0804《集成电路封装技术》期中-答案-
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集成电路芯片封装技术期末试卷
名词解释:(共30分)
、什么是集成电路芯片封装?封装的目的是什么?(5分)
、什么是厚膜技术和薄膜技术?(5分)
、请解释印制电路板的概念,常见的印制电路板有哪几种?(5分)、什么是顺形涂封?它的基本方法是什么?(5分)
5、什么是气密性封装?(5分)
6、什么是电渡?何为光刻工艺?(5分)
二、问答题:(共70分)
1、芯片封装所实现的功能有哪些?(10分)
2、请写出芯片封装技术的工艺流程;(5分)
3、常用的芯片贴装有哪三种?芯片互连技术有哪几种?(5分)
4、厚膜导体材料所实现的功能是什么?(10分)
5、焊料按照形式不同,分为几类?各用在什么场合?(10分)
6、写出多层PCB基板制作的工艺流程。
(5分)
7、电路板预热的目的是什么?(10分)
8、表面贴装技术有哪些优点?(5分)
9、回流焊与波峰焊相比有哪些特征?(10分)。
集成电路封装与测试复习题(含答案)第1章集成电路封装概论2学时第2章芯片互联技术3学时第3章插装元器件的封装技术1学时第4章表面组装元器件的封装技术2学时第5章BGA和CSP的封装技术4学时第6章POP堆叠组装技术2学时第7章集成电路封装中的材料4学时第8章测试概况及课设简介2学时一、芯片互联技术1、引线键合技术的分类及结构特点?答:1、热压焊:热压焊是利用加热和加压力,使焊区金属发生塑性形变,同时破坏压焊界面上的氧化层,使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引力范围,从而使原子间产生吸引力,达到“键合”的目的。
2、超声焊:超声焊又称超声键合,它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量,通过磁致伸缩换能器,在超高频磁场感应下,迅速伸缩而产生弹性振动经变幅杆传给劈刀,使劈刀相应振动;同时,在劈刀上施加一定的压力。
于是,劈刀就在这两种力的共同作用下,带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al膜)表面迅速摩擦,使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。
这种形变也破坏了Al层界面的氧化层,使两个纯净的金属面紧密接触,达到原子间的“键合”,从而形成牢固的焊接。
3、金丝球焊:球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。
这是由于它操作方便、灵活,而且焊点牢固,压点面积大,又无方向性。
现代的金丝球焊机往往还带有超声功能,从而又具有超声焊的优点,有的也叫做热(压)(超)声焊。
可实现微机控制下的高速自动化焊接。
因此,这种球焊广泛地运用于各类IC和中、小功率晶体管的焊接。
2、载带自动焊的分类及结构特点?答:TAB按其结构和形状可分为Cu箔单层带:Cu的厚度为35-70um,Cu-PI双层带Cu-粘接剂-PI三层带Cu-PI-Cu双金属3、载带自动焊的关键技术有哪些?答:TAB的关键技术主要包括三个部分:一是芯片凸点的制作技术;二是TAB载带的制作技术;三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。
制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外,还可以单独进行倒装焊(FCB)4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法?答:蒸镀焊料凸点:蒸镀焊料凸点有两种方法,一种是C4 技术,整体形成焊料凸点;电镀焊料凸点:电镀焊料是一个成熟的工艺。
半导体集成电路封装技术试题汇总第一章集成电路芯片封装技术1.(P1)封装概念:狭义:集成电路芯片封装是利用(膜技术)及(微细加工技术),将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体结构的工艺。
广义:将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程。
2.集成电路封装的目的:在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响,并为之提供一个良好的工作条件,以使集成电路具有稳定、正常的功能。
3.芯片封装所实现的功能:①传递电能,②传递电路信号,③提供散热途径,④结构保护与支持。
