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反应烧结SiC的制造和性能新型陶瓷材料由于具有各种特殊的性能被应用于许多工业领域，为解决材料使用问题发挥着越来越重要的作用。
新型陶瓷具有多种功能，按性能分为电学、电子功能、力学功能、光学功能、热学功能、生物功能等等。
近几年来，特别引起人们注意的是机械力学功能陶瓷。
我们根据省科委下达的科研项目，通过大量调研，开展了对反应烧结SiC材料制造与性能的研究。
利用传统的SiC粉料，采用压制成型工艺传统烧成法制造不出高密度SiC 材料，如采用热压烧结、无压烧结或反应烧结工艺可达到其目的。
反应烧结SiC 已是30多年来的商品化材料，首先是出现在美国的气相渗硅工艺，以后英国原子能协会的反应堆高性能材料元件通过液相渗硅工艺研制成功，后来各国对此材料采用挤出成型、等静压成型、压制成型、注浆成型、注射成型等不同工艺进行了详细的研究，分别制造出了机械密封件、轴承、火箭喷嘴、烧嘴、阀件、发动机转子等多种部件，其中部分已形成商品化应用到工业中取代硬质合金等昂贵的金属材料，取得了显著的经济效益。
工艺概述RB-SiC是由于碳化硅粉与石墨或炭黑混合，加入少量粘结剂，通过各种成型方法成型，去掉粘结剂后，将坯体放在特殊设计的真空炉中，使之与熔硅接触，坯体被融硅润湿、渗透，Si与坯体枝、中的石墨或C反应形成新SiC沉积到原来的SiC上，把原来的SiC结合在一起，剩余的气孔由Si填充。
最终的制品含有约8-10%的游离Si，该材料的特点是可通过调节坯体中C含量来调节制品的游离Si量，从而制造不同性能的制品。
SiC材料各相含量的控制原理反应烧结SiC的一个重要特点是在坯体渗Si后尺寸无变化或很少有变化，因此要形成理论密度的SiC，坯体中必须含有一定量气孔，以满足石墨或C转化成SiC时的体积增大的需要，假如坯体全由C组成，理论最大C密度应按如下计算：C + Si →SiC12 40SiC理论密度3.12g/cm³,40g SiC体积应为12.46 cm³，这时12g C分散到12.46 cm³中就可能全部生成SiC，故最大C密度为d th = 0.963g/cm³如果在C中加入部分α-SiC作为稀释剂，C在其中占得分数为x，则实现全部C转化所需的理论坯体密度为：d th1= 3.21 / (1+2.33x)由该式可看出x ↑d th1 ↓ ,但SiC周围的C密度仍保持为0.963g/cm³，虽然可假定坯体2石墨或C均匀分布，但由于在成型过程中的不均匀现象，可能会造成某区域出现C密度大于0.963g/cm³，从而未反应的C 会影响材料的性能。
高温烧结技术在陶瓷材料制备中的应用研究近年来，随着科学技术的不断发展，高温烧结技术在陶瓷材料制备中的应用研究日益受到关注。
高温烧结技术是一种将粉末材料通过高温加热使其熔结成块状或致密的工艺方法。
它在陶瓷材料制备中具有重要的意义，不仅可以提高材料的力学性能和化学稳定性，还可以改善材料的导电性和磁性等特性。
首先，高温烧结技术可以提高陶瓷材料的力学性能。
在烧结过程中，粉末材料在高温下发生熔融和再结晶，使材料颗粒之间形成致密的结合，从而增加了材料的强度和硬度。
同时，高温烧结还可以消除材料内部的缺陷和孔隙，提高材料的致密度和抗拉强度。
这对于一些需要承受较大力学载荷的陶瓷材料，如陶瓷刀具和陶瓷瓷砖等，具有重要的意义。
其次，高温烧结技术对陶瓷材料的化学稳定性也有显著影响。
在高温下，材料中的元素可以发生相互作用和反应，形成新的化合物或固溶体，从而改变材料的化学组成和结构。
这种化学变化可以提高材料的化学稳定性，使其在高温、酸碱等恶劣环境下不易发生腐蚀和氧化。
因此，高温烧结技术在制备陶瓷耐火材料和化学惰性陶瓷材料等方面具有广泛的应用前景。
此外，高温烧结技术还可以改善陶瓷材料的导电性和磁性等特性。
在烧结过程中，材料中的电子和离子可以在高温下发生迁移和扩散，形成导电通道，从而提高材料的导电性。
同时，高温烧结还可以改变材料中的晶体结构和磁性行为，使材料具有更好的磁性性能。
这对于一些需要具备导电或磁性特性的陶瓷材料，如陶瓷电子元器件和磁性陶瓷材料等，具有重要的意义。
然而，高温烧结技术在陶瓷材料制备中也存在一些挑战和难点。
首先，高温烧结过程中需要控制好烧结温度和时间，以及材料的成分和粒度分布等因素。
这对于不同类型的陶瓷材料来说是一个复杂而关键的问题。
其次，高温烧结会引起材料的尺寸收缩和变形，导致制备过程中的尺寸控制困难。
此外，高温烧结还可能引发材料的结构变化和晶界迁移，对材料的性能产生不利影响。
为了克服这些挑战，研究人员不断探索新的高温烧结工艺和技术。
