600KW IGBT驱动功率计算

IGBT驱动电流及驱动功率的计算IGBT驱动电路的设计包括上下桥绝缘水平的选择、驱动电压水平的确定、驱动芯片驱动功率的确定、短路保护电路等等。

今天我们重点讨论一下驱动电流以及功率的确定，也就是说如何确定一个驱动芯片电流能力是不是可以驱动一个特定型号的IGBT，如果不能驱动该如何增强驱动输出能力。

01、驱动芯片峰值电流的计算在选择IGBT驱动芯片时，很重要的一步就是计算IGBT所需要的最大驱动电流，在不考虑门极增加Cge电容的条件下，可以把IGBT驱动环节简化为一个RLC电路，如下图阴影部分所示。

求解这个电路可以得到峰值电路的关系式如下：I peak：驱动环节可以输出的最大电流ΔU ge：门极电源最大值减去最小值R G,ext：外部门极电阻值，R G,int为器件内部的电阻值从上面公式可以看出最大驱动电流取决于门极电压水平，以及门极电阻值，一旦这两个参数确定后，所需要的最大驱动电流基本确定。

当然，在一些设计中会选用不同的开通关断电阻，那么就需要分别计算开通关断需要的电流。

依据上述计算的开通关断电流值可以初步选择芯片的驱动电流，芯片数据手册给出的峰值不能小于计算得到的电流值，并且适当考虑工程余量。

02、推挽电路放大电路增加驱动电流如果驱动芯片的输出电流不能驱动特定IGBT的话，比较简单的方法是采用推挽电路进一步增强驱动芯片的峰值电流输出能力。

采用三极管放大是一种常用的方式，其计算步骤如下：（1）根据选择的驱动电压水平以及门极电阻计算得到需求的最大峰值电流I peak （2）选择合适耐压的PNP/NPN三极管组成推挽电路（3）查所选择的三极管数据手册中的电流传输系数h FE，计算得到三极管的基极电流（4）计算驱动芯片输出极的输出电阻上述步骤给出了BJT作为推挽放大电路时一般的步骤，需要着重考虑的是BJT的耐压以及基级电阻的匹配。

由于使用BJT做推挽放大设计设计比较简单，因此在设计中得到广泛的应用。

在大功率应用场合比较常用的BJT三极管型号有MJD44/45H11(80V)等。

电动机的带动功率计算公式电动机作为一种常见的电力设备，广泛应用于工业生产、交通运输、家用电器等领域。

在实际应用中，我们经常需要计算电动机的带动功率，以便合理选择电动机的型号和规格，从而满足实际工作需求。

本文将介绍电动机的带动功率计算公式及其应用。

电动机的带动功率是指电动机在工作过程中所输出的功率，通常用于驱动其他机械设备，比如风机、泵、压缩机等。

带动功率的计算需要考虑电动机的额定功率、效率以及负载情况等因素，下面我们将详细介绍电动机的带动功率计算公式及其应用。

1. 电动机的带动功率计算公式。

电动机的带动功率计算公式可以表示为：P = Pm η。

其中，P表示电动机的带动功率，单位为千瓦(kW)；Pm表示电动机的额定功率，单位为千瓦(kW)；η表示电动机的效率，为无量纲。

在实际应用中，电动机的额定功率通常可以从电动机的型录或技术参数中获得。

而电动机的效率则需要根据具体的工作条件和负载情况进行评估，通常可以在电动机的性能曲线中找到相应的数值。

2. 电动机的带动功率计算实例。

为了更好地理解电动机的带动功率计算公式，我们可以通过一个实际的例子来进行说明。

假设某工厂需要选购一台电动机来驱动一台风机，风机的额定功率为30千瓦(kW)，工作效率为80%。

现在我们需要计算所需的电动机的带动功率。

根据电动机的带动功率计算公式，我们可以得到：P = 30 0.8 = 24千瓦(kW)。

因此，我们需要选购一台额定功率为24千瓦的电动机来驱动该风机。

3. 电动机的带动功率计算注意事项。

在实际应用中，需要注意以下几点：(1) 负载情况，在计算电动机的带动功率时，需要考虑负载情况，以确保所选购的电动机能够满足实际工作需求。

(2) 效率选择，电动机的效率对带动功率有重要影响，因此在选择电动机时需要充分考虑效率因素。

(3) 过载能力，在实际工作中，电动机可能会遇到瞬时过载情况，因此需要选择具有一定过载能力的电动机。

(4) 考虑余量，为了确保电动机的长期稳定运行，通常需要在计算带动功率时考虑一定的余量。

IGBT耗散功率计算IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 是一种常用的功率开关器件，它在大功率应用中具有较低的开关损耗和较高的效率。