4.在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数:性能,尺寸,重量,可靠性和成本目标。
5.封装工程的技术的技术层次?第一层次,又称为芯片层次的封装,是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。
第二层次,将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。
第三层次,将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。
第四层次,将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。
6.封装的分类?按照封装中组合集成电路芯片的数目,芯片封装可分为:单芯片封装与多芯片封装两大类,按照密封的材料区分,可分为高分子材料和陶瓷为主的种类,按照器件与电路板互连方式,封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。
依据引脚分布形态区分,封装元器件有单边引脚,双边引脚,四边引脚,底部引脚四种。
常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装,双边引脚元器件有双列式封装小型化封装,四边引脚有四边扁平封装,底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。
7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面?1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多对封装的要求:1小型化2适应高发热3集成度提高,同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性9.有关名词:SIP:单列式封装SQP:小型化封装MCP:金属鑵式封装DIP:双列式封装CSP:芯片尺寸封装QFP:四边扁平封装PGA:点阵式封装BGA:球栅阵列式封装LCCC:无引线陶瓷芯片载体第二章封装工艺流程1.封装工艺流程一般可以分为两个部分,用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作,在成型之后的工艺步骤成为后段操作2.芯片封装技术的基本工艺流程硅片减薄硅片切割芯片贴装,芯片互联成型技术去飞边毛刺切筋成型上焊锡打码等工序3.硅片的背面减薄技术主要有磨削,研磨,化学机械抛光,干式抛光,电化学腐蚀,湿法腐蚀,等离子增强化学腐蚀,常压等离子腐蚀等4.先划片后减薄:在背面磨削之前将硅片正面切割出一定深度的切口,然后再进行背面磨削。
一、填空题1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置,粘贴固定以及连接,引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装;在次根基之上,将封装体与装配成完整的系统或者设备,这个过程称之为广义封装。
2、芯片封装所实现的功能有传递电能;传递电路信号;提供散热途径;构造保护与支持。
3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。
4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。
5、金属凸点制作工艺中,多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。
6、成型技术有多种,包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。
7、在焊接材料中,形成焊点完成电路电气连接的物质叫做煤斜;;用于去除焊盘外表氧化物,提高可焊性的物质叫做助焊剂;在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡直。
8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。
9、薄膜工艺主要有遮射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。
10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件(MOdUIe)、⅛路卡工艺(Card)、主电路板(Board)、完整电子产品。
11、在芯片的减薄过程中,主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。
