如何判断三极管是否饱和

简述三极管的三种工作状态
一、饱和状态
饱和状态是指三极管的输入电流大于输出电流的状态。

在饱和状态下，三极管的基极电压为正，使得基极与发射极之间的PN结正向偏置，导致电流大量流过集电极和发射极之间的PN结，使得三极管处于导通状态。

饱和状态下，三极管的放大倍数较小，输出电流较大，且输出电压与输入电压之间的线性关系不太明显。

二、截止状态
截止状态是指三极管的输入电流小于输出电流的状态。

在截止状态下，三极管的基极电压为负，使得基极与发射极之间的PN结反向偏置，导致电流无法流过集电极和发射极之间的PN结，使得三极管处于截止状态。

截止状态下，三极管的放大倍数为0，输出电流为0，且输出电压与输入电压之间的线性关系不成立。

三、放大状态
放大状态是指三极管的输入电流与输出电流之间的比例关系较大的状态。

在放大状态下，三极管的基极电压为正，使得基极与发射极之间的PN结正向偏置，导致电流流过集电极和发射极之间的PN结，使得三极管处于导通状态。

放大状态下，三极管的放大倍数较大，输出电流较小，且输出电压与输入电压之间存在线性关系。

总结：
三极管的三种工作状态分别是饱和状态、截止状态和放大状态。

饱和状态下，输入电流大于输出电流，三极管导通；截止状态下，输入电流小于输出电流，三极管截止；放大状态下，输入电流与输出电流之间存在较大的比例关系，三极管放大。

三种工作状态在电子电路中具有不同的应用，能够实现信号放大、开关控制等功能。

掌握三极管的工作原理和工作状态对于电子工程师来说是非常重要的基础知识，能够帮助他们设计和调试电子电路，实现各种功能需求。

三极管状态判断NPN管:放大状态Vc>Vb>Ve,饱和状态Vb>ve,Vb>vc,截止状态Vc=+V,Vb=0PNP管:放大状态Ve>Vb>Vc,饱和状态Vb<ve,Vb<vc,截止状态Vc=-V(负电源供电)饱和状态时Vce为0.2V(npn和pnp管都是一样的)静态工作点可以测量出来发射结和集电结都是正向偏置时就已经饱和了.此时,Ube>Uce.当晶体管的Ube增大时,Ic不是明显的增大说明进入饱和状态,对于小功率管,可以认为当Uce=Ube,即Ucb=0时,处于临界饱三极管简介晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。

