VASP控制参数文件INCAR的简单介绍

VASP控制参数文件INCAR的简单介绍作者：elizerbeth文章来源：zilu@日月光华INCAR是决定how to do 的文件限于能力，只对部分最基本的一些参数(>,没有这个标志的参数都是可以不出现的) 详细说明，在这里只是简单介绍这些参数的设置，详细的问题在后文具体示例中展开。

部分可能会干扰VASP运行的参数在这里被刻意隐去了，需要的同学还是请查看VASP自带的帮助文档原文。

参数列表如下：>SYSTEM name of System 任务的名字 *** >NWRITE verbosity write-flag (how much is written) 输出内容详细程度 0-3 缺省2 如果是做长时间动力学计算的话最好选0或1(首末步/每步核运动输出) 据说也可以结合shell的tail或grep命令手动输出>ISTART startjob: restart选项 0-3 缺省0/1 for 无/有前次计算的WAVECAR(波函数) 1 'res tart with constant energy cut-off' 2 'restart with constant basis set' 3 'full restart inclu ding wave function and charge prediction' ICHARG charge: 1-file 2-atom 10-const De fault:if ISTART=0 2 else 0 ISPIN spin polarized calculation (2-yes 1-no) default 2 MAG MOM initial mag moment / atom Default NIONS*1 INIWAV initial electrwf. : 0-lowe 1 -rand Default 1 only used for start jobs (ISTART=0) IDIPOL calculate monopole/dipole and quadrupole corrections 1-3 只计算第一/二/三晶矢方向适于slab的计算 4 全部计算尤其适于就算孤立分子>PREC precession: medium, high or low(VASP.4.5+ also: normal, accurate) Default: M edium VASP4.5+采用了优化的accurate来替代high,所以一般不推荐使用 high。

INCAR参数选择选择适合的INCAR参数对于有效进行DFT计算至关重要。

INCAR文件是VASP软件中控制计算的重要输入文件之一，包含了数百个参数选项。

以下是几个常见的参数，对于选择INCAR参数提供了一些建议。

1.ENCUT：ENCUT参数用于控制平面波截断能量（eV），决定了计算中平面波展开的最大能量。

通常情况下，ENCUT的值越大，计算结果的精度越高。

选择合适的ENCUT值需要考虑计算系统的性质以及计算资源。

一般而言，对于大型系统，推荐使用较高的ENCUT值，如300-500eV，而对于小型系统，200-300eV已经足够。

2.ISMEAR和SIGMA：ISMEAR参数用于设定能级的展宽方式，决定了计算中用于计算Fermi能级附近态密度的展宽方式。

SIGMA参数用于控制展宽的大小。

常见的取值有0、1、-5，对应于Gaussian展宽、Fermi-Dirac展宽和Methfessel-Paxton展宽。

选择合适的ISMEAR和SIGMA值需要考虑计算中能级分布的准确性和计算速度。

通常而言，ISMEAR=0和ISMEAR=-5配合较小的SIGMA值可以获得较高的计算精度。

3.NELM和NELMIN：NELM参数用于设定迭代循环的最大步数，决定了计算达到收敛所需迭代的次数。

NELMIN参数用于设定跳过的迭代步数，决定了VASP在开始迭代前保持步数的次数。

选择合适的NELM和NELMIN值需要考虑计算系统的复杂性和计算资源。

通常情况下，NELM的值越大，收敛所需的计算时间越长。

一般而言，NELM和NELMIN的值可以设置为10-100。

4.EDIFF和EDIFFG：EDIFF参数用于设定能量收敛的标准，决定了计算能量的精度。

EDIFFG参数用于设定离子弛豫的收敛标准，决定了离子弛豫的精度。

选择合适的EDIFF和EDIFFG值需要考虑计算精度和计算时间。

通常情况下，EDIFF的值越小，计算收敛所需的计算时间越长。

VASP经典学习教程有用VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）是一种用于固体材料计算的第一性原理计算软件包。

