硅二极管GPP芯片电泳法玻璃钝化工艺
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硅二极管GPP芯片电泳法玻璃钝化工艺随着半导体技术的发展，对半导体表面钝化的要求越来越高，作为二极管一种钝化材料，无疑应具备：一是良好的电气性能和可靠性。
包括电阻率、介电强度、离子迁移率等。
材料的引入不应给器件带来副作用；二是良好的化学稳定性。
半导体工艺是用化学试剂开展的工艺，作为器件的钝化材料，应有一定的抗化学腐蚀能力；三是可操作性。
工艺要简单，重复性好，能与器件制造工艺相容，材料的膨胀系数要与硅材料相一致或接近；四是经济性。
可大批量生产，制造成本要低，有市场竞争力，材料和工艺有强大的生命力和开发潜力。
根据上述要求，近年来市场上出现的利用半导体钝化专用玻璃制作玻璃钝化硅二极管（GPP）芯片就是一种较为理想的半导体钝化材料。
目前，使用玻璃钝化硅二极管（GPP）芯片的呼声越来越高，并得到电子行业内人士的普遍认可。
这种GPP芯片工艺为半导体平面工艺、台面工艺和玻璃烧结工艺于一体，是在硅扩散片金属化之前（玻璃钝化工艺温度允许也可之后），使用光刻胶掩膜及刻蚀V型槽（或机械式划V型槽）的台面。
然后，在结表面涂敷玻璃粉以便进行台面钝化处理。
玻璃粉料是由某些粘合剂及高纯度的微细玻璃粉混合组成的悬浮液。
将玻璃粉悬浮液按一定的工艺方法涂敷于V型槽内，在高温下粘合剂被烧掉，玻璃熔化并在整个结的表面上形成密封保护层。
涂敷玻璃常用的主要有三种方法：医用手术刀法、电泳法和光致抗蚀剂法。
本文重点介绍电泳法制作玻璃钝化二极管芯片工艺。
这种方法机理是将玻璃粉和有机溶剂（甲醇或异丙醇）配制成悬浮液，井在悬浮液内加入适量的活性剂28%的氨水和醋酸纤维素。
活性剂的作用是使玻璃粉粒子带负电，以增强颗粒运动，形成致密坚实的玻璃层。
醋酸纤维素作粘接剂，在直流电场作用下，带负电的玻璃颗粒向正电极上硅片方向运动，并淀积在硅片上。
电泳法淀积需一固定的电子装置，硅片被固定在电极上（正电）。
电泳时，将直流电压加到100--200V/cm场强，直流电流在0.5ｍＡ之间，这时，可用注射器向电泳液内加入活性剂，直流电流随之升至１ｍＡ，并维持到淀积结束。
电泳法淀积的特点是可以进行选择性钝化，而且硅片两面可以同时淀积，尤其适宜于可控硅器件的钝化膜制造。
但在电泳法中活性剂对淀积成功很关键，活性剂的加入会降低电泳液寿命，随着电泳液寿命的变化，活性剂加入量每次都不一样，工艺宽容度较小，加上其他各种原因，使电泳法的批次重复性较差。
电泳法制作玻璃钝化二极管芯片的工艺流程如下：选择硅片→ 硅片清洗→ 磷预淀积→ 单面喷砂（减薄）→ 硼扩散及磷再分布→ 双面喷砂去氧化层→ 氮气或氧气退火（需要时）→ 铂扩散及扩散后的表面腐蚀处理和清洗（需要时）→V型槽台面腐蚀→ 生长二氧化硅膜或LPCVD 淀积氮化硅膜（钝化保护）→ 玻璃钝化→ＨＦ漂洗（腐蚀）硅表面→ 双面镀镍（电极）→ 晶圆划片－→分片、清洗、包装。
主要相关生产工艺介绍如下：1、挑选具有合适电阻率和厚度的N型硅单晶片采用N型直拉单晶硅。
硅片电阻率：15-20、20-25Ω·cm，选择原始硅片厚度约270±10?m；电阻率25-30、30-35、35-40、40-45、45-50Ω·cm，应选择厚度约290±10μm。
注：以上电阻率所对应的击穿电压VR大约为：600-900、900-1100、1000-1200、1200-1400、1400-1600、1500-1600、1600-1700。
2、硅片的清洗硅片表面清洗是制造半导体器件的重要环节，用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，使其表面洁净并烘干。