毕业设计（论文）题目SPS烧结Ti(C,N)基金属陶瓷的工艺研究学生姓名学号专业材料成型及控制工程班级指导教师评阅教师完成日期2012 年5 月23 日学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。
除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。
本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。
作者签名：2012年5月17日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保障、使用学位论文的规定，同意学校保留并向有关学位论文管理部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。
本人授权省级优秀学士学位论文评选机构将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。
本学位论文属于1、保密□，在_________年解密后适用本授权书。
2、不保密□`。
（请在以上相应方框内打“√”）作者签名：年月日导师签名：年月日目录摘要 (4)1 绪论 (6)1.1 Ti(C,N)基金属陶瓷 (6)1.1.1 Ti(C,N)基金属陶瓷介绍 (6)1.1.2 Ti(C,N)基金属陶瓷的结构与性能 (6)1.1.3 Ti(C,N)基金属陶瓷的显微组织 (7)1.1.4 Ti(C,N)基金属陶瓷的发展趋势与运用 (7)1.2 放电等离子烧结（SPS烧结） (8)1.2.1 放电等离子烧结介绍 (8)1.2.2 SPS(放电等离子烧结)的技术装置、原理及特点 (8)1.2.3 SPS技术在材料制备中的发展和运用 (10)1.2 研究的内容 (11)1.3 研究的技术路线 (12)1.4 研究的目的和意义 (12)2 研究SPS烧结Ti(C,N)金属陶瓷的实验方法 (15)2.1 Ti(C,N)金属陶瓷基体成分设计 (15)2.2 金属陶瓷基体材料的制备工艺 (15)2.3 性能测试 (16)3 Ti(C,N)基金属陶瓷显微组织的形成及特点 (17)3.1 普通真空烧结Ti(C,N)金属陶瓷的组织结构特点 (17)3.2 SPS烧结Ti(C,N)基金属陶瓷显微组织的形成及特点 (18)4 SPS烧结Ti(C,N)基金属陶瓷工艺研究 (22)4.1 SPS烧结工艺 (22)4.2 烧结温度对金属陶瓷组织和性能的影响 (23)4.3 升温速率对金属陶瓷组织和性能的影响 (25)4.4 保温时间对金属陶瓷组织和性能的影响 (27)4.5 SPS烧结工艺的确定 (29)5 全文小结 (30)致谢 (31)参考文献 (32)SPS烧结Ti(C,N)基金属陶瓷的工艺研究学生：指导老师：摘要：采用SPS烧结工艺制备了Ti(C,N)基金属陶瓷，研究了烧结温度、升温速率和保温时间对Ti(C,N)基金属陶瓷显微组织和力学性能的影响，并用SEM观察其断口形貌。
新型功能材料专业化学类班级应化1101学生郭珊学号***********小组成员丁超凡付文静韩丹丹韩双任课教师李村成平时成绩论文成绩课程成绩课程论文要求结合自己学习兴趣，通过小组调研，查阅相关资料，撰写一篇与新型功能材料有关的课程论文。
论文要求：1.论文题目科学规范，调研方向具体明确、题目不能过大；2.字数要在5000字左右（不计参考文献）；3.论文撰写要使用自己的语言，要有自己见解及评论，不能拷贝、翻译；4.文字简练，层次分明，逻辑性强，条理清晰，引用数据准确、真实、可靠，结论明确；5.文中涉及的图表需自己画；6.引用的参考文献需在文中用数字标出并在文后列出; 7. 量和单位必须采用中华人民共和国的国家标准GB3100~GB3102-93；8. 字体及格式统一要求：论文标题用居中加粗宋体三号字；小标题用加粗宋体小四号字；图表说明用居中宋体五号字；正文及引用文献用宋体小四号字（英文和数字用Times New Roman）；1.25倍行距，A4纸，上、下、左、右页边距均为2.5 cm；9. 提交论文双面打印。
本课程成绩评定说明：该课程总成绩由平时成绩与课程论文成绩两部分组成，其中平时考勤、课堂表现、课堂报告等成绩占总成绩50%；课程论文成绩占总成绩的50 %。
平时成绩与课程论文成绩均按满分100分评定。
新型陶瓷-碳化硅陶瓷制备技术及应用摘要：阐述了碳化硅陶瓷的制备技术及应用，介绍了SiC粉末的合成方法（如Acheson法、化合法、热分解法、气相反相法）、SiC的烧结方法（如无压烧结、热压烧结、热等静压烧结、反应烧结）、反应烧结碳化硅的成型工艺（如模压成型、等静压成型、注浆成型）以及碳化硅陶瓷在各个方面的广泛应用，并展望了碳化硅陶瓷的发展应用前景。
