使用是德科技 B1500A 半导体器件分析仪 MFCMU 和 SCUU 进行 IV 和 CV 测量

技术概述B1500A 半导体器件分析仪加快基本的电流-电压（IV ）和电容-电压（CV ）测量 以及业界领先的超快速 IV 器件表征脉冲 IV 测量（IV ）和电容-电压（CV ）表征到快速、精准的脉冲 IV 测试的全方位测量。

此外，B1500A 的 10 槽模块化体系结构使您可以添加或升级测量模块，适应不断变化的测量需求。

综合解决方案满足您的 所有器件表征需求B1500A 半导体器件分析仪将多种测量和分析功能整合到一台仪器中，可精确快速地进行器件表征。

它是目前唯一能够提供广泛的器件表征功能以及出色测量可靠性和可重复性的多功能参数分析仪。

它能够执行从基本的电流 - 电压Keysight EasyEXPERT group+ 软件是 B1500A 自带的 GUI 界面软件，可在 B1500A 的嵌入式 Windows 10 平台上运行，支持高效和可重复的器件表征。

B1500A 拥有几百种即时可用的测量（应用测试），为测试执行和分析提供了直观和功能强大的操作环境。

它可以帮助工程师对器件、材料、半导体、有源/无源元器件或几乎任何其他类型的电子器件进行精确和快速的电子表征和 测试。

关键特性优势精密电压和电流测量（0.5 µV 和 0.1 fA 分辨率）–低电压和小电流的精确表征。

用于多频率（1 kHz 至 5 MHz ）电容测量（CV 、C-f 和 C-t ）与电流/电压（IV ）测量 切换的高精度和低成本解决方案。

–无需重新连接电缆即可在 CV 和 IV 测量之间进行切换– 保持出色的小电流测量分辨率（使用 SCUU 时最小为 1 fA ，使用 ASU 时最小为 0.1 fA ）– 为被测器件提供完整的 CV 补偿输出超快速 IV 测量，100 ns 脉冲和 5 ns 采样率–捕获传统测试仪器无法精确测量的超快速瞬态现象超过 300 种应用测试即时可用–缩短从学习仪器使用、进行测量到熟练操作仪器所需的时间包含示波器视图的曲线追踪仪模式–交互式地开发测试，并即时查看器件特征–无需使用任何其他设备便可对电流和电压脉冲进行验证（MCSMU 提供示波器视图）功能强大的数据分析和稳定可靠的数据管理–自动分析测量数据，无需使用外部 PC– 自动存储测量数据和测试条件，日后快速调用此信息让所有人都变成器件表征专家EasyEXPERT group+ 使器件 表征变得像 1、2、3 计算一样简单B1500A 的 EasyEXPERT group+ 软件包括 300 多种可以即时使用的应用测试，您只需简单的 3 步便可进行测量。

成都理工大学工程技术学院毕业论文半导体探测器与气体探测器性能分析作者姓名：孟庆彦专业名称：核工程与核技术指导教师：李泰华教授摘要辐射粒子探测器是粒子物理、核物理、放射性测量等领域研究的重要仪器，可以有效地保证财产和人身安全，而且广泛应用于国民经济和国防等多种领域。

气体探测器、闪烁体探测器和半导体探测器是近几十年来先后发展起来的三类主要探测器。

文中详细介绍了半导体探测器和气体探测器的原理，并对相关的设备仪器和放射源做了简短的介绍。

Si-PIN半导体探测器可以探测到55Fe衰变放射的X射线，气体探测器里面含有238Pu放射源，继续使用55Fe作为样品，会影响探测器的性能，因此使用锰粉和淀粉配置的样品代替，实验需要进行样品的研磨与压片。

分别使用探测器对X射线进行测量并用能谱仪分析能谱，主要研究两种探测器的相关性能，了解它们各自的能量分辨率及其使用范围，目的在于加强对两种探测器的能量分辨率的认识，给人们在以后的工作和学习中一个有益的指导。

