常用半导体器件测试范例

《半导体器件》mos输出特性测试适实验
一、实验目的
1.通过实验对mos管输出特性深入了解。

2.知道如何绘制mos管输出特性曲线。

二、实验仪器设备
1.一台计算机
2.测试设备：Agilent4155C阻抗分析仪
3.一个SD214n型增强型MOS管
三、测试参数设置
1.我们先讲器件选择为cmos，曲线选择输出特性曲线，按照图中将参数设置好。

2.得出mos管的输出特性曲线
四、器件测试结果
Mos管输出特性曲线
五、结果分析
1.Mos管萨之唐方程：
这是线性工作区的直流线性方程，当Vds很小时，Ids与Vds呈线性关系。

Vds稍大时，Ids上升变慢，特性曲线弯曲。

图1 二极管外型图 实验一 常用半导体器件的识别与简单测试一． 实验目的1．掌握用万用表判别二极管的极性。

测量二极管的正向压降及稳压管的稳压值。

2．掌握用万用表判别三极管的类型和e 、b 、c 三个管脚。

二． 预备知识半导体二极管和三极管是组成分立元件电子电路的核心器件。

二极管具有单向导电性，可用于整流、检波、稳压、混频电路中。

三极管对信号具有放大作用和开关作用，它们的管壳上都印有规格和型号。

（一）．二极管的识别与简单测试1．普通二极管的识别与简单测试普通二极管一般为塑料封装和金属封装两种，它们的外壳上均印有型号和标记。

标记箭头所指方向为阴极，如图1所示。

国外的产品一般在阴极端印有一个标记。

若遇到型号标记不清或不能确定其极性时，我们可以借助数字万用表的“”档作简单判别。

测量原理：该挡测量时输出一个恒定电流约为1mA ，显示值为二极管正向压降近似值，单位是mV ；显示溢出数“1”，表示无穷大。

具体做法是：用红、黑两表笔分别接触二极管的两个引脚。

假如先显示溢出数“1”(反向)，再交换两表笔．必然为正向测试。

假设显示的读数为617。

这说明：①二极管是好的。

②二极管的正向压降为617mV 即 O.617 V 。

③显示正向压降时，红表笔所接的引脚为二极管的正极，黑表笔所接则为负极。

假如两次测量均显示溢出数“1”或两次均有较小的压降读数的话，表明该二极管已损坏。

在数字万用表中，“”挡和欧姆档红表笔是高电位，黑表笔低电位，正好与指针式模拟万用表相反。

2．特殊二极管的识别与简单测试特殊二极管的种类较多，在此我们只介绍两种常用的特殊二极管。

①．发光二极管(LED)发光二极管通常是用砷化镓、磷化镓等制成的一种新型器件。

它具有工作电压低、耗电少、响应速度快、抗冲击、耐振动、性能好以及轻而小的特点，被广泛应用于单个显示电路或作成七段矩阵式显示器。

而在电路实验中，常用作逻辑显示器。

发光二极管的电路符号如图2（a ）所示。

半导体测试方法嘿，朋友们！今天咱就来唠唠半导体测试方法这档子事儿。

你说半导体这玩意儿，就像一个神秘的小盒子，里面藏着无数的秘密和惊喜。

而测试方法呢，那就是打开这个小盒子的钥匙呀！要是没有合适的钥匙，咱可就没法好好探索里面的奇妙世界啦。

咱先说说直流参数测试吧。

这就好比给半导体来个全面体检，看看它的各种基本指标正不正常。

电流啦、电压啦，都得好好量一量。

就像咱去医院体检，身高、体重、血压啥的都得查一遍，心里才有底嘛！你想想，如果这些基本参数都不靠谱，那后面还怎么指望它好好工作呀？还有交流参数测试呢，这就有点像听半导体唱歌啦！听听它的频率、相位这些声音好不好听，顺不顺畅。