在使用IGBT 进行功率开关控制时，需要计算和考虑其耗散功率。

IGBT的耗散功率包括开关损耗和导通损耗两部分。

开关损耗是指在IGBT的开关过程中由于开关速度较快而产生的能量转损。

导通损耗是指当IGBT导通时因芯片内部电阻和开关电压而产生的功率损耗。

首先，我们来计算开关损耗。

开关损耗通常由开关频率、电流和电压决定。

开关损耗可以分为开关开启损耗和开关关闭损耗两个部分。

当IGBT 开启时，电流会从0到其极大值快速增加，此过程中会有一个过渡阶段，电压降过渡为低电压，并且会有一个反向电流。

开关关闭时，电流会从其极大值快速减小为零，此过程中同样会有过渡阶段。

开关开启损耗可以通过以下公式计算：P_on = V_on * I_Cin * f_s其中P_on 是开关开启损耗；V_on 是开启过程中的电压降；I_Cin 是开启过程中的输入电流；f_s是开关频率。

开关关闭损耗可以通过以下公式计算：P_off = V_off * I_CEoff * f_s其中P_off 是开关关闭损耗；V_off 是关闭过程中的电压降；I_CEoff 是关闭过程中的输出电流。

接下来，我们计算导通损耗。

导通损耗可以通过以下公式计算：P_cond = V_CEon * I_Cavg其中P_cond 是导通损耗；V_CEon 是导通过程中的电压降；I_Cavg 是导通过程中的平均电流。

综上所述，IGBT的总耗散功率可以通过以下公式计算：P_total = P_on + P_off + P_cond这些公式可以帮助我们计算IGBT的耗散功率。

在实际应用中，还需要考虑散热器的散热能力，以确保IGBT的工作温度在可接受范围内。

为了实现更加精确的功率计算，需要准确测量和获得所需的电流和电压参数。

IGBT 的驱动特性及功率计算1 IGBT 的驱动特性1.1 驱动特性的主要影响因素IGBT的驱动条件与IGBT的特性密切相关。

设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和dv/dt 引起的误触发等问题。

栅极电压U ge增加（应注意U ge过高而损坏IGBT），则通态电压下降（E on也下降），如图1所示(此处以200A IGBT为例)。

由图1中可看出，若U ge固定不变时，导通电压将随集电极电流增大而增高，如图1a，电流容量将随结温升高而减少（NPT工艺正温度特性的体现）如图1b所示。

（a）Uge与Uce和Ic的关系（b）Uge与Ic和Tvj的关系图1 栅极电压U ge与U ce和T vj的关系栅极电压U ge直接影响IGBT 的可靠运行，栅极电压增高时有利于减小IGBT的开通损耗和导通损耗，但同时将使IGBT能承受的短路时间变短（10μs以下），使续流二极管反向恢复过电压增大，所以务必控制好栅极电压的变化范围，一般U ge可选择在-10～+15 V之间，关断电压-10 V,开通电压+15 V。

开关时U ge与I g的关系曲线见图2 a和图2 b所示。

(a)开通时 (b)关断时图2 开关时U ge与I c的关系曲线栅极电阻R g增加，将使IGBT的开通与关断时间增加，使开通与关断能耗均增加,但同时，可以使续流二极管的反恢复过电压减小，同时减少EMI的影响。

而门极电阻减少，则又使di/dt增大，可能引发IGBT误导通，但是，当R g减少时，可以使得IGBT关断时由du/dt 所带来误触发的可能性减小，同时也可以提高IGBT承受短路能量的能力,所以R g大小各有好坏，客户可根据自己设计特点选择。

图3为R g大小对开关特性的影响，损耗关系请参照图4所示。

图3 R g大小对开关特性的影响（di/dt 大小不同）图4 门极电阻R g与E on/E off由上述可得：IGBT 的特性随门极驱动条件的变化而变化，就象双极型晶体管的开关特性和安全工作区随基极驱动而变化一样。