关键词：半导体探测器气探测器能量分辨率AbstractRadiation particle detector is an important instrument of the research in the field of particle physics, nuclear physics, radioactivity measurements, can effectively ensure the property and personal safety, and are widely used in a variety of areas of the national economy and national defense. Gas, scintillation and semiconductor detectors have been developed three main types of detectors in recent decades.The principle of semiconductor detectors and gas detectors is described in this paper; a brief to the associated apparatus and radioactive sources is introduced. Si-PIN semiconductor detector can detect the X-ray radiation from55Fe,gas detectors contain 238Pu sources, so use 55Fe as a sample can affect the performance of the detector and use manganese powder and starch samples instead of them, the experiment need to grinding and tabletting sample. The X-ray were measured and analyzed by detector separately and spectrometer was analyzed by energy spectrum, mainly studies two kinds of relative performance, understand their energy resolution and its use range, the principal purpose is to enhance the understanding of the energy resolution of the two detectors, give people a useful guidance for future work and learning.Keywords:semiconductor detector, gas detectors, energy resolution目录摘要 (I)Abstract (II)目录 (III)前言 (1)1探测器概述 (3)1.1探测器简介 (3)1.2辐射探测器发展历史 (3)1.3辐射探测器发展现状 (4)2半导体探测器 (5)2.1半导体探测器的基本原理 (5)2.2半导体探测器的仪器应用 (5)3气体探测器 (7)3.1气体探测器的基本原理 (7)3.2气体探测器的工作区间 (8)4实验方案设计 (10)4.1实验材料和仪器 (10)4.1.1 Si-PIN半导体探测器 (10)4.1.2充Xe（或充Ar）薄Be窗窗柱型侧窗正比计数管 (11)4.1.3 ADC4096多道γ能谱仪 (11)4.1.4多道分析仪 (11)4.1.5 238Pu (11)4.2实验方法 (12)4.2.1实验原理 (13)4.2.2样品的制备 (14)4.2.3测量 (14)5实验数据及处理 (16)5.1实验所得数据 (16)5.2数据处理及分析 (19)5.3结论 (21)总结 (22)致谢 (23)参考文献 (24)前言核辐射，或通常称之为放射性，存在于所有的物质之中，这是亿万年来存在的客观事实，是正常现象。

是德科技增强UXM无线综测仪的LTE-A功能
佚名
【期刊名称】《国防制造技术》
【年(卷),期】2015(0)2
【摘要】日前,是德科技公司发布E7515A UXM无线测试仪的最新增强,以满足前沿的LTE-A载波聚合(CA)技术的测试要求。

新功能包括支持下行链路4CC1、256 QAM、应用多达3个非授权载波的LTE-U,以及FDD-TDD混合载波聚合、上行链路频段内和频段间载波聚合测量。

UXM针对每个子载波和小区可进行独立的衰落配置,可以帮助工程师确保其最新的LTE-A设备在实际网络环境中正常工作。

最新的UXM增强支持LTE/W-CDMA
【总页数】1页(P7-7)
【关键词】上行链路;子载;LTE-A;UXM;下行链路;数据速率;连接数据;测试场景;最
新设计;两台
【正文语种】中文
【中图分类】TN929.5
【相关文献】
1.是德科技UXM无线综测仪为中兴通讯展示“千兆手机”1Gbps数据吞吐率 [J],
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3.是德科技UXM无线综测仪增添3CC等测量功能 [J],
4.是德科技增强UXM无线综测仪的LTE-A功能,包括4CC、256QAM、LTE-U、
Cat0的新支持最新增强可以轻松应对新兴4G测试挑战 [J],
5.是德科技增强UXM无线综测仪的LTE—A功能 [J],
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技术概述B1500A 半导体器件分析仪加快基本的电流-电压（IV ）和电容-电压（CV ）测量 以及业界领先的超快速 IV 器件表征脉冲 IV 测量B1500A 半导体器件分析仪将多种测量和分析功能整合到一台仪器中，可精确快速地进行器件表征。

它是目前唯一能够提供广泛的器件表征功能以及最出色测量可靠性和可重复性的多功能参数分析仪。

它能够执行从基本的电流-电压（IV ）和电容-电压（CV ）表征到快速、精准的脉冲 IV 测试的全方位测量。

此外，B1500A 的 10 槽模块化体系结构使您可以添加或升级测量模块，适应不断变化的测量需求。

综合解决方案满足您的 所有器件表征需求Keysight EasyEXPERT group+ 软件是 B1500A 自带的 GUI 界面软件，可在 B1500A 的嵌入式 Windows 10 平台上运行，支持高效和可重复的器件表征。

