模拟电路第二章习题
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第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。
(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。
已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。
试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。
第二章自我检测题参考答案一、填空题1.三极管用来放大时,应使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。
2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。
3.温度升高时,三极管的电流放大系数β增大,反向饱和电流I CBO增大,正向结电压U BE下降。
4. 有两只三极管:A管β=200,I CEO=200μA;B管β=80,I CEO=10μA,其他参数大致相同,一般应选B管。
5.共射基本电路电压放大倍数为负值,说明输出信号与输入信号相位相差180o。
6.放大电路未输入信号时的状态称为静态,其在特性曲线上的点称为静态工作点;有输入信号时的状态称为动态,动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。
7.在放大电路的下限截止频率处,幅度的放大倍数为中频处的0.707倍,这主要是由电路的频率失真引起的。
8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流(输出电流),所以它是一个电压控制电流源(或电压控制)器件。
二、判断题1.由于放大的是变化量,所以在输入直流信号时,任何放大电路的输出量都没有变化。
(×)提示:直接耦合放大电路就有变化。
2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立,(√)它只能放大交流信号。
(√)3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。
(×)提示:增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。
4.通常,JFET在漏极与源极互换时,仍有正常放大作用。
(√)三、选择题1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V,U2=6V,U3=2.7V,则三极管三个电极为(B)。
A.①管脚为发射极,②管脚为基极,③管脚为集电极;B.①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极;C.①管脚为集电极,②管脚为基极,③管脚为发射极;D. ①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极。
2.在共射基本放大电路中,集电极电阻R C的作用是(C)。
A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短,把放大了的电流转换成电压。
在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中,负载电阻RL 减小时,输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真以下电路中,可用作电压跟随器的是[ ] A.差分放大电路 B.共基电路C.共射电路 D.共集电路晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性对于图所示的复合管,穿透电流为(设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流)A.ICEO = ICEO2ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =(1+2)ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图 [ ]在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是[ ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真对于基本共射放大电路, Rb 减小时,输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中,信号源内阻RS 减小时,输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3K的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为。
模拟电路(康光华)第二章课后习题答案2.4.1电路如图题2.4.1所示。
(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解(1)求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==(2)求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示,温度 T =300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+,即1.406V ~1.394V 。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。
图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。
图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。
图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止,为什么? 解 图a :将D 断开,以“地”为电位参考点,这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
模拟电⼦技术基础第⼆章练习题注意:答案仅供参考!⼀、填空题1. 半导体三极管属于电流控制器件,⽽场效应管属于电压控制器件。
2. 放⼤器有两种不同性质的失真,分别是线性失真和⾮线性失真。
3. 共射极放⼤电路中三极管集电极静态电流增⼤时,其电压增益将变⼤;若负载电阻R L 变⼩时,其电压增益将变⼩。
4. 单级共射极放⼤电路产⽣截⽌失真的原因是静态Ic 偏⼩;产⽣饱和失真的原因是 Ic 偏⼤;若两种失真同时产⽣,其原因是输⼊信号太⼤。
5.静态⼯作点Q 点⼀般选择在交流负载线的中央。
6.静态⼯作点Q 点选得过低会导致截⽌失真;Q 点选得过⾼会导致饱和失真。
7.对于下图所⽰电路,设V CC =12V ,R b =510k Ω,R c =8 k Ω,V BE =,V CE (sat )=,当β=50,静态电流I BQ = 22µA ,I CQ = ,管压降V CEQ = ;若换上⼀个当β=80,静态电流I BQ = 22µA ,I CQ = ,管压降V CEQ = ,三级管⼯作在饱和状态。
