模拟数字及电力电子技术自考试

自学测验模拟数字及电力电子技术试卷及答————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：2007年（上）高等教育自学考试全国统一命题考试模拟、数字及电力电子技术试卷及答案详解第一部分选择题一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1．测得NPN型三极管三个电极的电位分别为U C=3．3V，U B=3．7V，U E=3V，则该管工作在( )A．放大区B．截止区C．饱和区D．击穿区2．理想运放组成的电路如题2图所示，其电压放大倍数为( )A．－10 B．11 C．10 D．－11题2图3．要提高放大电路的负载能力，可采用( )A．串联负反馈B．并联负反馈C．电流负反馈D．电压负反馈4．桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为20V，则输出直流电压为( )A．9V B．18V C．24V D．28V5．逻辑函数的最简与或式为( )6．逻辑函数的标准与或式为．( )A．∑(0,1,3,5,7) B．∑(1,2,4,5,6)C．∑ (0,2,3,6,7) D．∑ (1,3 4,6,7) 7．逻辑函数F(A，B，C，D)=∑(O，2，5，7，8，10，13，15)的最简与或非式为( )8．逻辑函数F(A，B，C，D)=∑(4，5，6，12，13，14)，其约束条件为BC =0，则最简与或式为( )9．题9图为TTL逻辑门，其输出F为( )题9图10．题10图为触发器的状态图，该触发器为( )题10图11．题11图中触发器的次态Q n+1为( )题11图12．为了将三角波变换为同频率矩形波，应选用( )A．计数器B．单稳态触发器C．施密特触发器D．多谐振荡器13．晶闸管SCR的导通条件是( )A．u ak＞0 u gk＜0 B．u ak＜0 u gk＜0 C．u ak＞0 u gk＞0 D．u ak＜0 u gk＞0 14．三相半波相控整流电路带电阻性负载，电源电压有效值为U2，则晶闸管SCR在电路中承受的最大反向电压为( )15．将固定的直流电压变成可调的直流电压称为( )A．整流B．斩波C．变频D．逆变第二部分非选择题二、填空题（本大题共10小题，每小题1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。

模拟、数字及电力电子技术自考题模拟2(总分：100.00，做题时间：90分钟)一、第Ⅰ部分选择题单项选择题(总题数：15，分数：30.00)1.晶体管作为开关时的工作区域是______（分数：2.00）A.饱和区+放大区B.击穿区+截止区C.放大区+击穿区D.饱和区+截止区√解析：[考点] 本题主要考查的知识点为晶体管的开关电性。

在放大电路中晶体管工作在放大区；而在开关电路中，晶体管工作在饱和区和截止区。

2.用二进制代码表示十进制的十个状态0～9，二进制代码至少应当有______（分数：2.00）A.8位B.4位√C.2位D.1位解析：3.如果编码0100表示十进制数4，则此码不可能是______（分数：2.00）A.8421BCD码B.5211BCD码√C.余3循环码D.2421BCD码解析：4.已知某逻辑函数的真值表如题4表所示，该逻辑函数表达式为______A B y0 0 00 1 11 0 11 1 0A．B．C．D．（分数：2.00）A.B.C.D. √解析：[考点] 本题主要考查的知识点为由逻辑真值表写出逻辑函数式。

5.将表达式AB+CD变成与非-与非表达式，其形式为______A．B．C．D．（分数：2.00）A.B.C. √D.解析：6.逻辑函数的标准与或表达式为______A．B．C．D．（分数：2.00）A.B.C.D. √解析：[考点] 本题主要考查的知识点为求标准与或式的方法。

任何一个逻辑函数都可以化为最小项之和的形式，称为最小项表达式，也称为标准与或表达式。

7.下图所示电路输出端Y的表达式为______A．B．C．D．（分数：2.00）A.B.C. √D.解析：[考点] 本题主要考查的知识点为OC门的逻辑功能和使用方法。

