2002年4月自考模拟数字及电力电子技术试题[1]

1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

模拟、数字及电力电子技术自考题模拟1(总分100,考试时间90分钟)第Ⅰ部分选择题一、单项选择题(每小题2分，共30分。

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求。

)1. 二极管的主要特性是______A. 放大特性B. 恒温特性C. 单向导电特性D. 恒流特性2. 在下图中，输出电压U的大小为(设二极管VD为理想二极管)______A. 4VB. 6VC. 8VD. 03. 某晶体管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是______A. 饱和B. 放大C. 截止D. 已损坏4. 温度升高时，晶体管的极间反向电流ICBO将______A. 增大B. 减少C. 不变D. 不能确定5. 下列对场效应管的描述中不正确的是______A. 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点B. 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFETC. 场效应管工作时多子、少子均参与导电D. 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器6. 在基本放大电路中，输入电阻最大的放大电路是______A. 共射放大电路B. 共基放大电路C. 共集放大电路D. 不能确定7. 在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻Ro将______A. 增大B. 不变C. 减少D. 不能确定8. 下图所示的电路反馈类型属于______A. 电压串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流串联负反馈D. 电流并联负反馈9. 下列电路中，可用作电压跟随器的是______A. 差分放大电路B. 共基极电路C. 共射极电路D. 共集电极电路10. 引入差分放大电路的目的是______A. 稳定放大倍数B. 提高输入电阻C. 抑制零点漂移D. 扩展频带11. 某一差分放大电路的输入信号uI1=5mV，uI2=-7mV，则该差分放大电路的差模输入信号uId和共模信号uIc分别为______A. 12mV，1mVB. -12mV，1mVC. -12mV，-1mVD. 12mV，-1mV12. 集成运算放大器在电路结构上放大级之间通常采用______A. 阻容耦合B. 直接耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合13. 当输入信号频率为fL或fH时，放大倍数的幅值约为中频时的______A. 0.707倍B. 0.505倍C. 0.9倍D. 0.1倍14. 与乙类互补功率放大电路比较，甲乙类互补功率放大电路的主要优点是______A. 不用输出变压器B. 不用输出端大电容C. 无交越失真D. 效率高15. 下图中的运算电路能够实现的运算是______A. 微分运算B. 积分运算C. 反向比例运算D. 同向比例运算第Ⅱ部分非选择题二、填空题1. P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素构成的，其多数载流子是______。

浙江省2002年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每空1分，共20分)1.温度升高时，晶体二极管的I s将______，V D(on)将______。

2.NPN型晶体三极管处于放大状态时，三个电极中______极电位最高，______极电位最低。

3.晶体三极管工作在饱和区的条件是发射结______，集电结______。

4.MOS场效应管分为______种类型，结型场效应管分为______种类型。

5.P沟道EMOS管工作在饱和区的条件是______和______。

6.三种晶体管基本组态放大电路中，______组态输入电阻最高，______组态输入电阻最低。

7.电流源电路的主要参数是______和______。

8.在输入端，将输入端短接后，如果反馈信号加不到放大器输入端，则为______反馈，否则为______反馈。

9.负反馈放大电路自激的幅度条件是______，相位条件是______。

10.集成运算放大器用于______时，要求运放必须工作在线性区，而用作______时，运放实际上已工作在非线性区。

二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。

每小题2分，共20分)1.杂质半导体中多数载流子浓度( )A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关2.工作在放大状态的某PNP晶体三极管，各电极电位关系为( )A.V C<V B<V EB.V C>V B>V EC.V C<V E<V BD.V C>V E>V B3.三极管工作在截止模式时要求( )A.发射结正偏、集电结正偏B.发射结正偏、集电结反偏C.发射结反偏、集电结正偏D.发射结反偏、集电结反偏4.P沟道JFET管的电路符号为( )5.场效应管饱和区和非饱和区的分界点称为( )A.夹断点B.预夹断点C.饱和点D.截止点6.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输入端信号的( )A.和值B.差值C.平均值D.乘积值7.负反馈放大电路中，为保证电路不产生自激，需引入补偿技术，为保证经补偿后放大电路的带宽不降低，需引入( )A.简单电容补偿B.密勒电容补偿C.超前相位补偿D.滞后相位补偿8.希望放大器具有低的输入电阻和稳定的输出电流，应引入( )负反馈。