IGBT驱动电路参数计算详解电阻大功率IGBT 模块在使用中驱动器至关重要，本文介绍在特定应用条件下IGBT门极驱动性能参数的计算方法，经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准，得出的一些参数值可以作为选择一款合适IGBT驱动器的基本依据。

1 门极驱动的概念IGBT存在门极-发射极电容Cge，门极-集电极电容Cgc，我们将IGBT的门极等效电容定义为Cg，门极驱动回路的等效电路如下图所示：其本质是：一个脉冲电压源向RC电路进行充放电，对于这个电压源，有2个物理量我们需要关心，1.它的功率；2.它的峰值电流。

2 驱动功率的计算驱动器是用来控制功率器件的导通和关断。

为了实现此功能，驱动器对功率器件的门极进行充电以达到门极开通电压VGE_on，或者是对门极进行放电至门极关断电压VGE_off。

门极电压的两种电平间的转换过程中，在驱动器门极驱动电阻及功率器件组成的回路中产生一定的损耗。

这个参数我们称为驱动功率PDRV。

驱动器必须根据其所驱动的功率器件所需的驱动功率来选择。

驱动功率可以从门极电荷量QGate，开关频率fIN，以及驱动器实际输出电压摆幅ΔVGate 计算得出：P DRV = Q Gate * f IN * ΔV Gate (Eq. 1)备注：P DRV: 驱动器每通道输出功率；f IN: IGBT开关频率；Q Gate :IGBT门极电荷，可从规格书第一页查出，不同IGBT该数值不同；ΔV Gate:门极驱动电压摆幅，等于驱动正压+U 和负压–U 之间差值。

如果门极回路放置了一个电容CGE (辅助门极电容)，那么驱动器也需要对该电容进行充放电，如图1 所示：图1.带外接阻容的门级驱动只要CGE 在一个周期内被完全的充放电，那么RGE 值并不影响所需驱动功率。

驱动功率可以从以下公式得出：P DRV = Q GATE * f IN *ΔV GATE + C GE * f IN*ΔV GATE2(Eq. 2)这个功率是每个IGBT 驱动时必须的，但门极的充放电是没有能量损失的，这个功率实际上损失在驱动电阻及外部电路中。

1IGBT 的驱动特性及功率计算陈暹辉深圳裕能达电气有限公司摘要：根据目前市场的使用情况，介绍IGBT 的驱动特性及不同功率计算。

关键词：开通损耗 关断损耗 栅极电阻 导通压降 短路时间1 IGBT 的驱动特性1.1 驱动特性的主要影响因素IGBT 的驱动条件与IGBT 的特性密切相关。

设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和d v /d t 引起的误触发等问题。

栅极电压 U ge 增加（应注意U ge 过高而损坏IGBT ），则通态电压下降（Eon 也下降），如图1所示(此处以200 A IGBT 为例)。

由图1中可看出，若U ge 固定不变时，导通电压将随集电极电流增大而增高，如图1 a ，电流容量将随结温升高而减少（NPT 工艺正温度特性的体现）如图1b 所示。

（a ）Uge 与Uce 和Ic 的关系 （b ）Uge 与Ic 和Tvj 的关系图1 栅极电压U ge 与U ce 和T vj 的关系栅极电压 U ge 直接影响 IGBT 的可靠运行，栅极电压增高时有利于减小IGBT 的开通损耗和导通损耗，但同时将使IGBT 能承受的短路时间变短（10 μs 以下），使续流二极管反向恢复过电压增大，所以务必控制好栅极电压的变化范围，一般V ge 可选择在-10～+15 V 之间，关断电压-10 V ,开通电压+15 V 。

开关时U ge 与I g 的关系曲线见图2 a 和图2 b 所示。

栅极电阻R g 增加，将使IGBT 的开通与关断时间增加，使开通与关断能耗均增加,但同时，可以使续流二极管的反恢复过电压减小，同时减少EMI 的影响。

而门极电阻减少，则又使d i /d t 增大，可能引发IGBT 误导通，但是，当R g 减少时，可(a)开通时 (b)关断时 图2 开关时U ge 与 I g 的关系曲线以使得IGBT 关断时由d u /d t 所带来误触发的可能性减小，同时也可以提高IGBT 承受短路能量的能力,所以R g 大小各有好坏，客户可根据自己设计特点选择。

如何计算IGBT的驱动功率？展开全文确定门极电荷Qg和门极电容对于设计一个驱动器来说，最重要的参数莫过于门极电荷Qg的大小，同时确定实际的门极输入电容Cies的大小，因为Datasheet中给到的输入电容大小一般是个参考值，确定实际门极输入电容是一重要意义的。