输入信号A、B送入OC与非门，该与非门输出为；输入信号C、D送入OC异或门，该异或门输出为。

两个输出端做“线与”连接，故输出。

8.JK触发器要求状态0→1时，其输入信号应为______（分数：2.00）A.J=0，K=0或1B.J=1，K=0或1 √C.J=0或1，K=0D.J=0或1，K=1解析：[考点] 本题主要考查的知识点为JK触发器的逻辑功能。

考试试卷( 1 ）卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者.2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态.当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同.5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___.6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为.7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载,则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2，VD2表示）。

（1) 0～t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____；(3）t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____;（4）t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；（5) t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通.A、1个B、2个C、3个D、4个4、对于单相交交变频电路如下图，在t1～t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（）A、P组阻断，N组整流B、P组阻断,N组逆变C、N组阻断,P组整流D、N组阻断，P组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是( D ）A、30°～150B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是( A ）A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件7、直流斩波电路是一种（ C )变换电路。

2019年10月高等教育自学考试《模拟、数字及电力电子技术》试题课程代码：02238一、单项选择题1 .N 型半导体中，掺人的杂质和多数载流子为A.+5价元素，自由电子B.+3价元素，自由电子C.+5价元素，空穴D.+3价元素，空穴2 .当晶体管工作在放大区时A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结反偏D.发射结正偏，集电结反偏3 .三种基本放大电路中A.能进行电压放大的只有共射放大电路B.输出电阻最小的是共射放大电路C.输入电阻最大的是共射放大电路D.输入输出电压相位相反的是共射放大电路4 .要降低输入电阻，减小输出电阻，则应在放大电路中引入A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈 5 .某个n 变量的逻辑函数，其最小项的个数为A.nB.2〃C.2nD.2,,-l6 .题6图所示逻辑符号所表示的逻辑功能为A.与逻辑运算B.或逻辑运算C.非逻辑运算D.与非逻辑运算7 .题7图所示触发器的类型为A.基本RS 触发器8 .主从JK 触发器C.同步T 触发器D.边沿7触发器8 .在下列逻辑电路中，是组合逻辑电路的是A.译码器B.计数器C.寄存器9 .逻辑函数y=Wd+ABC 的最小项表达式为A.y=(A 氏。

=2w (0,l,7)B.y=(AB,Q=£w (0,2,7) c.r=(AB,C)=χw (i,2j)D.y=(AB,C)=χ,,,(0J,5)D.移位寄存器 题710.题10图所示电路的输出为A.Y=A+BB.Y=A+BC.丫为高阻态D.Y=AB11 .二进制数(IolLO1)2相应的八进制数为A.11.25B.23.1C.13.2D.31.512 .题12图所示电路中，输出Co 二A. 0B. 1C.高阻态D.以上答案均不正确13 .IGBT 属于电压控制型器件，按照控制的程度又称为A.全控型器件B.半控型器件C.不控型器件 14 .单相半波相控整流电路带纯电阻性负载时晶闸管的移相范围为A.0°~90oB.0o ~120°C.O o ~150oD.O o ~180o15 .降压斩波电路(BUCK 变换)中，已知电源电压Ud=I2V,占空比。

全国高等教育自学考试模拟、数字及电力电子技术试题一、单项选择题(每小题2分，共24分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。

