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三极管8050介绍三极管8050（Transistor 8050）是一种常规的下沉式晶体管，属于NPN型三极管。
它是一种低功耗、高输入阻抗、中等输出功率的晶体管。
由于其小尺寸和容易使用的特点，三极管8050在电子和电路设计中得到了广泛应用。
三极管8050的外观类似于一个小型的方形芯片，有三个引脚标记为E（发射极）、B（基极）和C（集电极）。
在电子电路中，它通常被用作放大器、开关和振荡器等设备。
特性封装类型三极管8050常见的封装类型有TO-92和SOT-23。
其中，TO-92封装是较为常见的封装类型，适用于手工和自动插装技术。
而SOT-23封装则更小巧，适用于电路板的紧凑设计。
电性能三极管8050具有以下电性能特点：•最大耗散功率（Pd）：500mW•高前向电流增益（hFE）：最小为40•高频带宽（fT）：5MHz•高封装温度（TJ）：150°C参数以下是三极管8050常见的参数：•额定电流（IC）：500mA•额定电压（VCEO）：25V•额定功率（PC）：500mW•最大集电极-基极电压（VCE）：25V•最大集电极-发射极电压（VBE）：5V应用三极管8050广泛应用于电子和电路设计中，以下是一些常见的应用场景：放大器三极管8050可用作放大器，将弱信号放大为较大信号，以便驱动阻抗较大的负载。
它可以用于音频放大器、射频放大器和功率放大器等应用。
开关三极管8050可用作开关，将输入信号应用于基极，根据基极电流控制输出电流的开关状态。
它可以用于各种电路开关、闪烁灯和逻辑门等应用。
振荡器三极管8050还可用于设计振荡器电路，产生特定频率的交流信号。
这些信号可以应用于无线电调制器、时钟电路和信号发生器等应用。
使用示例以下是一个使用三极管8050的放大器电路示例：Vcc ---------R1---------|-----------Vout|-----C1 |---| Tr8050-----||GND其中，Vcc表示电源电压，R1为输入电阻，C1为输入电容，Vout为输出信号。
8050三极管参数引言8050三极管是一种常用的PNP型晶体管，广泛应用于电子电路中。
了解和掌握8050三极管的参数是进行电路设计和故障排除的基础。
本文将介绍8050三极管的常见参数，包括最大额定值、电流增益、电压参数等。
通过详细了解这些参数，我们可以更好地应用8050三极管。
一、最大额定值8050三极管的最大额定值指的是在特定条件下，三极管能够承受的最大电流和电压。
以下是8050三极管的最大额定值参数：1.最大集电极电流 (ICmax)：这是指在指定的集电极-发射极电压下，三极管可以承受的最大电流。
对于8050三极管，典型的最大集电极电流为700mA。
2.最大集电极功率 (PCmax)：这是指在指定的集电极-发射极电压下，三极管可以承受的最大功率。
对于8050三极管，典型的最大集电极功率为625mW。
3.最大集电极-发射极电压 (VCEOmax)：这是指在指定的集电极电流下，三极管可以承受的最大电压。
对于8050三极管，典型的最大集电极-发射极电压为-40V。
二、电流增益电流增益是指三极管中输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的电流增益参数如下：1.直流电流增益 (DC Current Gain)：直流电流增益是指在静态工作条件下，三极管的输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的典型直流电流增益为30至200。
2.交流电流增益 (AC Current Gain)：交流电流增益是指在动态工作条件下，三极管的输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的典型交流电流增益为50至400。
三、电压参数电压参数是指三极管在不同工作状态下的电压值。
8050三极管的电压参数如下：1.饱和电压 (VCEsat)：饱和电压是指在三极管完全导通时，集电极-发射极间的电压降。
8050三极管的典型饱和电压为-0.5V。
2.基极-发射极电压 (VBE)：基极-发射极电压是指在三极管正常工作时，基极与发射极之间的电压差。
三极管8550和8050封装定义及参数三极管（Transistor）是一种广泛应用于电子设备中的重要半导体器件，它有多种不同的封装类型，其中8550和8050是两种常见的封装类型。
本文将依次介绍这两种封装类型的定义和参数。
8550型三极管封装定义及参数：8550型三极管是一种NPN型晶体管，其封装类型采用TO-92封装。
TO-92是一种常见的小功率晶体管封装形式，它具有三个引脚用于连接电路。
以下是8550型三极管一些重要参数的介绍：1.电流增益（hFE）：8550型三极管的电流增益是其一个重要参数，它代表了输入电流和输出电流之间的倍数关系。
其典型值通常在120至320之间，不同厂家的产品会有些差异。
2.最大集电电流（Ic）：8550型三极管的最大集电电流是指在给定的工作条件下，它所能承受的最大电流值。
一般而言，其最大集电电流在0.15A至0.625A之间。
3.最大耗散功率（Pd）：8550型三极管的最大耗散功率是指在给定的工作条件下，它所能承受的最大功率值。
一般而言，其最大耗散功率大约为0.625W。
8050型三极管封装定义及参数：8050型三极管是一种PNP型晶体管，其封装类型同样采用TO-92封装。
以下是8050型三极管一些重要参数的介绍：1.电流增益（hFE）：8050型三极管的电流增益一般在120至320之间，不同厂家的产品会有些差异。