我们可以通过测量门极的充电过程来确定实际输入结电容Cin的大小。

首先，在负载端没有输出电压的情况下，我们可以进行下面这样的计算：门极电荷Qg=∫idt=C*ΔV确定了门极电荷Qg之后，我们可以通过门极充电过程中的门极电压上升过程，示波器可以测量出ΔV，那么利用公式可以计算出实际的门极输入电容Cin=Qg/ΔV这里的测得的实际输入结电容Cin在我们的设计中是具有很大意义的。

1.关于Ciss在IGBT的Datasheet中，我们经常会看到一个参数Ciss，在实际电路应用中，这个参数其实并不算一个很有用的参数，是因为它是通过电桥测得的，由于测量电压太小而不能达到门极的门槛电压，实际开关过程中的miller效应并没有能包涵在内。

在测量电路中，一个25V的电压加在集电极上，在这种测量方法下测得的结电容要比Vce=0的时候要小一些，因此，规格书中的Ciss这个参数一般用于IGBT相互做对比时使用。

一般我们使用下面的经验公式根据规格书的Ciss来计算输入电容Cin的大小Cin=5Ciss2.驱动功率的计算接下来让我们看看应该如何来计算驱动功率。

在输入结电容中存储的能量可以通过如下公式计算：W=1/2*Cin*ΔU?其中，ΔU是门极上上升的整个电压，比如在±15V的驱动电压下，ΔU就是30V。

在每个周期，门极被充电两次，一个IGBT所需的驱动功率我们可以按下式计算：P=f*Cin*ΔU?如果门极电荷先前通过测量得到了，那么P=f*Qg*ΔU这个功率是每个IGBT驱动时所必须的，但门极的充放电时基本没有能量损失的，这个功率实际上损失在驱动电阻和外部电路中。

IGBT 的驱动特性及功率计算1 IGBT 的驱动特性1.1 驱动特性的主要影响因素IGBT的驱动条件与IGBT的特性密切相关。

设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和dv/dt 引起的误触发等问题。

栅极电压U ge增加（应注意U ge过高而损坏IGBT），则通态电压下降（E on也下降），如图1所示(此处以200A IGBT为例)。

由图1中可看出，若U ge固定不变时，导通电压将随集电极电流增大而增高，如图1a，电流容量将随结温升高而减少（NPT工艺正温度特性的体现）如图1b所示。

（a）Uge与Uce和Ic的关系（b）Uge与Ic和Tvj的关系图1 栅极电压U ge与U ce和T vj的关系栅极电压U ge直接影响IGBT 的可靠运行，栅极电压增高时有利于减小IGBT的开通损耗和导通损耗，但同时将使IGBT能承受的短路时间变短（10μs以下），使续流二极管反向恢复过电压增大，所以务必控制好栅极电压的变化范围，一般U ge可选择在-10～+15 V之间，关断电压-10 V,开通电压+15 V。

开关时U ge与I g的关系曲线见图2 a和图2 b所示。

(a)开通时 (b)关断时图2 开关时U ge与I c的关系曲线栅极电阻R g增加，将使IGBT的开通与关断时间增加，使开通与关断能耗均增加,但同时，可以使续流二极管的反恢复过电压减小，同时减少EMI的影响。

而门极电阻减少，则又使di/dt增大，可能引发IGBT误导通，但是，当R g减少时，可以使得IGBT关断时由du/dt 所带来误触发的可能性减小，同时也可以提高IGBT承受短路能量的能力,所以R g大小各有好坏，客户可根据自己设计特点选择。

图3为R g大小对开关特性的影响，损耗关系请参照图4所示。

图3 R g大小对开关特性的影响（di/dt 大小不同）图4 门极电阻R g与E on/E off由上述可得：IGBT 的特性随门极驱动条件的变化而变化，就象双极型晶体管的开关特性和安全工作区随基极驱动而变化一样。

IGBT的驱动特性及功率损耗计算IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常用的功率开关器件，广泛应用于电力电子领域。