8.对于下图所⽰电路,设V CC =12V ,三级管β=50,V BE =,若要求静态电流I CQ =2mA ,V CEQ =4V ,则电路中的R b = k Ω,R C = 4 k Ω。
9.对于下图所⽰电路,已知VCC =12V,Rb1=27 kΩ,Rc=2 kΩ,Re=1 kΩ,VBE=,现要求静态电流ICQ =3mA,则R= 12 kΩ。
10.已知图⽰的放⼤电路中的三级管β=40,VBE =,稳压管的稳定电压VZ=6V,则静态电流IBQ = ,ICQ= 11mA ,管压降VCEQ= 3V 。
11. 当环境温度升⾼时,三极管的下列参数变化的趋势是:电流放⼤系数β增⼤,穿透电流ICEO 增加,当IB不变时,发射结正向压降|UBE| 减⼩。
12.若下图所⽰放⼤电路在冬天调试时能正常⼯作,当到了夏天后,发现输出波形失真,且幅度增⼤,这时发⽣的失真是饱和失真,失真的主要原因是由于夏天室温升⾼后,三级管的 ICBO 、 V和β三个参数的变化,引起⼯作点上移;输出波形幅度增⼤,则是因为β参数随温度升⾼⽽增⼤所造成,输出波形幅度增⼤也是引起失真的⼀个原因。
《模拟电路》习题2一、单项选择题1.三极管工作于放大状态的条件是()。
A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏2.带射极电阻R e的共射放大电路,在并联交流旁路电容C e后,其电压放大倍数将()。
A、减小B、增大C、不变D、变为零3.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为()。
A、10kΩB、2kΩC、4kΩD、3kΩ4.三极管电流源电路的特点是()。
A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大5.某NPN 型三极管的输出特性曲线如图所示,当V CE =6V ,其电流放大系数β为( )。
A 、100 B 、50 C 、150D 、256.多级放大电路的级数越多,则其( )。
A 、放大倍数越大,而通频带越窄B 、放大倍数越大,而通频带越宽C 、放大倍数越小,而通频带越宽D 、放大倍数越小,而通频带越窄7. 如图所示复合管,已知V1的β1=30,V2的β2=50,则复合后的β约为( )。
A 、1500B 、 80C 、 50D 、 308. RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( )。
A 、基本共射放大电路 B 、基本共集放大电路C 、反相比例运算电路D 、同相比例运算电路V 2V 19. 已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是()。
A、积分运算电路B、微分运算电路C、过零比较器D、滞回比较器二、填空题1.三极管工作在放大区时,它的发射结保持偏置,集电结保持偏置。
2.在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带。
3.在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是和电容,影响高频信号放大的是电容。
第二章模拟电子技术练习题2-1 电路如题2-1图所示,二极管为理想元件,t sin 3u i ω=V ,U=3V ,当ωt = 0 瞬间,输出电压 u O 等于何值? A . 0 V B . 3 VC . —3 VD . 0.7Vu O题2-1图2-1正确答案是A .提示:ωt = 0 瞬间u i = 0,二极管D 的阳极为电位最低点,因而此时二极管D 承受反向电压截止,0u u i 0==。
2-2 电路如题2-2图所示,二极管D 为理想元件,U S =5 V ,则电压u 0等于多少? A .U s B .U S / 2 C .0V D .0.7Vu O题2-2图2-2正确答案是A .提示:二极管承受正向电压而导通,二极管D 为理想元件,所以电阻两端电压应等于电压源电压,即u O = U s 。
2-3 电路如题2-3图所示,D 1,D 2 均为理想二极管,设V 6U 2=, U 1 的值小于 6V , 则U 0 为多大?A .+12VB .+6VC .U 1D .U 1 - U 2O题2-3图2-3正确答案是C .提示:D 1,D 2 均承受正向电压而导通,二极管为理想元件。
所以 u O = U 1 。
2-4 在同一测试条件下,测得三个同型号二极管的参数如下表所示,其中性能最好的一个二极管是哪一个?2-4提示:其他条件相同的情况下反向电流越小的二极管性能越好。
2-5 电路如题2-5图所示,A 点与 B 点的电位差U AB 约等于多少?A .0.3VB .-2.3VC .1.0VD .1.3VΩ100k Ω18k Ω6k ΩB题2-5图2-5正确答案是A .提示:先将二极管摘开,求出A 点和B 点的电位:Vk k VV Vk k VV B A 36)618(126100)100100(12=Ω⨯Ω+==Ω⨯Ω+=再判断二极管承受电压情况:二极管承受正向电压而导通,2AP15是锗管,导通管压降为0.3V 。
第二章 电路的基本分析方法2.1 求题2.1图所示电路的等效电阻。
解:标出电路中的各结点,电路可重画如下:(b)(a)(c)(d)6Ω7ΩΩaaabb bddcb(a)(d)(c)(b)bΩ4Ω(a )图 R ab =8+3||[3+4||(7+5)]=8+3||(3+3)=8+2=10Ω (b )图 R ab =7||(4||4+10||10)=7||7=3.5Ω(c )图 R ab =5||[4||4+6||(6||6+5)]=5||(2+6||8)=5||(2+3.43)=2.6Ω(d )图 R ab =3||(4||4+4)=3||6=2Ω(串联的3Ω与6Ω电阻被导线短路)2.2 用电阻的丫-△的等效变换求题2.2图所示电路的等效电阻。
解:为方便求解,将a 图中3个6Ω电阻和b 图中3个2Ω电阻进行等效变换,3个三角形连接的6Ω电阻与3个星形连接的2Ω电阻之间可进行等效变换,变换后电路如图所示。
(a ) R ab =2+(2+3)||(2+3)=4.5Ω (b ) R ab =6||(3||6+3||6)=6||4=2.4Ω2.3 将题2.3图所示电路化成等效电流源电路。
bab a(b)(a)题2.2图(b)(a)题2.3图babΩ(a)(b)解:(a )两电源相串联,先将电流源变换成电压源,再将两串联的电压源变换成一个电压源,最后再变换成电流源;等效电路为(b )图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去(断开),与5A 恒流源串联的9V 电压源亦可除去(短接)。
两电源相并联,先将电压源变换成电流源,再将两并联的电流源变换成一个电流源,等效电路如下:2.4 将题2.4图所示电路化成等效电压源电路。
解:(a )与10V 电压源并联的8Ω电阻除去(断开),将电流源变换成电压源,再将两串联的电压源变换成一个电压源,再变换成电流源,最后变换成电压源,等效电路如下:(b )图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去(断开),与2A 恒流源串联的4Ω亦可除去(短接),等效电路如下:(a)(b)题2.4图abaababab abb bbb2.5 用电源等效变换的方法,求题2.5图中的电流I 。