基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。

发射极箭头向外。

发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。

硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

三极管饱和原理三极管是一种常见的电子器件，广泛应用于各种电路中。

在使用三极管时，了解其工作原理至关重要。

其中，三极管饱和原理是三极管工作中的重要概念之一。

三极管饱和原理是指当三极管的基极-发射极电压达到一定值时，三极管处于饱和状态。

在饱和状态下，三极管的集电极-发射极电压较低，接近于零。

此时，三极管的集电极-发射极间形成一个低电阻通路，电流可以自由地通过。

为了更好地理解三极管饱和原理，我们可以通过一个简单的电路来说明。

假设我们有一个以三极管为核心的开关电路，通过控制三极管的基极电压来控制电路的开关状态。

当基极电压为低电平时，三极管处于关断状态，电路断开；当基极电压为高电平时，三极管处于导通状态，电路闭合。

在这个开关电路中，三极管的饱和原理起到了至关重要的作用。

当我们希望电路处于闭合状态时，需要将三极管的基极电压设置在合适的范围内，使其处于饱和状态。

只有在饱和状态下，三极管的集电极-发射极间才能形成低电阻通路，电流能够通过，电路才能闭合。

否则，三极管将处于截止状态，电路无法闭合。

三极管饱和原理的应用非常广泛。

在数字电路中，我们可以利用三极管的饱和特性来实现逻辑门电路的功能。

例如，通过合理地控制三极管的基极电压，我们可以将两个逻辑门进行连接，实现复杂的逻辑运算。

在模拟电路中，通过控制三极管的饱和状态，我们可以实现放大器、开关等功能。

除了在电路设计中的应用外，三极管饱和原理还有其他实际的应用。

例如，在电源管理中，我们可以利用三极管的饱和特性来实现电源的开关控制，达到节能的目的。

另外，在电动汽车的控制系统中，三极管的饱和原理也被广泛应用，实现对电机的精确控制。

三极管饱和原理是三极管工作中的重要原理之一。

了解三极管饱和原理的作用和应用，对于电子电路的设计和实际应用有着重要意义。

通过合理地利用三极管的饱和特性，我们可以实现各种电路的功能，满足不同应用场景的需求。

三极管工作在饱和区的基本原理引言三极管是一种重要的电子器件，广泛应用于电子电路中。

它的工作状态可以分为三种：放大区、截止区和饱和区。

本文将详细解释三极管工作在饱和区的基本原理。

三极管的构造三极管由两个PN结组成，通常被称为PNP型或NPN型。

其中PNP型由两个P型半导体夹着一个N型半导体组成，而NPN型则相反。

这两种类型中，我们将以NPN型三极管为例进行解释。

NPN型三极管由一个发射极（Emitter）、一个基极（Base）和一个集电极（Collector）组成。

发射极与集电极之间有一个P型半导体连接，这个连接被称为基区（Base Region）。

基区两侧是分别与发射极和集电极相连接的N型半导体。

三种工作状态在讨论饱和区之前，我们需要了解三种可能的工作状态：放大区、截止区和饱和区。

1.放大区：当输入信号较小时，三极管处于放大状态。

此时，输入信号会引起输出信号的放大，即三极管起到放大作用。

2.截止区：当输入信号较小或没有输入信号时，三极管处于截止状态。

此时，三极管的发射极与集电极之间没有电流流动。

3.饱和区：当输入信号较大时，三极管处于饱和状态。

此时，三极管的发射极与集电极之间有很大的电流流动。

三种区域之间的转换三种工作状态之间的转换取决于基区中的载流子浓度和外部电路中施加的电压。

下面分别讨论这些情况：从放大区到截止区当基区中的载流子浓度很低或外部电路中施加的电压使得基结正向偏置不再导通时，三极管会从放大区进入截止区。

在这个过程中，基结被反向偏置，并且发射结和集结都不再导通。

从截止区到放大区当基结正向偏置，并且外部电路中施加的电压使得基结导通时，三极管会从截止区进入放大区。

在这个过程中，一些少数载流子会从发射端注入到基端，进而从集电端流出。

从放大区到饱和区当输入信号较大时，三极管会从放大区进入饱和区。

在这个过程中，载流子浓度会增加，并且发射极与集电极之间的电流也会增加。

三极管工作在饱和区的基本原理三极管工作在饱和区时，有以下几个特点：1.基结正向偏置：在饱和区，基结被正向偏置，使得基端导通。

三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断!这是我当年教电子技术时的一点心得，谈到三极管，初学的人很难理解，为了讲通讲透彻，我给学生做了一个形象的比喻：三极管就是一个资本家(全课堂哄然)，比如一个生产手机的资本家，生产一部手机，原材料100元，售价400元，利润率400%，相对于三极管的放大倍数就是4，原来一天生产100部，利润好几万，资本家觉得这生意不错，想扩大利润，提高产能，改成一天生产200部，也就是三极管的输入电流增加了，这时资本家发现了，利润成倍上涨，好啊!随即改成一天生产300部，后来改成一天生产400部、500部直到1000部，但是资本家很快发现，当产能超过800部时，利润就不再成比例上升了，而是缓慢上升，超过1000部，利润根本就不上升，维持原样，这是因为产量太大，市场饱和，售价下降等等，这时三极管就进入了饱和状态，输入电流再怎幺增加，输出电流也不会增加。

由于经济危机，产品销售不出去，资本家只好停产，每天一部也不生产，这时就相当于三极管进入截止状态，但是工厂总要维持，于是，就每天卖点原材料、废旧设备、废材料，或者组织工人打扫卫生，清理仓库和车间，卖点破烂，好歹每天能有点收益，这点收益就是三极管截止状态的漏电流。