它使用密度泛函理论和平面波基组进行计算，可以预测材料的结构、能带、力学性质等基本属性。

本文将介绍VASP的经典学习教程，帮助初学者快速入门。

1.VASP的安装与基本操作-输入文件和输出文件：介绍VASP的常用输入文件和输出文件，以及它们的格式和含义。

-运行VASP计算：教授如何编写VASP运行脚本，以及如何使用命令行界面运行VASP计算。

2.VASP的输入参数和设置-INCAR文件：介绍VASP的主要输入文件INCAR的各种参数和选项，如体系的外部压力、电子迭代的收敛准则等。

-POTCAR文件：讲解VASP的赝势文件POTCAR的作用和用法，以及如何选择合适的赝势。

-KPOINTS文件：讲解KPOINTS文件对计算结果的影响，以及如何选择合适的K点网格。

3.VASP的基本计算-结构优化计算：教授如何进行结构优化计算，寻找稳定的材料晶格参数和原子位置。

-能带计算：讲解如何计算材料的能带结构，以及如何分析能带图和带隙。

-DOS计算：介绍如何计算材料的态密度，以及如何分析态密度图和能带图。

4.VASP的高级计算-弛豫计算：讲解如何进行离子和电子的同时弛豫计算，得到材料的稳定结构和力学性质。

-嵌入原子计算：介绍如何在材料中嵌入原子，并计算嵌入原子的相互作用能。

-软件接口和后处理：讲解VASP与其他软件（如VASPKIT、VESTA等）的接口，以及如何进行后处理分析。

5.VASP的实际应用-表面计算：介绍如何计算材料的表面能和表面形貌。

-催化剂计算：讲解如何通过VASP计算催化剂的吸附能和反应能垒，以预测其催化活性。

-界面计算：讲解如何计算材料的界面能和界面结构。

通过以上内容，初学者可以掌握VASP的基本原理和使用方法，并能在实际应用中进行一些基本的材料计算。

vasp简易说明3, Xming用gnuplot是gnu文件里面要加pause -14,INCAR 字符太长，vasp_lib里面要改drdatab.F文件，255改大，重新编译5 声子谱：phononp –d –dim=”3 3 1”6 vasp编译gama版本的：在第二个CPP加上-DwNGZhalf就行。

7 ISMEAR=-5，电荷密度和DOS之类的电子结构和总能准，但是算力不准，所以对于算声子谱，最好不用-5。

对于金属，声子谱一般用DFPT会更准。

对于半导体和绝缘体，不能用ISEMAR>0的，只能是-5或者0.对于金属，ISMEAR=1，sigma=0.28 DFPT不能用NPAR phonopy -d --dim="2 2 2" -c POSCAR-unitcellmv SPOSCAR POSCAR静态计算：IBRION=8，IALGO=38对于金属ISMEAR=1，sigma=0.2phonopy --fc vasprun.xmlband.conf里面要添加：FORCE_CONSTANTS = READphonopy -p -c POSCAR-unitcell band.conf一般来说，对于金属，或者窄能隙半导体，如果用位移法，则需要很大的胞才能算准，但是用DFPT则可以小包算准。

对于金属，PBE 可能更好点。

9, 如果体系较大，EDIFF达到停止计算，很可能是K点取太多，内存不够。

10, bandplot --gnuplot band.yaml >> phon.dat，用origin做声子谱11，画 CBM和VBM的partial charge,读入静态的WAVECAR，进行处理，此时要设置INCAR，LPARD = .TRUE. 开关IBAND = 480 481 VBM CBMNBMOD = 1 默认KPUSE = 1 第几个K点LSEPB = .TRUE. vasp查LSEPK = .TRUE.12，算极化：铁电相和顺电相都要算，每一个相算三次。

