下载文档原格式
模拟电⼦技术基本概念复习考试题及答案模电基本概念复习题⼀、判断下列说法是否正确1、凡是集成运算电路都可以利⽤“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
√×2、理想运放不论⼯作在线性区还是⾮线性区状态都有v N= v P。
×3、当集成运放⼯作在闭环时，可运⽤虚短和虚断概念分析。
×4、在运算电路中，同相输⼊端和反相输⼊端均为“虚地”。
×5、在反相求和电路中，集成运放的反相输⼊端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输⼊电流之代数和。
√6、温度升⾼后，本征半导体中⾃由电⼦和空⽳数⽬都增多，且增量相同。
√7、因为N型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电。
×8、因为P型半导体的多⼦是空⽳，所以它带正电。
×9、在N型半导体中如果掺⼊⾜够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
√10、放⼤电路必须加上合适的直流电源才能正常⼯作。
√11、放⼤电路⼯作时所需要的能量是由信号源提供的。
×12、放⼤电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
×13、由于放⼤的对象是变化量，所以当输⼊信号为直流信号时，任何放⼤电路的输出都毫⽆变化。
×14、共集电极电路没有电压和电流放⼤作⽤。
√15、共集放⼤电路⽆电压放⼤作⽤，但有功率放⼤作⽤。
√16、只有电路既放⼤电流⼜放⼤电压，才称其有放⼤作⽤。
×17、放⼤电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
×18、射极输出器即是共射极放⼤电路，有电流和功率放⼤作⽤。
×19、只要是共射放⼤电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
×20、放⼤器的输⼊电阻是从输⼊端看进去的直流等效电阻。
×21、在由双极型三极管组成的三种基本放⼤电路中，共射放⼤电路的输⼊电阻最⼩。
×22、在由双极型三极管组成的三种基本放⼤电路中，共基放⼤电路的输出电阻最⼩。
×23、阻容耦合多级放⼤电路各级的Q点相互独⽴，它只能放⼤交流信号。
单管共射极放大电路实验报告Company Document number：WUUT-WUUY-WBBGB-BWYTT-1982GT实验一、单管共射极放大电路实验1. 实验目的（1） 掌握单管放大电路的静态工作点和电压放大倍数的测量方法。
（2） 了解电路中元件的参数改变对静态工作点及电压放大倍数的影响。
（3） 掌握放大电路的输入和输出电阻的测量方法。
2. 实验仪器① 示波器② 低频模拟电路实验箱 ③ 低频信号发生器 ④ 数字式万用表 3. 实验原理（图）实验原理图如图1所示——共射极放大电路。
4. 实验步骤 (1) 按图1连接共射极放大电路。
(2)测量静态工作点。
② 仔细检查已连接好的电路,确认无误后接通直流电源。
③ 调节RP1使RP1＋RB11＝30k④ 按表1测量各静态电压值，并将结果记入表1中。
表1 静态工作点实验数据Rs 4.7K(1)测量电压放大倍数①将低频信号发生器和万用表接入放大器的输入端Ui，放大电路输出端接入示波器，如图2所示，信号发生器和示波器接入直流电源，调整信号发生器的频率为1KHZ，输入信号幅度为20mv左右的正弦波，从示波器上观察放大电路的输出电压UO的波形，分别测Ui和UO的值，求出放大电路电压放大倍数AU。
图2 实验电路与所用仪器连接图②保持输入信号大小不变，改变RL，观察负载电阻的改变对电压放大倍数的影响，并将测量结果记入表2中。
表2 电压放大倍数实测数据（保持U I不变）（4）观察工作点变化对输出波形的影响①实验电路为共射极放大电路②调整信号发生器的输出电压幅值（增大放大器的输入电压U i），观察放大电路的输出电压的波形，使放大电路处于最大不失真状态时（同时调节RP1与输入电压使输出电压达到最大又不失真），记录此时的RP1＋RB11值，测量此时的静态工作点，保持输入信号不变。
改变RP1使RP1＋RB11分别为25KΩ和100K Ω，将所测量的结果记入表3中。