B1500A 拥有几百种即时可用的测量（应用测试），为测试执行和分析提供了直观和功能强大的操作环境。

它可以帮助工程师对器件、材料、半导体、有源/无源元器件或几乎任何其他类型的电子器件进行精确和快速的电子表征和 测试。

关键特性优势精密电压和电流测量（0.5 µV 和 0.1 fA 分辨率）–低电压和小电流的精确表征。

用于多频率（1 kHz 至 5 MHz ）电容测量（CV 、C-f 和 C-t ）与电流/电压（IV ）测量 切换的高精度和低成本解决方案。

–无需重新连接电缆即可在 CV 和 IV 测量之间进行切换– 保持出色的小电流测量分辨率（使用 SCUU 时最小为 1 fA ，使用 ASU 时最小为 0.1 fA ）– 为被测器件提供完整的 CV 补偿输出超快速 IV 测量，100 ns 脉冲和 5 ns 采样率–捕获传统测试仪器无法精确测量的超快速瞬态现象超过 300 种应用测试即时可用–缩短从学习仪器使用、进行测量到熟练操作仪器所需的时间包含示波器视图的曲线追踪仪模式–交互式地开发测试，并即时查看器件特征–无需使用任何其他设备便可对电流和电压脉冲进行验证（MCSMU 提供示波器视图）功能强大的数据分析和稳定可靠的数据管理–自动分析测量数据，无需使用外部 PC– 自动存储测量数据和测试条件，日后快速调用此信息让所有人都变成器件表征专家EasyEXPERT group+ 使器件 表征变得像 1、2、3 计算一样简单B1500A 的 EasyEXPERT group+ 软件包括 300 多种可以即时使用的应用测试，您只需简单的 3 步便可进行测量。

应用指南CMOS可靠性测试全面解决方案Keysight B1500A 半导体器件分析仪引言随着CMOS 器件的尺寸不断缩小，电场强度和电流密度也相应增加，导致器件的使用寿命受到很大影响。

因此，为了保证集成电路(IC)的使用寿命，测试CMOS 器件的可靠性问题变得至关重要，这些问题包括栅极和层间电介质性能的下降、热载流子效应、偏压温度不稳定以及互连开路和短路等。

Keysight B1500A 半导体器件分析仪是新一代半导体参数分析仪，具有评测先进CMOS LSI （大规模集成）电路可靠性所需要的测量能力。

此外，B1500A 中的EasyEXPERT 控制软件标配了即用型测量程序库，涵盖了所有常见的CMOS 可靠性测试。

本应用指南概括介绍了B1500A 的关键测量功能，并解释了B1500A 何以成为验证CMOS工艺可靠性的全面解决方案。

全面的先进测量功能B1500A 配备10个模块插槽，可选用多种源表模块(SMU)以及其他先进的模块，因此能够满足CMOS 工艺可靠性测试的绝大多数测量要求。

下图汇总了可用的B1500A 模块。

图 1.测量模块的灵活配置10 插槽主机多频电容测量单元(MFCMU)中等功率SMU (MPSMU)高分辨率 SMU (HRSMU)大功率SMU (HPSMU)波形发生器 快速测量单元 (WGFMU)高电压半导体脉冲发生器单元(HV-SPGU)接地单元(GNDU)中等功率 SMU (MPSMU)MPSMU是一款通用型SMU，拥有中等的电压和电流输出能力以及适中的测量分辨率。

MPSMU的最大输出电压为±100 V，最大输出电流为±100 mA。

MPSMU的最小电流测量分辨率为10 fA，最小电压测量分辨率为0.5 μV。

高分辨率 SMU (HRSMU)HRSMU是为需要极其精密的测量而设计的，例如栅极泄漏、断态泄漏和亚阈值电流测量。

HRSMU的最小电流测量分辨率为1 fA（MPSMU 为 10 fA）。

第一章1.本征硅的费米能级位于：（）答案:略偏向2.硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（）答案:空穴浓度大于电子浓度3.抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（）。