要是它唱得磕磕绊绊的，那肯定不行呀，咱得让它唱出优美动听的旋律才行呢！然后呢，就是功能测试啦。

这就像是让半导体去表演个节目，看看它能不能把规定的动作都完美完成。

比如能不能准确地处理信号呀，能不能稳定地传输数据呀。

要是在表演的时候掉链子，那可就尴尬啦！再说说可靠性测试吧，这可太重要啦！就像咱交朋友，得找个靠谱的呀，不能今天好得要命，明天就不靠谱了。

半导体也得经得住时间的考验呀，不能用着用着就出毛病了。

测试的时候可得细心再细心，就像给宝贝疙瘩做护理一样。

稍微有一点马虎，可能就会放过一些小毛病，那以后可就麻烦大啦！这可不是闹着玩的呀，朋友们！咱想想看，如果一个半导体没经过好好测试就投入使用，那不就像让一个没经过训练的运动员去参加比赛一样吗？结果肯定好不到哪儿去呀！所以说呀，半导体测试方法可真是太重要啦，这可关系到各种电子设备的质量和性能呢！咱可不能马虎，得认真对待，让半导体发挥出它最大的作用，给我们的生活带来更多的便利和精彩！这就是我对半导体测试方法的看法，你们觉得呢？原创不易，请尊重原创，谢谢!。

实验报告课程名称：功率半导体器件应用实验学生姓名郭衡班级电子技术1704学号117419002064指导教师李军军成绩2019年月日实验名称：实验一：MOSFET特性测试实验课时：3学时实验日期、时间：2019年10月27日下午2点实验消耗器材：JK9610AMOS管测试仪实验仪器设备：示波器、台式万用表实验目的：掌握常见功率器件参数的测试方法和原理实验内容（实验原理、运用的理论知识和数据、算法、程序、步骤和算法）：MOS场效应管管击穿电压、栅极开启电压、跨导的测试以IRF540和IRF530管子为例，测量上述参数，步骤如下：1、击穿电压VDSS和开启电压的VGS的测量，先选择开关的电流值，MOS 管一般选择25uA。

把高压开关拨到ON，调节电压，数字表显示大于开关器件击穿电压的130%〜150%，测试时只要指示灯量了就表示电压足够了。

注意：调好电压后必须把“高压”开关关断（OFF位置上）2、把被测试的场效应管插入VDSS/VGS测试座，MOS管的D极必须对应测试座的插座中间孔“D”中。

3、测试VDSS时续保测试后右侧开关拨至VDSS位，然后按下仪器右下方的VDSS按钮，电压表此时显示的值为该MOS管的击穿电压值。

4、把测试盒上的开关拨至VGS位，按下按下仪器右下方的VGS按钮，电压表此时显示的值为该MOS管的栅极开启电压电压值。

5、跨导测试，测量跨导Gfs时，需用两根粗的附加的测试线。

附加线分为D线(红色)和黑色S2线(黑色)，这两根线分别插入仪器左边第二排的D和S2插孔中。

6、D线另一端的鳄鱼夹夹住测试盒左上方的铜螺栓上的“D” (Idm<20A 时)，S2线另一端鳄鱼夹必须夹在被测试MOS管S1脚上(被测试管插在测试座上)。

7、测试前仪器右上角的Idm开关必须先拨至OFF上，插上测试管，按步骤接好线，把Idm开关必须先拨至ON上，短路指示灯亮后没灭，机内有蜂鸣声响后又停，属于正常现象。

电子测量方法与测量仪器8——半导体测量(四) 半导体器件检测半导体器件也叫“晶体管”，如：（双极型）三极管、二极管、场效应管、晶闸管、各种集成电路等，种类繁多，广泛应用于各种电子电路中。

判断电路中半导体器件的好坏、检测其基本的性能，是电器电路故障诊断的重要测量项目。

本节探讨：使用万用表欧姆档，或者配合使用一些简单装置，检测半导体器件的方法，这在电器电路故障诊断中具有非常重要的实用意义。

(1) PN结特性与半导体器件基本检测方法在半导体材料中，P型区域与N型区域的交界处附近会形成一个特殊的区域，这个区域叫PN结，如图（3-23）所示。

PN结是半导体器件的核心，检测半导体器件实际上就是通过外部引脚（线），测量内部PN结。

PN结具有三个重要特征：单向导电；正向导通压降；反向击穿电压，它们是判断PN结好坏、识别无标识的半导体器件类型和各引脚电极的主要依据。

由于二极管就是一个单独封装的PN结，因此二极管和PN结用相同的符号表示。

以下通过对二极管的特性描述，说明单独PN结的上述三个特征：单向导电：当给二极管施加正向电压时，即正极（连接到P区）接正、负极（连接到N区）接负，如图（3-23）中所示方向。

