22-4场效电晶体

电力电子技术试题第 1 章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在 __开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 __通态损耗 __，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为 __开关损耗 __。

3.电力电子器件组成的系统，一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 _保护电路 __。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通，承受反相电压截止 _。

6.电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。

7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。

9.对同一晶闸管，维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。

10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为， UDSM_大于 __Ubo。

11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。

14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。

15.IGBT 的开启电压 UGE（th ）随温度升高而 _略有下降 __，开关速度 __小于__电力 MOSFET。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。

电力电子复习题一、概念题1、KP100-8元件是额定电压为800V，额定电流为100A的普通晶闸管2、已经导通的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流减小至维持电流I H以下3、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和门极。

4、可关断晶闸管GTO，IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

5、当温度降低时，晶闸管的触发电流增加，反向漏电流减小。

6、电力场效晶体管MOSFET ，MOS控制晶闸管是SCR和MOSFET的复合管。

7、当加到单相全控桥式整流电路的电压为U2时，单相全控桥式整流电路的晶闸管所承受2U的最大反压是22U8、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为219、三相全控桥式有源逆变电路，晶闸管电流的有效值I T为d I310、在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2.45 U2。

11、180°导电型电压型三相桥式逆变电路，其换相是在同一相的上、下两个开关之间进行的。

12、在有源逆变电路中，逆变角 的移相范围应选35º~90º为最好。

13、单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是0°~90°14、三相半波相控整流电路中，纯电阻性负载时，输出的电压波形为连续和断续的临界状态所对应的控制角α为30度。

15、三相桥式相控整流电路中，纯电阻性负载时，输出的电压波形为连续和断续的临界状态所对应的控制角α为60度。

16、用于晶闸管的过电压保护的元件有避雷器、阻容吸收电路、压敏电阻、硒堆17、电力晶体管的正偏安全工作区由以下四条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压线，集电极最大允许功耗线，集电极最大允许电流线和二次击穿功率线18、降压斩波电路中，已知电源电压U d=16V，负载电压U0=8V，周期Ts=4ms，则开通时间T on为2ms19、单相桥半控整流电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是防止失控现象的发生21、单相交流调压电路中，负载是阻感性时移相范围是φ~180º。

精密贴片电阻-阻值表精密贴片电阻是用代码来计算的，如01C就是10K。

下面是代码，就像查字典一样。

又例如：10欧的电阻用代码01X表示，仔细看下表你就会明白的。

一点没有数字标注的直观方便，下面就是阻值表，以备自己查验：标准阻值表 E-96?? 0603F(+1%) Standard Resistance Table(训练教材)制订日期：修订日期：编写人：审核人：批准人：1.0 目的制订本指南﹐规范公司的各层工作人员认识及辩别日常工作中常用的各类元件．2.0 范围公司主要产品(电脑主机板)中的电子元件认识:2.1工作中最常用的电子元件有﹕电阻﹑电容﹑电感﹑晶体管(包括二极管﹑发光二极管及三极管)﹑晶体﹑晶振(振荡器)和集成电路(IC)。

2.2 连接器件主要有﹕插槽﹑插针﹑插座等。

2.3 其它一些五金塑胶散件﹕散热片﹑胶钉﹑跳线铁丝等。

3.0 责任3.1 公司的各层工作人员﹐正确认识及辩别日常操作中常用的各类元件﹐结合产品BOM的学习并应掌握以下基础知识或内容﹕A) 从外观就能看出该元件的种类﹐名称以及是否有极性(方向性)。

B) 从元件表面的标记就能读出该元件的容量﹐允许误差范围等参数。

C) 能辩识各类元件在线路板上的丝印图。

D) 知道在作业过程中不同元件需注意的事项。

3.2 本指南由品管部负责编制;4.0 电子元件4.1 电阻电阻用“R”表示﹐它的基本单位是欧姆(Ω)1MΩ(兆欧)=1000KΩ(千欧)=1000000Ω公司常用的电阻有三种﹕色环电阻﹑排型电阻和片状电阻。

4.1.1 色环电阻色环电阻的外观如图示﹕图1 五色环电阻图2 四色环电阻较大的两头叫金属帽﹐中间几道有颜色的圈叫色环﹐这些色环是用来表示该电阻的阻值和范围的﹐共有12种颜色﹐它们分别代表不同的数字(其中金色和银色表误差)﹕1).四色环电阻(普通电阻)﹕电阻外表上有四道色环﹕这四道环﹐首先是要分出哪道是第一环﹑第二环﹑第三环和第四环﹕标在金属帽上的那道环叫第一环﹐表示电阻值的最高位﹐也表示读值的方向。