1.对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于( )A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.无法确定2.下列功率放大电路中，效率最高的是( )A.甲类功放B.乙类互补功放C.甲乙类互补功放D.准互补功放3.串联型稳压电源中，产生基准电压的部分是( )A.比较放大器B.稳压管电路C.调整管D.采样电路4.电路如图所示，则输出函数F为( )A．F=0B．F=1C．F=AB C+D．F=ABC5.逻辑函数F(A，B，C，D)=Σ(0，1，4，5，7，13，15)的最简式与非式为( ) A．AB BD• B.AB BD•C.AB CD• D.AB AB•6.根据真值表中的对应关系，Y与A、B之间的逻辑关系为( )A.Y=ABB.Y=ABC.Y=A+BD.Y=A B+A B Y0 0 1 1 01117.CMOS集成基本RS触发器的特性方程Q S RQSRn n+=+=⎧⎨⎪⎩⎪1错误的解释是（）A.不允许S、R信号同时为1B.S，R信号不能同时为0C.SR=10时，触发器置1D.SR=01时，触发器置0 8．图示电路，输出Y为（）A.A B +B.ABC.ABD.A+B9.电路如图所示，其功能是( ) A.输出为定时矩形波 B.产生矩形波C.将矩形波变为同频率三角波D.将缓变波形变为同频率矩形波10.以下各项功能或特点，晶闸管所不具有的为( ) A.放大功能 B.单向导电 C.门极所控 D.大功率11.变更斩波器工作率α的最常用一种方法是( ) A.既改变斩波周期，又改变开关关断时间 B.保持斩波周期不变，改变开关导通时间 C.保持开关导通时间不变，改变斩波周期 D.保持开关断开时间不变，改变斩波周期12.以下各项中不属于电压型逆变器特点的是( )A.若是电机负载为实现再生制动需增加一套反并联的变流器B.输出交流电流波形为矩形波C.直流侧为一电压源D.应设有反馈二极管二、填空题(每小题2分，共16分)13.带电容滤波的整流电路适用于负载电流______的场合；带电感滤波的整流电路适用于负载电流______的场合。

2018年4月自学考试模拟数字及电力电子技术试卷（课程代码 2238）一、单项选择题（本大题共16小题，每小题2分，共32分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1. 在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为6V 、11.8V 、12V ，则这只三极管属于【 】 A. 硅NPN 型B. 硅PNP 型C. 锗NPN 型D. 锗PNP 型 2. 题2图所示理想运放组成的运算电路的电压放大倍数为【 】u u oA. –2B. –1C. 1D. 23. 题3图所示反馈放大电路中R f 引入的反馈属于【】uI+-u o A. 电压并联负反馈B. 电压串联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电流串联负反馈4. 逻辑函数()F AC ABD BCD E F =+++的最简与或式为【 】 A. AC BD +B.AC ABD +C. AC B +D. A BD + 5. 逻辑函数F AB AB CB =++的标准与或式为【 】 A. Σ(0,1,2,3,5)B. Σ(1,2,3,4,6)C. Σ(3,4,5,6,7)D. Σ(2,3,4,5,7) 6. 逻辑函数F(A,B,C)= Σ(0,2,4,5)的最简与或非式为【 】 A. A C AB +B. AC AB +C. A C AB +D. AC AB +7. 逻辑函数F(A,B,C,D)=Σ(1,2,4,5,6,9)，其约束条件为AB+AC=0，则最简与或式为【 】A. BC CD AC ++B. BD CD CD ++C. AB CD CD ++D.AB BD A C ++8. 题8图中为TTL 逻辑门，其输出F 为【 】A. 0题8图ABB. 1C.D.AB A B+9. RS 触发器要求状态由0→1，其输入信号为 【 】 A. RS=X0B. RS=X1C. RS=10D. RS=01 10. 题10图中触发器的次态方程Q n+1为【 】A. 0题10图AB. AC.D.nQ n Q11. 为将输入正弦波变为同频率的矩形波，应选用【 】 A. 单稳态触发器 B. 多谐振荡器 C. 施密特触发器 D. 顺序脉冲发生器12. 下列电力半导体器件属于半控型器件的是【 】A. 晶闸管SCRB. 功率晶体管C. MOS 控制晶闸管D. 功率场效应管13. 单相桥式全控整流电路带电阻性负载，触发脉冲的移相范围是【 】A. 0°≤α≤90°B. 0°≤α≤120°C. 0°≤α≤150°D.0°≤α≤180°14. 三相半波可控整流电路带电阻性负载，相电压有效值为U 2，晶闸管承受的最大反向电压为 【 】A. 2UB. 2C. 2D. 2 15. 将交流电能变换成可调的直流电能称为【 】 A. 逆变B. 整流C. 斩波D. 调压 16. 晶闸管的导通条件是【 】 A. U ak <0 U gk <0B. U ak <0 U gk >0C. U ak >0 U gk <0D.U ak >0U gk >0二、填空题（本大题共14小题，每小题1分，共14分）请在每小题的空格中填上正确答案。

