模拟电子技术期中考试题及答案

模拟电子技术期中考试卷
1.（10分）两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T 1的g m =1ms ，r ds =200k Ω， T 2的β=50，r be =1k Ω，⑴画出该放大电路的微变等效电路；
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ；
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. （10分）已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，V CC ＝15V ， R L ＝8Ω。

选择正确答案填入空内。

（1）电路中D1和D2管的作用是消除 。

A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。

A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V
（3）最大输出功率P OM 。

A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W
（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压 。

A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D1虚焊，则T1管 。

A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
U
o
CC。

模拟电子技术期中考试题1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分）（1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是共集电放大电路；输入电阻最小的是共基放大电路；输出电压与输入电压反相的是共射放大电路；电压放大倍数最大的是共射和共基放大电路；电压放大倍数最小的是共集电放大电路；输出电阻最小的是共集电放大电路；电流放大倍数最大的是共集电放大电路；既有电流放大又有电压放大的是共射放大电路。

（2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有共价键（或晶格对称）结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成P型半导体，其多子是空穴，少子是自由电子，不能移动的离子带负电；掺入微量的五价杂质元素，可获得N型半导体，其多子是自由电子，少子是空穴，不能移动的离子带正电。

（3）二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个区。

双极型三极管的输出特性曲线上可分为放大区、饱和区和截止区三个区。

（4）双极型管主要是通过改变基极小电流来改变集电极大电流的，所以是一个电流控制型器件；场效应管主要是通过改变栅源间电压来改变漏极电流的，所以是一个电压控制型器件。

（5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结正偏、集电结反偏。

（6）放大电路的基本分析法有静态分析法和动态分析法；其中动态分析法的微变等效电路法只能用于分析小信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用估算法和图解法。

（7）多级放大电路的耦合方式通常有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种方式；集成电路中一般采用直接耦合方式。

（8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为非线性失真；频率失真称为线性失真。

2.简答题：（每小题10分，也可任意选作）（1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz时，周期档位如何选择？答：双踪示波器在电子仪器中可以用来准确显示任意波形、任意频率和一定幅度的电信号轨迹。

模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。

2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。

3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。

4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。

5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。

答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。

苏州大学 模拟电子技术 课程期中试卷共 5 页 考试形式 开 卷 2014 年 11 月院系 年级 专业学号 姓名 成绩一、（8分）什么是放大？放大的对象是什么？负载上获得的功率来自何处？答：放大指不失真地将微弱的电信号增强到人们所需要的数值。

放大对象为电信号（电压、电流或功率）。

负载上获得的功率来自直流电源的能量。

二、（10分）半导体材料包括那几个种类？分别举例说明。

答：包括纯净半导体（或本征半导体）和掺杂半导体（或杂质半导体）。

纯净半导体又包括元素半导体和化合物半导体。

元素半导体，如硅（Si ）、锗（Ge ）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs ）等。

掺杂半导体又包括N 型和P 型半导体。

N 型半导体：比如在硅材料中掺杂五价元素如磷（P ）、砷（As ）或锑（Sb ）等；P 型半导体：比如在硅材料中掺杂三价元素如硼（B ）或铟（In ）等。

三、（10分）说明二极管V -I 特性在正向导通区和截止区内三种简化模型的名称，分别用代数表达式和函数曲线的形式描述这三种简化模型。

答：理想模型，恒压降模型和折线模型，分别如下图所示。

D D D D 0,when:00,when:0i v i v >=⎧⎨=<⎩ D D on D D on 0,when:0,when:i v V i v V >=⎧⎨=<⎩ D th D D th D D D th,when:0,when:v V i v V R i v V -⎧>≥⎪⎨⎪=<⎩ 四、（12分）图示电路中二极管为理想二极管。

