单结晶体管的识别及检测

103快速学认电子元器件（双色版）
2．延时电路
单结晶体管可以用作延时电路。

图4-70所示为延时接通开关电路，电源开关SA接通后，继电器K并不立即吸合，这时电源经RP 和R1向C充电，直到C上所充电压达到峰点电压U P时，单结晶体管V导通，K才吸合。

触点K-1和K-2使K保持吸合状态。

调节RP可改变延时时间。

图4-70　延时电路
3．触发电路
单结晶体管还可以用作晶闸管触发电路。

图4-71所示为调光台灯电路，在交流电的每半周内，晶闸管VS由单结晶体管V输出的窄脉冲触发导通，调节RP便改变了V输出窄脉冲的时间，即改变了VS 的导通角，从而改变了流过照明灯泡EL的电流，实现了调光的目的。

六、怎样检测单结晶体管
单结晶体管可以用万用表进行检测。

1．检测两基极间电阻
万用表置于“R×1k”挡，两表笔（不分正、负）接单结晶体管除发射极E以外的两个引脚，如图4-72所示，读数应为3～10kΩ。

2．检测PN结
（1）检测PN结正向电阻时（以N型基极管为例，下同），黑表笔（表内电池正极）接发射极E，红表笔分别接两个基极，如图4-73。

湖南省技工学校理论教学教案教师姓名：注：教案首页，教案用纸由学校另行准备湖南省劳动厅编制益阳高级技工学校益阳高级技工学校益阳高级技工学校以后，I E 继续增大，V E 略有上升，但变化不大，此时单结晶体管进入饱状态，图中对应于谷点V 以右的特性，称为饱和区。

当发射极电压减小到V E <V V 时，单结晶体管由导通恢复到截止状态。

综上所述，峰点电压V P 是单结晶体管由截止转向导通的临界点。

BB A A D P V V V V V η=≈+= （7-2-2）所以，V P 由分压比η和电源电压决定V BB 。

谷点电压V V 是单结晶体管由导通转向截止的临界点。

一般V V = 2～5V （V BB = 20V ）。

国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。

BT 表示半导体特种管，3表示三个电极，第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW 。

单结晶体管的检测图7-2－3为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。

好的单结晶体管PN 结正向电阻R EB1、R EB2均较小，且R EB1稍大于R EB2，PN 结的反向电阻R B1E 、R B2E 均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。

用万用电表R ×10Ω档分别测量EB 1、EB 2间正、反向电阻，记入表7－2-1表7-2－1R EB1(Ω)R EB2(Ω)R B1E (K Ω)R B2E (K Ω)结 论任务二 单结晶体管振荡电路制作与调试益阳高级技工学校图7-2-5单结晶体管振荡电路2、仪器仪表双踪示波器一台 MF47万用表 1只3、制作调试步骤（1）将元器件按要求整形，插入通用电路板的相应位置,并连接好导线。

（2）闭合开关，接通电源。

分别用示波器观察电容C两端电压vc及电路输出电压vo。

在图7-2-6相应坐标中作出vc、vo波形。

（3）调节电路中电位器阻值，观察两波形变化，可以看出，改变电位器阻值将改变输出脉冲的__________(相位、频率、幅值)。

一、教案基本信息1. 教案名称：省技工学校变频调速单结晶体管的识别与检测理论教学教案2. 学科领域：电气工程及自动化3. 课时安排：共5课时，每课时45分钟4. 教学目标：(1) 让学生了解单结晶体管的基本结构和工作原理。

