流将ＡA．增大 B．减小 C. 不变 D．锗二极管减小，硅二极管增加三、填空1．二极管最主要的特性是单向导电性。
2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为9 V，经过电容滤波后为12 V，二极管所承受的最大反向电压为14 V。
3．差分放大电路，若两个输入信号u I1 u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100μV，u I 2=80μV则差模输入电压u Id= 20μV；共模输入电压u Ic= 90 μV。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10kHz时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。
5．若三级放大电路中A u1 A u2 30 d B，A u3 20 d B，则其总电压增益为80 dB，折合为104倍。
6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC=0 。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到78.5% ，但这种功放有交越失真。
7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为15 V。
8．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB、第二级30dB、第三级－15dB、第四级60dB，放大器的总增益为100 ，总的放大倍数为10 。
9．当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo的0.707 时，所对应的两个频率分别称为上限频率和下限频率，它们之间的频率范围，称为放大电路的通频带，它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。
10．射极输出器的特性归纳为：电压放大倍数约等于1 ，电压跟随性好，输入阻抗大，输出阻抗小，而且具有一定的电流放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是电压串联负反馈。
11．串联负反馈可以使放大器的输入电阻增大，并联负反馈可以使放大器的输入电阻减小，电压负反馈可以使放大器的输出电压稳定，电流负反馈可以使放大器的输出电流稳定。
12．一个交流放大电路不能（能、不能）放大直流信号，一个直接耦合放大电路能（能、不能）放大交流信号。
13．差动放大器输入信号为零时，输出电压偏离其起始值的现象称为失调电压。
14．理想情况下，集成运放的各项技术指标为: A V= ∞，R i= ∞，R O= 0 ，BW从 0 到 ∞ ，K CMR = ∞ ，V ＋－V －= 0 ，I ＋—I －= 0 。
15．在图示电路中，u O1= —5 u i1，u O2= 1 u i2。
16．在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为 共模 信号；大小相等，极性或相位相反的两个输入信号称为 差模 信号。
17．一个串联型稳压电路是由 调整元件 、 放大电路 、 采样电路 、基准电压 四部分电路组成。
