重庆大学模电(唐治德版)课后习题答案习题11
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BabbaCbcbaBcb1.PN结加正向电压时,空间电荷区将( B )。
a.变宽b.变窄c. 基本不变2.在本征半导体中加入(A)元素可行成N型半导体。
a.五价b.四价c.三价3.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为(B)。
a.前者反偏、后者正偏;b.前者正偏、后者反偏;c.前者正偏、后者正偏;4.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是( B )。
a.电阻阻值有误差b.晶体管参数受温度影响c.电源电压不稳5.当信号频率等于放大电路的或时,放大增益下降(A).a.3dB b.4dB c..5dB6.交流负反馈是指(C)a. 直接耦合放大电路中引入的负反馈b. 只有放大直流信号时才有的负反馈c. 在交流通路中的负反馈7.稳定放大电路的放大倍数(增益),应引入( B )。
a. 直流负反馈b. 交流负反馈c. 正反馈8.为了增大放大电路的输入电阻,应引入( C )负反馈。
a. 电压b. 电流c. 串联d. 并联9.欲将正弦波电压移相,应选用( B )电路。
a. 反相比例运算b. 同相比例运c. 微分运算10.欲将方波电压转换为三角波电压,应选用(A)电路。
a. 积分运算 b .乘方运算 c. 同相比例运算11.为了获得输入电压中的低频信号,应选用( B )滤波电路。
a. 高通b. 低通c. 带通12.一个实际的正弦波振荡绝大多数属于正反馈电路,它主要由( C )组成。
a:负反馈b:放大电路和反馈网络c:放大电路、反馈网络和选频网13.功率放大电路的转换效率是指( B )。
a.输出功率与晶体管所消耗的功率之比b.最大输出功率与电源提供的平均功率之比c.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路,已知集成运放开环差模电压增益为∞,其电源电压±VCC=±14V ,Ui=1V ;R1=10k,Rw=100k 。
请问:当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时,输出Uo =?V ; 解:14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中,已知Ω=====k R R R R R 1087521,Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式;② 设V u I 3.01=,V u I 1.02=,则输出电压?=O u注:此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析:本题中,运放A 1构成反相比例运用电路,A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路,由于可将运放当作理想器件,又在线线场合下使用,所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
(1)211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3,103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=- 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+(2)120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示,求输出电压O u 的值。
R u分析:本题中运放A 构成了差分减法电路,由于运放可作理想器件,且工作在线性区,可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号,因此可用叠加原理来分析。
习 题 答 案〖题1.1〗 (1)杂质浓度,温度(2)呈电中性,呈电中性(3)等于,大于,变窄,小于,变宽(4)反向击穿(5)增大,增大,减小(6)左移,上移,加宽(7)、发射结,集电结(8)一种载流子参与导电,两种载流子参与导电,压控,流控。
〖题1.2〗 二极管电路如图T1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压O U 。
设二极管的导通压降为V 7.0=D U 。
图 T1.2(a )(b )(d )(c)解:(a )U O =U A -U D =-5V -0.7V=-5.7V (b )U O =U B =U C =-5V (c )U O =U A =-0.7V (d )U O =U A =-9.3V〖题1.3〗 二极管电路如图T1.3 (a) 所示,已知(mV)sin 10i t u ω= ,V 2.1=E ,+-Du Di D 8图 T1.3(a)(b)Ω=100R ,电容C 和直流电源E 对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图T1.3(b)所示,求二极管两端的电压和流过二极管的电流。
解: mA )sin 92.15(d D D t i I i ω+=+=V )sin 01.07.0(d D D t u U u ω+=+=〖题1.4〗 设图T1.4中的二极管D 为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。
(a)(b)图 T1.4解:(a) A 4110(20)9V 4614U =-⨯+-⨯=-++ B A B 52010V,55U U U =-⨯=->+, 二极管导通;(b) A 2510(15)4V 218520U =-⨯+-⨯=-++ B A B 1151V,114U U U =-⨯=-<+, 二极管截止。
〖题1.5〗 在图T1.5所示电路中,已 知ωt(V)sin 10=i u ,二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
分别画出它们的输出波形和传输特性曲线)(=i O u f u 。
习题解答第1章1.1简述半导体的导电特性。
答:半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
半导体一般呈晶体结构,其原子核对价电子的束缚较弱,当半导体受到外界光和热的刺激时,它便释放价电子,从而使导电能力发生变化。
例如纯净的锗从20℃升高到30℃时,它的电阻率几乎减小为原来的1/2。
又如一种硫化镉薄膜,在暗处其电阻为几十兆欧姆,受光照后,电阻可以下降到几十千欧姆,只有原来的百分之一。
利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。
若在纯净的半导体中加入微量的杂质,则半导体的导电能力会有更显著的增加,例如在半导体硅中,只要掺入亿分之一的硼,电阻率就会下降到原来的几万分之一,这是半导体最显著的导电特征。
利用这个特性,可制造出各种半导体器件。
1.2 简述PN结是如何形成的。
答:当P型和N型半导体结合在一起时,由于交界面两侧多数载流子浓度的差别,N区的多数载流子电子向P区扩散,P区的多数载流子空穴也要向N区扩散,于是电子与空穴复合,在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区,N区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。
这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区,称为PN结。
PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。
内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散,另一方面又会促进少数载流子的漂移,即N区的少数载流子空穴向P区移动,P区的少数载流子电子向N区移动。
因此,在交界面两侧存在两种对立的运动,漂移运动欲使PN结变窄,扩散运动运动欲使PN结变宽。
当扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流大小相等,两种运动达到动态平衡时,PN结宽度不再变化,即PN结维持一定的宽度。
由于内电场的存在,使载流子几乎不能在PN结内部停留,所以,PN 结也称为耗尽层。
1.3 二极管的特性曲线有哪几个区域?二极管的单向导电能力是指特性曲线上的哪个区域的性质?二极管的稳压能力又是指特性曲线上的哪个区域性质?答:二极管的特性曲线有正向特性、方向特性和反向击穿特性三个区域。