二极管呈现为导通状态，有正向电流流过，并且该电流将随着正向电压的增加，急剧增大；当给二极管施加相反的电压时，二极管呈现为截止状态，只有少量的穿透电流I BO（uA级以下）流过。

正向导通压降：二极管加上正向电压导通后，会保持一个相对固定的端电压V F，V F称为“正向导通压降”，其数值依选用的半导体基材不同有别，锗半导体约为0.3V；硅半导体约为0.7V。

反向击穿电压：当给二极管施加的反向电压值达到其所能承受的极限值（反向击穿电压V Z，大小因二极管的型号不同有别）时，二极管呈现为导通状态，且在允许的反向电流范围内，其端电压会基本保持为V Z，即二极管反向击穿后具有“稳压特性”。

伏安特性曲线：在直角坐标系中，如果以二极管的端电压V为横坐标，电流I为纵坐标，可以将二极管的上述特性用一条曲线来定量的描述，该曲线称为二极管的伏安特性曲线，图（3-24）所示是普通硅二极管的伏安特性曲线。

九半导体器件检验规程
Q/xxxx.02.008.09
1 适用范围
适用于本企业使用的二极管(包括整流二极管、发光二极管、稳压二极管、数码管)、三极管，可控硅的检验。

2 检验依据
2．1 相关产品的技术文件、说明书及资料。

2．2 相关产品的设计图纸或样品。

2．3 技术协议或合同的规定。

3 检验方法
采用外观检查和动态测试法进行检验。

4 检验项目
4．1 所有产品外包装应完整无损坏，包装盒（袋）上应标明生产厂家、生产日期、规格型号、包装数量等，对“三无”产品或不符合要求的产品可拒收。

4．2 实物检查时，引线应光亮笔直，无氧化痕迹。

外形结构符合相关图纸文件。

4．3 整流二极管正向压降应不大于1V，且导通性能良好，同批产品外观一致性好，反向耐压试验应符合相关技术资料指标要求。

4．4 发光二极管抽样后加额定电压，从不同角度目测其亮度，要求亮度一致。

同批产品外观一致性好。

4．5 数码管在测试工装上测试时，各发光二极管亮度应一致，且同批数码管外观、电路结构要一致。

4．6稳压二极管测试时，满足稳压范围要求。

5 合格品和不合格品的判定
凡在合格供方供货的情况下，原则上由物料检验员检验（或确认）“包装”状态完好后盖“免检”章入库；不在免检范围的产品，抽样样品动态测试100%合格的产品加盖“合格”章入库。

6 仪器仪表
6.1 数字万用表
6.2 精度为0.02mm游标卡尺
6.3 5×80mm放大镜
6.4 继电保护测试仪
编制：审核：批准：。

半导体器件的测试实验实验组号__ __学号姓名实验日期成绩____ ___指导教师签名一、实验目的学会用万用表测试二极管、三极管的性能好坏，管脚排列。

二、实验器材1.万用表1只（指针式）。

2.二极管、三极管若干。

三、注意事项：1.选择合适的量程，使万用表指针落在万用表刻度盘中间的位置为佳。

2.测试电阻前应先调零。

3.测量时不要同时用手接触元件的两个引脚。

4.测量完毕时应将万用表的转换开关转向off位置或交流最高电压档。

5.不能用万用表测试工作中的元件电阻！四、实验内容1.半导体二极管的测试◆半导体二极管的测试要点：用指针式万用表测二极管的正反向电阻，当测得阻值较小的情况下，黑笔所接的极是二极管的正极。