关键词：新型陶瓷；碳化硅陶瓷；SiC粉末合成；SiC烧结；成型工艺一、引言传统陶瓷是用天然或人工合成的粉状化合物，经过成型和高温烧结制成的，由无机化合物构成的多相固体材料。
太原工业学院 2015/2016学年第一学期《特种陶瓷》课程论文题目：碳化硅陶瓷的工艺与发展方向班级： 122073219姓名：刘鑫泽学号： 191 前言随着科技的发展，人们迫切需要开发各种新型高性能结构材料。
碳化硅陶瓷由于具有多种良好的的性能，已经在许多领域大显身手，并且已经收到人们的高度重视。
2 晶体结构SiC是共价键很强的化合物，SiC中 Si-C键的离子性仅12%左右。
SiC具有α和β两种晶型。
β- SiC的晶体结构为闪锌矿晶体结构立方晶系，Si和 C 分别组成面心立方晶格；α-SiC纤锌矿型结构，六方晶系。
存在着4H、15R和6H等100余种多型体，其中， 6H多型体为工业应用上最为普遍的一种。
在温度低于1600℃时，SiC以β-SiC形式存在。
当高于1600℃时，β- SiC缓慢转変成α-SiC的各种多型体。
4H- SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型体均需在2100℃以上的高温才易生成；对于6H- SiC，即使温度.超过2200℃，也是非常稳定的。
SiC中各种多型体之间的自由能相差很小，因此，微量杂质的固溶也会引起多型体之间的热稳定关系变化。
[1]3 性能与应用3.1 性能(1)SiC陶瓷化学稳定性好、抗氧化性强。
(2)硬度高，耐磨性能好。
(3)SiC具有宽的能带间隙。
(4)优良的导电性。
(5)热稳定性好，高温强度大。
(6)热膨胀系数小、热导率大以及抗热振和耐化学腐蚀等。
[4]3.2 应用碳化硅的最大特点是高温强度高，有很好的耐磨损、耐腐蚀、抗蠕变性能，其热传导能力很强，仅次子氧化铍陶瓷。
碳化硅陶瓷用于制造火箭喷嘴、浇注金属的喉管、热电偶套管、炉管、燃气轮机叶片及轴承、泵的密封圈、拉丝成型模具等。
SiC陶瓷已成为1400℃以上最有价值的高温结构陶瓷，在各个工业领域中被广泛的应用。
[6]4 合成方法工业上应用的SiC粉末都是人工合成的，方法主要有：(1)Acheson法：这是工业上采用最多的合成方法，即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至2500℃左右高温反应制得。
sic陶瓷常压烧结以"SIC陶瓷常压烧结"为题，本文将介绍SIC陶瓷的常压烧结工艺和特点。
1. 引言SIC（碳化硅）陶瓷是一种具有优异性能的工程陶瓷材料，其主要特点包括高硬度、高强度、耐高温、耐腐蚀等。
而常压烧结是一种常用的SIC陶瓷制备工艺，本文将从工艺流程、工艺条件以及材料特性等方面介绍SIC陶瓷常压烧结的相关内容。
2. 工艺流程SIC陶瓷常压烧结的工艺流程主要包括原料制备、成型、烧结和表面处理等步骤。
首先，将SIC粉末与其他添加剂按一定比例混合，并经过球磨等工艺进行均匀混合，以提高材料的致密性。
然后，将混合料进行成型，常见的成型方法有压制、注塑和挤出等。
成型后的坯体需要经过干燥处理，以去除水分和有机物。
接下来，将干燥后的坯体进行烧结，烧结温度一般在1900~2200摄氏度之间，烧结时间根据陶瓷的要求而定。
最后，通过机械加工和表面处理，得到符合要求的SIC陶瓷制品。
3. 工艺条件SIC陶瓷常压烧结的工艺条件对于制备高质量的陶瓷制品非常重要。
其中，烧结温度是影响陶瓷致密性和晶粒尺寸的关键因素，过低或过高的温度都会影响烧结效果。
此外，烧结时间也会对陶瓷的性能产生影响，过短的时间可能导致烧结不完全，而过长的时间则会导致晶粒长大。
此外，压制力和添加剂的选择也会对烧结效果产生影响。
4. 材料特性SIC陶瓷常压烧结后，具有许多优异的特性。
首先，SIC陶瓷的硬度非常高，仅次于金刚石和立方氮化硼。
其次，SIC陶瓷具有优异的耐高温性能，可在高达1600摄氏度的温度下长时间稳定工作。
此外，SIC陶瓷还具有良好的耐腐蚀性能，可在酸、碱等恶劣环境下使用。
而且，SIC陶瓷的导热性能也非常好，可用于高温传热领域。
此外，SIC陶瓷还具有良好的机械性能和尺寸稳定性，可用于制备精密零部件。
5. 应用领域SIC陶瓷常压烧结后，可以应用于众多领域。
在机械工程领域，SIC 陶瓷常用于制造轴承、密封件、喷嘴等零部件。
sic烧结方法嘿，你知道 sic 烧结方法不？这可真是个超级有趣的玩意儿呢！Sic 烧结呀，就好像是一场材料界的奇妙聚会。