12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。
13、DBG切割方法进展芯片处理时,首先进展在硅片正面切割一定深度切口再进展反面磨削。
14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术,制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料枯燥烧结的方法O15、芯片的外表组装过程中,焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。
16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。
二、名词解释1、芯片的引线键合技术(3种)是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连,包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。
半导体集成电路封装技术试题汇总第一章集成电路芯片封装技术1.(P1)封装概念:狭义:集成电路芯片封装是利用(膜技术)及(微细加工技术),将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体结构的工艺。
广义:将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程。
2.集成电路封装的目的:在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响,并为之提供一个良好的工作条件,以使集成电路具有稳定、正常的功能。
3.芯片封装所实现的功能:①传递电能,②传递电路信号,③提供散热途径,④结构保护与支持。
4.在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数:性能,尺寸,重量,可靠性和成本目标。
5.封装工程的技术的技术层次?第一层次,又称为芯片层次的封装,是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。
第二层次,将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。
第三层次,将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。
第四层次,将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。
6.封装的分类?按照封装中组合集成电路芯片的数目,芯片封装可分为:单芯片封装与多芯片封装两大类,按照密封的材料区分,可分为高分子材料和陶瓷为主的种类,按照器件与电路板互连方式,封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。
依据引脚分布形态区分,封装元器件有单边引脚,双边引脚,四边引脚,底部引脚四种。
常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装,双边引脚元器件有双列式封装小型化封装,四边引脚有四边扁平封装,底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。
7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面?1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多对封装的要求:1小型化2适应高发热3集成度提高,同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性9.有关名词:SIP:单列式封装SQP:小型化封装MCP:金属鑵式封装DIP:双列式封装CSP:芯片尺寸封装QFP:四边扁平封装PGA:点阵式封装BGA:球栅阵列式封装LCCC:无引线陶瓷芯片载体第二章封装工艺流程1.封装工艺流程一般可以分为两个部分,用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作,在成型之后的工艺步骤成为后段操作2.芯片封装技术的基本工艺流程硅片减薄硅片切割芯片贴装,芯片互联成型技术去飞边毛刺切筋成型上焊锡打码等工序3.硅片的背面减薄技术主要有磨削,研磨,化学机械抛光,干式抛光,电化学腐蚀,湿法腐蚀,等离子增强化学腐蚀,常压等离子腐蚀等4.先划片后减薄:在背面磨削之前将硅片正面切割出一定深度的切口,然后再进行背面磨削。