2.最大集电电流（Ic）：8050型三极管的最大集电电流一般在0.15A 至0.625A之间。
3.最大耗散功率（Pd）：8050型三极管的最大耗散功率大约为0.625W。
总结：8550和8050型三极管都是常见的TO-92封装类型，它们在尺寸和引脚连接方面相似。
不同之处在于8550是NPN型三极管，而8050是PNP型三极管，这意味着它们在电流流动方向上存在差异。
8550和8050型三极管的重要参数包括电流增益、最大集电电流和最大耗散功率。
这些参数对于正确选择和使用这些三极管至关重要，可以根据具体的应用需求进行选择。
代换S8550 S8050三极管要特别注意放大倍数8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管ab126计算公式大全图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB838电子按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400 图一是这几种三极管的管脚排列引脚。
8050三极管参数三极管是一种基本的电子器件，具有非常重要的应用。
以下是一个关于8050三极管参数的详细介绍，超过1200字。
1.8050三极管的引脚排列8050三极管是一种有三个引脚的器件，通常被标记为E（发射极）、B（基极）和C（集电极）。
这些引脚的排列可以根据不同的制造商、封装类型和版本而有所不同。
在常见的TO-92封装中，E引脚在左边，B引脚在中间，C引脚在右边。
2.8050三极管的外观特征3.8050三极管的结构4.8050三极管的工作原理当输入信号被施加到基极（B）时，它将控制电流流过基极-发射极（BE）结，改变发射极-集电极（CE）的电流。
当基极-发射极结被正向偏置时，三极管处于放大区，此时它是一个放大器。
当基极-发射极结处于截止区时，三极管是关闭的，可以作为开关使用。
5.8050三极管的参数-最大集电极电流（IC）：这是三极管可承受的最大集电极电流，通常为0.5A。
-最大基极电压（VBE）：这是正常工作条件下基极和发射极之间的最大电压，通常为5V。
-最大集电极电压（VCE）：这是正常工作条件下集电极和发射极之间的最大电压，通常为45V。
- 最大功耗（Pdiss）：这是三极管能够承受的最大功率，通常为0.625W。
- 高频输出电容（Cob）：这是三极管的高频输出电容，通常为2.5pF。
-封装类型：8050三极管在不同的封装类型中可用，例如TO-92、SOT-23等。
6.8050三极管的应用总结：8050三极管是一种非常常用的晶体管。
它具有NPN型的结构，通过控制基极电流来改变集电极电流。
它的参数包括最大集电极电流、最大基极电压、最大集电极电压等。
8050三极管可以用于放大器、开关、稳压器等各种应用。
8050三极管的几种应用电路
8050是一种 NPN 类型的普通功率三极管，通常用于低功率放
大和开关电路。
以下是一些8050三极管的常见应用电路：
1.放大电路：
●8050可以用作小信号放大器的元件。
通过适当的电路连接，它可以放大输入信号，例如音频信号，以用于扬声器、耳机等应用。
2.开关电路：
●8050可以用于设计简单的开关电路，例如用于控制小功率
负载的开关。
在这种应用中，当适当的电压被施加到三极管的基极时，它将导通，从而驱动负载。
3.振荡电路：
●8050可以用于构建射频（RF）振荡电路。
在这种应用中，
三极管的放大特性和反馈网络结合，可以产生稳定的振荡信号。
4.电源电路：
●在一些低功率电源电路中，8050可以用于稳压和电流放大
的功能。
它可以在反馈回路中使用，以帮助维持稳定的输出电压。
5.电流源电路：
●8050可以用作电流源，通过适当的电阻网络，可以产生稳
定的电流，用于各种电子电路。
6.驱动小功率负载：
●8050可以用于驱动小功率负载，例如继电器、小型电动机等。
在这种应用中，它可以作为开关控制元件。
请注意，具体的电路设计取决于应用的要求，8050的使用可能因电路的性质和参数而有所不同。
在设计电路时，建议参考8050的数据手册以了解其详细的特性和参数。
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.03A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温 150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温 150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.45W结温 150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.025A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.05A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198三极管85508550是一种常用的普通三极管。
8050三极管参数题目：8050三极管参数简述与应用导语：在电子电路领域，三极管是一种常见的电子元件，其广泛应用于放大、开关等电路中。
本文将深入探讨8050三极管的参数特性以及其在电路中的应用，帮助读者更好地理解和使用该元件。
一、8050三极管概述8050三极管是一款NPN型晶体管，具有较高的电流放大倍数和较低的饱和压降。