答案:升高衬底温度;倾斜衬底;衬底表面沉积非晶薄膜4.制造单晶硅衬底的方法包括（）。

答案:直拉法;区域熔融法5.当硅中掺杂浓度越小时，费米能级越靠近Ei。

（）答案:对第二章1.对于长沟道MOSFET器件，发生夹断后，下面说法中正确的是（）。

答案:Vg≥Vd+Vth;Vg继续增加，Id不会继续增大;沟道中漏极一侧的电位为0 2.沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（）。

答案:器件的可靠性劣化;器件的集成度增加;器件的漏极电流增大3.有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（）答案:亚阈值摆幅的单位是mV4.有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是（）答案:沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小5.MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。

（）答案:对第三章1.下面有关浸没式光刻技术的说法，正确的是（）答案:能够减小光的波长;能够增大物镜的数值孔径;由台积电的工程师林本坚发明2.相移光刻技术中，使光产生相位差的方法包括：（）答案:在掩膜板上的透光区域中添加移相器;减小未沉积铬区域的石英板厚度;利用整面透光的石英板，改变局部区域的厚度3.根据瑞利判据得到的光刻分辨率极限，表达式为（）答案:;4.正光刻胶和负光刻胶中，光敏剂的作用分别是（）答案:提供自由基，交联催化剂5.光刻是集成电路制造过程中总成本最高的工艺。

（）答案:对第四章1.有关半导体中载流子有效质量的说法正确的是（）答案:受到半导体晶格周期性势场的影响;电子和空穴可能具有不同的有效质量2.张应变和压应变影响硅沟道中载流子迁移率的共同原因有（）答案:减小载流子有效质量;增加能级分裂，抑制能谷散射3.在硅沟道场效应晶体管器件中，埋入式源漏技术能够产生何种应变（）答案:既有可能产生张应变，又有可能产生压应变4.对于高集成密度的n型沟道的Si FinFET器件，合适的产生应变的技术是（）答案:SiGe虚拟衬底技术5.应变硅技术从90纳米技术节点开始进入量产。

半导体量测设备应用流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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一、选择题1．酒精测试仪用于对机动车驾驶人员是否酒后驾车及其他严禁酒后作业人员的现场检测，它利用的是一种二氧化锡半导体型酒精气体传感器。

酒精气体传感器的电阻随酒精气体浓度的变化而变化，在如图所示的电路中，不同的酒精气体浓度对应着传感器的不同电阻，这样，显示仪表的指针就与酒精气体浓度有了对应关系。

如果二氧化锡半导体型酒精气体传感器电阻r ′的倒数与酒精气体的浓度成正比，那么，电压表示数U 与酒精气体浓度c 之间的对应关系正确的是（ ）A ．U 越大，表示c 越大，c 与U 成正比B ．U 越大，表示c 越大，但是c 与U 不成正比C ．U 越大，表示c 越小，c 与U 成反比D ．U 越大，表示c 越小，但是c 与U 不成反比B解析：B 传感器电阻r ′的倒数与酒精浓度c 是正比关系，即1kc r '= 电路中的电流为0E I r R R r'=+++ 电压表示数 ()000001ER kR E U IR r R R r k R R r c'===++++++ 可见电压与酒精浓度的关系不是正比关系，但随酒精浓度的增加而增加，选项B 正确。

故选B 。

2．压敏电阻的阻值随所受压力的增大而减小，有位同学利用压敏电阻设计了判断小车运动状态的装置，其工作原理如图所示，将压敏电阻和一块挡板固定在绝缘小车上，中间放置一个绝缘重球。

小车向右做直线运动过程中，电流表示数如图所示，下列判断正确的是（ ）A ．从t 1到t 2时间内，小车做匀速直线运动B ．从t 1到t 2时间内，小车做匀加速直线运动C ．从t 2到t 3时间内，小车做匀速直线运动D ．从t 2到t 3时间内，小车做匀加速直线运动D解析：DAB ．在t 1～t 2内，I 变大，阻值变小，压力变大，根据牛顿第二定律可知，小车做变加速运动，故AB 错误；CD ．在t 2～t 3内，I 不变，压力恒定，且电流比初始电流大，因此小车做匀加速直线运动，故C 错误，D 正确。