《集成电路芯片封装技术》考试题得分评分人《集成电路封装与测试技术》考试试卷一、填空题(每空格1分共18分)1、封装工艺属于集成电路制造工艺的工序。
2、按照器件与电路板互连方式,封装可分为引脚插入型(PTH)和两大类。
3、芯片封装所使用的材料有许多,其中金属主要为材料。
4、技术的出现解决了芯片小而封装大的矛盾。
5、在芯片贴装工艺中要求:己切割下来的芯片要贴装到引脚架的中间焊盘上,焊盘的尺寸要与芯片大小要。
6、在倒装焊接后的芯片下填充,由于毛细管虹吸作用,填料被吸入,并向芯片-基板的中心流动。
一个12,7mm见方的芯片,分钟可完全充满缝隙,用料大约0,031mL。
7、用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于的毛刺。
8、如果厚膜浆料的有效物质是一种绝缘材料,则烧结后的膜是一种介电体,通常可用于制作。
9、能级之间电位差越大,噪声越。
10、薄膜电路的顶层材料一般是。
11、薄膜混合电路中优选作为导体材料。
12、薄膜工艺比厚膜工艺成本。
13、导电胶是与高分子聚合物(环氧树脂)的混合物。
14、绿色和平组织的使命是:。
15、当锡铅合金中铅含量达到某一值时,铅含量的增加或锡含量的增加均会使焊料合金熔点。
16、印制电路板为当今电子封装最普遍使用的组装基板,它通常被归类于层次的电子封装技术17、印制电路板通常以而制成。
18、IC芯片完成与印制电路板的模块封装后,除了焊接点、指状结合点、开关等位置外,为了使成品表面不会受到外来环境因素,通常要在表面进行处理。
二、选择题(每题2分共22分)1、TAB技术中使用()线而不使用线,从而改善器件的热耗散性能。
A、铝B、铜C、金D、银2、陶瓷封装基板的主要成分有()A、金属B、陶瓷C、玻璃D、高分子塑料3、“塑料封装与陶瓷封装技术均可以制成双边排列(DIP)封装,前者适合于高可靠性的元器件制作,后者适合于低成本元器件大量生产”,这句话说法是()。
A、正确B、错误4、在芯片切割工序中,()方法不仅能去除硅片背面研磨损伤,而且能除去芯片引起的微裂和凹槽,大大增强了芯片的抗碎裂能力。
实用文档名词解释:1. 集成电路芯片封装:利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引用接线端子并通过可塑性绝缘介2. 是将IC 3. 4. 5. 6. 基板。
7. 是指完全能够防止污染物(液体或固体)的侵入和腐蚀的封装。
8. 可靠性封装:是对封装的可靠性相关参数的测试。
9. T/C 测试:即温度循环测试。
10. T/S 测试:测试封装体抗热冲击的能力。
11. TH 测试:是测试封装在高温潮湿环境下的耐久性的实验。
12. PC 测试:是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测试。
13. HTS 测试:是测试封装体长时间暴露在高温环境下的耐2.芯片封装的层次五个层次:零级层次:在芯片上的集成电路元器件间的连线工艺第一层次:芯片层次的封装第二层次:将第一个层次完成的封装与其他电子元器件组成的一个电路卡的工艺第三层次:将第一个层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板上使之成为一个部件或子系统的工艺第四层次:将数个子系统组装成一个完整电子产品的工艺过程3.简述封装技术的工艺流程硅片减薄、硅片切割、芯片贴装、芯片互联、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码4.艺。
5.6.请说明热压焊和超声焊的工艺原理,并指出优缺点。
将细金属线按顺序打在芯片与引脚的封装基板的焊垫上而形成电路互连。
超声焊:优点为键合温度低、键合尺寸较小且导线回绕高度较低,缺点为必须沿着金属线回绕的方向排列热压焊:优点为导线可以球形接点为中心改变位置7.厚膜技术的概念使用网印与烧结方法,用以制作电阻、电容等电路中的无源元件。
8.薄膜制备的技术有哪几种?请举例说明。
溅射、蒸发、电镀、光刻工艺9.通过厚膜与薄膜技术的比较分析,简述它们各自的优缺点层电路板、射出成型电路板。
14.印制电路板的检测项目包括哪些?具体说明电性能试验的内容。
电性与成品质量的检查。
15.软式印制电路板的概念,并说明它的应用领域。
软式印制电路板与硬式印制电路板结构相似,但使用的基板具有可扰屈性。
半导体集成电路封装技术试题汇总第一章集成电路芯片封装技术1.(P1)封装概念:狭义:集成电路芯片封装是利用(膜技术)及(微细加工技术),将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体结构的工艺。