全国2002年4月高等教育自学考试电力系统自动装置试题课程代码02304全国2002年4月高等教育自学考试电力系统自动装置试题课程代码：02304第一部分选择题一、单项选择题(本大题共10小题，每小题1.5分，共15分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。

1.衡量电能质量的重要指标是( )A.有功功率、无功功率B.功率因数C.电压、频率和波形D.有功电度和无功电度2.为防止断路器多次重合于永久性故障，重合闸装置接线中设置了( )A.方向继电器B.差动继电器C.防跳继电器D.阻抗继电器3.我国电力系统220KV线路的故障类型中，有接近90%的故障是( )A.三相短路B.两相短路C.单相接地短路D.两相接地短路4.准同步并列条件规定的允许电压差为不超过额定电压的( )A. 3%～5%B. 5%～10%C. 10%～15%D. 15%～20%5.与正弦整步电压最小值所对应的相角差一定等于( )A. 0度B. 90度C. 180度D. 270度6.具有正调差特性的同步发电机，当输出的无功电流增大时，机端电压( )A.不变B.增大C.以上两条都有可能D.减小7.励磁绕组上的瞬时过电压，会( )A.烧坏转子铁芯B.危害系统运行的稳定性C.危害励磁绕组绝缘D.以上三项都有8.自动励磁调节器的强励倍数一般取( )A. 2—2.5B. 2.5—3C. 1.2—1.6D. 1.6—2.09.在励磁调节器中，若电压测量采用12相桥式整流电路，则选频滤波电路的滤波频率应选为( )HzA. 50B. 300C. 600D. 120010.机端并联运行的各发电机组的调差特性( )A.可以为负B.可以为零C.必须为零D.必须为正第二部分非选择题二、名词解释(本大题共7小题，每小题2分，共14分)11.瞬时性故障12.准同步并列13.正弦整步电压14.自并励15.强励倍数16.自动低频减负载装置17.电力系统经济运行三、填空题(本大题共11小题，每小题1分，共11分)18.备用电源和备用设备自动投入装置的动作时间的确定，是以使负荷的停电时间尽可能短为原则，以减少电动机的_______时间。

模拟、数字及电力电子技术自考题模拟1(总分：100.00，做题时间：90分钟)一、第Ⅰ部分选择题单项选择题(总题数：15，分数：30.00)1.二极管的主要特性是______（分数：2.00）A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性√D.恒流特性解析：[考点] 本题主要考查的知识点为二极管的单向导电性。

二极管内部包含一个PN结，因此二极管的特性和PN结的特性相同，即具有单向导电性。

2.在下图中，输出电压U的大小为(设二极管VD为理想二极管)______（分数：2.00）A.4V √B.6VC.8VD.0解析：[考点] 本题主要考查的知识点为二极管电路的分析方法。

电路中二极管正向导通，且为理想模型，故正向导通电压为0V，则输出端电压3.某晶体管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是______（分数：2.00）A.饱和B.放大√C.截止D.已损坏解析：[考点] 本题主要考查的知识点为晶体管的工作状态的判别。

图中可看出V C＞V B＞V E，且晶体管为NPN型管，发射结正偏，集电结反偏，故晶体管工作在放大状态。

4.温度升高时，晶体管的极间反向电流I CBO将______（分数：2.00）A.增大√B.减少C.不变D.不能确定解析：5.下列对场效应管的描述中不正确的是______（分数：2.00）A.场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点B.场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFETC.场效应管工作时多子、少子均参与导电√D.场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器解析：[考点] 本题主要考查的知识点为场效应管的结构及特点。

晶体管有两种载流子(多数栽流子和少数载流子)参与导电，称为双极型器件；场效应管只有一种载流子参与导电，称为单级型器件。

6.在基本放大电路中，输入电阻最大的放大电路是______（分数：2.00）A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路√D.不能确定解析：[考点] 本题主要考查的知识点为品体管基本放大电路的特点。