也就是说，输入端没有一点电流，输出端还是有些微电流的。

从这个过程，我们可以发现，其实资本家只是放大了利润，原材料变成了成品，这中间要消耗大量的人力、脑力和电力。

三极管与此类同，三极管电流放大其实放大的是三极管输入端的信号，输出的是放大之后的信号，中间要消耗大量的电能，这些电能必须是直流电，例如电池或者整流后的交流电。

跟资本家维持工厂运转一样，人力、脑力和电力要基本维持稳定，不能天天乱变。

当然对于功率放大三极管，道理基本一样，不过放大的是信号的电流和电压，当然，投入的人力、脑力和电力仍。

三极管的饱和状态条件
三极管的饱和状态是指三极管的发射极与集电极之间没有电压降落，也就是说三极管处于完全导通状态。

那么，三极管进入饱和状态的条件有哪些呢？本文将简要介绍三极管饱和状态的条件。

1. 基极电压低于饱和电压
三极管的饱和状态，首先需要满足基极电压低于饱和电压。

这是因为当三极管处于饱和状态时，基极电流已经达到最大值，此时若基极电压继续增加，基极电流将不再增加，反而会减小，因此三极管无法再进入饱和状态。

2. 基极电流足够大
为了确保三极管能够进入饱和状态，需要保证基极电流足够大。

一般而言，基极电流的大小应该大于三极管的最小静态电流增益。

这是因为当基极电流足够大时，就能够确保发射区域的电子数目足够多，从而保证三极管能够进入饱和状态。

3. 集电极电流已经达到最大值
4. 负载电阻足够小
总的来说，三极管进入饱和状态还要注意一些细节问题，例如电压源的输入电阻、三极管分流电阻的大小、温度等因素，这些对于三极管进入饱和状态也存在一定的影响。

因此，在设计和使用电路时需要注意这些细节问题，从而确保三极管能够正常进入饱和状态。

三极管饱和区、放大区和截止区的理解方法图解三极管的三种状态三极管的三种状态也叫三个工作区域，即：截止区、放大区和饱和区。

（1）、截止区：三极管工作在截止状态，当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压，发射结没有导通集电结处于反向偏置，没有放大作用。

（2）、放大区：三极管的发射极加正向电压，集电极加反向电压导通后，Ib控制Ic，Ic与Ib近似于线性关系，在基极加上一个小信号电流，引起集电极大的信号电流输出。

（3）、饱和区：当三极管的集电结电流IC增大到一定程度时，再增大Ib，Ic也不会增大，超出了放大区，进入了饱和区。

饱和时，Ic最大，集电极和发射之间的内阻最小，电压Uce只有0.1V~0.3V，Uce《Ube，发射结和集电结均处于正向电压。

三极管没有放大作用，集电极和发射极相当于短路，常与截止配合于开关电路。

作为电子初学者来说，模拟电路非常重要,模拟电路的三极管的应用是重中之重,能正确理解三极管的放大区、饱和区、截止区是理解三极管的标志。

很多初学者都会认为三极管是两个 PN 结的简单凑合，如下图：这种想法是错误的，两个二极管的组合不能形成一个三极管，我们以 NPN 型三极管为例，如下图：两个PN 结共用了一个P 区（也称基区），基区做得极薄，只有几微米到几十微米，正是靠着它把两个PN 结有机地结合成一个不可分割的整体，它们之间存在着相互联系和相互影响，使三极管完全不同于两个单独的PN 结的特性。

三极管在外加电压的作用下，形成基极电流、集电极电流和发射极电流，成为电流放大器件。

三极管的电流放大作用与其物理结构有关，三极管内部进行的物理过程是十分复杂的，初学者暂时不必去深入探讨。

从应用的角度来讲，可以把三极管看作是一个电流分配器。

一个三极管制成后，它的三个电流之间的比例关系就大体上确定了，如下图所示：β 和α 称为三极管的电流分配系数，其中β 值大家比较熟悉，都管它叫电流放大系数。

三个电流中，有一个电流发生变化，另外两个电流也会随着按比例地变化。

三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，放大电路中的三极管是否处于放大状态或处于何种工作状态，对于学生是一个难点。

笔者在长期的教学实践中发现，只要深刻理解三极管三种工作状态的特点，分析电路中三极管处于何种工作状态就会容易得多，下面结合例题来进行分析。

一、三种工作状态的特点1．三极管饱和状态下的特点要使三极管处于饱和状态，必须基极电流足够大，即Is≥IBs。

三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压(Uces)很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式Uce＝Ec－IcRc，所以三极管饱和后，C、E间的饱和电阻RcEs=UcEs／Ics，UcEs很小，Ics最大，故饱和电阻RcEs很小。

所以说三极管饱和后C、E问视为短路，饱和状态的NPN型三极管等效电路如图1a所示。

2．三极管截止状态下的特点三极管截止后，C、E间的截止电阻Rce＝UcE／Ic，UcEs很大，等于电源电压，Ics极小，C、E 间电阻RcE很大，所以，三极管截止后C、E间视为开路，截止状态的NPN型三极管等效电路如图1b。