广义:将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程。
2.集成电路封装的目的:在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响,并为之提供一个良好的工作条件,以使集成电路具有稳定、正常的功能。
3.芯片封装所实现的功能:①传递电能,②传递电路信号,③提供散热途径,④结构保护与支持。
4.在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数:性能,尺寸,重量,可靠性和成本目标。
5.封装工程的技术的技术层次?第一层次,又称为芯片层次的封装,是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。
第二层次,将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。
第三层次,将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。
第四层次,将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。
6.封装的分类?按照封装中组合集成电路芯片的数目,芯片封装可分为:单芯片封装与多芯片封装两大类,按照密封的材料区分,可分为高分子材料和陶瓷为主的种类,按照器件与电路板互连方式,封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。
依据引脚分布形态区分,封装元器件有单边引脚,双边引脚,四边引脚,底部引脚四种。
常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装,双边引脚元器件有双列式封装小型化封装,四边引脚有四边扁平封装,底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。
7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面?1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多对封装的要求:1小型化2适应高发热3集成度提高,同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性9.有关名词:SIP:单列式封装SQP:小型化封装MCP:金属鑵式封装DIP:双列式封装CSP:芯片尺寸封装QFP:四边扁平封装PGA:点阵式封装BGA:球栅阵列式封装LCCC:无引线陶瓷芯片载体第二章封装工艺流程1.封装工艺流程一般可以分为两个部分,用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作,在成型之后的工艺步骤成为后段操作2.芯片封装技术的基本工艺流程硅片减薄硅片切割芯片贴装,芯片互联成型技术去飞边毛刺切筋成型上焊锡打码等工序3.硅片的背面减薄技术主要有磨削,研磨,化学机械抛光,干式抛光,电化学腐蚀,湿法腐蚀,等离子增强化学腐蚀,常压等离子腐蚀等4.先划片后减薄:在背面磨削之前将硅片正面切割出一定深度的切口,然后再进行背面磨削。
《微电子封装技术》试卷一、填空题(每空2分,共40分)1.狭义的集成电路芯片封装是指利用精细加工技术及,将芯片及其它要素在框架或基板上,经过布置、粘贴及固定等形成整体立体结构的工艺。
2.通常情况下,厚膜浆料的制备开始于粉末状的物质,为了确保厚膜浆料达到规定的要求,可用颗粒、固体粉末百分比含量、三个参数来表征厚膜浆料。
3.利用厚膜技术可以制作厚膜电阻,其工艺为将玻璃颗粒与颗粒相混合,然后在足够的温度/时间下进行烧结以使两者烧结在一起。
4.芯片封装常用的材料包括金属、陶瓷、玻璃、高分子等,其中封装能提供最好的封装气密性。
5.塑料封装的成型技术包括喷射成型技术、、预成型技术。
6.常见的电路板包括硬式印制电路板、、金属夹层电路板、射出成型电路板四种类型。
7. 在元器件与电路板完成焊接后,电路板表面会存在一些污染,包括非极性/非离子污染、、离子污染、不溶解/粒状污染4大类。
8. 陶瓷封装最常用的材料是氧化铝,用于陶瓷封装的无机浆料一般在其中添加玻璃粉,其目的是调整氧化铝的介电系数、,降低烧结温度。
9. 转移铸膜为塑料封装最常使用的密封工艺技术,在实施此工艺过程中最常发生的封装缺陷是现象。
10. 芯片完成封装后要进行检测,一般情况下要进行质量和两方面的检测。