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

全国2002年4月自学考试电力系统微型计算机继电保护答案课程代码：02313一、填空题(每小题1分，共20分)1.微型机继电保护装置，2.正比，3.比值，4.不稳定，5.离散，6.电流，7.顺序，8.零点，9.滤波，10.滤除，11.频率，12.1-Z i Z -1 13.2f max 14.光电隔离，15.三个，16.自检循环，17.采样中断程序，18.零，19.起动，20.(u 1u 2-u 2i 1)/(i 2D 1-i 1D 2)。

二、单项选择题(每小题1分，共10分)21.② 22.④ 23.④ 24.④ 25.①26.③ 27.③ 28.① 29.① 30.①三、简答题(每小题5分，共25分)31.利用正弦量在连续三个采样时刻采样值之间的乘积运算，计算正弦量的幅值(或有效值)和相角的算法，称为三点乘积算法。

从其有效值的计算公式：2I 2=])i i (i 4/[)]i i i (i 4[23122312222+--可以看出，I 的计算结果与电力系统的运行频率无关。

32.只有脉冲传递函数零点，没有脉冲传递函数数点的数字滤波器，称为全零点数字滤波器它能够滤除输入信号中，有限个频率的输入信号33.在一定采样频率下，为了防止无用的高频信号，进入采样过程造成采样信号的失真，为此，在采样前应对模拟输入量进行数字滤波34.采用故障分量实现纵差保护原理在灵敏度方面优于基波相量纵差保护原理。

在选择性方面，不会降低保护的选择性35.当离散控制系统脉冲传递函数极点的幅值都小于1时，离散控制系统稳定四、计算题(每小题7分，共14分)36.y(k+2)=-0.4y(k+1)-0.4y(k)， y(2)=-0.4y(1)-0.4y(0)=-0.4， y(3)=-0.4y(2)-0.4y(1)=-0.24， y(4)=-0.4y(3)-0.4y(2)=0.256。

37.P=r 3j e π(0<r<1) H(z)=221z r rz 11--+-五、分析题(共15分)38.由于导数量的采样值不能直接得到只能用两个采样时刻的采样值之间的差分来代替两个采样时刻中点的导数量采样值；用两个采样时刻采样值的平均值代替计算时刻的采样值，所以在原理上，该算法存在计算误差39.引起回路对地电位发生变化的干扰称为共模干扰干扰对微机保护影响 ①运算或逻辑出现错误 ②程序出轨 ③损坏硬件六、应用题(每小题8分，共16分)40.因为：Y(Z)=H(Z)、X(Z)， Y(Z)=X(Z)+Z -2X(Z) ， 所以y(n)=x(n)+x(n -2)41.滤除输入信号x(t)中直流分量的脉冲传递函数因子为：H 0(z)=1-z -1 滤除输入信号x(t)中频率为100Hz 信号分量的脉冲传递函数因子为： H 2(z)=1-z -1+z -2滤除输入信号x(t)中频率为150Hz 信号分量的脉冲传递函数因子为：H 3(z)=1+z -2滤除输入信号x(t)中频率为200Hz 信号分量的脉冲传递函数因子为：H 4(z)=1+z -1+z -2所以，满足上述滤波要求的数字滤波器的脉冲传递函数H(z)为： H(z)=H 0(z) H 2(z) H 3(z) H 4(z)全国自考微机继电保护试题参考分析2008年4月一、BDCAA DCCCB二、11、更优良，12、混叠；13、和；14、P18页式（2-36）；15、H （e jwT ）= H （z ）I z= e jwT16、G(S)=（1-e -TS）/S ，17、人机对话微型机系统，18、转换时间，19、顺序采样，20、越小，21、抗干扰能力；22、电压信号积分值；23、匹配问题；24、有限的时间长度；25、滤除；26、正弦函数；27、不动作；28、三个；29、故障分量发电机纵差保护算法；30、i a (k)+i b (k)+i c (k)=i 0(k)；三、31、答：电力系统发生故障时，故障电流、电压中含有一定的高高次谐波分量，这些较高频率的高次谐波分量并不都是继电保护原理所要获取的反映系统故障的主要特征量，如不加以滤除，将要求采样频率过高。