（1）判断二极管是否导通；（2）画出等效电路图；（3）求输出电压v O 。

解：（1）假设二极管D导通，则二极管可用短路线等效，其电流为i D=(−9+6)∕3=−1mA，和假设矛盾，所以二极管实际截止；（2）；（3）v O=−6V。

五、（10分）BJT共射输出特性曲线上有哪几个工作区域？写出BJT的电压电流在这些工作区域内分别具备的特征。

《模拟电路》课程期中试卷班级姓名学号成绩一、选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）（每小题2分、共30分）1. 在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变( )A.发射极电阻B. 基极电阻C. 集电极电阻D.三极管的值2.在三极管的基本组态电路中 ( )A.共发组态输出电阻最小B.共发组态输入电阻最小C.共基组态输出电阻最小D.共集组态输入电阻最大3. 若要稳定输出电流同时提高输入电阻，可加入下列负反馈()A.电流串联B.电压串联C.电流并联D.电压并联4. 为了稳定静态工作点，电路中应该引入()A.交流负反馈B.直流负反馈C.直流正反馈D.交流正反馈5. 差分放大器是一种直接耦合放大器，它( )A.只能放大直流信号B.只能放大交流信号C.不能放大交流信号D.可以抑制共模信号6. 直接耦合放大电路零点漂移产生的主要原因是( )A.输入信号较大B.环境温度C.各元件质量D.电压放大倍数7. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“TIME/DIV”的指示值是2μs，则所测正弦波的频率为（）A．500kHz B．250kHz C．125kHz D．100kHz8. 如上图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“mV/DIV”的指示值是50，则所测正弦波的最大值为（）A.230 mV B．80 mV C．115 mV D．100 mV9. 用万用表欧姆档辨别发光二极管的阴、阳极时，应该把欧姆档拨到（）A．R×100或R×1k档B．R×1档C．R×10档D．R×10k档10. 若反馈信号与输出电压信号成比例，则引入的反馈是( )A.电流负反馈B.电压负反馈C.并联负反馈D.串联负反馈11. 在深度负反馈下闭环放大倍数比较稳定的原因是( )A.改善了非线性失真B.输入电阻增大C.输出电阻减小D.反馈网络的稳定特性12. 集成运放为了克服温漂问题，输入级大多采用的电路为( )A.共射电路B.差分放大电路C. 共集电路D. 共基电路13. 要从函数信号发生器上输出峰峰值为50mV的信号，正确的衰减设置( )A.全部弹出B.仅20dB按钮按下C.仅40dB按钮按下D.全部按下14. 电压跟随器在电路中可能起的作用有( )A.放大电压信号B.放大电流信号C.减小电路的输入电阻D.缓冲数据15. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,后者的运放通常工作在（）A．深度负反馈状态 B. 放大状态 C. 开环或正反馈状态 D.线性工作状态二、填空题（每小题2分，共12分）1. PNP型三极管工作在放大状态，三点的电位关系为。

模拟电子技术期中试卷（一）一、选择题。

（每题3分，共36分）1.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于_______。

A.掺杂工艺B.温度C.杂质浓度D.晶体缺陷2.在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，已量出由此可知对应电极①是______。

A.发射B.基极C.集电D.不定3.晶体三极管用来放大时,应使发射结处于_______偏置,集电结处于_______偏置.A.正向,反向B.反向,正向C.反向,反向D.不定4.如果在电路中测出某NPN管三个电极对地电位分别为:则该管工作在______区。

A.放大B.饱和C.截止D.击穿5.PNP型晶体三极管处于放大状态时,各级电位关系正确的是______。

A.<<B.<<C.>>D.<<6.在图示电路中,设C1、C2对交流信号的影响可以忽略不计,当输入f=1KHz的正弦电压信号后,用示波器观察和,则二者的相位关系为_______。

A.相差90oB.相差45oC.相同D.相差180o7.为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用。

A．共射电路 B.差动放大电路C．OCL电路（互补对称电路）D.共集电路8.在放大器中引入直流负反馈,说法正确的是______。

A.稳定输出电压B.稳定输出电流C.性能不变D.静态工作点稳定性变好9．射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（）A.电压放大倍数近似为1B.r i很大C.r O很小10.PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，______。