11. BGA封装的最大优点是可最大限度地节约基板上的空间,BGA可分为四种类型:塑料球栅阵列、、陶瓷圆柱栅格阵列、载带球栅阵列。
12. 为了获得最佳的共晶贴装,通常在IC芯片背面镀上一层金的薄膜或在基板的芯片承载架上先植入。
13. 常见的芯片互连技术包括载带自动键合、、倒装芯片键合三种。
14. 用于制造薄膜的技术包括蒸发、溅射、电镀、。
15. 厚膜制造工艺包括丝网印刷、干燥、烧结,厚膜浆料的组分包括可挥发性组分和不挥发性组分,其中实施厚膜浆料干燥工艺的目的是去除浆料中的绝大部分。
16. 根据封装元器件的引脚分布形态,可将封装元器件分为单边引脚、双边引脚、与底部引脚四种。
集成电路封装与测试技术知到章节测试答案智慧树2023年最新武汉职业技术学院第一章测试1.集成电路封装的目的,在于保护芯片不受或少受外界环境的影响,并为之提供一个良好的工作条件,以使集成电路具有稳定、正常的功能。
()参考答案:对2.制造一块集成电路芯片需要经历集成电路设计、掩模板制造、原材料制造、芯片制造、封装、测试等工序。
()参考答案:对3.下列不属于封装材料的是()。
参考答案:合金4.下列不是集成电路封装装配方式的是()。
参考答案:直插安装5.封装工艺第三层是把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间进行粘贴固定、电路电线与封装保护的工艺。
()参考答案:错6.随着集成电路技术的发展,芯片尺寸越来越大,工作频率越来越高,发热量越来越高,引脚数越来越多。
()参考答案:对7.集成电路封装的引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装、球状凹点。
()参考答案:错8.封装工艺第一层又称之为芯片层次的封装,是指把集成电路芯片与封装基板引线架之间进行粘贴固定、电路连线与封装保护工艺。
()参考答案:对9.集成电路封装主要使用合金材料,因为合金材料散热性能好。
()参考答案:错第二章测试1.芯片互联常用的方法有:引线键合、载带自动焊、倒装芯片焊。
()参考答案:对2.载带自动焊使用的凸点形状一般有蘑菇凸点和柱凸点两种。
()参考答案:对3.去飞边毛刺工艺主要有:介质去飞边毛刺、溶剂去飞边毛刺、水去飞边毛刺。
()参考答案:对4.下面选项中硅片减薄技术正确的是()。
参考答案:干式抛光技术5.封装工序一般可以分成两个部分:包装前的工艺称为装配或称前道工序,在成型之后的工艺步骤称为后道工序。
()参考答案:对6.封装的工艺流程为()。
参考答案:磨片、划片、装片、键合、塑封、电镀、切筋、打弯、测试、包装、仓检、出货7.以下不属于打码目的的是()。
参考答案:芯片外观更好看。
8.去毛飞边工艺指的是将芯片多余部分进行有效的切除。
()参考答案:错9.键合常用的劈刀形状,下列说法正确的是()。
《集成电路先进封装与系统集成技术》结业测试试题一、单项选择题:1、下面哪项不是AiP天线技术出现的原因?()A)随着应用频率的提高天线尺寸越来越小,可集成于封装体内B)AiP技术有利于降低射频芯片与天线互连距离,降低互连损耗C)AiP天线引入可以降低封装的成本,2、从工艺流程分类,eW1B属于下面哪种类型的扇出型封装?OAchip-first(face-down)Bchip-first(face-up)Cchip-Iast(RD1-first)3、下面哪种封装形式不能进行多芯片集成?OA.chip-firstFanout(face-down)B.chip-firstFanout(face-up)C.chip-1astFanout(RD1-first)D.W1-CSP4、下面哪种扇出型封装形式更容易实现细线宽线距的RD1再布线?OAchip-first(face-down)Bchip-first(face-up)Cchip-1ast(RD1-first)5、DeSmear在处理基材时的顺序?()A)蓬松.除胶.活化(B)清洁.除胶■中和C)蓬松■除胶■中和(C产D)清洁-蓬松-除胶6、以下哪个参数不属于信号完整性设计考虑的范畴?OA)S参数;(B)特性阻抗;O延时;(D)直流压降7、采用以下哪个手段可以明显降低电源/地平面的交流阻抗?O A)并联电容;((:确?’:案)B)串联电容;O串联电感;(D)并联电阻8、下面哪些表述是正确的?OA.材料表面越粗糙润湿性越好B.泊松比是纵向应变与横向应变之比C.弹性模量又称杨氏模量{D.湿扩散系数与温度不相关二、多项选择题:1、毫米波通讯应用中采用什么方法增加基站传输距离?OA)采用大规模相控阵列⑺―)B)采用波束赋形合成C)采用较大功率元器件((正来用案)D)增加基站密度2、降低电容互连寄生的方法有什么?OA)增加馈入点个数(JB)采用介电常数较高的薄膜材料C)馈入电对称且保证与馈出口形成电流均匀D)缩短互连线长度(I1产木)3、晶圆级封装的驱动力是什么?OA.