IGBT的驱动特性和功率损耗计算是研究和设计IGBT电路时重要的考虑因素。

以下是对IGBT驱动特性和功率损耗计算的详细介绍。

一、IGBT的驱动特性1.输入阻抗：IGBT的输入阻抗较高，通常在几百欧姆到几兆欧姆之间，可以接受微弱的输入信号。

2.输入电容：IGBT的输入电容通常较大，约为几十皮法（pF），需要充放电过程来实现开关控制。

3.驱动电压：IGBT的驱动电压通常在12V至15V左右，在工作过程中，需要适当控制驱动电压的大小和时间，以保证其正常工作。

4.驱动电流：IGBT的驱动电流是驱动IGBT的关键参数，通常需要较大的驱动电流来保证IGBT的稳定工作。

5.驱动方式：常见的IGBT驱动方式有电流驱动和电压驱动两种。

电流驱动方式可以提供更好的保护性能和更高的驱动能力。

6.驱动信号：IGBT的驱动信号通常为脉宽调制（PWM）信号，通过控制脉宽来调节流过IGBT的电流，从而实现对电路的开关控制。

7.驱动时间：IGBT的驱动时间是指IGBT从关断到导通或从导通到关断的时间，通常需要较短的驱动时间来保证IGBT的快速开关。

IGBT在工作过程中会产生一定的功率损耗，包括导通损耗、关断损耗和开关损耗。

功率损耗的计算对于设计IGBT电路和散热系统非常重要。

1.导通损耗：IGBT在导通状态下会有一定的导通电压降和导通电流，导致功率损耗。

导通损耗可以通过以下公式计算：Pcon = Vce × Ic其中，Pcon为导通损耗，Vce为导通电压降，Ic为导通电流。

2.关断损耗：IGBT在关断过程中会有一定的关断电流和关断电压降，导致功率损耗。

关断损耗可以通过以下公式计算：Pdis = Vce × Ic × td其中，Pdis为关断损耗，Vce为关断电压降，Ic为关断电流，td为关断时间。

试谈IGBT耗散功率计算
IGBT 耗散功率计算
不管是正常负荷依旧超负荷，IGBT安全工作必须确保结温
不超过。

一关于IGBT及损耗
IGBT模块由IGBT本部和续流二极管FWD组成，各自发生的损耗的合计为IGBT模块整体损耗；同时，IGBT的损耗又分为通态（稳态）损耗和交换（开关）损耗。

通态损耗可通过稳态输出特性计算；
交换损耗可通过交换损耗-集电极电流特性来计算。

二 IGBT（本部）耗散功率计算
1、通态功耗的计算
IGBT通态平均功耗是。

通态损耗近似是
PWM应用时，近似通态损耗。

2、开关损耗计算
开关损耗精确计算：测量开关过程中的波形，对其进行积分（积
分时刻是开通时刻或关断时刻）
开通损耗：
关断损耗：t
的积分面积是以焦耳为单位的开关能量。

总的开关损耗是开通与关断过程所损耗能量之和，平均开关损耗是单位脉冲开关损耗与开关频率相乘后得到：
实际上和可由交换损耗-集电极电流特性曲线来估算
大多数IGBT都会提供交换损耗与集电极电流特性曲线，如下图：
依据IGBT实际流过的电流值，查曲线得到和，即可计算平均开关损耗：
3、IGBT本部总损耗是通态损耗和开关损耗之和
三 IGBT(FWD-二极管部)功率损耗
四 VVVF变频器中IGBT模块的功耗计算。

600KWIGBT驱动功率计算600A模块的驱动功率计算下面是参考的资料驱动光耦及IGBT功耗计算一种算法；参考附件；（IGBT 驱动器驱动能力的计算）1 确定IGBT 门极电荷以及门极电容。

首先，在负载端没有输出电压的情况下，我们可以作如下计算。

门极电荷可以利用公式计算：Q＝∫idt＝CΔU确定了Q, 我们可以用示波器观测门极电压，同时电压的上升ΔU 在测量中也能在示波器上清楚的观测到。

（见图1）利用公式CIN＝Q/ΔU。

CIN为输入结电容2 Ciss 在折算中的经验公式在IGBT 手册中的电容值Ciss，在实际电路应用中不是一个特别有用的参数，因为它是通过电桥测得的，由于测量电压太小而不能到达门极门槛电压，在实际开关中增加的内部回馈效应（Miller 效应）在测量中未被包括在内。