（1）整流二极管的测试将万用表置于R⨯100Ω或R⨯1kΩ电阻档并调零，测量二极管的正、反向电阻，判断其极性和性能好坏，把测量结果填入表1中。

（2将万用表置于R⨯10kΩ电阻档并调零，测量二极管的正、反向电阻，判断其极性和性能好坏，把测量结果填入表2中。

2.半导体三极管的测试◆半导体三极管的测试要点：将万用表置于R⨯100Ω或R⨯1kΩ电阻档并调零。

①首先判基极和管型•黑笔固定某一极，红笔分别测另两极，当测得两个阻值均较小时，黑笔所接的极是基极，所测的晶体管是NPN管。

•红笔固定某一极，黑笔分别测另两极，当测得两个阻值均较小时，红笔所接的极是基极，所测的晶体管是PNP管。

②其次判集电极和发射极•对于NPN管：用手捏住基极和假设的集电极（两极不能短接），黑笔接假设的集电极，红笔接假设的发射极，观察所测电阻的大小。

然后将刚才假设的集电极和发射极对调位置，再重测一次，当测得电阻值较小时，黑笔所接的是集电极，另一电级是发射极•对于PNP管：用手捏住基极和假设的集电极（两极不能短接），红笔接假设的集电极，黑笔接假设的发射极，观察所测电阻的大小。

然后将刚才假设的集电极和发射极对调位置，再重测一次，当测得电阻值较小时，红笔所接的是集电极，另一电级是发射极。

半导体器件物理实验报告格式[5篇模版]第一篇：半导体器件物理实验报告格式微电子学院《半导体器件实验》实验报告实验名称：作者姓名：作者学号：同作者：实验日期：实验报告应包含以下相关内容：实验名称：一、实验目的二、实验原理三、实验内容四、实验方法五、实验器材及注意事项六、实验数据与结果七、数据分析八、回答问题实验报告要求：1.使用实验报告用纸；2.每份报告不少于3页手写体，不含封皮和签字后的实验原始数据部分；3.必须加装实验报告封皮，本文中第一页内容，打印后填写相关信息。