1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

2015年全国自考模拟、数字及电力电子技术模拟试卷(一)一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

第1题串联型稳压电源中，产生基准电压的部分是()A. 比较放大器B. 稳压管电路C. 调整管D. 采样电路【正确答案】 B【你的答案】本题分数2分第2题以下各项中不属于电压型逆变器特点的是()A. 若是电机负载为实现再生制动需增加一套反并联的变流器B. 输出交流电流波形为矩形波C. 直流侧为一电压源D. 应设有反馈二极管【正确答案】 B【你的答案】本题分数2分第3题设图中A为理想运放，请求出电路的输出电压值()A. 3VB. 6VC. 9VD. 12V【正确答案】 B【你的答案】本题分数2分第4题在单相半波可控整流电路中，当负载为感性负载(设电感很大)时，若在负载端并联续流二极管后，则()A. 续流二极管中的电流平均值与晶闸管中电流的平均值相等B. 续流二极管中的电流平均值将大于晶闸管中电流的平均值C. 续流二极管中的电流平均值将小于晶闸管中电流的平均值D. 根据控制角α的不同，续流二极管中的电流平均值可能大于也可能小于晶闸管中电流的平均值【正确答案】 D【你的答案】本题分数2分第5题逻辑函数F(A,B,C,D)=Σ(0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14)的最简式为（）【正确答案】 B【你的答案】本题分数2分第6题【正确答案】 B【你的答案】本题分数2分第7题对于CMOS门电路，多余端不允许()A. 与有用端并联B. 悬空C. 接电源D. 接低电平【正确答案】 B【你的答案】本题分数2分第8题使晶闸管关断的方法不包括()A. 给门极施加反向电压B. 去掉阳极的正向电压C. 增大回路阻抗D. 给阳极施加反向电压【正确答案】 A【你的答案】本题分数2分第9题【正确答案】 C【你的答案】本题分数2分第10题【正确答案】 B【你的答案】本题分数2分第11题逻辑函数F(A,B,C,D)=Σ(0,1,2,3,4,7,8,9)，其约束条件为AB+AC=0,则最简与或式为（）【正确答案】 C【你的答案】本题分数2分第12题【正确答案】 C【你的答案】本题分数2分第13题某TTL与非门的三个输入分别为A、B、C，现只需用A、B两个，C不用，则对C的处理方法是 ()A. 与输入A并用B. 与输入B并用C. 接逻辑“0”D. 接逻辑“1”【正确答案】 D【你的答案】本题分数2分第14题题图是由D触发器加上门电路组成的一个电路，若将X端作为输入端，则该电路是()A. D触发器B. T触发器C. T′触发器D. JK触发器【正确答案】 B【你的答案】本题分数2分第15题在大电感负载的三相半波整流电路中，当α=90°时，晶闸管承受的最大正向电压为()【正确答案】 D二、填空题（本大题共10小题，每小题1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。