在测量电路中，一个25V 的电压加在集电极“C”上，在这种测量构架下，所测结电容要比Vce＝0V 时要小一些。

因此，Ciss 仅仅只能在IGBT 互相作比较时使用。

对于SIEMENS 和EUPEC 的IGBT 而言，下面的经验公式经过验证是较为准确可信的。

CIN＝5*Ciss （Ciss 可从IGBT 手册中得到）3 驱动功率的计算在输入结电容中存贮的能量可通过如下计算：W＝1/2 CINΔU2^21 CINΔU2，ΔU 是门极上上升的电压。

在+15V -8V驱动电压下，ΔU 是23V。

在每个工作周期，门极被充电二次。

一个IGBT 所需的驱动功率计算如下：则W＝F* CIN*ΔU2^2F=15KCiss=5.3nf(查表)CIN=5*5.3=26.5 nfW=15000*23^2*26.5 =210MwHCPL-316J输出功耗为600mW＞＞实际驱动功率210Mw 210 277 500由上面的资料得出600A模块的驱动功率F = 载波频率4KCIN=模块输入电容=39*5=195nf由公式计算600A模块驱动功率为：W＝F* CIN*ΔU2^2已知：F=4KCIN=39*5=195nfW=4000*23^2*195=412Mw412 620 000。

IGBT驱动参数计算详解大功率IGBT 模块在使用中驱动器至关重要，本文介绍在特定应用条件下IGBT门极驱动性能参数的计算方法，经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准，得出的一些参数值可以作为选择一款合适IGBT驱动器的基本依据。

1 门极驱动的概念IGBT存在门极-发射极电容Cge，门极-集电极电容Cgc，我们将IGBT的门极等效电容定义为Cg，门极驱动回路的等效电路如下图所示：其本质是：一个脉冲电压源向RC电路进行充放电，对于这个电压源，有2个物理量我们需要关心，1.它的功率；2.它的峰值电流。

2 驱动功率的计算驱动器是用来控制功率器件的导通和关断。

为了实现此功能，驱动器对功率器件的门极进行充电以达到门极开通电压VGE_on，或者是对门极进行放电至门极关断电压VGE_off。

门极电压的两种电平间的转换过程中，在驱动器门极驱动电阻及功率器件组成的回路中产生一定的损耗。

这个参数我们称为驱动功率PDRV。

驱动器必须根据其所驱动的功率器件所需的驱动功率来选择。

转载请注明出处驱动功率可以从门极电荷量QGate，开关频率fIN，以及驱动器实际输出电压摆幅ΔVGate 计算得出：P DRV = Q Gate * f IN * ΔV Gate (Eq. 1)备注：P DRV: 驱动器每通道输出功率；f IN: IGBT开关频率；Q Gate :IGBT门极电荷，可从规格书第一页查出，不同IGBT该数值不同；ΔV Gate:门极驱动电压摆幅，等于驱动正压+U 和负压–U 之间差值。

如果门极回路放置了一个电容CGE (辅助门极电容)，那么驱动器也需要对该电容进行充放电，如图1 所示：图1.带外接阻容的门级驱动只要CGE 在一个周期内被完全的充放电，那么RGE 值并不影响所需驱动功率。

驱动功率可以从以下公式得出：P DRV = Q GATE * f IN *ΔV GATE + C GE * f IN*ΔV GATE2(Eq. 2)这个功率是每个IGBT 驱动时必须的，但门极的充放电是没有能量损失的，这个功率实际上损失在驱动电阻及外部电路中。

IGBT驱动参数计算详解大功率IGBT 模块在使用中驱动器至关重要，本文介绍在特定应用条件下IGBT门极驱动性能参数的计算方法，经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准，得出的一些参数值可以作为选择一款合适IGBT驱动器的基本依据。

1 门极驱动的概念IGBT存在门极-发射极电容Cge，门极-集电极电容Cgc，我们将IGBT的门极等效电容定义为Cg，门极驱动回路的等效电路如下图所示：其本质是：一个脉冲电压源向RC电路进行充放电，对于这个电压源，有2个物理量我们需要关心，1.它的功率；2.它的峰值电流。

