西安电子科技大学822电磁场与微波技术2017年考研专业课真题试卷

西安电子科技大学2009年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目代码及名称822电磁场与微波技术考试时间2009年 1月 10日下午（ 3小时）答题要求：所有答案〈填空题按照标号写〉必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置!一、（15分） z=0平面将无限大空间分为两个区域:z<0区域为空气，z>0区域为相对磁导率μr =1，相对介电常数εr =4的理想介质，若知空气中的电场强度为14x z E a a =+V/m ，试求:（1）理想介质中的电场强度E 2;（2）理想介质中电位移矢量D 2与界面间的夹角α;（3） z=0平面上的极化面电荷密度ρsp .二、（15分）均匀平面电磁波在相对磁导率μr =1的理想介质中传播，其电场强度的瞬时值为88(,)5sin[2(10)]5cos[2(10)]x v E r t a t z a t z ππ=-+-（mV/m ），试求：（1）该理想介质的相对介电常数εr ;（2）平面电磁波在该理想介质中的相速度V p ;（3）平面电磁波的极化状态。

三、（15分）空气中传播着磁场复矢量振幅(0.80.6)1()(34)12j x z x z H r a a e ππ-+=-mA/m ，的均匀平面电磁波，试求：（1）该平面电磁波的波长λ；（2）该平面电磁波传播方向的单位矢n ；（3）该平面电磁波电场的复振幅矢量 E®。

四、（15分）电场强度复振幅矢量2()24j z i x E r a e ππ-=（mA/m ）的均匀平面电磁波由空气垂直入射到相对介电常数εr =2.25，相对磁导率μr =1的半无限大理想介质的界面（z=0平面），试求:（1）反射波电场强度的振幅E rm ；（2）反射波磁场的复振幅矢量H r (r)；（3）透射波电场的复振幅矢量E t (r)。

五、（20分）己知无耗传输线电长度为θ，特性阻抗Z 0=1。

第五题用图（a ）（1）已知负载阻抗L l l Z r jx =+，求负载驻波比ρL ；（2）求输入驻波比ρin ；（3）求负载反射系数ΓL 。

2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a 、b （a>b ），球心距为c （c<a-b ）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b 的球面内任意一点的电场强度。

第一题用图 二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a ，外导体半径为b ，长度为L ，同轴线两端用理想导体板短路。

已知在a r b ≤≤，0z L ≤≤区域内的电磁场为ˆsin ˆcos r A E e kz r B H e kz rθ==v v（1）确定A ，B 间的关系；（2）确定k ； （3）求r=a 及r=b 面上的s ρ，s J v 。

三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为(2)6ˆ3()(/)j x x y E e e V m π-=v试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。

四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。

五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb ，工作波长λ，写出TE 10波的导波波长λg 。

（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a ，外半径为b ，画出截面上TEM 波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z 0公式。

六、（15 分）观管Pin 管相当于归一化电阻1R 和2R （正向运用），商管间隔90θ=︒，求输入端匹配时的1R 和2R 的关系式。

第六题用图七、（15 分）矩形谐振腔（axbxc ）如图，画出TE 101模的电场和磁场分布，写出电场与磁场公式。

目　录2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2010年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2009年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2008年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2007年西安电子科技大学422电磁场与微波技术考研真题2006年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题（部分）2005年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2004年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a、b（a>b），球心距为c（c<a-b）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。

第一题用图二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。

已知在，区域内的电磁场为（1）确定A，B间的关系；（2）确定k；（3）求r=a及r=b面上的，。

三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。

四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。

五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb，工作波长λ，写出TE10波的导波波长λg。

（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a，外半径为b，画出截面上TEM波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z0公式。

电⼦科技⼤学研究⽣微波⼯程试题电⼦科技⼤学研究⽣试卷(考试时间：⾄，共120分钟)课程名称微波⼯程教师学时 50 学分 2.5 教学⽅式课堂教学考核⽇期年⽉⽇成绩考核⽅式：__________(学⽣填写)⼀、填空（每空格1分，共36分）(1) 常规空波导中传输的TE 波称为_________波，TM 波称为_________波，它们的相速与光速的关系是______p v c ，称为_________波。

(2) c k 称为_________波数，波的传播条件是_____c k k ，_____c f f 。

(3) 若传输线上⽆反射波存在，则传输线⼯作于______状态，此时反射系数满⾜______；若反射波等于⼊射波，则⼯作于______状态，此时反射系数满⾜______；当01L 时，传输线⼯作于_______状态。

(4) 在E ⾯分⽀波导中，若微波功率从分⽀端（3⼝）输⼊，则在1⼝与2⼝将_______输出；在H ⾯分⽀波导中，若微波功率从1⼝与2⼝等幅反相输⼊，则从分⽀端（3⼝）将_________输出。