4.实验报告格式为：封皮、内容和实验原始数据。

第二篇：半导体器件物理教学内容和要点教学内容和要点第一章半导体物理基础第二节载流子的统计分布一、能带中的电子和空穴浓度二、本征半导体三、只有一种杂质的半导体四、杂质补偿半导体第三节简并半导体一、载流子浓度二、发生简并化的条件第四节载流子的散射一、格波与声子二、载流子散射三、平均自由时间与弛豫时间四、散射机构第五节载流子的输运一、漂移运动迁移率电导率二、扩散运动和扩散电流三、流密度和电流密度四、非均匀半导体中的自建场第六节非平衡载流子一、非平衡载流子的产生与复合二、准费米能级和修正欧姆定律三、复合机制四、半导体中的基本控制方程：连续性方程和泊松方程第二章 PN结第一节热平衡PN结一、PN结的概念：同质结、异质结、同型结、异型结、金属－半导体结突变结、缓变结、线性缓变结二、硅PN结平面工艺流程（多媒体演示图2.1）三、空间电荷区、内建电场与电势四、采用费米能级和载流子漂移与扩散的观点解释PN结空间电荷区形成的过程五、利用热平衡时载流子浓度分布与自建电势的关系求中性区电势及PN结空间电荷区两侧的内建电势差六、解poisson’s Eq 求突变结空间电荷区内电场分布、电势分布、内建电势差和空间电荷区宽度（利用耗尽近似）第二节加偏压的P-N结一、画出热平衡和正、反偏压下PN结的能带图，定性说明PN结的单向导电性二、导出空间电荷区边界处少子的边界条件，解释PN结的正向注入和反向抽取现象第三节理想P-N结的直流电流-电压特性一、解扩散方程导出理想PN结稳态少子分布表达式，电流分布表达式，电流－电压关系二、说明理想PN结中反向电流产生的机制（扩散区内热产生载流子电流）第四节空间电荷区的复合电流和产生电流一、复合电流二、产生电流第五节隧道电流一、隧道电流产生的条件二、隧道二极管的基本性质（多媒体演示 Fig2.12）第六节 I-V特性的温度依赖关系一、反向饱和电流和温度的关系二、I-V特性的温度依赖关系第七节耗尽层电容，求杂质分布和变容二极管一、PN结C-V特性二、过渡电容的概念及相关公式推导求杂质分布的程序（多媒体演示 Fig2.19）三、变容二极管第八节小讯号交流分析一、交流小信号条件下求解连续性方程，导出少子分布，电流分布和总电流公式二、扩散电容与交流导纳三、交流小信号等效电路第九节电荷贮存和反响瞬变一、反向瞬变及电荷贮存效应二、利用电荷控制方程求解τs三、阶跃恢复二极管基本理论第十节 P-Ｎ结击穿一、PN结击穿二、两种击穿机制，PN结雪崩击穿基本理论的推导三、计算机辅助计算例题2－3及相关习题第三章双极结型晶体管第一节双极结型晶体管的结构一、了解晶体管发展的历史过程二、BJT的基本结构和工艺过程（多媒体图3.1）概述第二节基本工作原理一、理想BJT的基本工作原理二、四种工作模式三、放大作用（多媒体Fig3.6）四、电流分量（多媒体Fig3.7）五、电流增益（多媒体Fig3.8 3.9）第三节理想双极结型晶体管中的电流传输一、理想BJT中的电流传输：解扩散方程求各区少子分布和电流分布二、正向有源模式三、电流增益～集电极电流关系第四节爱拜耳斯-莫尔（Ebers-Moll）方程一、四种工作模式下少子浓度边界条件及少子分布二、E-M模型等效电路三、E-M方程推导第五节缓变基区晶体管一、基区杂质浓度梯度引起的内建电场及对载流子的漂移作用二、少子浓度推导三、电流推导四、基区输运因子推导第六节基区扩展电阻和电流集聚一、基区扩展电阻二、电流集聚效应第七节基区宽度调变效应一、基区宽度调变效应（EARLY效应）二、hFE和ICE0的改变第八节晶体管的频率响应一、基本概念：小信号共基极与共射极电流增益（α，hfe），共基极截止频率和共射极截止频率（Wɑ ,Wß）,增益－频率带宽或称为特征频率（WT），二、公式（3－36）、（3－65）和（3－66）的推导三、影响截止频率的四个主要因素：τB、τE、τC、τD及相关推导四、Kirk效应第九节混接π型等效电路一、参数：gm、gbe、CD 的推导二、等效电路图（图3－23）三、证明公式（3－85）、（3－86）第十节晶体管的开关特性一、开关作用二、影响开关时间的四个主要因素：td、tr、tf、ts三、解电荷控制方程求贮存时间ts第十一节击穿电压一、两种击穿机制二、计算机辅助计算：习题阅读§3.12、§3.13、§3.14第四章金属—半导体结第一节肖特基势垒一、肖特基势垒的形成二、加偏压的肖特基势垒三、M－S结构的C-V特性及其应用第二节界面态对势垒高度的影响一、界面态二、被界面态钳制的费米能级第三节镜像力对势垒高度的影响一、镜像力二、肖特基势垒高度降低第四节肖特基势垒二极管的电流电压特性一、热电子发射二、理查德-杜师曼方程第五节肖特基势垒二极管的结构一、简单结构二、金属搭接结构三、保护环结构第六节金属-绝缘体-半导体肖特基势垒二极管一、基本结构二、工作原理第七节肖特基势垒二极管和PN结二极管之间的比较一、开启电压二、反向电流三、温度特性第八节肖特基势垒二极管的应用一、肖特基势垒检波器或混频器二、肖特基势垒钳位晶体管第九节欧姆接触一、欧姆接触的定义和应用二、形成欧姆接触的两种方法第五章结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管第一节JFET的基本结构和工作过程一、两种N沟道JFET二、工作原理第二节理想JFET的I-V特性一、基本假设二、夹断电压三、I-V特性第三节静态特性一、线性区二、饱和区第四节小信号参数和等效电路一、参数：gl