A．其反向电流增大B．其反向电流减小C．其反向电流基本不变11.由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压为_______。

A.-12VB.+6VC.-6VD.+12V12.在甲乙类互补对称功放电路中，为了改善交越失真，应_______。

A.适当提高电源电压B.适当增加负载电阻的阻值C.适当减小功放管静态参数D.适当增大功放管静态参数二、填空题。

模拟电子技术期中测验题及答案————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：2013－2014学年第(2)学期期中考试答案课程代码 0471003/3122200 课程名称 模拟电子技术A/模拟电子技术教师签字一、选择及填空题:（共52分，每空2分）1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。

由此可判断电极①是 C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是_ A ___（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A ．40 ，B ．100，C ．400）。

2．写出图示各电路的输出电压值（设二极管导通电压V U D 7.0=），=1O U 1.3V ，=2O U 0v 。

3.已知下面图（a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。

影响f L 大小的因素是 C ，影响f H 大小的因素是 A 。

（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）ff Hf LOC R b R c+V CCu i( a )( b ).A u20lg u o当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C.0.9）倍。

当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 C （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。

题号 一 （52分） 二.1 （18分） 二.2 （14分） 二.3（16分） 总成绩 得分 班 级 学 号 姓 名密封装订线密封装订线R b +V CCC 2R LC 1u i u o 120236u CE V60μA 40μA50μA 30μA 51448=10μA I B 20μA 2610VTR c Qi C mA4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k Ω负载后，输出电压降为 4V ，这说明放大电路的输出电阻为 0.5K Ω 。

模电期中考试题库及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管工作在放大区的条件是（）。

A. 基极电流大于集电极电流B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置C. 发射结反向偏置，集电结正向偏置D. 发射结和集电结都正向偏置答案：B2. 理想运算放大器的输入电阻是（）。

A. 0ΩB. ∞ΩC. 1ΩD. 1kΩ答案：B3. 共发射极放大电路中，若基极电流增大，则集电极电流将（）。

A. 增大B. 减小C. 不变D. 无法确定答案：A4. 在多级放大电路中，耦合方式为（）可以避免零点漂移。

A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：A5. 差分放大电路中，若输入信号为共模信号，则输出电压将（）。

A. 增大B. 减小C. 基本不变D. 无法确定答案：C6. 场效应管的控制量是（）。

A. 漏极电流B. 漏极电压C. 栅源电压D. 漏极电流和漏极电压答案：C7. 正弦波振荡电路中，若要产生正弦波，则相位移动网络的相位移动量应为（）。

A. 90°B. 180°C. 270°D. 360°答案：A8. 理想二极管的正向导通电压为（）。

A. 0VB. 0.7VC. 0.3VD. 1V答案：A9. 电源滤波电路中，若要提高滤波效果，可以（）。

A. 增大电感B. 增大电容C. 增大电阻D. 减小电感答案：B10. 负反馈放大电路中，反馈信号与输入信号相位（）。

A. 相同B. 相反C. 无法确定D. 有时相同有时相反答案：B二、填空题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是发射极、集电极和______。

答案：基极2. 运算放大器的差模输入电压是两个输入端电压的______。

答案：差值3. 共基极放大电路的电流增益为______。

答案：14. 差分放大电路的差模输入电压是两个输入端电压的______。

答案：差值5. 场效应管的漏极电流与栅源电压之间的关系是______。

专科《模拟电子技术》模拟题试卷一.（共60题,共150分）1.理想的功率放大电路应工作于()状态。

（2分）A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案：C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。

（2分）A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案：A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。

（2分）A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案：B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是()。

（2分）A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案：C5.为了提高电压放大倍数，希望放大电路的()大一些。

（2分）A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案：D6.当PN给外加反向电压时，其内部的扩散电流将()漂移电流。

此时，耗尽层的宽度将()。

（2分）A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案：C7.差动放大电路的特点是抑制()信号，放大()信号。

（2分）A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案：B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位()。