(5) 纵向磁场铁氧体微波元件利⽤的是铁氧体的_______效应，⽽利⽤_______效应做成的微波元件则称为横向磁场铁氧体微波元件。

(6) 传输系统的正常⾊散特性是指______________，异常⾊散特性是指________________，⽆⾊散特性是指_______________，微波传输系统的种类⼀般可以分为：______________，_____________________，__________________________。

(7) ⾏波管中电⼦向⾼频场交出能量的条件是：______________________________________，⽽回旋管此条件为：__________________________________________________________。

1.在两种媒质的分界面上，若分界面上存在传导电流，则边界条件为( )。

A.Ht不连续，Bn不连续B.Ht不连续，Bn连续C.Ht连续，Bn不连续 D.Ht连续，Bn连续【参考答案】: B2.根据电介质中的高斯定理，在电介质中电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于这个曲面所包围自由电荷的代数和。

下列推论正确的是（）A.若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零，曲面内一定没有自由电荷 B.若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零，曲面内电荷的代数和一定等于零 C.若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分不等于零，曲面内一定有极化电荷 D.介质中的电位移矢量与自由电荷和极化电荷的分布有关【参考答案】: D3.用镜像法求解电场边值问题时，判断镜像电荷的选取是否正确的根据是（）A.镜像电荷是否对称B.电位φ所满足的方程是否改变C.边界条件是否保持不变D.同时选择B和C【参考答案】: D4.相同尺寸和匝数的空心线圈的电感系数( )铁心线圈的电感系数。

A.大于B.等于C.小于D.不确定于【参考答案】: C5.一个半径为0.4m的导体球当做接地电极深埋地下，设土壤的电导率为0.6S/m，略去地面的影响，求电极与地之间的电阻（）A.0.3316B.0.3421C.0.2344D.0.2145【参考答案】: A6.无限大的导体平面上空平行放置一根半径为a的圆柱导线。

已知圆柱导线的轴线离开平面的距离为h，则单位长度圆柱导线与导体平面之间的电容为（）A.2πε/arcosh（h/a）B.4πε/arcosh（h/a）C.2πε/arsinh（h/a） D.4πε/arsinh（h/a）【参考答案】: A7.一导体回路位于与磁场力线垂直的平面内，欲使回路中产生感应电动势，应使（）。

A.回路运动B.磁场随时间变化C.磁场分布不均匀D.同时选择A和B【参考答案】: B8.若空间存在两根无限长直载流导线，空间的磁场分布就不具有简单的对称性，则该磁场分布（）A.不能用安培环路定理来计算B.可以直接用安培环路定理求出C.可以用安培环路定理和磁感应强度的叠加原理求出 D.以上都不正确【参考答案】: C9.有一无限长直流导线在空间产生磁场，在此磁场中作一个以截流导线为轴线的同轴的圆柱形闭合高斯面，则通过此闭合面的磁感应通量（）A.等于零 B.不一定等于零 C.为μ0I D.以上都不正确【参考答案】: A10.当孤立的不带电的导体球位于均匀电场E0中，使用镜像法求出导体球表面的电荷分布为（）A.4ε0E0cosθB.4ε0E0sinθC.3ε0E0cosθD.3ε0E0sinθ【参考答案】: C11.空间某点的磁感应强度B的方向，一般可以用下列几种办法来判断，其中哪个是错误的？（）A.小磁针北（N）极在该点的指向；B.运动正电荷在该点所受最大的力与其速度的矢积的方向；C.电流元在该点不受力的方向；D.载流线圈稳定平衡时，磁矩在该点的指向。

西安电子科技大学《电磁场与微波技术》考研真题2011年(总分：150.00，做题时间：90分钟)一、{{B}}{{/B}}(总题数：1，分数：15.00)1.如下图所示，半径分别为a、b(a＞b)，球心距为c(c＜a-b)的两球面间有密度为ρ的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。

（分数：15.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(为了使用高斯定理，在半径为b的空腔内填充密度为+ρ的体电荷，在半径为a的空腔内填充密度为-ρ的体电荷。

这样，任意一点的电场就相当于带正电的大球体和一个带负电的小球体共同产生。

正、负带电体所产生的场分别用高斯定理来计算。

正电荷在空腔内产生的电场为：[*]负电荷在空腔内产生的电场为：[*]单位向量e r1、e r2分别以大、小球体球心坐标为坐标原点。

考虑到r1e r1-r2e r2=ce x，最后得到空腔内的电场为：[*])解析：二、{{B}}{{/B}}(总题数：1，分数：15.00)一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。