清洗过程：3号液腐蚀3-5分钟－→1号液煮沸2－3分钟－→2号液煮沸2－3分钟－→超纯水冲洗。
⑴1号液配比：氨水：H2O2：超纯水＝1：2：5；⑵2号液配比：HCI：H2O2：超纯水＝1：2：8；⑶3号液配比：硝酸：氢氟酸：冰醋酸=3：3：1。
最后用HF:H2O＝1：10漂10－20秒，除去硅片表面自然氧化层，用超纯水冲洗、烘干备用。
3、磷预淀积扩散磷源：P60纸质磷源。
在每两片硅片中间放一张磷源纸，将硅片排列整齐并压紧在石英舟中。
在洁净的石英管内，经过1220℃高温2小时左右，使磷原子扩散到硅片内。
磷表面方块电阻<0.1Ω/□、Xjn≈20μm。
磷预沉积结束后，硅片会黏结成圆柱形。
4、磷扩散片泡酸分离及喷砂减薄⑴将此“圆柱体”浸泡在氢氟酸中，数天后使硅片互相分离开；⑵硅片经自来水清洗后，喷砂去除未附磷纸那一面的扩散层，同时减薄硅片去除约15μm；⑶用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，去除硅片表面的缺陷，金属杂质，可动离子和有机物，使其表面洁净并烘干。
5、硼扩散及磷再分布扩散硼源：a、B40纸质硼源；b、无水乙醇∶硝酸铝∶三氧化二硼＝150：5：8。
⑴第一种硼源是在磷面背靠背的两片喷砂面中间放一张硼源纸，将硅片排列整齐并压紧在石英舟中；第二种磷源是在喷砂面涂覆（喷涂法或旋敷涂法）一层溶有三氧化二硼和硝酸铝的混合溶剂，烘烤后再次排放在石英舟中并压紧；⑵在专用石英管中，经过1250℃高温21～35小时进行硼（或含铝）的扩散。
同时，进行磷的再分布扩散；⑶扩散后检测扩散结深和掺杂浓度。
硼表面方块电阻<0.1Ω/□、Xjn≈60μm；结深：Xjp 45～90μm（扩硼）或60～110μm（扩硼铝）；⑷基区宽度控制在大约100μm左右。
6、硼扩散片泡酸分离及喷砂去氧化层⑴再次将此硼扩散“圆柱体”浸泡在氢氟酸中，数天后使硅片互相分离开。
⑵经自来水清洗后，双面喷砂去除约10μm两面的磷、硼扩散形成的氧化层。
⑶用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，使其表面洁净并烘干。
7、光刻沟槽⑴预烘。
所有硅片在甩胶前需在175℃烘箱内预烘60分钟；⑵甩胶。
在转盘上放置硅片，在硅片表面上滴入适量SC450cp,按下真空开关开始甩胶。
第一步低速匀胶：转速800转、时间10秒；第二步高速甩胶：转速1500～2000转、时间10～15秒；⑶前烘。
将甩胶好的片子装入载片盒放入85℃烘箱内预烘10分钟，再置入110℃胶膜前烘箱内烘30分钟；⑷曝光。
光强度500毫焦/平方厘米、时间30～45秒；⑸显影。
将曝光好的片子装入载片盒放入显影缸中显影45秒，再置入定影缸中定影30秒。
注意：显影时应来回晃动载片盒数次；⑹坚膜。
显影后将硅片晾干，然后放入145℃的坚膜烘箱内坚膜30分钟。
8、腐蚀V型槽⑴腐蚀V型槽。
腐蚀液配比，硝酸：氢氟酸：冰醋酸=3～6：3：1，腐蚀在冰水中进行，时间20-25min（腐蚀时间随槽深而确定），槽深80-120μm ，关键是控制好腐蚀速率。
并使管芯形成尽量大的（40°-75°）负斜角台面。
⑵V型槽台面腐蚀。
腐蚀液配比，硝酸：氢氟酸：冰醋酸：硫酸=9：9：10-12：4。
温度20℃±2℃，时间45s--90s。
⑶表面钝化：钝化液配比，过氧化氢：磷酸：去离子水=1：1：2-4；温度70℃±5℃，时间40s--60s。
⑷去光刻胶：温度500--520℃，时间15--20min，通气O2，6L/min或化学方法去除光刻胶。
9、氧化生长SiO2层（要求厚度1～2nm）氧化炉温800℃，通湿氧5分钟或720℃，通湿氧10--15分钟。