如何用VASP计算晶格常数VASP是一款常用的第一性原理计算软件，可用于计算各种物理和化学性质，包括晶格常数。

本文将通过详细的步骤指导如何使用VASP计算晶格常数。

1.准备工作：在使用VASP计算晶格常数之前，需要准备以下文件：-INCAR文件：包含所有计算参数的输入文件。

- POSCAR文件：包含体系的原子坐标和晶格常数的输入文件。

可以使用外部软件生成，例如Materials Studio、VESTA等。

-POTCAR文件：包含原子势能信息的文件。

-KPOINTS文件：用于定义k点网格，用于计算能带结构。

可以使用自动生成工具进行生成。

2.设置INCAR文件：打开INCAR文件，设置以下参数：-ENCUT：截断能。

一种势能截断参数，对计算结果影响较大。

可通过多次计算逐渐增大其值，直到结果收敛为止。

- ISMEAR：用于定义电子占据数的方法。

常用的选项有Gaussian和Methfessel-Paxton。

- SIGMA：在使用ISMEAR选项为Gaussian时，用于定义宽度的参数。

一般选择小于0.2 eV。

- PREC：定义计算的精度级别。

常用的设置有Low、Normal和High。

-NSW：定义离子进行多少步的迭代。

-ISTART和ICHARG：对于初始的计算，将其设置为0。

-EDIFF：收敛判据。

设置一个合适的值，使得计算结果收敛。

3.设置POSCAR文件：打开POSCAR文件，设置晶体的结构参数。

可以手动输入原子的坐标，或者复制其他软件生成的文件内容。

4.设置POTCAR文件：在VASP的安装目录中，找到POTCAR文件夹，并将需要使用的原子势能文件复制到当前工作目录中。

注意保持POTCAR文件的顺序和POSCAR文件中原子的顺序一致。

5.设置KPOINTS文件：打开KPOINTS文件，在其中设置k点的信息。

k点的密度对计算结果的精度有一定影响，可以根据具体需求进行调整。

在这里，我们将只计算晶格常数，因此可以选择较低的k点密度。

一、opt（黑色参数为常用，蓝色为不常用）Global Paramemters1. ISTART = 0决定V ASP程序是否在开始时读入波函数，常用的设置有0、1和2。

其中ISTA RT=0代表从头开始计算，不读入波函数文件。

ISTART=1代表读入已有波函数，并继续计算，此时新计算的原胞大小和形状可以和已有波函数中的不同，截断能也可以不同; ISTART=2也代表读入已有波函数，但截断能和原胞都不能改变。

I START有默认设置，如果V ASP程序开始时，没有找到波函数WA VECAR,则IS TART=0，否则为1。

因此通常不需要设置这个参数。

2. ISPIN = 2自旋极化计算开关。

默认值为ISPIN=1,即做非磁性计算; ISPIN=2,做自旋极化计算。

如果做非共线磁结构计算(LNONCOLLINEAR=.TRUE.),则不需要设置ISPI N参数。

3. ICHARG = 2决定V ASP程序是否在开始时读入电荷密度，常用的设置有0、1、2和1.其中I CHARG=0代表从初始的轨道计算电荷密度: ICHARG=1代表读入已有电荷密度文件CHGCAR,并开始新的自洽计算; ICHARG=2代表直接使用原子电荷密度的叠加作为初始密度; ICHARG=11代表读入已有电荷密度，并进行非自洽计算，通常用于电子能带和态密度计算，在此过程中电荷密度保持不变。

在非自洽计算时，特别是在做IDA+U计算时，建议设置LMAXMIX=4(对于d轨道元素)或者6(对于f轨道元素)。

4. LWA VE = .F.5. LCHARG = .F.确定是否输出波函数和电荷密度文件。

6. ENCUT = 500平面波截断能，决定平面波的个数，即基组的大小。

这是一个非常重要的参数，决定了计算的精度。

ENCUT越大，计算精度越高，但计算量会越大。

V ASP可以直接从POTCAR中得到每个元素默认的截断能，并且取最大值作为整个计算ENCUT的默认值。

V ASP软件的主要功能和INCAR文件目录大纲V ASP软件的主要功能和INCAR文件 (1)➢V ASP软件的主要功能 (2)➢V ASP软件的主要参数 (2)➢V ASP软件的主要参数INCAR文件 (2)V ASP软件采用周期性边界条件（或超原胞模型）处理原子、分子、团簇、纳米线（或管）、薄膜、晶体、准晶和无定性材料，以及表面体系和固体。

➢VASP软件的主要功能✧计算材料的结构参数（键长、键角、晶格常数、原子位置等）和构型✧计算材料的状态方程和力学性质（体弹性模量和弹性常数）✧计算材料的电子结构（能级、电荷密度分布、能带、电子态密度和ELF）✧计算材料的光学性质✧计算材料的磁学性质✧计算材料的晶格动力学性质（声子谱等）✧表面体系的模拟（重构、表面态和STM模拟）✧从头分子动力学模拟✧计算材料的激发态（GW准粒子修正）➢VASP软件的主要参数V ASP软件计算过程中主要的四个参数文件：INCAR、POSCAR、POTCAR、KPOINTS,下面简要介绍，详细权威的请参照V ASP手册。