（2分）A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案：A9.直流电源滤波的主要目的是：()。

（2分）A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案：D10.电路如图所示。

若V1管正负极接反了，则输出()。

（2分）A.只有半周波形B.全波整流波形，但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案：D11.双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。

场效应管是控制器件。

（2分）★检查答案标准答案：1.电流;2.正向;3.反向;4.电压;12.在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。

模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子电路中，放大器的基本功能是（）。

A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是（）。

A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是（）。

A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ，输出电阻是50Ω，那么它的电压增益是（）。

A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V，当通过它的电流为20mA时，消耗的功率是（）。

A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线，说明这个电路是（）。

A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10，电压增益是-100，那么它的输出电阻是（）。

A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是（）。

A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中，什么是“饱和区”？A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波，输出信号是方波，这个放大器可能应用在（）。

A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案：1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电子电路中，________是用来测量电路输出电压的仪器。

2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。

3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。

4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。

5. 负反馈可以提高放大器的________和________。

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。

答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。

答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。

答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。

答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。

答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。

电工电子技术模拟考试题+参考答案一、单选题（共37题，每题1分，共37分）1.纳入IP数据网的红外故障,IP网管机房人员要利用PING命令在( )内判断出故障区段,是属于IP网络故障还是地区接入或终端故障。

A、2分钟B、5分钟C、10分钟D、3分钟正确答案：B2.275W扩音机的杂音电平的标准是( )。

A、≤-40dBB、≤-80dBC、≤-60dBD、≤-56dB正确答案：C3.音频分机通常使用的晶体管有( )二极管。

A、普通B、检波C、稳压D、发光正确答案：C4.网管终端操作用户登录后,可以修改自己的( )。

A、维护级别B、维护权限C、登录密码D、登录权限正确答案：C5.事故发生在区间,应在1h内开通电话、( )内开通图像A、1.5hB、2hC、45minD、30min正确答案：B6.列车广播工区对管内设备每列车底,每年( ),要对广播机使用情况进行添程检查。

A、1—2次B、3次C、4次D、5次正确答案：A7.数据网日常监测维护里的数据的维护管理的周期是。

( )A、每周2次B、每日1次C、每周1次D、每日2次正确答案：C8.(考题) 郑西线北电BTS9000出现“Blockedairinlet”告警最可能是( )模块引发的。

A、DDMB、RICAMC、SICSD、RMBlockedairinlet:堵塞的空气入口正确答案：C9.非均匀量化的实现方式是采用了什么技术( )A、编码解码技术B、扩频解频技术C、压缩扩张技术D、调制解调技术正确答案：C10.我国PCM一次群速率为( )。

A、2048Kb/sB、64Kb/sC、16Kb/sD、1024Kb/s正确答案：A11.铁路IP骨干网分二层结构:核心层、( )接入层。

A、数据层B、作业层C、管理层D、汇聚层正确答案：D12.OSPF路由协议报文在IP包中的协议号是 ( )。

A、65B、86C、3D、89正确答案：D13.在internet的基本服务功能中,远程登录所使用的命令是( )。

2012/2013（一）学年《模拟电子技术基础》期中考试试题姓名 学号 班级 任课教师一．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×，共15分）1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。

（ × ）2．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态。

（√ ）， 3. 三极管的外部电流关系是B Ci i β=，这是一个线性方程，所以三极管是线性器件。

（ × ）4．为了保证晶体管BJT 工作在线性放大区，其发射结和集电结都应加上正向偏置电压。

（ × ）5．测出某三极管的共基电流放大系数α小于1，表明该管子没有放大能力。

（ × ）6．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的大。

（×）7. 小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换。

（ √ ）；8．双极型晶体管具有NPN 或PNP 对称结构，发射极和集电极可以互换。

（ × ）9．晶体管的输入电阻rbe 是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。

（ × ）10．在共射放大电路中，当负载电阻RL 减小，电压放大倍数下降。

（ √ ）11．共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。

（ × ）12．如果输入级是共集放大组态，则输入电阻与后级有关。

（ √ ）13．放大直流信号，只能采用直接耦合方式。

（ √ ）14．放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。

（ × ）15．一个NPN 管和一个PNP 管可以复合成NPN 管也可以复合成PNP 管。

（ √ ）二、填空题：（每小题2分，共20分，）1. P 型半导体的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 电子 。