成本(正确答案)B.封装尺寸]C.电/热学性能{,W)D.集成性能4、芯片尺寸封装中,UBM的作用是什么?OA.防止焊料扩散(正确答案)B.提高焊料的可焊性C.保护RD1层D.提高热力学性能5、热传递包含哪几种传热方式?OA.热传导B.热对流C.热辐射D.热串扰6、物体的传导热阻与哪些因素有关?O A.热导率.(>B物体长度.(IHC横截面积 aD.温度7、对流热阻与哪些因素有关?OA.物体与流体之间的有效接触面积(:除笆制B.对流系数C.温度8、电镀时对于沉积光亮起作用的是哪些成份?OA)硫酸(B)光亮剂(diO整平剂(D)载运剂(;E)氯离子I9、埋入技术的优点有哪些?OA)减小封装尺寸((IB)提高I/O密度((正确答案)O减少寄生参数D)散热性能优异(IE)只适合有源埋入10、信号完整性设计时,从如下哪几个方面展开传输链路的阻抗匹配?O A)调整传输线的线宽线距;,,/A)B)过孔的焊盘和反焊盘大小设计;(II:'1上案)O电源平面的分布和尺寸;D)接插件的匹配设计11、传输线的特性阻抗与如下哪几个参数有关?()A)线宽线距;(B)介质的损耗角正切;C)与回流平面的距离;((」IuuD)介电常数(12、以下哪些手段可以提升信号传输质量?()A)绕线;(B)阻抗匹配;(:C)缩短传输路径;(Hu-ID)采用低损耗角正切的介质]「''>'>;■)13、可靠性设计流程中需要输入哪些参数?OA.验证手段B.封装结构IC.封装材料性能D.施加载荷14、热应力仿真时需要提供材料哪些力学性能?OA.模量,B.热膨胀系数C.泊松比,D.玻璃化温度15、减小电子封装热应力的方法有哪些?OA.优化封装结构B.选择热膨胀系数匹配的封装材料C.在焊球或者微凸点间隙中填充底填胶,D.降低最高工艺温度16、可靠性设计的指标包含哪几部分?OA)可靠性指标(I1B)性能参数的稳定性IC)环境适应性(正确答案)D)必须消除或控制的过应力失效与磨损失效I1j)三、判断题:1、热辐射需要任何介质[判断题]对错2、热辐射可以在真空中传播[判断题]对(正确答案)错四、简答题:1、电尺寸的概念是什么?对于一个ICm的微带线在IooGHZ应用下属于电大尺寸还是电小尺寸情况?2、对于电磁场屏蔽的有效方案是什么?3、什么叫黑体?4、SAP工艺增层的工艺流程顺序是什么?5、FCBGA的芯板有哪些特点?6、请描述TSV的定义;7、TSV中哪个参数是衡量垂直互连的密度的?是如何定义的8、请以无源硅转接板(Si1iCOnPaSSiVeinterPoSer)为例,描述TSV工艺流程;9、基于TSV工艺模块在整个芯片制造流程的O区分,可以分为如下三种:和技术路线10、基于TSV技术的C1S封装,通常选择哪种方式的TSV工艺?。
上海建桥学院 2007-2008学年第二学期期中考试(2008.4)级专业本科、专科试卷
参考答案
一、填空题(20分0.5分/每空格)
1.芯片器件/封装体部件/子系统整机/系统2.标准化3.SMT MCM 4.双列直插塑封短引脚芯片载体四边引脚扁平塑封自动载带键合针栅阵列球栅阵列芯片尺寸封装5.冲压化学蚀刻6.栅网7.差模共模8.内热阻最终热阻9.垂直对齐10.短近11.导热对流12.温升低13.外接地线电源线传输线14.大陆本土台资中外合资国际著名大IC 企业独资15.限制两边面阵列
二、判断题(15分)
1.(√)2.(×)3.(×)4.(√)5.(√)6.(√)7.(×)8.(√)9.(×)10.(√)11.(×)12.(×)13.(√)14.(×)15.(×)
三、选择题(10分)
1.BD 2.ABC 3.ABD 4.ACD 5.ABCD 6.A 7.ABD 8.A 9.ABCD 10.ACD
1.答案:
塑料封装、陶瓷封装、金属壳封装。
传统塑料封装IC的封装工艺流程框图:
芯片,减薄,划片;
引线框架冲制,局部镀金,粘片,内引线键合;
模塑料,制坯,高频预热;
模具塑封,镀锡,去溢料,切筋,打弯,成品,测试。
四、简答题(40分)
1.答案:
(1)集成电路封装发展的三个阶段:传统插装阶段——典型器件如DIP
传统表面贴装阶段——典型器件如SOP、QFP
先进表面贴装/组装阶段——典型器件如BGA、CSP (2)对现代集成电路封装提出的几个基本要求:
适应小型化,适应高发热,适应大芯片,高密度封装,适应多引脚,适应高温储存,适应高可靠性,符合环保要求,满足低成本。
2.答案:
环氧树脂模塑料的主要构成:环氧树脂、填充剂、固化剂、固化促进剂、阻燃剂、着色剂、脱模剂、应力释放剂、偶联剂等
五、计算题(15分)
答案:
Φ总= Φ对流+Φ导热= 4.5 + 0.3 = 4.8w。