➢VASP软件的主要参数INCAR文件该文件控制V ASP进行何种性质的计算，并设置了计算方法中一些重要的参数，这些参数主要包括以下几类：对所计算的体系进行注释✧SYSTEM定义如何输入或构造初始的电荷密度和波函数✧ISTART，ICHARG，INIW A V定义电子的优化✧平面波切断动能和缀加电荷时的切断值：ENCUT，ENAUG✧电子部分优化的方法：ALGO，IALGO，LDIAG✧电荷密度混合的方法：IMIX，AMIX，AMIN，BMIX，AMIX_MAG，BMIX_MAG，WC，INIMIX，MIXPRE，MAXMIX✧自洽迭代步数和收敛标准：NELM，NELMIN，NELMDL，EDIFF 定义离子或原子的优化✧原子位置优化的方法、移动的步长和步数：IBRION，NFREE，POTIM，NSW✧分子动力学相关参数：SMASS，TEBEG，TEEND，POMASS，NBLOCK，KBLOCK，PSTRESS✧离子弛豫收敛标准：EDIFFG定义态密度积分的方法和参数✧smearing方法和参数：ISMEAR，SIGMA✧计算态密度时能量范围和点数：EMIN，EMAX，NEDOS✧计算分波态密度的参数：RWIGS，LORBIT其它✧计算精度控制：PREC✧磁性计算：ISPIN，MAGMOM，NUPDOWN ✧交换关联函数：GGA，VOSKOWN✧计算ELF和总的局域势：LELF，LVTOT✧结构优化参数：ISIF✧等等。

VASP参数设置详解计算材料2010-11-3020:11:32阅读197评论0字号：大中小订阅转自小木虫，略有增减软件主要功能：采用周期性边界条件（或超原胞模型）处理原子、分子、团簇、纳米线（或管）、薄膜、晶体、准晶和无定性材料，以及表面体系和固体l计算材料的结构参数（键长、键角、晶格常数、原子位置等）和构型l计算材料的状态方程和力学性质（体弹性模量和弹性常数）l计算材料的电子结构（能级、电荷密度分布、能带、电子态密度和ELF）l计算材料的光学性质l计算材料的磁学性质l计算材料的晶格动力学性质（声子谱等）l表面体系的模拟（重构、表面态和STM模拟）l从头分子动力学模拟l计算材料的激发态（GW准粒子修正）计算主要的四个参数文件：INCAR,POSCAR,POTCAR,KPOINTS,下面简要介绍，详细权威的请参照手册INCAR文件：该文件控制VASP进行何种性质的计算，并设置了计算方法中一些重要的参数，这些参数主要包括以下几类：✍对所计算的体系进行注释：SYSTEM✍定义如何输入或构造初始的电荷密度和波函数：ISTART，ICHARG，INIWAV✍定义电子的优化–平面波切断动能和缀加电荷时的切断值：ENCUT，ENAUG–电子部分优化的方法：ALGO，IALGO，LDIAG–电荷密度混合的方法：IMIX，AMIX，AMIN，BMIX，AMIX_MAG，BMIX_MAG，WC，INIMIX，MIXPRE，MAXMIX–自洽迭代步数和收敛标准：NELM，NELMIN，NELMDL，EDIFF✍定义离子或原子的优化–原子位置优化的方法、移动的步长和步数：IBRION，NFREE，POTIM，NSW–分子动力学相关参数：SMASS，TEBEG，TEEND，POMASS，NBLOCK，KBLOCK，PSTRESS–离子弛豫收敛标准：EDIFFG✍定义态密度积分的方法和参数–smearing方法和参数：ISMEAR，SIGMA–计算态密度时能量范围和点数：EMIN，EMAX，NEDOS–计算分波态密度的参数：RWIGS，LORBIT✍其它–计算精度控制：PREC–磁性计算：ISPIN，MAGMOM，NUPDOWN–交换关联函数：GGA，VOSKOWN–计算ELF和总的局域势：LELF，LVTOT–结构优化参数：ISIF–等等。

VASP参数设置详解VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）是一种常用的第一性原理计算软件，用于模拟固体、分子和表面系统的物理和化学性质。