五分钟让你看懂 FinFET打开这一年来半导体最热门的新闻，大概就属FinFET了，例如：iPhone 6s 内新一代A9应用处理器采用新电晶体架构很可能为鳍式电晶体（FinFET），代表FinFET开始全面攻占手机处理器、三星与台积电较劲，将10 纳米 FinFET 正式纳入开发蓝图、联电携 ARM，完成 14 纳米 FinFET 制程测试。

到底什么是FinFET它的作用是什么为什么让这么多国际大厂趋之若骛呢什么是 FETFET的全名是“场效电晶体（Field Effect Transistor，FET）”，先从大家较耳熟能详的“MOS”来说明。

MOS 的全名是“金属－氧化物－半导体场效电晶体（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）”，构造如图一所示，左边灰色的区域（矽）叫做“源极（Source）”，右边灰色的区域（矽）叫做“汲极（Drain）”，中间有块金属（绿色）突出来叫做“闸极（Gate）”，闸极下方有一层厚度很薄的氧化物（黄色），因为中间由上而下依序为金属（Metal）、氧化物（Oxide）、半导体（Semiconductor），因此称为“MOS”。

MOSFET的工作原理与用途MOSFET的工作原理很简单，电子由左边的源极流入，经过闸极下方的电子通道，由右边的汲极流出，中间的闸极则可以决定是否让电子由下方通过，有点像是水龙头的开关一样，因此称为“闸”；电子是由源极流入，也就是电子的来源，因此称为“源”；电子是由汲极流出，看看说文解字里的介绍：汲者，引水于井也，也就是由这里取出电子，因此称为“汲”。

当闸极不加电压，电子无法导通，代表这个位是 0，如图一（a）所示；当闸极加正电压，电子可以导通，代表这个位是 1，如图一（b）所示。

MOSFET是目前半导体产业最常使用的一种场效电晶体（FET），科学家将它制作在矽晶圆上，是数码讯号的最小单位，一个 MOSFET 代表一个 0 或一个 1，就是电脑里的一个“位（bit）”。

五分钟让你看懂FinFETGate打开这一年来半导体最热门的新闻，大概就属FinFET 了，例如：iPhone6s 内新一代A9应用处理器采用新电晶体架构很可能为鳍式电晶体（FinFET）,代表FinFET开始全面攻占手机处理器、三星与台积电较劲，将10纳米FinFET正式纳入开发蓝图、联电携ARM，完成14纳米FinFET制程测试。

到底什么是 FinFET 它的作用是什么为什么让这么多国际大厂趋之若骛呢什么是FETFET的全名是“场效电晶体（Field Effect Transistor，FET）”，先从大家较耳熟能详的“MOS”来说明。

MOS的全名是“金属一氧化物一半导体场效电晶体（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET）”，构造如图一所示，左边灰色的区域（矽）叫做“源极Source）”，右边灰色的区域（矽）叫做“汲极（Drain）”，中间有块金属（绿色）突出来叫做“闸极（Gate）”，闸极下方有一层厚度很薄的氧化物（黄色），因为中间由上而下依序为金属（Metal）、氧化物（Oxide）、半导体（Semiconductor），因此称为“MOS”。

MOSFET的工作原理与用途MOSFET的工作原理很简单，电子由左边的源极流入，经过闸极下方的电子通道，由右边的汲极流出，中间的闸极则可以决定是否让电子由下方通过，有点像是水龙头的开关一样，因此称为“闸”；电子是由源极流入，也就是电子的来 源，因此称为“源”；电子是由汲极流出，看看说文解字里的介绍：汲者，引水 于井也，也就是由这里取出电子，因此称为“汲”。

置一MOSFET 代表一恒0或一旭1 ।就是盘藤理的一周「位元［uit ） _。

当闸极不加电压，电子无法导通，代表这个位是0，如图一（a ）所示；当 闸极加正电压，电子可以导通，代表这个位是1,如图一（b ）所示。

MOSFET 是目前半导体产业最常使用的一种场效电晶体（FET ），科学家将它 制作在矽晶圆上，是数码讯号的最小单位，一个MOSFET 代表一个0或一个1, 就是电脑里的一个“位（bit ）"。