模拟电子技术复习题2

《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。

6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。

7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。

601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。

答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。

答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。

《电子技术基础2》复习题一、判断题（本大题共10个小题，每小题2分，共20分）1、N型半导体的多数载流子是空穴。

（）2、P型半导体的多数载流子是空穴。

（）3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。

（）4、运算电路中一般引入负反馈。

（）5、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。

（）6、在放大电路中引入正反馈，主要目的是改善放大电路的性能。

（）7、在放大电路中引入负反馈，主要目的是改善放大电路的性能。

（）8、若放大电路的放大倍数为零，则引入的反馈一定是负反馈。

（）9、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。

（）10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。

（）11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。

（）12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。

（）13、只有电路既放大电流又放大电压，才算其有放大作用。

（）14、共发射极放大电路输出与输入反相。

（）15、共基极放大电路输出与输入反相。

（）16、共集电极放大电路输出与输入反相。

（）17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。

（）18、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。

（）19、在运算电路中，集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。

（）20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。

（）21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。

（）22、运放的共模放大倍数越小越好。

（）23、运放的差模放大倍数越小越好。

（）24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。

（）25、当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。

（）26、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。

（）27、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。

（）28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。

（）29、用于滤波的电容通常串联连接。

模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。

2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。

3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。

4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。

5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。

6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。

7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。

8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。

9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。

10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。

11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。

（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。

12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。

13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。

14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。

15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。

16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。

17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

考试科目 《模拟电子技术》 专业 （A 类B 卷）学号 姓名 考试日期： 年 月 日一、选择题(8小题,每空2分，共20分)1．电路如图所示，()V sin 05.0i t u ω=，当直流电源电压V 增大时，二极管V D 的动态电阻将__ __。

A ．增大，B ．减小，C ．保持不变2．已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U ＝4V 。

GS u =3V ，DS u =10V ，判断管子工作在 。

A ．恒流区，B ．可变电阻区 ，C ．截止区3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 4V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 8V （均指直流电压）。

则该放大电路的电压放大倍数为________________。

A ．80 ，B ．40，C ．－40，D ．20 4. 在某双极型晶体管放大电路中，测得)m V 20sin (680BE t u ω+=，A μ)10sin (20B t i ω+=，则该放大电路中晶体管的_ ___。

A ．2，B ．34，C ．0.4，D ．15. 差分放大电路如图所示。

设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。

若R e 增加，差模电压放大倍数d u A 。

A ．增大，B ．减小，C ．基本不变6. 为使其构成OCL 电路，V 2CES ≈U ，正常工作时，三极管可能承受的最大管压降≈CEmax U 。

A ．36VB ．34VC ．32VD ．18V(-18V)7. 已知图示放大电路中晶体管的＝50，＝1k 。

该放大电路的中频电压放大倍数约为___ _ _（A ．50， B ．100， C ．200）；下限截止频率约为___ __Hz（A ．16， B ．160， C ．1.6k ）；当输入信号频率f ＝时，输出电压与输入电压相位差约为 _ _（A ．45°， B ．－45°， C ．－135°， D ．－225°）。

习题2 解答2.1 选择正确答案填入空内。

（1）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的情况下，测得电路A 的输出电压小。

这说明电路A 的 （ ）。

A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（2）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一理想电压源信号进行放大。

在连接相同负载的情况下，测得电路A 的输出电压小。

这说明电路A 的 （ ）。

A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（3）在电压放大电路的上限截止频率点或下限截止频率点，电压增益比中频区增益下降3dB ，这时在相同输入电压条件下，与中频区比较，输出电压下降为（ ）倍。

A ．1B ．10C ．1.414D ．0.707（4）当负载电阻R L = 1k Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%，该放大电路的输出电阻R o 为（ ）。

A ．0．25 k ΩB ．0．5 k ΩC ．1 k ΩD ．1．5k ΩΩ==-=-=----k R V V V V R V V R V V o oo oo OL oo LOLooo OL oo 25.045)2.01()1(负载电压开路电压设：（5）电路如题图2.1.5所示，放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻R o （ ）。

A ．R 1 B ．（1+β）R 1 C ．R 1/ 1+β D ．R 1/ β E ．0（6）差模输入信号是两个输入端信号的（ ），共模信号是两个输入端信号的（ ）。