2007年4月自考全国模拟数字及电力电子技术试卷（课程代码 2238）一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1. 测得NPN 型三极管三个电极的电位分别为U C =3.3V ，U B =3.7V ，U E =3V ，则该管工作在【 】A. 放大区B. 截止区C. 饱和区D. 击穿区2. 理想运放组成的电路如题2图所示，其电压放大倍数为【 】3. 要提高放大电路的负载能力，可采用【 】 A. 串联负反馈 B. 并联负反馈C. 电流负反馈D. 电压负反馈4. 桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为20V ，则输出直流电压为【 】 A. 9VB. 18VC. 24VD. 28V5. 逻辑函数()F ABC BD ACD AC E F =++++的最简与或式为【 】 A. ABC BD +B. AB AC +C. ABC AD +D. AC BD + 6. 逻辑函数F A C B =⋅+的标准与或式为【 】 A. Σ(0,1,3,5,7)B. Σ(1,2,4,5,6)C. Σ(0,2,3,6,7)D. Σ(1,3,4,6,7)7. 逻辑函数F(A,B,C,D)= Σ(0,2,5,7,8,10,13,15)的最简与或非式为【 】 A. BD BD +B. BD BD +C. BC BC +D. BC BC +8.逻辑函数F(A,B,C,D)=Σ(4,5,6,12,13,14),其约束条件为BC =0,则最简与或式为【 】 A. BC CD +B. BC CD +C. AC CD +D. A C CD + 9. 题9图为TTL 逻辑门，其输出F 为【 】A.题9图AAB B.C.D.AB AB AB+AB AB+10. 题10图为触发器的状态图，该触发器为【 】题10图X00XA. JK 触发器B. RS 触发器C. D 触发器D. T 触发器11. 题11图中触发器的次态Q n+1为【 】A.题11图AQB.C.D.n A Q +nA Q+nA Q +nA Q +12. 为了将三角波变换为同频率矩形波，应选用【 】 A. 计数器B. 单稳态触发器C. 施密特触发器D. 多谐振荡器13. 晶闸管SCR 的导通条件是【 】 A. u ak >0 u gk <0B. u ak <0 u gk <0C. u ak >0 u gk >0D.u ak <0u gk >014. 三相半波相控整流电路带电阻性负载，电源电压有效值为U 2，则晶闸管SCR 在电路中承受的最大反向电压为【】 A. 2UB. 2C. 2D. 2 15. 将固定的直流电压变成可调的直流电压为【 】 A. 整流B. 斩波C. 变频D. 逆变二、填空题（本大题共10小题，每小题1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。

全国自考（模拟、数字及电力电子技术）模拟试卷5(题后含答案及解析)题型有：1. 单项选择题 2. 填空题 3. 分析计算题 4. 设计题单项选择题1．下列选项中晶闸管所不具有的特点是【】A．放大能力B．单向导电性C．一旦导通，门极失去控制作用D．实现大功率变换正确答案：A解析：晶闸管不是放大元件，不具有放大能力，晶体管是放大元件。

2．在晶闸管的主要参数中，维持电流IH和擎住电流IL的关系是【】A．IH＞ILB．IH＜ILC．IH＝ILD．不确定正确答案：B3．题3图所示四种电力半导体器件的电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是【】A．B．C．D．正确答案：D4．下列器件中属于全控型的是【】A．整流二极管B．普通晶闸管C．逆导晶闸管D．IGBT正确答案：D解析：绝缘栅双极晶体管简称IGBT，是由MOSFFT和晶体管技术结合而成的复合型器件，属于全控型。

整流二极管属于不可控器件；普通晶闸管、逆导晶闸管属于半控型器件。

5．单相半波相控整流电路中，设变压器副边电压有效值为U2，当负载是电阻性负载或者电感性负载(设电感很小)时，晶闸管承受的最大反向电压是【】A．电阻性负载时，晶闸管承受的最大反向电压为U2，电感性负载则不是B．电感性负载时，晶闸管承受的最大反向电压为U2，电阻性负载则不是C．两种情况下，晶闸管承受的最大反向电压均为U2D．两种情况下，晶闸管承受的最大反向电压均不是U2正确答案：C解析：由于电感很小，电感的电流不能持续到从输入电压过零到下半周期晶闸管导通，电路中出现断流情况。

所以，无论是电阻性负载，还是电感较小的电感性负载，晶闸管都有关断的时候。

晶闸管关断后，承受的最高反向电压为。

6．在三相零式共阴极组整流电路电感性负载电路中，当电感L足够大时，下列关于该电路的特点不正确的是【】A．每只晶闸管导通120°B．负载电流是不连续的C．流过晶闸管的电流为矩形波D．变压器中性线中有电流正确答案：B7．三相全控桥式整流电路在晶闸管导通时，晶闸管承受的最大反向电压为【】A．B．C．D．正确答案：C8．相控整流电路输出直流电压可调，主要取决于晶闸管触发脉冲的【】A．幅值B．相位C．形状D．脉宽正确答案：B9．单相桥式全控整流电路带电阻性负载，变压器副边电压有效值为U2，晶闸管承受最大反向电压是【】A．U2／2B．U2C．U2D．U2正确答案：C解析：单相桥式全控整流电路带电阻性负载时，晶闸管承受的最大反向电压为，其中U2为变压器副边有效值。