其结构由三个半导体区域组成：发射区、基区和集电区。
在晶体管的工作过程中，发射区与基区之间存在正向偏置，而基区与集电区之间则存在反向偏置。
二、8050三极管参数解读1. 最大集电电流（ICmax）：它表示三极管能够承受的最大集电电流。
超过该电流值，三极管可能会损坏，因此在使用时应该确保电流不超过该限制。
2. 最大集电-发射电压（VCEOmax）：它表示三极管在集电极与发射极之间能够承受的最大电压。
当超过这个电压时，三极管可能发生击穿，导致失效或损坏。
3. 最大功耗（Pmax）：它表示三极管能够承受的最大功率。
超过该功率值，三极管可能过热并损坏。
4. 直流电流放大倍数（hFE）：它表示输入电流与输出电流之间的倍数关系。
高hFE值意味着三极管具有较好的放大性能。
三、8050三极管的应用1. 放大电路：由于8050三极管具有较高的电流放大倍数，常用于放大电路中。
通过合理选择电阻和电容，可以构建各种放大电路，如B类放大电路和C类放大电路。
2. 开关电路：8050三极管还可作为开关元件使用。
在电路中，通过控制输入信号的变化，可以将三极管从导通状态切换到截止状态，或者反之。
这种开关能力使8050三极管在数字电路和模拟电路中得到广泛应用。
3. 振荡电路：利用三极管的正反馈特性，8050三极管还可以用于构建振荡电路。
该振荡电路可以在特定频率范围内产生稳定的信号输出。
结语：通过对8050三极管的参数和应用进行简要介绍，我们可以看到，它作为一款常见的晶体管元件，在电子电路中发挥着重要的作用。
了解三极管的参数特性并合理应用，能够帮助我们设计和调试电路，使电子设备工作更加稳定和高效。
三极管8050特性三极管是一种常用的电子器件，广泛应用于电子电路中。
其中，8050三极管是一种常见的NPN型高频放大管。
它具有一系列特性，包括其电气特性、封装形式、工作原理以及应用领域等。
在本文中，我将对三极管8050的特性进行深入探讨，并分享我的观点和理解。
一、8050三极管的电气特性1. 放大特性：8050三极管可以作为放大电路的核心元件，在放大信号的过程中发挥重要作用。
其具有高电流放大能力和低电阻特性，可实现信号的放大和放大倍数的调节。
2. 频率特性：8050三极管是一种高频放大管，其工作频率范围较宽，一般在几十到几百兆赫兹。
在高频信号放大和调制解调等方面有着良好的性能。
3. 动态特性：8050三极管具有较快的开关速度和响应能力，适合用于开关电路和数码电路等需要快速响应的应用中。
4. 热特性：8050三极管在工作过程中会产生一定的热量，因此需要注意散热问题，避免温度过高导致器件失效。
二、8050三极管的封装形式8050三极管通常采用TO-92封装，这是一种常见的小功率三极管封装形式。
TO-92封装具有体积小、热阻低、便于安装等优点，广泛应用于各种电子设备中。
三、8050三极管的工作原理8050三极管是一种双极晶体管，由三个区域组成：发射区、基区和集电区。
基于P型半导体和N型半导体的接合产生PN结，形成两个二极管：PN结和NP结。
当给定适当的工作电压时，可以控制PN结和NP结之间的电流流动，实现对电路的控制和放大功能。
四、8050三极管的应用领域8050三极管广泛应用于各种电子设备和电路中，包括但不限于以下几个领域：1. 放大电路：8050三极管可以作为放大电路的关键元件，用于音频放大器、射频放大器等方面。
2. 开关电路：由于8050三极管具有较快的开关速度和响应能力，可用于各种开关电路的设计与控制。
3. 数字电路：8050三极管在计算机和数字电路中有着广泛的应用，用于逻辑门、存储器等方面。
8050三级的基本管参数
（最新版）
目录
1.8050 三级概述
2.8050 三级的基本管参数
3.应用领域
正文
【8050 三级概述】
8050 是电子元器件中的一种，具有三级放大功能，广泛应用于各种电子设备中。
8050 三级管是一种三极管，具有三个控制电极，分别是基极、发射极和集电极。
这种三极管具有放大电流和电压的功能，可以对输入信号进行放大，并在输出端提供较大的信号。
【8050 三级的基本管参数】
8050 三级管的基本参数包括静态工作点、电流放大系数、电压放大系数等。
1.静态工作点：静态工作点是指三极管在静止状态下的工作电流和电压。
在静态工作点附近，三极管的电流放大系数最大，可以获得最大的电流放大效果。
2.电流放大系数：电流放大系数是指三极管的集电极电流与基极电流之比。
8050 三级管的电流放大系数通常在 40-60 倍之间，可以在电路中提供较大的电流放大效果。
3.电压放大系数：电压放大系数是指三极管的集电极电压与基极电压之比。
8050 三级管的电压放大系数通常在 20-40 倍之间，可以在电路中提供较大的电压放大效果。
【应用领域】
8050 三级管广泛应用于各种电子设备中，如放大器、振荡器、信号处理器等。