A .差 B .和 C .平均值答案 （1）B （2）C （3）D （4）A （5）E （6）ACo s V2.2 将正确答案填入空内。

（1）在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰－峰值分别为5μA 和5 mV ，它们的相位相同；此时，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰－峰值为1V ，则该放大电路的电压增益A v 等于 ，电流增益A i 等于 ，功率增益A p 等于 。

模拟电子技术测验 试卷二一、 填空题：将正确的答案填入空格中。

（本大题分15小题，每小题2分，共30分）1． 在分析BJT 放大电路高频响应时，常应用BJT 的__________________________模型对放大电路进行分析。

2． 稳压管反向击穿区的特性曲线越陡，管子的动态电阻就越_____________，稳压性能就越_____________。

3． P N 结在外加正向电压作用下，扩散电流____________漂移电流。

PN 结在外加反向电压作用下，扩散电流_____________漂移电流。

4． 在图示电路中，D 1和D 2均为理想二极管，则当v i >12V 时，v o =_____________V 。

5． 电路如图所示，当v i ＝ 3V 时，v o ＝_____________V 。

vv i v o6． 功率放大电路是在大信号下工作。

研究的重点是如何在允许的失真情况下，尽可能提高__________________________和__________________________。

7． 乙类双电源互补对称功放电路如下图所示，v i 为正弦波。

在BJT 的饱和压降V CES 忽略不计的条件下，负载R L 上能得到的最大输出功率P om =_____________W 。

8． 理想运算放大器的共模抑制比等于_____________，输出电阻等于_____________。

9． 根据相位平衡条件，判断下图所示电路是否可能振荡。

答：_____________。

v o v i 12 VR B2R B110．电路如图所示，，已知R 1＝5k Ω，R 2＝15k Ω，R 3＝10k Ω，R C＝2k Ω，R E ＝，该电路中的晶体管状态。

11．一单级阻容耦合放大电路的通频带是50Hz ~50kHz ，中频电压增益dB 40=VMA ，最大不失真交流输出电压峰值范围是－3V ~＋3V 。

大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1、当PN结外加正向电压时，P区接电源极，N区接电源极，此时，扩散电流漂移电流。

2、二极管最主要的特性是。

3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。

由图1-3可知，中频放大倍数|A vm|=__ __。

图1-3 图1-74、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __，该放大器的理想效率为__ __，每个管子所承受的最大电压为__ _____。

5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。

6、小功率直流稳压电源由变压、、__ __、四部分组成。

7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型，用半导体材料___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和___________。

二、选择题图2-3 图2-8 图2-9 图2-101、图2-3所示复合管中，下列答案正确的是( )。

A NPN 型B PNP 型C 不正确 2、N 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。

A 空穴 B 三价元素 C 五价元素 3、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝2Ｖ，V 2＝2.7Ｖ， V 3＝6Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

A 1：e 、2：b 、3：cB 1：c 、2：e 、3：bC 1：c 、2：b 、3：eD 其它情况4、用万用表直流电压档测得电路中PNP 型晶体管各极的对地电位分别是：V b ＝－12.3Ｖ，V e ＝－12Ｖ，V c ＝－18Ｖ。

则三极管的工作状态为（ ）。

A 放大B 饱和C 截止5、判断图2-5电路中的反馈组态为（ ）。

A 电压并联负反馈B 电压串联负反馈C 电流串联负反馈D 电流并联负反馈6、已知降压变压器次级绕组电压为12V ，负载两端的输出电压为10.8V ，则这是一个单相( )电路．A 桥式整流B 半波整流C 桥式整流电容滤波D 半波整流电容滤波7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（ ）。

第二章模拟电子技术练习题2-1 电路如题2-1图所示，二极管为理想元件，t sin 3u i ω=V ，U=3V ，当ωt = 0 瞬间，输出电压 u O 等于何值？ A ． 0 V B ． 3 VC ． —3 VD ． 0.7Vu O题2-1图2-1正确答案是A ．提示：ωt = 0 瞬间u i = 0，二极管D 的阳极为电位最低点，因而此时二极管D 承受反向电压截止，0u u i 0==。

2-2 电路如题2-2图所示，二极管D 为理想元件，U S =5 V ，则电压u 0等于多少？ A ．U s B ．U S / 2 C ．0V D ．0.7Vu O题2-2图2-2正确答案是A ．提示：二极管承受正向电压而导通，二极管D 为理想元件，所以电阻两端电压应等于电压源电压，即u O = U s 。

