单相半波整流电路ppt课件
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单相半波可控整流电路1、工作原理电路和波形如图1所示,设u2=U2sinω。
图1 单相半波可控整流正半周:0<t<t1,ug=0,T正向阻断,id=0,uT=u2,ud=0t=t时,加入ug脉冲,T导通,忽略其正向压降,uT=0,ud=u2,id=ud/Rd。
负半周:π≤t<2π当u2自然过零时,T自行关断而处于反向阻断状态,ut=0,ud=0,id=0。
从0到t1的电度角为α,叫控制角。
从t1到π的电度角为θ,叫导通角,显然α+θ=π。
当α=0,θ=180度时,可控硅全导通,与不控整流一样,当α=180度,θ=0度时,可控硅全关断,输出电压为零。
2、各电量关系ud波形为非正弦波,其平均值(直流电压):由上式可见,负载电阻Rd上的直流电压是控制角α的函数,所以改变α的大小就可以控制直流电压Ud的数值,这就是可控整流意义之所在。
流过Rd的直流电流Id:Ud的有效值(均方根值):流过Rd的电流有效值:由于电源提供的有功功率P=UI,电源视在功率S=U2I(U2是电源电压有效值),所以功率因数:由上式可见,功率因数cosψ也是α的函数,当α=0时,cosψ=0.707。
显然,对于电阻性负载,单相半波可控整流的功率因数也不会是1。
比值Ud/U、I/Id和cosψ随α的变化数值,见表1,它们相应的关系曲线,如图2所示表1 Ud/U、I/Id和cosψ的关系图2 单相半波可控整流的电压、电流及功率因数与控制角的关系由于可控硅T与Rd是串联的,所以,流过Rd的有效值电流I与平均值电流Id的比值,也就是流过可控硅T的有效值电流IT与平均值电流IdT的比值,即I/Id=It/IdT。
二、单相桥式半控整流电路1、工作原理电路与波形如图3所示图3、单相桥式半控整流正半周:t1时刻加入ug1,T1导通,电流通路如图实线所示。
uT1=0,ud=u2,uT2=-u2。
u2过零时,T1自行关断。
负半周:t2时刻加入ug2,T2导通,电流通路如图虚线所示,uT2=0,ud=-u2,ut1=u2。
单相半波整流电路主要内容:单相半波整流电路的工作原理以及主要参数计算。
重点难点:单相半波整流电路的工作原理和分析方法。
tωu DO2. 工作原理V a > V b ,二极管D 导通。
3. 工作波形1.电路结构uωtOu OOt ωU 2U2u 正半周⊕-⊕-–++–aTr D u O u bR Li OutuωtOtωu DO2. 工作原理V a >V b ,二极管D导通。
1. 电路结构u OOt ωU 2U2u 正半周3. 工作波形V a < V b ,二极管D 截止。
U2-u 负半周–++–aTr D u O u bR Li O⊕-ut4. 参数计算(1) 整流电压平均值U O(2) 整流电流平均值I O LL O O 450R U.R U I ==(3) 流过每个二极管电流平均值I D OD I I =(4) 二极管承受的最高反向电压U RM UU 2RM =(5) 变压器二次电流有效值IO 02m 571 d ) sin (π21πI .t t I I ==⎰ωω) d( sin 2π21ποt t U ωω⎰=U 0.45=O U5. 整流二极管的选择平均电流I D 与最高反向电压U RM 是选择整流二极管的主要依据。
I OM >I D ,U RWM >U RM 优点:结构简单,使用的元件少。
缺点:只利用了电源的半个周期,所以电源利用率低,输出的直流成分比较低,输出波形的脉动大,故半波整流只用在要求不高,输出电流较小的场合。
最常用的是单相桥式整流电路。
选管时应满足:反向工作峰值电压二极管承受的最高反向电压小结1. 电路结构2. 工作原理3. 工作波形4. 参数计算5. 整流二极管的选择。