3．三极管放大状态下的特点要使三极管处于放大状态，基极电流必须为：0<IB<IBs。

三极管在放大状态时，IB与Ic成唯一对应关系。

当IB增大时，Ic也增大，并且IB增大一倍，Ic也增大一倍。

所以，Ic 主要受IB控制而变化，且Ic的变化比IB的变化大得多，即集电极电流Ic=β×IB。

三极管三种工作状态的特点如附表所示。

二、确定电路中三极管的工作状态下面利用三极管三种工作状态的特点和等效电路来分析实际电路中三极管的工作状态。

例题：图2所示放大电路中，已，其中R．为输入耦合电容在该位置的等效阻抗。

问：1．当输入信号最大值为＋730mV，最小值为－730mV时，能否经该电路顺利放大?2．当β=150时，该电路能否起到正常放大作用?分析：当向三极管的基极输入正极性信号时，其基极电流会增大，容易进入饱和状态：当向三极管的基极输入负极性信号时，其基极电流会减小，容易进入截止状态。

三极管饱和区
三极管是一种半导体器件，它由三个掺杂不同的区域组成：两个P型区和一个N 型区。

当正向偏置集电极-基极结，且基极电压大于开启电压时，集电极和发射极间会形成一个电流放大器。

当三极管的基极电压发生变化时，集电极和发射极间的电流也会发生相应的变化。

饱和区是指三极管的工作状态，它发生在集电极与发射极间电流已经达到最大值的情况下，此时再增加基极电压对电流的影响微乎其微。

在饱和区，三极管的集电极电流与基极电流之比会达到最大值，称之为饱和电流放大倍数。

需要注意的是，当三极管处于饱和区时，它的集电极-发射极间的电压会降低到最小值，这个值被称为饱和电压。

饱和电压与三极管的类型、工作温度、电流等因素有关。

因此，在设计电路时，需要根据应用要求选择合适的三极管型号，并合理控制工作电流和温度，以确保三极管在可靠的工作范围内。

三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断三极管饱和问题总结：1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。

根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和;倍数越大，饱和程度就越深。

2.集电极电阻越大越容易饱和;3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制问题：基极电流达到多少时三极管饱和?解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5mA，用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。

对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V。

下面是9013的特性表：问题：如何判断饱和?判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。

饱和的条件：1.集电极和电源之间有电阻存在且越大就越容易管子饱和;2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。

影响饱和的因素：1.集电极电阻越大越容易饱和;2.管子的放大倍数放大倍数越大越容易饱和;3.基集电流的大小;饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压;2.集电极的电压为0.3左右，基极为0.7左右(假设e极接地)谈论饱和不能不提负载电阻。

假定晶体管集-射极电路的负载电阻(包括集电极与射极电路中的总电阻)为R，则集-射极电压Vce=VCC-Ib*hFE*R，随着Ib的增大，Vce减小，当Vce&lt;0.6V时，B-C结即进入正偏，Ice已经很难继续增大，就可以认为已经进入饱和状态了。

本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。

三极管饱和问题总结：1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。

根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和;倍数越大，饱和程度就越深。

2.集电极电阻越大越容易饱和;3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制问题：基极电流达到多少时三极管饱和?解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5mA，用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。

对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V。

下面是9013的特性表：问题：如何判断饱和?判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。

饱和的条件：1.集电极和电源之间有电阻存在且越大就越容易管子饱和;2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。

影响饱和的因素：1.集电极电阻越大越容易饱和;2.管子的放大倍数放大倍数越大越容易饱和;3.基集电流的大小;饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压;2.集电极的电压为0.3左右，基极为0.7左右(假设e极接地)谈论饱和不能不提负载电阻。

假定晶体管集-射极电路的负载电阻(包括集电极与射极电路中的总电阻)为R，则集-射极电压Vce=VCC-Ib*hFE*R，随着Ib的增大，Vce减小，当Vce<0.6V时，B-C结即进入正偏，Ice已经很难继续增大，就可以认为已经进入饱和状态了。

当然Ib如果继续增大，会使Vce再减小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度饱和了。

三极管动态计算主要包括三极管的工作状态判断和动态分析。

以下是一些关于三极管动态计算的方法和步骤：
1. 判断三极管的工作状态：
- 放大状态：当基极电压大于发射极电压时，三极管正常工作，处于放大状态。

- 饱和状态：当三极管的B端电压逐渐升高，电流逐渐增大，电阻变小，C端电压逐渐降低，当B端电压和C端电压相等时，三极管达到饱和状态。

- 截至状态：当基极电压低于发射极电压时，三极管无法导通，处于截至状态。

2. 动态计算：
- 分析三极管的动态过程时，可以将B区看成一个可变的电阻。

在开始截至时，由于电流无法通过，电阻无穷大；随着P级加上电压导通，处于放大状态，三条线电流EBC，B端电压恒定电流增大，电阻变小，导致C端电压减小，最终B和C端电压相等时达到饱和。