1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

全国2002年4月高等教育自学考试模拟、数字及电力电子技术试题课程代码：02238一、单项选择题(每题2分，共24分)在每题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。

1.对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，现在该三极管处于( B )A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.无法确信2.以下功率放大电路中，效率最高的是( B )A.甲类功放B.乙类互补功放C.甲乙类互补功放D.准互补功放3.串联型稳压电源中，产生基准电压的部份是( B )A.比较放大器B.稳压管电路C.调整管D.采样电路4.电路如下图，那么输出函数F为( A )A．F=0B．F=1C．F=AB C+D．F=ABC5.逻辑函数F(A，B，C，D)=Σ(0，1，4，5，7，13，15)的最简式与非式为( A ) A．AB BD• B.AB BD•C.AB CD•• D.AB AB6.依照真值表中的对应关系，Y与A、B之间的逻辑关系为( D )=AB=AB=A+B=A B+A B Y0 0 1 10 1 0 11 0 0 0集成大体RS 触发器的特性方程Q S RQ SR n n+=+=⎧⎨⎪⎩⎪10错误的说明是（ B ）A.不许诺S 、R 信号同时为1 ，R 信号不能同时为0 =10时，触发器置1 =01时，触发器置08．图示电路，输出Y 为（ A ）A.A B +B.AB +B9.电路如下图，其功能是( A ) A.输出为按时矩形波 B.产生矩形波C.将矩形波变成同频率三角波D.将缓变波形变成同频率矩形波10.以下各项功能或特点，晶闸管所不具有的为( A ) A.放大功能 B.单向导电 C.门极所控 D.大功率11.变更斩波器工作率α的最经常使用一种方式是( B ) A.既改变斩波周期，又改变开关关断时刻 B.维持斩波周期不变，改变开关导通时刻 C.维持开关导通时刻不变，改变斩波周期 D.维持开关断开时刻不变，改变斩波周期12.以下各项中不属于电压型逆变器特点的是( B )A.假设是电机负载为实现再生制动需增加一套反并联的变流器B.输出交流电流波形为矩形波C.直流侧为一电压源D.应设有反馈二极管二、填空题(每题2分，共16分)13.带电容滤波的整流电路适用于负载电流______的场合；带电感滤波的整流电路适用于负载电流______的场合。

电力电子技术模拟试题+参考答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器正确答案：D2.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案：A3.电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂()A、各一只A、各二只B、共三只C、共四只正确答案：A4.若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（）A、增大正弦调制波幅度B、增大三角波幅度C、增大正弦调制波频率D、增大三角波频率5.逆变电路是一种（）变换电路。

A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC正确答案：B6.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）A、0度-90度B、90度-180度C、180度-360度D、0度正确答案：A7.单相全控桥式整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、90°B、150°C、180°D、120°正确答案：C8.α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。

A、60度B、30度C、0度D、120度，9.三相半波可控整流电路的自然换相点是()。

A、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处B、交流相电压的过零点C、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°D、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°正确答案：A10.在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（）。

A、0°～90°B、0°～180°C、90°～180°正确答案：A11.有源逆变发生的条件为（）A、要有直流电动势B、要求晶闸管的控制角大于90°C、直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致D、以上说法都是对的正确答案：D12.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。

电力电子技术(模拟试题及答案) 电力电子技术模拟试题答案在后面显示模拟试题注意事项：1. 本试卷共四大题，满分100分，考试时刻90分钟，闭卷；2. 考前请将密封线内各项信息填写清晰；3. 所有答案直截了当做在试卷上,做在草稿纸上无效；4．考试结束，试卷、草稿纸一并交回。

题号一二三四总分评分人得分一、单项挑选题(每题2分, 共30分)1、一般晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。

A．有效值B．最大值C．平均值D．瞬时值2、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度。

A．180°B．60°C．360°D．120°3、单相半波可控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的（）倍。

A．1B．0.5C．0.45D．0.94、三相半波可控整流电路的自然换相点是()。

A.交流相电压的过零点；B.本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；C.比三相别控整流电路的自然换相点超前30°；D.比三相别控整流电路的自然换相点滞后60°。