可生长1.5nm 左右的SiO2层。
注：在槽内先生长1～2nm厚的氧化层可能对硅表面阻断电压的形成有利。
10、电泳法涂敷玻璃粉⑴异丙醇（IPA)和乙基醋酸纤维素(EA)作为悬浮媒介，以体积比IPA:EA=50:50混合。
⑵每100cc悬浮液中加入2--4克玻璃粉，超声4--5分钟后静置4--5分钟后将其倒入石英或具有特氟隆涂层的不锈钢液槽内。
⑶按2.0--4.0cc/L的比例加入28%的氨水（或通氨鼓泡至浓度为0.03mol/L）。
⑷上述电解液添加好后超声混合4分钟然后将携带硅片及其反电极的装置浸入电解液中，硅片和反电极的最佳距离是2厘米。
⑸悬浮液静置30秒后由直流电源通过电泳装置的端子（如鳄鱼夹）加以100--200V/cm场强，2--4分钟。
⑹装置将电极和硅片带出的速度为5毫米/秒。
11、玻璃熔凝（烧成）⑴将硅片置于110±2℃烤盘上烘烤2 min，置于旋转真空吸盘在转速800～1000rpm下用橡胶圆块轻轻擦去硅片表面残留的玻璃粉（也可拿个小刷子轻轻扫涂有玻璃粉的硅片表面，保证涂层均匀再入炉），然后以一定间隔竖立插放在石英舟上准备进炉。
⑵玻璃预烧。
玻璃粉涂敷之后，将晶片放在200°C下，以使溶液蒸发烘干。
然后将硅片放入500℃焙烧炉中通入氧气焙烧15分钟，以烧去有机溶剂（或光刻胶膜）。
烧完后只留下沟槽中的白色粉末玻璃。
以5–8℃/min(或推拉速度为50mm/min)升温至转化温度（如GP-200玻璃粉的转化温度560℃）保温20～30分钟，炉口预热及冷却各5--10min。
⑶擦拭预烧后硅片。
将预烧后的硅片表面的玻璃粉擦拭干净，注意沟槽内玻璃浆不要擦掉。
沿对角线方向轻擦去硅片表面残留的玻璃粉（此步骤根据效果取舍）。
⑷玻璃烧成。
进出方式同玻璃预烧，在一定比例的氧气+氮气气氛中烧成。
各种玻璃粉的熔凝典型温度一般在720-860℃之间，与玻璃成分有关（如GP-200玻璃粉的熔化温度820℃）。
温度曲线按附件1玻璃粉产品说明书实施。
严格控制玻璃烧结熔凝温度和氧气中的含氮气量是制备优质玻璃钝化层的关键。
12、ＨＦ漂洗（腐蚀）硅表面用HF:H2O＝1：3～5漂20－40秒，除去硅片表面残留玻璃层及氧化物，用超纯水冲洗、烘干备用。
注意：严格控制腐蚀速率、时间及腐蚀厚度。
13、双面化学镀镍镀镍液配方：氯化镍30克/升、次亚磷酸钠10克/升、氯化铵50克/升、柠檬酸氢二铵65克/升。
镀镍液加热至沸腾，加入氨水25ml调节pH值至9左右，将硅片放入镀镍液中，时间5-7分钟。
一次镀镍、清洗烘干后进行680--750℃在含氮气或氮氢混合气体中烧渗，时间30—40分钟，让镍、硅形成微合金层。
烧渗后镍层表面发黄需用硝酸腐蚀，再用氢氟酸漂洗，硅片清洗干净后再镀上一层可焊性良好的新的化学镀镍层。
注：快恢复二极管需要在化学镀镍前扩铂⑴铂源：a、美国Filmtronics公司Pt920液态源；b、无水乙醇∶三氯化铂=100 ：0.5-2.5；⑵在扩散片磷面旋转涂敷铂源，烘干后铂面背靠背排放在石英舟中并压紧；⑶推入专用石英管道中。
炉温860℃-980℃；时间：45-60分钟。
对应的恢复时间Trr：200-35ns。
需要指出的是，扩铂片应按不同硅片电阻率、正向压降VF和恢复时间Trr 适当确定原始硅片的厚度。
一般为：电阻率10-15Ω·cm、正向压降VF小于1V、恢复时间Trr小于50ns的原始硅片厚度选220±10μm；15-30Ω·cm、正向压降VF小于1.2V、恢复时间Trr小于150ns的原始硅片厚度为250±10?m；30-45Ω·cm、正向压降VF小于1.3V、恢复时间Trr小于200ns的原始硅片厚度为280±10?m。