想象一下，各种小小的 sic 颗粒就像是一群小精灵，它们要通过特殊的方式聚集在一起，变得强大而坚韧。
Sic 烧结方法有好几种呢，比如常压烧结。
这就像是大家在平地上自由自在地玩耍，没什么特别的压力，但也能玩得很开心，最后就形成了结实的 sic 材料。
还有热压烧结，这就好像给小精灵们施加了一点压力，让它们紧紧地靠在一起，这样形成的材料就更加致密啦。
还有反应烧结呢，这就有点像一场奇妙的化学反应舞会。
小精灵们在特定的条件下，跳着独特的舞蹈，发生反应，然后就变成了我们想要的坚固的 sic 材料。
再说说放电等离子烧结，这可厉害啦！就像是给小精灵们通上了一股强大的电流，让它们迅速地聚集、融合，效率那叫一个高呀！那为什么我们要研究这些 sic 烧结方法呢？这还用问吗？就好像我们盖房子，得有好的建筑方法才能盖出牢固又漂亮的房子呀。
Sic 材料在很多领域都大有用处呢，比如在一些高科技设备里，它就像是坚强的卫士，守护着设备的正常运行。
而且呀，不同的烧结方法就像是不同的烹饪方式，能做出不同口味的美食一样。
我们可以根据具体的需求，选择最合适的烧结方法，来得到我们想要的 sic 材料性能。
你说这 sic 烧结方法是不是很神奇？它让那些小小的 sic 颗粒变得如此强大，为我们的生活和科技进步做出了巨大的贡献呢！我们真应该好好感谢这些烧结方法呀，让我们能享受到 sic 材料带来的种种好处。
总之呢，sic 烧结方法就像是一个神秘而又充满魅力的领域，等着我们去不断探索和发现。
你难道不想深入了解一下吗？。
复杂尺寸碳化硅陶瓷的烧结复杂尺寸碳化硅陶瓷的烧结导语：近年来，复杂尺寸碳化硅陶瓷的烧结技术在工业应用领域越来越受到关注。
本文将对这一主题展开探讨，并提供详尽的解释和评估，以便给读者提供深入了解和灵活运用的指导。
1. 什么是复杂尺寸碳化硅陶瓷？复杂尺寸碳化硅陶瓷是指在形状、尺寸或结构方面具有复杂特征的碳化硅制品。
这些特征不仅包括各种形状的孔洞、通道和凸凹加工，还可能涉及到复杂的内外层结构。
复杂尺寸碳化硅陶瓷的烧结难度相对较高，因为其中的孔洞或结构会对烧结过程中的致密度和均匀性造成挑战。
2. 碳化硅陶瓷的烧结方法传统的碳化硅陶瓷烧结方法包括压密烧结和反应烧结两种。
压密烧结是将粉末形成的绿坯置于高温炉中，通过增加压力和保持一定的温度来实现烧结。
反应烧结则是将碳化硅粉末与其他原料一同置于高温环境中发生化学反应并进行烧结。
然而，对于复杂尺寸碳化硅陶瓷，这些传统方法可能无法达到理想的烧结效果。
3. 复杂尺寸碳化硅陶瓷烧结的挑战复杂尺寸碳化硅陶瓷的烧结挑战主要体现在以下几个方面：(1) 尺寸和形状的控制：由于复杂尺寸陶瓷的形状复杂，对烧结过程中的温度、压力和时间的控制要求较高。
不合理的烧结参数可能导致瓷体形状变形或结构破坏。
(2) 孔隙结构的控制：复杂尺寸陶瓷通常包含多个孔洞或通道，这些孔隙结构对材料的物理和化学性能具有重要影响。
烧结过程中的致密度和均匀性对孔洞的形成和分布起着关键作用。
(3) 内外层结构的烧结一致性：对于具有复杂内外层结构的陶瓷制品，烧结时需要保持内外层温度的一致性，以防止烧结不均匀导致结构破坏或质量缺陷。
4. 解决复杂尺寸碳化硅陶瓷烧结难题的方法为了解决复杂尺寸碳化硅陶瓷烧结的难题，研究人员提出了一系列创新的方法和技术。
(1) 优化工艺参数：通过对烧结温度、压力和时间等参数进行精确控制，可以有效地控制复杂尺寸陶瓷的烧结过程。
还可以通过合理的粉末制备和成型工艺来改善陶瓷的致密度和结构均匀性。
摘要碳化硅陶瓷具有高温强度高、抗氧化性强、耐磨损性好、热膨胀系数小、硬度高、抗热震和耐化学腐蚀等优良特性,因此,在很多领域得到广泛应用。
然而,SiC是一种共价键性很强的化合物,其自扩散系数极小,可烧结性很差。
在传统的粉末冶金SiC烧结工艺条件下,如果不加入适当的添加剂,纯SiC是很难烧结致密化。
采用超高压烧结方法可以在较低温度、较短时间、低烧结助剂添加量下获得高致密度、高性能的陶瓷。
本文利用高压六面顶压机对SiC陶瓷的高压烧结，对SiC陶瓷的高压烧结工艺及性能进行了初步的研究，并进行了理论分析，探索了其显微结构与性能之间的关系。
通过对SiC复相陶瓷的相对密度和XRD谱的研究分析，发现高压烧结的SiC陶瓷材料具有优良的性能，主要体现在导热性能和韧性在，有良好的应用前景。
与常压相比，高压烧结可以有效的降低金属陶瓷的烧结时间和烧结制度，增进致密化，进而达到改进性能的目的。
六面顶高压烧结技术是一种快速、高效的烧结技术，大大降低了烧结温度和缩短了烧结时间，并且可制备出接近理论密度的复相陶瓷材料。