已知在a≤r≤b，0≤z≤L区域内的电磁场为：（分数：15.00）(1).确定A、B间的关系。

（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(由法拉第电磁感应公式[*]可得： [*] 比较可知[*]，又因为[*]，所以：[*] 其中，η是导体内介质的特性阻抗。

)解析：(2).确定k。

（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(因为同轴线两端用理性导体板短路，所以两端处即(z=0和z=L处)电场强度为0，则有[*]，所以：[*](m=1，2，3…))解析：(3).求r=a及r=b面上的ρs、J s。

2010年真题10 西安电子科技大学2010年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目代码及名称 822电磁场与微波技术（A ）考试时间 2010年1月10日下午（3小时）答题要求：所以答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置!一、（15分）相对介电常数2r ε=的区域内电位()222r x y z φ=-+ (V)，求点（1，1，1）处的：1、电场强度E ；2、电荷密度ρ；3、电场能量密度w e 。

二、（15分）电场强度()()88(,)cos 31024sin 3102t t z t z ππππ=⨯--⨯-x y E r a a （mV/m ）的均匀平面电磁波在相对磁导率1r μ=的理想介质中传播，求：1、电磁波的极化状态；2，理想介质的波阻抗η；3、电磁波的相速度V p 。

三、（15分）磁场复矢量振幅()()()3418660j x z e ππ-+=-+i x y H r a a （mA/m ）的均匀平面电磁波由空气斜入射到海平面（z=0的平面），求：1、反射角θr ；2、入射波的电场复矢量振幅()i E r ；3、电磁波的频率f 。

四、（15分）电场复矢量振幅()10j z e π-=i x E r a (mV/m)的均匀平面电磁波由空气一侧垂直入射到相对介电常数 2.25r ε=，相对磁导率1r μ=的理想介质一侧，其界面为z=0平面，求：1、入射波磁场的瞬时值(),t i H r ；2、射波的振幅E r m ；3、透射波坡印廷（Poynting ）矢量的平均值S av (r ) 。

入射波的振幅反射波的振幅。

“电磁场与微波技术”（822）复习提纲一、总体要求“电磁场与微波技术”要求考生熟练掌握“电磁场与电磁波”、“微波技术基础”和“天线原理”的基本概念、基础理论和分析方法，具备分析和解决实际问题的能力。

“电磁场与微波技术”由“电磁场与电磁波”、“微波技术基础”和“天线原理”三部分构成。

各部分要求如下：《电磁场与电磁波》要求学生准确、系统地掌握电磁场与电磁波的基本概念，深刻领会描述电磁场与电磁波的基本定理和定律，熟练掌握分析电磁场与电磁波问题的基本方法，了解电磁场数值方法及其专业软件，具有熟练运用“场”的方法分析和解决实际问题的能力。

《微波技术基础》要求学生系统掌握微波传输线理论及分析方法、各种类型的导波结构、微波网络与微波元件的基础知识、微波谐振腔理论，深刻领会描述微波技术的基本概念和定律，学会用“场”与“路”的方法分析、解决微波工程问题。

《天线原理》要求学生系统地掌握天线理论的基本概念、基本原理、定律和基本分析方法，掌握一些典型天线的工作原理与设计方法。

具有解决实际工程问题的能力以及进行创新性研究和解决复杂工程问题的能力。

二、考试范围以及相关知识点《电磁场与电磁波》部分为：（一）静电场熟练掌握静电场的基本概念、静电场的基本方程、边界条件。

掌握静电场的计算方法、电场能量和电场力的计算，电容的求解方法。

（二）恒定电流的电场熟练掌握电流的分类、电流密度的定义和物理含义。

掌握电荷守恒定律、欧姆定律的微分形式、焦耳定律、恒定电流场的基本方程和边界条件。

（三）恒定电流的磁场熟练掌握磁通连续性原理、安培环路定律、恒定磁场的基本方程、矢量磁位和磁场的边界条件。

掌握电流分布已知时磁感应强度和磁场强度的计算，矢量泊松方程和磁偶极子及其产生的场，标量磁位、互感和自感、磁场能量、能量密度、磁场力的概念和求解。

（四）静态场的解熟练掌握边值问题的分类、唯一性定理，掌握镜像法、分离变量法，了解有限差分法。

（五）时变电磁场熟练掌握时变电磁场的主要内容：法拉第电磁感应定律及其推广形式；位移电流；麦克斯韦方程组；时变电磁场的边界条件；坡印廷矢量、坡印廷定理、电磁场的能量密度和能量；正弦电磁场及其复数表示；电磁场的波动方程；时变电磁场的位函数、达朗贝尔方程、亥姆霍兹方程。