5、电容滤波的三相别可控整流电路中，空载时，输出电压平均值等于 () ，为输入电压有效值。

A、2.45B、C、0.9D、6、电容滤波的三相别可控整流电路中，随着负载加重，输出电压平均值越接近 () ，为输入电压有效值。

A、2.45B、C、2.34D、7、可实现有源逆变的电路为() 。

A、三相半波可控整流电路B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路。

8、在有源逆变电路中，逆变角β的移相范围应选() 为最好。

A、β=90o∽180oB、β=35o∽90oC、β=0o∽90oD、β=0o∽180o9、以下哪种换流方式适用于全控型器件（）。

A、器件换流B、电网换流C、负载换流D、强迫换流10、以下哪一点别属于电流型逆变电路的特点（）。

A、输出电压为矩形方波B、输出电流为矩形方波C、直流侧电流基本无脉动D、直流回路呈现高阻抗11、别属于电压型半桥逆变电路特点的是（）。

做试题,没答案?上自考365,网校名师为你详细解答!全国2003年4月高等教育自学考试模拟、数字及电力电子技术试题课程代码：02238第一部分 选择题 (共32分)一、单项选择题(本大题共16小题，每小题2分，共32分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1.在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V 、3.5V 、6V ，则这只三极管属于（ ） A.硅PNP 型 B.硅NPN 型 C.锗PNP 型 D.锗NPN 型2．题2图所示理想运放组成的运算电路的电压放大倍数为（ ）A.-11B.-10C.10D.113．题3图所示反馈放大电路的级间反馈属于（ ）A.电流串联负反馈B.电流并联负反馈C.电压串联负反馈D.电压并联负反馈4．逻辑函数F=BDE AC C B B A ++的最简与或式为（ ） A.C B B A + B.C B A + C.+D.A+5．逻辑函数F=C A C B B A ⋅⋅的标准与或式为（ ） A.∑(0,1,3,5) B.∑(2,3,5,6) C.∑(1,3,4,5) D.∑(0,2,6,7) 6．逻辑函数F(A,B,C)=∑(2,4,5,6)的最简或与式为（ ） A.)C B )(B A (++B.)C B )(C A (++C.)C B )(B A (++D.)C B )(C A (++7．逻辑函数F(A,B,C,D)=∑(0,3,7,8,10)，其约束条件为AB+D C =0，则最简与或式为（ ） A.D C D A D A ++ B.C B D A D A ++ C.AB ++D.BD AB ++8．题8图中为TTL 逻辑门，其输出F 为（ ）A.C AB +B.BC A +C.C B A ++D.B A +9．JK 触发器要求状态由0→1，其输入信号应为（ ） A.JK=0X B.JK=1X C.JK=XO D.JK=X110．题10图中触发器的次态方程Q n+1为（ ）A.n Q AB.nC.n Q AD.AQ n11．不需外加输入信号而能产生周期矩形波的电路为（ ） A.多谐振荡器 B.单稳态触发器 C.施密特触发器 D.顺序脉冲发生器12．单相桥式全控整流电路带反电势负载，串L ，工作在有源逆变状态，β的工作范围是（ ）A.︒0≤β≤︒90B.︒0≤β≤︒120C.︒90≤β≤︒150D.︒90≤β≤︒18013．可控整流电路输出直流电压可调，主要取决于晶闸管触发脉冲的（ ）A.幅值B.移相C.形状D.脉宽14．单相桥式全控整流电路带电阻性负载，电源电压有效值为U 2，晶闸管承受最大反向电压是（ ） A.U 2/2 B.U 2 C.2U 2D.2U 315．直流脉宽调制变换器，变更工作率的方法是（ ） A.f 不变，t on 不变 B.f 不变，t on 变 C.f 变，t on 不变 D.f 变，t on 变 16．晶闸管导通条件是（ ） A.U ak <0,.U gk <0 B.U ak <0,.U gk >0 C.U ak >0,.U gk <0 D.U ak >0,.U gk >0第二部分 非选择题（共68分）二、填空题（本大题共14小题，每小题1分，共14分）请在每小题的空格中填上正确答案。