采用超高压烧结工艺可以烧结获得无烧结助剂添加的高致密度SiC陶瓷(致密度92%~100%)。
烧结工艺对陶瓷的性能有明显的影响，实验结果表明：Al2O3是SiC烧结的有效烧结助剂,在低添加量下(约2wt%)即可实现陶瓷的全致密烧结。
烧结工艺对添加了烧结助剂陶瓷性能的影响与纯SiC的烧结类似,但获得的陶瓷的致密度普遍较高。
关键词：SiC陶瓷高温高压技术烧结性能物相分析（XRD谱)ABSTRACTSiC ceramics is a good material with high temperature strength, oxidation resistance, wear resistance, thermal expansion coefficient, high hardness, thermal shock and chemical resistance and other excellent properties, therefore, has been widely used in many fields. However, SiC is a covalent bond strong compound, the self-diffusion coefficient is extremely small, the sinterability is poor. SiC sintered in the conventional powder metallurgy process conditions, without the inclusion of suitable additives, pure SiC densification is difficult. Using ultra-high pressure sintering method can lower the temperature, the shorter the time, the low sintering additives added amount obtained by a high-density and high-performance ceramic.In this paper, based on six sides high-pressure jacking machine of SiC ceramics high pressure sintering, high pressure sintering process and the performance of SiC ceramics has carried on the preliminary research, and has carried on the theoretical analysis, to explore the relationship between its microstructure and properties. Through the relative density of SiC ceramic compound phase spectrum and XRD analysis, found that high pressure sintering SiC ceramic material with excellent performance, mainly reflected in the performance of thermal conductivity and toughness in, has the good application prospect.Compared with normal pressure, high pressure sintering can effectively reduce metal sintering time and sintering the ceramic system, promote densification, and thus achieve the purpose of improving performance. Cubic high pressure sintering technology is a fast and efficient sintering technology, greatly reducing the sintering temperature and shorten the sintering time, andclose to the theoretical density of the composite ceramic materials can be