2-3 电路如题2-3图所示，D 1，D 2 均为理想二极管，设V 6U 2=， U 1 的值小于 6V ， 则U 0 为多大？A ．+12VB ．+6VC ．U 1D ．U 1 － U 2O题2-3图2-3正确答案是C ．提示：D 1，D 2 均承受正向电压而导通，二极管为理想元件。

所以 u O = U 1 。

2-4 在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如下表所示，其中性能最好的一个二极管是哪一个？2-4提示：其他条件相同的情况下反向电流越小的二极管性能越好。

2-5 电路如题2-5图所示，A 点与 B 点的电位差U AB 约等于多少？A ．0.3VB ．－2.3VC ．1.0VD ．1.3VΩ100k Ω18k Ω6k ΩB题2-5图2-5正确答案是A ．提示：先将二极管摘开，求出A 点和B 点的电位：Vk k VV Vk k VV B A 36)618(126100)100100(12=Ω⨯Ω+==Ω⨯Ω+=再判断二极管承受电压情况：二极管承受正向电压而导通，2AP15是锗管，导通管压降为0.3V 。

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。

A.二 B.三 C.四 D 五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于 B.等于 C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。

A. 83 B. 91 C. 100 D. 1010、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

图1为 D ；图2为 A 。

[基极电位总是处于中间]硅管 硅管 锗管 锗管12、场效应管是 D 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。

A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。

第二章训练题一、判断题：1.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（×）2. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。

（×）3.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（× ）4.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

5. 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

（×）6. 当单级放大电路的静态工作点过高时，根据I b=I c/β，可选用β大的晶体三极管来减小I b 。

（×）7. 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

（×）8. 若单管共射放大电路中的三极管为NPN型，输出电压的底部失真时为饱和失真。

（√）9. 在共射放大电路中，若晶体管为NPN，输出电压u o出现底部失真，则该失真为截止失真。

（×）10. 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

（×）11.可以说任何放大电路都有功率放大作用；（√）12.若单管共射放大电路出现截止失真，可适当增大基极电阻R B消除失真。

（ × ）13.某二级电压放大电路中，已知A u1=－10、A u2=－50 ，则总的电压放大倍数为500。

（√）14. 某二级电压放大电路中，已知Au1=50、Au2=100 ，则总的电压放大倍数为150。

（√）15. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。

（×）16. 有人测得晶体管的U BE=0.7V, I B=20µA，因此推算出：be r=U BE/I B=0.7V/20µA=35KΩ。

（×）17.放大电路如图1所示，已知：U CC＝12V，R B＝240kΩ，R C＝3kΩ，晶体管β＝40，且忽略U BE。

模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。

(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。

(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。

(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。

(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。

(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。

(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。

(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。

（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。

(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。

习题2 解答选择正确答案填入空内。

（1）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的情况下，测得电路A 的输出电压小。

这说明电路A 的 （ ）。

A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（2）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一理想电压源信号进行放大。

在连接相同负载的情况下，测得电路A 的输出电压小。

这说明电路A 的 （ ）。

A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（3）在电压放大电路的上限截止频率点或下限截止频率点，电压增益比中频区增益下降3dB ，这时在相同输入电压条件下，与中频区比较，输出电压下降为（ ）倍。

A ．1B ．10C ．D ．（4）当负载电阻R L = 1k Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%，该放大电路的输出电阻R o 为（ ）。

A ．0．25 k ΩB ．0．5 k ΩC ．1 k ΩD ．1．5k ΩΩ==-=-=----k R V V V V R V V R V V o oo oo OL oo LOLooo OL oo 25.045)2.01()1(负载电压开路电压设：（5）电路如题图所示，放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻R o （ ）。

A ．R 1B ．（1+β）R 1C ．R 1/ 1+βD ．R 1/ βE ．0（6）差模输入信号是两个输入端信号的（ ），共模信号是两个输入端信号的（ ）。

A.差B.和C.平均值答案 （1）B （2）C （3）D （4）A （5）E （6）AC+_osV将正确答案填入空内。

（1）在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰－峰值分别为5μA 和5 mV ，它们的相位相同；此时，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰－峰值为1V ，则该放大电路的电压增益A v 等于 ，电流增益A i 等于 ，功率增益Ap 等于 。