全国自考（模拟、数字及电力电子技术）模拟试卷2(题后含答案及解析)题型有：1. 单项选择题 2. 填空题 3. 分析计算题 4. 设计题单项选择题1．在某种纯净的半导体中掺入【】物质，可以形成N型半导体。

A．含四价元素的杂质B．含空穴的杂质C．三价元素镓D．五价元素磷正确答案：D解析：掺入正三价硼可以构成P型半导体；掺入正五价磷可以构成N型半导体。

2．场效应晶体管是一种【】元件。

A．电压控制电压B．电压控制电流C．电流控制电压D．电流控制电流正确答案：B解析：场效应管工作在恒流区时，漏极电流iD的大小基本上由栅源电压uGS 控制，uGS越大，iD越大，所以称场效应管为电压控制电流型器件。

3．在基本共射放大电路中，负载电阻RL增大时，输出电阻Ro将【】A．增大B．减少C．不变D．不能确定正确答案：C解析：共射极放大电路的输出电阻与负载电阻RL无关。

4．某两级放大电路中，第一级电压放大倍数为30倍，第二级电压放大倍数为40倍，则放大电路总的电压当大倍数为【】A．70B．1 200C．40D．80正确答案：B解析：多级放大电路的总的放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积。

5．已知某逻辑电路的输入、输出波形如题5图所示，该电路完成【】A．与非逻辑B．或逻辑C．异或逻辑D．或非逻辑正确答案：C解析：从图中可以看出，当输入信号A、B相同时，输出Y为0；当输入信号A、B相反时，输出Y为1，所以该电路完成的是异或关系。

6．L＝AB＋C的对偶式为【】A．L’＝A＋BCB．L’＝(A＋B)CC．L’＝A+B+CD．L’＝ABC正确答案：A解析：逻辑函数的对偶定理是求对偶式的依据。

对于函数Y，如果将表达式中所有的“与”换成“或”，“或”换成“与”，即得到原函数的对偶式。

7．只有译码器74LS138的使能端取值为【】时，才处于正常译码状态。

A．01 1B．100C．101D．010正确答案：B解析：71LS138有三个使能端，只有当着三个使能端同时有效时，芯片才能正常工作，故这三个使能端应取100时，芯片开始译码。

电力电子技术试题填空0000002、电子技术包括__信息电子技术__和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

0000001、电力变换通常可分为：交流变直流、直流变直流、直流变交流和交流变交流。

0000002、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在___开关__状态。

当器件的工作频率较高时，___开关__损耗会成为主要的损耗。

0000001、电力变换通常分为四大类，即交流变直流、直流变直流、直流变交流、交流变交流。

0100004、过电压产生的原因操作过电压、雷击过电压，可采取 RC过电压抑制电路、压敏电阻等措施进行保护。

复合管。

0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是挑选特性参数尽量一致的器件和采用均流电抗器。

0100004、抑制过电压的方法之一是用电容吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。

0100003、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有避雷器； RC过电压抑制电路/阻容吸收；硒堆；压敏电阻等几种。

（写出2种即可）0100001、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 GTR 、 GTO 、 MOSFET 、 IGBT 几0100003、常用的过电流保护措施有电子电路、快速熔断器、直流快速熔断器、过电流继电器。

（写出2种即可）0100003、给晶闸管阳极加上一定的正向电压；在门极加上正向门极电压，并形成足够的门极触发电流，晶闸管才能导通。

0100002、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于擎住电流之前，如去掉触发脉冲，晶闸管又会关断。

0100003、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流I T等于 1.57 倍I T（AV），如果I T（AV）=100安培，则它允许的有效电流为 157 安培。

通常在选择晶闸管时还要留出 1.5～2倍的裕量。

0100001、普通晶闸管内部有 PN结,，外部有三个电极，分别是极极和极。

考试试卷( 1 )卷一、填空题〔此题共8小题，每空1分，共20分〕1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成假设干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果根本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，那么称为逆变，如果接到负载，那么称为逆变。

8、如以下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；.二、选择题〔此题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分〕1、单相桥式PWM逆变电路如以下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是〔B 〕A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的选项是〔 C 〕A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并到达稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如以下图所示，在t1~t2时间段内，有〔〕晶闸管导通。