gml gm CG二、JFET小信号等效电路图第五节JFET的截止频率一、输入电流和输出电流二、截止频率第六节夹断后的JFET性能一、沟道长度调制效应二、漏极电阻第七节金属-半导体场效应晶体管一、基本结构二、阈值电压和夹断电压三、I-V特性第八节 JFET和MESFET的类型一、N—沟增强型 N—沟耗尽型二、P—沟增强型 P—沟耗尽型阅读§5.8 §5.9 第六章金属-氧化物-场效应晶体管第一节理想MOS结构的表面空间电荷区一、MOSFET的基本结构（多媒体演示Fig6-1）二、半导体表面空间电荷区的形成三、利用电磁场边界条件导出电场与电荷的关系公式（6－1）四、载流子的积累、耗尽和反型五、载流子浓度表达式六、三种情况下MOS结构能带图七、反型和强反型条件，MOSFET工作的物理基础第二节理想MOS电容器一、基本假设二、C～V特性：积累区，平带情况，耗尽区，反型区三、沟道电导与阈值电压：定义公式（6－53）和（6－55）的推导第三节沟道电导与阈值电压一、定义二、公式（6－53）和（6－55）的推导第四节实际MOS的电容—电压特性一、M-S功函数差引起的能带弯曲以及相应的平带电压，考虑到M-S功函数差，MOS结构的能带图的画法二、平带电压的概念三、界面电荷与氧化层内电荷引起的能带弯曲以及相应的平带电压四、四种电荷以及特性平带电压的计算五、实际MOS的阈值电压和C～V曲线第五节 MOS场效应晶体管一、基本结构和工作原理二、静态特性第六节等效电路和频率响应一、参数：gd gm rd二、等效电路三、截止频率第七节亚阈值区一、亚阈值概念二、MOSFET的亚阈值概念第九节 MOS场效应晶体管的类型一、N—沟增强型 N—沟耗尽型二、P—沟增强型 P—沟耗尽型第十节器件尺寸比例MOSFET制造工艺一、P沟道工艺二、N沟道工艺三、硅栅工艺四、离子注入工艺第七章太阳电池和光电二极管第一节半导体中光吸收一、两种光吸收过程二、吸收系数三、吸收限第二节 PN结的光生伏打效应一、利用能带分析光电转换的物理过程（多媒体演示）二、光生电动势，开路电压，短路电流，光生电流（光电流）第三节太阳电池的I-V特性一、理想太阳电池的等效电路二、根据等效电路写出I-V公式，I-V曲线图（比较：根据电流分量写出I-V公式）三、实际太阳能电池的等效电路四、根据实际电池的等效电路写出I-V公式五、RS对I-V特性的影响第四节太阳电池的效率一、计算 Vmp Imp Pm二、效率的概念η=FFVOCIL⨯100% Pin第五节光产生电流和收集效率一、“P在N上”结构，光照，GL=αΦOe-αx少子满足的扩散方程二、例1－1，求少子分布，电流分布三、计算光子收集效率：ηcol=JptJnGΦO讨论：波长长短对吸收系数的影响少子扩散长度和吸收系数对收集效率的影响理解Fig7-9,Fig7-10所反映的物理意义第六节提高太阳能电池效率的考虑一、光谱考虑(多媒体演示)二、最大功率考虑三、串联电阻考虑四、表面反射的影响五、聚光作用第七节肖特基势垒和MIS太阳电池一、基本结构和能带图二、工作原理和特点阅读§7.8 第九节光电二极管一、基本工作原理二、P-I-N光电二极管三、雪崩光电二极管四、金属－半导体光电二极管第十节光电二极管的特性参数一、量子效率和响应度二、响应速度三、噪声特性、信噪比、噪声等效功率（NEP）四、探测率（D）、比探测率（D*）第八章发光二极管与半导体激光器第一节辐射复合与非辐射复合一、辐射复合：带间辐射复合，浅施主和主带之间的复合，施主－受主对（D-A 对）复合，深能级复合，激子复合，等电子陷阱复合二、非辐射复合：多声子跃迁，俄歇过程（多媒体演示），表面复合第二节 LED的基本结构和工作过程一、基本结构二、工作原理（能带图）第三节 LED的特性参数一、I-V特性二：量子效率：注射效率γ、辐射效率ηr、内量子效率ηi，逸出概率ηo、外量子效率三、提高外量子效率的途径，光学窗口四、光谱分布，峰值半高宽 FWHM,峰值波长，主波长，亮度第四节可见光LED一、GaP LED二、GaAs1-xPx LED三、GaN LED 第五节红外 LED 一、性能特点二、应用光隔离器阅读§8.6 , §8.7 , §8.8 , §8.9 , §8.10(不做作业和考试要求)第九章集成器件第十章电荷转移器件第一节电荷转移一、CCD基本结构和工作过程二、电荷转移第二节深耗尽状态和表面势阱一、深耗尽状态—非热平衡状态二、公式（10-8）的导出第三节 MOS电容的瞬态特性深耗尽状态的能带图一、热弛豫时间二、信号电荷的影响第四节信息电荷的输运转换效率一、电荷转移的三个因素二、转移效率、填充速率和排空率第五节电极排列和CCD制造工艺一、三相CCD二、二相CCD 第六节体内（埋入）沟道CCD一、表面态对转移损耗和噪声特性的影响二、体内（埋入）沟道CCD的基本结构和工作原理第七节电荷的注入、检测和再生一、电注入与光注入二、电荷检测电荷读出法三、电荷束的周期性再生或刷新第八节集成斗链器件一、BBD的基本结构二、工作原理三、性能第九节电荷耦合图象器件一、行图象器二、面图象器三、工作原理和应用主要参考书目孟庆巨、刘海波、孟庆辉编著《半导体器件物理》，科学出版社，2005第二次印刷。