信号与系统课后习题答案《低频电⼦线路》⼀、单选题（每题2分，共28分：双号做双号题，单号做单号题）1.若给PN结两端加正向电压时，空间电荷区将（）A变窄B基本不变C变宽D⽆法确定2.设⼆极管的端电压为 U，则⼆极管的电流与电压之间是（）A正⽐例关系B对数关系C指数关系D⽆关系3.稳压管的稳压区是其⼯作（）A正向导通B反向截⽌C反向击穿D反向导通4.当晶体管⼯作在饱和区时，发射结电压和集电结电压应为 ( ) A前者反偏，后者也反偏B前者反偏，后者正偏C前者正偏，后者反偏D前者正偏，后者也正偏5.在本征半导体中加⼊何种元素可形成N型半导体。
（）A五价B四价C三价D六价6.加⼊何种元素可形成P 型半导体。
（）A五价B四价C三价D六价7.当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将（）。
A 增⼤B 不变C 减⼩ D不受温度影响8. 稳压⼆极管两端的电压必须（）它的稳压值Uz 才有导通电流，否则处于截⽌状态。
A 等于 B ⼤于 C ⼩于 D与Uz ⽆关9. ⽤直流电压表测得放⼤电路中某三极管各极电位分别是2V 、6V 、2.7V ，则三个电极分别是（） A （B 、C 、E ） B （C 、B 、E ） C （E 、C 、B ） D（B 、C 、E ）10. 三极管的反向电流I CBO 是由（）形成的。
A 多数载流⼦的扩散运动 B 少数载流⼦的漂移运动 C 多数载流⼦的漂移运动D少数载流⼦的扩散运动11. 晶体三极管⼯作在饱和状态时，集电极电流Ci 将（）。
A 随B i 增加⽽增加 B 随B i 增加⽽减少C 与Bi ⽆关，只决定于eR 和CEuD不变12. 理想⼆极管的正向电阻为( )A A.零 B.⽆穷⼤ C.约⼏千欧 D.约⼏⼗欧13. 放⼤器的输⼊电阻⾼，表明其放⼤微弱信号能⼒（）。
A 强B 弱C ⼀般 D不⼀定14. 某两级放⼤电路，第⼀级电压放⼤倍数为5，第⼆级电压放⼤倍数为20，该放⼤电路的放⼤倍数为（）。
模拟电子技术（山东联盟）智慧树知到课后章节答案2023年下潍坊学院第一章测试1.如图所示电路是哪种半导体的电路模型。
（）A:N型半导体 B:P型半导体 C:本征半导体 D:杂质半导体答案:P型半导体2.当温度降低时，二极管的反向饱和电流将（）。
A:增大 B:不变C:无法确定 D:减小答案:减小3.当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
A:减小 B:增大 C:不变 D:无法确定答案:增大4.一场效应管的符号如下所示，它是（）。
A:P沟道增强型 B:P沟道耗尽型 C:N沟道增强型 D:N沟道耗尽型答案:N沟道耗尽型5.时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。
A:P沟道增强型MOS管 B:N沟道耗尽型MOS管 C:结型场效应管 D:N沟道增强型MOS管答案:N沟道耗尽型MOS管;结型场效应管6.在P型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为N型半导体。
A:错 B:对答案:对7.本征半导体中自由电子和空穴的浓度主要取决于温度。
（）A:错 B:对答案:对8.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）A:对 B:错答案:对9.因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
（）A:错 B:对答案:错10.三极管放大时，内部两个PN结的偏置状态应为（）。
A:发射结正偏，集电结反偏 B:发射结正偏，集电结也正偏 C:发射结反偏，集电结也反偏 D:发射结反偏，集电结正偏答案:发射结正偏，集电结反偏第二章测试1.在放大电路中，输出电流和输出电压都是由有源元件提供的。
A:错 B:对答案:错2.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
A:对 B:错答案:错3.在分析放大电路时，应遵循“先动态，后静态”的原则；A:错 B:对答案:错4.放大电路的输出电阻与负载无关。
A:对 B:错答案:对5.下列哪种电路只放大电压不放大电流。
（）A:共集 B:两级共射 C:共射D:共基答案:共基6.为使场效应管放大电路能够正常放大，场效应管应该工作在（）A:放大区B:饱和区 C:恒流区 D:截止区答案:恒流区7.计算如下电路的电压放大倍数（）A:200 B:-200 C:-125 D:125 答案:-2008.对放大电路的最基本的要求是（）A:输入电阻大 B:能够放大 C:输出电阻小 D:不失真答案:能够放大;不失真9.典型的静态工作点稳定电路Ｑ点稳定的原因是（）A:电源ＶＣＣ的取值； B:Re的直流负反馈的作用； C:旁路电容的影响；D:U BQ在温度变化时基本不变。