全国自考（模拟、数字及电力电子技术）模拟试卷2(题后含答案及解析)题型有：1. 单项选择题 2. 填空题 3. 分析计算题 4. 设计题单项选择题1．在某种纯净的半导体中掺入【】物质，可以形成N型半导体。

A．含四价元素的杂质B．含空穴的杂质C．三价元素镓D．五价元素磷正确答案：D解析：掺入正三价硼可以构成P型半导体；掺入正五价磷可以构成N型半导体。

2．场效应晶体管是一种【】元件。

A．电压控制电压B．电压控制电流C．电流控制电压D．电流控制电流正确答案：B解析：场效应管工作在恒流区时，漏极电流iD的大小基本上由栅源电压uGS 控制，uGS越大，iD越大，所以称场效应管为电压控制电流型器件。

3．在基本共射放大电路中，负载电阻RL增大时，输出电阻Ro将【】A．增大B．减少C．不变D．不能确定正确答案：C解析：共射极放大电路的输出电阻与负载电阻RL无关。

4．某两级放大电路中，第一级电压放大倍数为30倍，第二级电压放大倍数为40倍，则放大电路总的电压当大倍数为【】A．70B．1 200C．40D．80正确答案：B解析：多级放大电路的总的放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积。

5．已知某逻辑电路的输入、输出波形如题5图所示，该电路完成【】A．与非逻辑B．或逻辑C．异或逻辑D．或非逻辑正确答案：C解析：从图中可以看出，当输入信号A、B相同时，输出Y为0；当输入信号A、B相反时，输出Y为1，所以该电路完成的是异或关系。

6．L＝AB＋C的对偶式为【】A．L’＝A＋BCB．L’＝(A＋B)CC．L’＝A+B+CD．L’＝ABC正确答案：A解析：逻辑函数的对偶定理是求对偶式的依据。

对于函数Y，如果将表达式中所有的“与”换成“或”，“或”换成“与”，即得到原函数的对偶式。

7．只有译码器74LS138的使能端取值为【】时，才处于正常译码状态。

A．01 1B．100C．101D．010正确答案：B解析：71LS138有三个使能端，只有当着三个使能端同时有效时，芯片才能正常工作，故这三个使能端应取100时，芯片开始译码。

考试试卷( 1 )卷一、填空题〔此题共8小题，每空1分，共20分〕1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成假设干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果根本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，那么称为逆变，如果接到负载，那么称为逆变。

8、如以下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；.二、选择题〔此题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分〕1、单相桥式PWM逆变电路如以下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是〔B 〕A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的选项是〔 C 〕A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并到达稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如以下图所示，在t1~t2时间段内，有〔〕晶闸管导通。

电⼒电⼦技术试题20套及答案考试试卷( 1 )卷⼀、填空题（本题共8⼩题，每空1分，共20分）1、电⼦技术包括______________和电⼒电⼦技术两⼤分⽀，通常所说的模拟电⼦技术和数字电⼦技术就属于前者。

2、为减少⾃⾝损耗，提⾼效率，电⼒电⼦器件⼀般都⼯作在_________状态。

当器件的⼯作频率较⾼时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之⽐称为_____________，当它为常数时的调制⽅式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若⼲频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之⽐为桓定的调制⽅式称为___分段同步_________调制。

4、⾯积等效原理指的是，___冲量______相等⽽__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最⼤的是__GTO_，应⽤最为⼴泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最⼤反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最⼤正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路⼯作过程中各时间段电流流经的通路(⽤V1,VD1,V2,VD2表⽰)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；⼆、选择题（本题共10⼩题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制⼯作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下⾯说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发⾓⼤于电路的功率因素⾓时，晶闸管的导通⾓⼩于180度B、晶闸管的触发⾓⼩于电路的功率因素⾓时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常⼯作C、晶闸管的触发⾓⼩于电路的功率因素⾓正常⼯作并达到稳态时，晶闸管的导通⾓为180度D、晶闸管的触发⾓等于电路的功率因素⾓时，晶闸管的导通⾓不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所⽰，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。