IGBT晶圆测试方案1. 简介本文档旨在介绍IGBT（绝缘栅双极晶体管）晶圆测试方案。

IGBT是一种常用的功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域。

为了确保IGBT的质量和性能，需要进行晶圆测试，以排除不良品，并为后续生产提供可靠的参考。

在本文档中，将介绍IGBT晶圆测试的主要步骤和所需的测试设备以及测试参数的选择和分析。

2. 测试步骤IGBT晶圆测试流程主要包含以下步骤：2.1 晶圆准备在进行IGBT晶圆测试前，首先需要准备好待测试的晶圆样品。

晶圆应经过清洗和干燥处理，确保表面无污染和杂质。

同时，需要确保晶圆安装在合适的测试座上，以便进行后续的电性能测试。

2.2 电性能测试电性能测试是IGBT晶圆测试中最关键的一步，包括以下几个方面：2.2.1 静态电特性测试静态电特性测试用于测量IGBT的电流-电压关系，包括击穿电压、开启电压和关断电压等。

测试时应根据制造商提供的参数范围选择合适的测试电压，确保测试结果的准确性。

2.2.2 动态电特性测试动态电特性测试用于测量IGBT的开关速度、损耗和输出容量等性能指标。

其中，开关速度是指IGBT在开启和关闭过程中的时间延迟，损耗是指IGBT在开启和关闭过程中产生的能量损耗，输出容量是指IGBT能够承受的最大电流和电压。

2.3 其他测试除了电性能测试外，还需要进行其他测试，包括以下几个方面：2.3.1 温度特性测试温度特性测试用于测量IGBT在不同温度下的电性能。

测试时应使用恒温装置，以保持稳定的温度环境，并测量IGBT的电流、电压和功耗等参数。

2.3.2 可靠性测试可靠性测试用于评估IGBT的寿命和稳定性，以判断其是否符合使用要求。

测试时应根据制造商提供的可靠性测试方法和标准进行测试，并记录测试结果。

2.4 数据分析与报告完成IGBT晶圆测试后，需要对测试数据进行分析，并生成测试报告。

数据分析主要包括测试结果的统计和对比，以及异常测试数据的分析和处理。

测试报告应包含测试流程、测试结果、数据分析和建议等内容，以便后续生产和质量控制参考。