prepared. Using high pressure sintering process can be obtained by sintering without sintering aids added high density SiC ceramics (density of 92% to 100%). Sintering properties of ceramics have a significant impact, the experimental results show that: Al2O3 sintered SiC is effective sintering aids, in the low dosage (about 2wt%) to achieve a fully dense sintered ceramic. The sintering process is similar with added the sintering aids Ceramics pure SiC sintered similar, but the density of the ceramic is generally higher.Keywords:SiC ceramics, high temperature and high pressure technology, sintering properties, phase analysis (XRD spectra)目录1 绪论 (1)1.1引言 (1)1.2SiC的简介 (2)1.2.1SiC的结构及性能 (2)1.2.2 SiC粉体的制备方法 (2)1.3SiC烧结方法 (8)1.3.1反应烧结 (8)1.3.2再结晶烧结法 (9)1.3.3硅渗SiC烧结技术 (9)1.3.4等离子体电火花烧结（SPS） (9)1.3.5常压烧结 (10)1.3.6高压烧结法 (10)1.4碳化硅陶瓷的应用 (11)1.5SiC陶瓷的研究现状 (11)1.6本课题的研究任务和内容 (12)2 高温高压技术 (13)2.1引言 (13)2.2高温高压设备 (13)2.3压力和温度控制系统 (15)2.3.1压力控制系统 (15)2.3.2温度控制系统 (15)2.4压力的标定和油压控制 (16)2.4.1压力的标定 (16)2.4.2油压的控制 (18)2.6腔体材料的选择 (20)2.7加热源材料的选择 (22)3 实验原料及实验方法 (23)3.1实验原料 (23)3.1.1SiC粉末 (23)3.1.2其他原料 (23)3.2实验方法 (23)3.2.1试样制备 (23)3.2.2高压烧结制度 (24)3.3SiC陶瓷材料研究技术路线 (25)3.4性能测试 (26)3.4.1包套去除及分析样加工 (26)3.4.2根据阿基米德原理测样品的密度（排水法） (26)3.4.3XRD物相分析 (27)4 SiC陶瓷的高压烧结 (28)4.1引言 (28)4.2未添加烧结助剂时温度、时间对陶瓷烧结性能的影响 (28)4.2.1烧结温度对陶瓷烧结性能的影响 (28)4.2.2烧结时间对陶瓷烧结性能的影响 (29)4.3添加烧结助剂对陶瓷烧结性能的影响 (30)4.3.1烧结助剂添加量对陶瓷烧结性能的影响 (31)4.3.2烧结温度对陶瓷烧结性能影响 (33)4.3.3烧结时间对陶瓷烧结性能的影响 (34)4.4高压烧结机理 (34)5 结论与展望 (37)5.2展望 (38)致谢 (39)参考文献 (40)1 绪论1.1引言当今世界，材料的重要性已被人们充分认识，材料是现代文明的三大支柱之一，科学技术的发展对材料不断提出新的要求，因此，世界各发达国家对材料的研究、开发、生产和应用都极为重视，并把材料科学技术列为二十一世纪优先发展的关键领域之一。
SiC陶瓷材料最早在20世纪80年代作为热结构材料出现，具有密度低、抗氧化性能好、耐腐蚀、优异的高温力学性能和热物理性能、好的自润滑性能等优点，是一种能满足1650℃使用的新型高温结构材料和功能材料。
20世纪80年代起，国内对作为航空航天热结构部件的SiC陶瓷复合材料开展了广泛研究，近年来在中南大学、西北工业大学、国防科技大学、中科院沈阳金属所、航天工业总公司43所等单位的共同努力下，作为热结构的SiC陶瓷复合材料在制备技术和应用等方面取得了较大进展，缩短了与世界先进水平的差距。
到21世纪初中南大学开始开展SiC摩擦材料的制备和摩擦磨损机理的研究。
然而,SiC是一种共价键性很强的化合物，其自扩散系数极小，可烧结性很差。
在传统的烧结工艺条件下，如果不加入适当的添加剂，纯SiC 是很难烧结致密的。