- 计算三极管的动态过程时，需要根据三极管的工作状态和电路参数进行逐步推导，以得到各端电压、电流和电阻的变化。

三极管临界饱和状态
三极管的工作状态可以分为截止状态、放大状态和饱和状态。

饱和是指当三极管的发射极电流达到最大值时的状态。

在三极管的饱和状态下，发射极电流IB等于基极电流IE，而基极电流IE又等于集电极电流IC。

此时，三极管的集电极-发射极之间的电压VCE较小，一般低于0.2伏，而基极-发射极之间的电压VBE为正向饱和电压。

通过选择不同的工作状态，可以控制三极管的输出特性。

在饱和状态下，三极管具有较小的电压之间的压降，可以用于开关电路中。

同时，饱和状态下三极管的放大功能较弱，因此一般不适用于放大电路。

npn三极管饱和时点位1. 什么是三极管饱和三极管是一种常用的电子器件，广泛应用于电子电路中。

当三极管被正向极化时，电子会从发射极流向集电极，从而放大电流。

而三极管饱和指的是当输入电流较大时，三极管无法进一步放大电流，输出电流已经达到饱和状态。

2. 三极管的结构三极管由三个区域组成，分别是发射区、基区和集电区。

发射区掺杂有大量的载流子，基区掺杂较少，而集电区则掺杂更多。

这种不同的掺杂使得三极管具有放大特性。

2.1 发射区发射区的掺杂浓度较高，通常为n型掺杂，也有可能是p型掺杂。

发射区负责发射电子或空穴。

2.2 基区基区的掺杂浓度较低，通常为p型掺杂，也有可能是n型掺杂。

基区决定了三极管的工作特性。

2.3 集电区集电区的掺杂浓度较高，通常为n型掺杂，也有可能是p型掺杂。

集电区负责收集电子或空穴。

3. npn三极管饱和时点位的确定npn三极管饱和时点位的确定需要考虑两个重要参数：输入电流和负载电阻。

3.1 输入电流输入电流即流入三极管基极的电流。

当输入电流较小时，三极管处于放大状态；当输入电流较大时，三极管进入饱和状态。

因此，饱和时点位的确定与输入电流有密切关系。

3.2 负载电阻负载电阻是连接到三极管集电极上的负载元件。

负载电阻的大小会影响三极管的工作状态。

当负载电阻较小时，饱和时点位会提前；当负载电阻较大时，饱和时点位会延后。

4. 影响npn三极管饱和时点位的因素除了输入电流和负载电阻外，还有其他几个因素会影响npn三极管饱和时点位的确定。

4.1 环境温度环境温度的升高会导致npn三极管内部电阻的增加，从而使饱和时点位发生变化。

4.2 三极管的工作条件三极管的工作条件包括正向电压、工作电流以及电源电压等。

不同的工作条件会导致饱和时点位的差异。

4.3 三极管的封装和结构不同的封装和结构也会对饱和时点位产生影响。

例如，大功率三极管和小功率三极管的饱和时点位可能存在差异。

4.4 电路布局和线路长度电路布局和线路长度的差异会导致线路阻抗的改变，从而影响三极管的饱和时点位。

三极管截⽌失真与饱和失真
⼀、
截⽌失真是偏置电流太⼩使信号电压⾕底被削平，饱和失真是偏置电流太⼤使信号电压峰顶被削平。

共射放⼤器是反相放⼤，信号电压⾕底向上翻⾝为输出电压峰顶，信号电压峰顶向下翻⾝为输出电压⾕底。

故对共射放⼤器来说，若输出电压峰顶被削平，就判断为截⽌失真；若输出电压⾕底被削平，就判断为饱和失真。

⼆、
最简单的就是看波形。

三、
截⽌失真还是饱和失真
输⼊削底了，就是输⼊电压UBE太低了，UBE电压过低时管⼦是饱和还是截⽌就要看管⼦类型了。

NPN型管⼦，UBE太低是截⽌失真，PNP型管⼦，UBE太低是饱和失真。

输⼊削顶了，就是输⼊电压UBE太⾼了，UBE电压太⾼时管⼦是饱和还是截⽌就要看管⼦类型了。

NPN型管⼦，UBE太⾼是饱和失真，PNP型管⼦，UBE太⾼是截⽌失真。

1. 截⽌失真解决办法：UBE电压过低导致，可间接地增⼤IB来提⾼UBE（减⼩基极电阻Rb）；
2.饱和失真解决办法：UBE电压过⾼导致（也可以看做UCE汲取电⼦的能⼒不⾜），可间接地减⼩IB（增⼤基级电阻Rb），或者增⼤UCE（增⼤VCC，减⼩RC）。

四、。