2 驱动功率的计算驱动器是用来控制功率器件的导通和关断。

为了实现此功能，驱动器对功率器件的门极进行充电以达到门极开通电压VGE_on，或者是对门极进行放电至门极关断电压VGE_off。

门极电压的两种电平间的转换过程中，在驱动器门极驱动电阻及功率器件组成的回路中产生一定的损耗。

这个参数我们称为驱动功率PDRV。

驱动器必须根据其所驱动的功率器件所需的驱动功率来选择。

请注明出处.igbt8.驱动功率可以从门极电荷量QGate，开关频率fIN，以及驱动器实际输出电压摆幅ΔVGate 计算得出：P DRV = Q Gate * f IN * ΔV Gate (Eq. 1)备注：P DRV: 驱动器每通道输出功率；f IN: IGBT开关频率；Q Gate :IGBT门极电荷，可从规格书第一页查出，不同IGBT该数值不同；ΔV Gate:门极驱动电压摆幅，等于驱动正压+U 和负压–U 之间差值。

如果门极回路放置了一个电容CGE (辅助门极电容)，那么驱动器也需要对该电容进行充放电，如图1 所示：图1.带外接阻容的门级驱动只要CGE 在一个周期被完全的充放电，那么RGE 值并不影响所需驱动功率。

驱动功率可以从以下公式得出：P DRV = Q GATE * f IN *ΔV GATE + C GE * f IN*ΔV GATE2(Eq. 2)这个功率是每个IGBT 驱动时必须的，但门极的充放电是没有能量损失的，这个功率实际上损失在驱动电阻及外部电路中。

igbt驱动电压和功率分别是多少igbt驱动工作原理驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 IGBT 和驱动器损坏。

以下总结了一些关于IGBT驱动器输出性能的计算方法以供选型时参考。

igbt驱动电路是驱动igbt模块以能让其正常工作，并同时对其进行保护的电路。

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）在今天的电力电子领域中已经得到广泛的应用，在实际使用中除IGBT自身外，IGBT 驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。

驱动器的选择及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。

因此，在IGBT数据手册中给出的电容Cies值在实际应用中仅仅只能作为一个参考值使用。

IGBT的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻igbt驱动电压要求因 IGBT 栅极 - 发射极阻抗大，故可使用 MOSFET 驱动技术进行驱动，但 IGBT 的输入电容较 MOSFET 大，所以 IGBT 的驱动偏压应比 MOSFET 驱动所需偏压强。

图 1 是一个典型的例子。

在+20 ℃情况下，实测 60 A ， 1200 V 以下的IGBT 开通电压阀值为 5 ～ 6 V ，在实际使用时，为获得最小导通压降，应选取Ugc ≥ （1.5 ～ 3）Uge （th）igbt的开启电压(摘之别处)IGBT的开启电压就是指门极（栅极）和源极（IGBT不称发射极）之间的电压Vgs，通常这个值在2～4V左右，也有的的需要6V左右，例如H40T120的Vgs就是5-6.5V，当 Uge 增加时，导通时集射电压 Uce 将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中 Uge 增加，集电极电流 Ic 也将随之增加，使得 IGBT 能承受短路损坏的脉宽变窄，因此 Ugc 的选择不应太大，这足以使IGBT 完全饱和，同时也限制了短路电流及其所带来的应力（在具有短路工作过程的设备中，如在电机中使用IGBT 时，+Uge 在满足要求的情况下尽量选取最小值，以提高其耐短路能力）。

IGBT驱动参数计算详解大功率IGBT 模块在使用中驱动器至关重要，本文介绍在特定应用条件下IGBT门极驱动性能参数的计算方法，经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准，得出的一些参数值可以作为选择一款合适IGBT驱动器的基本依据。

1 门极驱动的概念IGBT存在门极-发射极电容Cge，门极-集电极电容Cgc，我们将IGBT的门极等效电容定义为Cg，门极驱动回路的等效电路如下图所示：其本质是：一个脉冲电压源向RC电路进行充放电，对于这个电压源，有2个物理量我们需要关心，1.它的功率；2.它的峰值电流。

2 驱动功率的计算驱动器是用来控制功率器件的导通和关断。

为了实现此功能，驱动器对功率器件的门极进行充电以达到门极开通电压VGE_on，或者是对门极进行放电至门极关断电压VGE_off。

门极电压的两种电平间的转换过程中，在驱动器门极驱动电阻及功率器件组成的回路中产生一定的损耗。

这个参数我们称为驱动功率PDRV。

驱动器必须根据其所驱动的功率器件所需的驱动功率来选择。

请注明出处.igbt8.驱动功率可以从门极电荷量QGate，开关频率fIN，以及驱动器实际输出电压摆幅ΔVGate 计算得出：P DRV = Q Gate * f IN * ΔV Gate (Eq. 1)备注：P DRV: 驱动器每通道输出功率；f IN: IGBT开关频率；Q Gate :IGBT门极电荷，可从规格书第一页查出，不同IGBT该数值不同；ΔV Gate:门极驱动电压摆幅，等于驱动正压+U 和负压–U 之间差值。