(2) 使学生掌握单结晶体管的识别方法。

(3) 培养学生运用万用表等工具检测单结晶体管的能力。

二、教学内容与步骤1. 导入新课教师简要介绍单结晶体管在变频调速中的应用，激发学生的学习兴趣。

2. 讲解单结晶体管的基本结构教师通过多媒体课件展示单结晶体管的结构图，讲解各部分的作用。

3. 分析单结晶体管的工作原理教师讲解单结晶体管的工作原理，引导学生理解其工作过程。

4. 学习单结晶体管的识别方法教师介绍单结晶体管的参数和标识方法，引导学生学会识别。

5. 实践操作：用万用表检测单结晶体管教师演示如何用万用表检测单结晶体管，学生分组进行实践操作。

6. 总结与评价教师对学生的实践操作进行点评，总结本节课的重点内容。

三、教学方法与手段1. 采用问题驱动的教学方法，引导学生主动探究。

2. 利用多媒体课件辅助教学，提高学生的学习兴趣。

3. 结合实际操作，培养学生的动手能力。

4. 分组讨论，促进学生之间的交流与合作。

四、教学评价1. 课堂问答：检查学生对单结晶体管基本知识的掌握。

2. 实践操作：评价学生在实际操作中运用单结晶体管识别与检测的能力。

3. 课后作业：布置相关题目，巩固所学知识。

五、课后作业1. 绘制单结晶体管的结构图。

2. 总结单结晶体管的识别方法。

六、教学资源准备1. 教案课件：制作详细的教学课件，包括单结晶体管的结构图、工作原理图等。

2. 实物模型：准备一些单结晶体管的实物模型，用于学生观察和识别。

3. 万用表：为学生提供足够的万用表，用于实践操作。

4. 测试电路：准备一些测试电路，用于演示和引导学生进行实践操作。

七、教学注意事项1. 在讲解单结晶体管的基本结构时，要注意用简洁明了的语言，确保学生能够理解。

晶体管的检测经验1．从晶体管的型号命名上识别其材料与极性国产晶体管型号命名的其次部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。

其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料NPN型管，“C”代表硅材料PNP 型管，“D”代表硅材料NPN型管。

***产晶体管型号命名的第三部分用字母A"D来表示晶体管的材料和类型（不代表极性）。

其中，“A”、“B”为PNP型管，“C”、“D”为NPN型管。

通常，“A”、“C”为高频管，“B”、“D”为低频管。

欧洲产晶体管型号命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶体管的材料（不表示NPN或PNP型极性）。

其中，“A”表示锗材料，“B”表示硅材料。

2．从封装形状上识别晶体管的引脚在用法权晶体管之前，首先要识别晶体管各引脚的极性。

不同种类、不同型号、不同功能的晶体管，其引脚罗列位置也不同。

通过阅读上述“晶体管的封装形状”中的内容，可以迅速识别也常用晶体管各引脚的极性。

3．用判别晶体管的极性与材料对于型号标记不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管，可以通过万用表测试来推断出该晶体管的极性、引脚及材料。

对于普通小功率晶体管，可以用万用表R×100Ω档或R×1k档，用两表笔测量晶体管随意两个引脚间的正、反向值。

在测量中会发觉：当黑表笔（或红表笔）接晶体管的某一引脚时，用红表笔（或黑表笔）去分离接触另外两个引脚，万用表上指示均为低阻值。

此时，所测晶体管与黑表笔（或红表笔）衔接的引脚便是基极B，而别外两个引脚为集电极C和放射极E。

若基极接的是红表笔，则该管为PNP管；若基极接的是黑表笔，则该管国 NPN管。

也可以先假定晶体管的任一个引脚为基极，与红表笔或黑表笔接触，再用另一表笔去分离接触另外两个引脚，若测出两个均较小的电阻值时，则固定不动的表笔所接的引脚便是基极B，而另外两个引脚为放射极E和集电极C。