2. 一个由NPN 型BJT 组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低，则随着输入电压的增加，输出将首先出现 截止 失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现 饱和 失真。

模电期中测试题 参考答案一、填空题：（20分）1、最常用的半导体材料有 和 。

硅；锗2、在半导体中，参与导电的不仅有 ，而且还有 ，这是半导体区别于导体导电的重要特征。

自由电子；空穴3、如果在本征半导体晶体中掺入五价元素的杂质，就可以形成______________型半导体。

N （电子型）4、P 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。

空穴、自由电子5、在杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质的__________，少子的浓度主要取决于__________。

浓度；温度6、当PN 结正向偏置时，PN 结处于 状态；当PN 结反向偏置时，PN 结处于 状态，可见，PN 结具有 性。

导通、截止、单向导电性7、要使稳压二极管起到稳压作用，稳压二极管应工作在 区。

反向击穿8、晶体三极管工作在放大状态的外部条件是 、 。

发射结正偏、集电结反偏9、当三极管工作在 区时，关系式B C I I β=才成立；当三极管工作在 区时，0≈C I ；当三极管工作在 区时，0≈CE U 。

放大区、截止区、饱和区10、___________是衡量放大电路对不同频率输入信号适应能力的一项技术指标。

频率响应二、选择题：（20分）1、在如图所示电路中，工作于正常导通状态的二极管是（C ）2、图示电路中当开关S 闭合后，H1和H2两个指示灯的状态为（C ）。

A ．H1、H2均发光B ．H1、H2均不发光C ．H1发光、H2不发光D ．H1不发光、H2发光3、3DG6D型晶体三极管的PCM =100毫瓦，ICM=20毫安，UBR(CEO)＝30伏，如果将它接在IC＝15毫安，UCE＝20伏的电路中，则该管（C）A. 被击穿B. 工作正常C. 功耗太大过热甚至烧坏4、共射极放大电路中信号的输入端是（B）。

A 发射极B 基极C 集电极D 栅极5、某单管共发射极放大器的输出电压波形如图所示，则该放大器产生了（B）。

A、饱和失真B、截止失真C、频率失真 D．交越失真6、电路如图所示，要增加三极管集电极静态电流，最有效的方法是( D )。

模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。

4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。

A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。

A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。

A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。

B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。

C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。

D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。

4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。

A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。

A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。

2013－2014学年第(2)学期期中考试答案课程代码 0471003/3122200 课程名称 模拟电子技术A/模拟电子技术:（共52分，每空2分）1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。

C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是_ A ___（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A ．40 ，， C ．400）。

V U D 7.0=），=1O U 1.3V ，=2O U 。

a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。

影响f L 大小的因素是 C ，影响f H 大小的因素是 A 。

（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）HLV CC( a )( b )f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9）f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 C （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。

5V ；接入2k Ω负载后，输出电压降为 班 级 学 号 姓 名R L12E4826104V，这说明放大电路的输出电阻为0.5KΩ。

5．为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。

（1）．电压放大倍数uA >10，并具有较大的电流放大能力的电路是 A 。

（2）．电压放大倍数uA >10，并且输出电压与输入电压同相的电路是 C 。

（3）．电压放大倍数uA ≈1，输入电阻iR>100kΩ的电路是 B 。

L( a )L( b )L( c )6．放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示，直流负载线和Q点也标在图上（设U BEQ＝0.7V）。

（1）电源电压V CC= 12 V，cR= 2 Ωk，bR= 377 Ωk；最大不失真输出电压幅值=omU 4.5 V；；为获得更大的不失真输出电压，bR应减小（增大、减小）（2）若Ω=KR6L，画出交流负载线，要标出关键点的数值；(2分)7. 欲将方波电压转换成三角波电压，应选用哪种运算电路 B 。