如果门极回路放置了一个电容CGE (辅助门极电容)，那么驱动器也需要对该电容进行充放电，如图1 所示：图1.带外接阻容的门级驱动只要CGE 在一个周期被完全的充放电，那么RGE 值并不影响所需驱动功率。

驱动功率可以从以下公式得出：P DRV = Q GATE * f IN *ΔV GATE + C GE * f IN*ΔV GATE2(Eq. 2)这个功率是每个IGBT 驱动时必须的，但门极的充放电是没有能量损失的，这个功率实际上损失在驱动电阻及外部电路中。

IGBT驱动器输出计算
IGBT驱动器输出计算
中心议题：
•栅极电荷体现IGBT 的特性
•如何测量和确定栅极电荷
•驱动器输出功率和栅极电流
•IGBT驱动器的选择
解决方案：
•输入电容CGC 和CGE 是计算IGBT 关键参数
•栅极导通电压VG(on)和关断电压VG(off)之差计算删极-发射极电压
•驱动器的最大平均输出电流必须大于计算值
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）在电力电子领域已经普及，并被用于许多应用中，如变频器、电源和电子驱动器。

IGBT 具有较高的反向电压（高达
6.5kV），开关电流最大可达3kA。

除功率模块自身外，电力电子系统中的一个关键组件是IGBT 驱动器，它是功率晶体管和控制器之间重要的接口。

驱动器的选择及其准确输出功率的计算决定了转换器解决方案的可靠性。

驱动器功率不足或选择错误可能会导致模块和驱动器故障。

以下总结了一些计算用于开关IGBT 的驱动器输出性能的方法。

栅极电荷体现IGBT 的特性
IGBT 模块的开关特性主要取决于半导体电容（电荷）及内部和外部的电阻。

图1 是IGBT 电容的示意图，其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容（或称为米勒电容）。

IGBT 耗散功率计算不管是正常负荷还是超负荷，IGBT安全工作必须确保结温不超过。

一关于IGBT及损耗IGBT模块由IGBT本部和续流二极管FWD组成，各自发生的损耗的合计为IGBT模块整体损耗；同时，IGBT的损耗又分为通态（稳态）损耗和交换（开关）损耗。

通态损耗可通过稳态输出特性计算；交换损耗可通过交换损耗-集电极电流特性来计算。

二IGBT（本部）耗散功率计算1、通态功耗的计算IGBT通态平均功耗是。

通态损耗近似是PWM应用时，近似通态损耗。

2、开关损耗计算开关损耗精确计算：测量开关过程中的波形，对其进行积分（积分时间是开通时间或关断时间）开通损耗：关断损耗：t的积分面积是以焦耳为单位的开关能量。

总的开关损耗是开通与关断过程所损耗能量之和，平均开关损耗是单位脉冲开关损耗与开关频率相乘后得到：实际上和可由交换损耗-集电极电流特性曲线来估算大多数IGBT都会提供交换损耗与集电极电流特性曲线，如下图：依据IGBT实际流过的电流值，查曲线得到和，即可计算平均开关损耗：3、IGBT本部总损耗是通态损耗和开关损耗之和三IGBT(FWD-二极管部)功率损耗四VVVF变频器中IGBT模块的功耗计算在SPWM调制的变频器中，IGBT的电流值及占空比经常变换，使得功耗计算很困难。

以下是估算公式：1每一个IGBT的平均通态损耗2 每一个IGBT的平均开关损耗3 每一个桥臂IGBT的总功耗4 反并联续流二极管的通态平均功耗5 每一个IGBT总功耗计算举例条件：IGBT：eupec 公司型号：FZ1200R33KF2C开关频率20kHz;功率因素0.8；SPWM变频器，400Kva,320kW。

占空比D=50%工作电流IC=600A峰值电流Icp=600*查IGBT手册=1000=900=2.5V以下是计算：则每一个IGBT通态损耗：=355W每一个IGBT开关损耗：续流二极管损耗：=40W IGBT模块总损耗：再加上整流损耗，控制系统损耗，此计算表明变频器总损耗在80kW 左右。