找到基极B后，再比较基极B与另外两个引脚之间正向电阻值的大小。

一、教案基本信息省技工学校变频调速单结晶体管的识别与检测理论教学教案课时安排：45分钟教学目标：1. 让学生了解和掌握变频调速单结晶体管的基本概念和特性。

2. 培养学生识别和检测变频调速单结晶体管的能力。

3. 使学生能够运用所学知识分析和解决实际问题。

教学内容：1. 变频调速单结晶体管的基本概念和特性。

2. 变频调速单结晶体管的识别方法。

3. 变频调速单结晶体管的检测方法。

4. 实际操作演练。

教学方法：1. 讲授法：讲解变频调速单结晶体管的基本概念、特性和识别检测方法。

2. 演示法：展示实际操作过程，让学生更加直观地了解识别检测方法。

3. 实践法：让学生亲自动手操作，提高实际操作能力。

教学准备：1. 教室内安装有多媒体设备，用于展示PPT和视频资料。

2. 准备相关的实物样品，用于展示和操作演示。

3. 准备操作工具和检测设备，让学生动手实践。

二、教学过程1. 导入（5分钟）教师通过提问方式引导学生回顾晶体管的相关知识，为新课的讲解做好铺垫。

2. 讲解（20分钟）讲解变频调速单结晶体管的基本概念、特性和识别检测方法。

重点讲解单结晶体管在变频调速中的应用和作用。

3. 演示（10分钟）教师展示实际操作过程，让学生更加直观地了解识别检测方法。

演示过程中，教师讲解操作步骤和注意事项。

4. 实践（5分钟）学生分组进行实际操作，教师巡回指导。

引导学生运用所学知识分析和解决实际问题。

5. 总结（5分钟）教师引导学生总结本节课所学内容，巩固知识点。

6. 布置作业（5分钟）布置作业，让学生进一步巩固所学知识，提高实际操作能力。

三、教学反思本节课结束后，教师应认真反思教学效果，针对学生的掌握情况，调整教学方法和策略，以提高教学效果。

关注学生的学习兴趣和需求，不断优化教学内容，提高教学质量。

四、课后评价通过课后作业、实践操作和课堂表现等多方面评价学生的学习效果，了解学生对变频调速单结晶体管识别与检测知识的掌握程度，为后续教学提供参考。

单结晶体管单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。

在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。

其结构、符号和等效电呼如图1所示。

图1、单结晶体管一、单结晶体管的特性从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻：rbb=rb1+rb2式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。

若在两面三刀基极b2、b1间加上正电压Vbb，则A点电压为：VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb式中：η----称为分压比，其值一般在0.3---0.85之间，如果发射极电压VE由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图2图2、单结晶体管的伏安特性（1）当Ve＜η Vbb时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏电流Iceo。

（2）当Ve≥η Vbb+VD VD为二极管正向压降（约为0.7伏），PN结正向导通，Ie显著增加，rb1阻值迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。

管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点，与其对就的发射极电压和电流，分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。

Ip 是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然Vp=ηVbb（3）随着发射极电流ie不断上升，Ve不断下降，降到V点后，Ve不在降了，这点V称为谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压，Vv和谷点电流Iv。

（4）过了V点后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所以uc继续增加时，ie便缓慢地上升，显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Ve＜Vv，管子重新截止。

单结管和晶闸管的识别与检测一、单结晶体管[1]单结管即单结晶体管，又称为双基极二极管，是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。

常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。

[2]单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。

单结晶体管的文字符号为“VT”，图形符号如图所示。

[3]单结晶体管的主要参数有：①分压比η，指单结晶体管发射极E至第一基极B1间的电压（不包括PN结管压降）在两基极间电压中所占的比例。

②峰点电压UP，是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与第一基极B1的电压，其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。

③谷点电压UV，是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与第一基极B1间的电压，其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。

[4]单结晶体管共有三个管脚，分别是：发射极E、第一基极B1和第二基极B2。

图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。

[5]单结晶体管最重要的特性是具有负阻性，其基本工作原理如图示（以N基极单结管为例）。

当发射极电压UE大于峰点电压UP时，PN结处于正向偏置，单结管导通。

随着发射极电流IE的增加，大量空穴从发射极注入硅晶体，导致发射极与第一基极间的电阻急剧减小，其间的电位也就减小，呈现出负阻特性。

[6]检测单结晶体管时，万用表置于“R×1k”挡，检测两基极间电阻：两表笔（不分正、负）接单结晶体管除发射极E以外的两个管脚，读数应为3～10kΩ。

[7]检测PN结正向电阻（N基极管为例，下同）：黑表笔接发射极E，红表笔分别接两个基极，读数均应为数千欧。

对调两表笔后检测PN结反向电阻，读数均应为无穷大。

如果测量结果与上述不符，说明被测单结管已损坏。

[8]测量单结晶体管的分压比η：按图示搭接一个测量电路，用万用表“直流10V”挡测出C2上的电压UC2，再按公式η=UC2/UB计算即可。

[9]单结晶体管的基本应用是组成脉冲产生电路，包括振荡器、波形发生器等，并可使电路结构大为简化。