SS8050NPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings T a =25°C unless otherwise notedElectrical Characteristics T a =25°C unless otherwise notedh FE ClassificationSymbol ParameterRatings Units V CBO Collector-Base Voltage 40V V CEO Collector-Emitter Voltage 25V V EBO Emitter-Base Voltage 6V I C Collector Current1.5A P C Collector Power Dissipation 1W T J Junction Temperature 150°C T STGStorage Temperature-65 ~ 150°CSymbol ParameterTest Condition Min.Typ.Max.Units BV CBO Collector-Base Breakdown Voltage I C =100µA, I E =040V BV CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage I C =2mA, I B =025V BV EBO Emitter-Base Breakdown Voltage I E =100µA, I C =06V I CBO Collector Cut-off Current V CB =35V, I E =0100nA I EBO Emitter Cut-off Current V EB =6V, I C =0100nAh FE1h FE2h FE3DC Current GainV CE =1V, I C =5mA V CE =1V, I C =100mA V CE =1V, I C =800mA 458540135160110300V CE (sat)Collector-Emitter Saturation Voltage I C =800mA, I B =80mA 0.280.5V V BE (sat)Base-Emitter Saturation Voltage I C =800mA, I B =80mA 0.98 1.2V V BE (on)Base-Emitter On Voltage V CE =1V, I C =10mA 0.661V C ob Output CapacitanceV CB =10V, I E =0f=1MHz9.0pF f TCurrent Gain Bandwidth ProductV CE =10V, I C =50mA100190MHzClassificationB C D h FE285 ~ 160120 ~ 200160 ~ 300SS80502W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.•Complimentary to SS8550•Collector Current: I C =1.5A•Collector Power Dissipation: P C =2W (T C =25°C)1. Emitter2. Base3. CollectorTO-921SS8050SS8050TRADEMARKSThe following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.DISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body,or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of TermsDatasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationFormative or In Design This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.PreliminaryFirst ProductionThis datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.No Identification Needed Full ProductionThis datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.Obsolete Not In ProductionThis datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor.The datasheet is printed for reference information only.FACT™FACT Quiet series™FAST ®FASTr™FRFET™GlobalOptoisolator™GTO™HiSeC™I 2C™ImpliedDisconnect™ISOPLANAR™LittleFET™MicroFET™MicroPak™MICROWIRE™MSX™MSXPro™OCX™OCXPro™OPTOLOGIC ®OPTOPLANAR™PACMAN™POP™Power247™PowerTrench ®QFET™QS™QT Optoelectronics™Quiet Series™RapidConfigure™RapidConnect™SILENT SWITCHER ®SMART START™SPM™Stealth™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SyncFET™TinyLogic™TruTranslation™UHC™UltraFET ®VCX™ACEx™ActiveArray™Bottomless™CoolFET™CROSSVOLT ™DOME™EcoSPARK™E 2CMOS™EnSigna™Across the board. Around the world.™The Power Franchise™Programmable Active Droop™。