为了获得高质量的计算结果，需要正确设置VASP的参数。

下面将详细介绍一些常用的VASP参数设置。

1.ENCUT（能量截断）：ENCUT参数用于设置平面波的最大能量截断，即选择在计算中考虑的平面波的最高能量。

该值应根据所研究系统的性质和计算效率进行合理选择。

通常，对于绝大多数固体和分子系统，ENCUT值在400-800eV之间是合理的。

2.KPOINTS（k点网格）：k点网格用于对倒空间进行离散化，用于计算波矢对积分的近似。

合理选择k点网格可以保证计算结果的准确性。

通常，在进行几何优化时，需要使用较密的k点网格（如4x4x4），以保证准确计算受力和能量。

而在计算材料的电学性质时，可以使用较稀疏的k点网格（如2x2x2），以提高计算效率。

3. ISMEAR（布洛赫函数展开）：ISMEAR参数用于选择波函数的布洛赫函数展开类型。

对于金属系统，通常选择ISMEAR=0，表示完全展开。

而对于非金属系统，可以选择ISMEAR=1或ISMEAR=-5，表示在Fermi能级附近展开。

4.IBRION（结构优化算法）：IBRION参数用于选择结构优化算法。

VASP提供了多种结构优化算法，如梯度下降、共轭梯度法等。

在大多数情况下，选择IBRION=2进行离子弛豫是合适的。

另外，还需要设置EDIFFG参数，用于判定结构优化是否收敛。

5.NSW（迭代步数）：NSW参数用于设置结构优化的迭代步数。

由于结构优化过程是一个迭代的过程，通过不断调整原子位置来最小化能量。

合理选择NSW值可以保证结构优化达到收敛。

通常，对于简单的系统，NSW值在50左右是合适的；对于复杂的系统，可能需要更多的迭代步数。

6.ISIF（弛豫类型）：ISIF参数用于选择原子位置和晶胞尺寸优化算法。

incar中gga参数"incar" 是 VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）软件中的一个输入文件，用于控制计算的各种参数。

而 "gga" 则代表广义梯度近似（Generalized Gradient Approximation），是一种处理交换-相关能的方法。

在 VASP 的 "incar" 文件中，可以通过设置一些参数来控制 GGA 相关的计算。

下面我将从不同角度来解释 "incar" 中的 "gga" 参数。

首先，"gga" 参数在 "incar" 文件中用于指定交换-相关泛函的类型。

在 VASP 中，可以设置 "gga" 参数为不同的值，如 "PE"（Perdew-Wang 91交换相关泛函）、"RP"（RevPBE交换相关泛函）等，以选择不同的交换-相关泛函来进行计算。

不同的泛函对于材料性质的计算会产生不同的影响，因此合理选择 "gga" 参数是非常重要的。

其次，"gga" 参数还可以影响计算的精度和速度。

不同的交换-相关泛函对计算的精度和收敛性会有所影响，有些泛函可能会导致计算更加耗时，而有些则可能会加快计算速度。

因此，在选择"gga" 参数时，需要权衡计算的精度和速度，以便在保证结果准确的前提下尽量提高计算效率。

此外，"gga" 参数还与磁性材料的计算有关。

对于包含磁性原子的体系，选择合适的 "gga" 参数对于计算磁性性质是至关重要的。

不同的交换-相关泛函对磁性材料的计算结果会产生不同的影响，因此需要根据具体的研究对象来选择合适的 "gga" 参数。

INCAR文件中包含了多个参数，这些参数指导VASP程序如何执行计算任务。

以下是一些重要的INCAR参数及其作用：
1. SYSTEM：这个参数由用户自定义，用于给计算任务命名，它不影响计算结果。

2. ENCUT：平面波截断能，决定基组的大小和计算的精度。

较大的ENCUT值可以提高计算精度，但同时会增加计算量。

3. PREC：控制计算精度的参数，影响ENCUT、NGX、NGY、NGZ等多个参数。

4. EDIFF：控制自洽场（SCF）循环收敛的能量差异标准。

当连续两次迭代的总能量差小于EDIFF时，认为达到收敛。

5. ISMEAR 和SIGMA：这两个参数决定在布里渊区积分时如何计算分布函数。

6. LREAL：决定投影算符是在实空间还是倒空间进行计算。

高精度计算建议设置LREAL=.FALSE.，而在原子数超过20的系统中可以设置为LREAL=Auto（VASP 4.4及以上版本）。

虽然INCAR文件包含许多参数，但大多数都有默认值。

即便INCAR文件为空，VASP也能执行最基本的计算任务。

不过，为了完成特定的计算任务，通常需要手动设置一些关键参数。

INCAR详解-VASP1 For long MD-runs use NWRITE=0 or NWRITE=1. For short runs use NWRITE=2. NWRITE=3 might give information if something goes wrong. NWRITE=4 is for debugging only.分子动力学用nwrite= 0或12 ENCUT平面基波的截断能The number of plane waves differs for each k-point, leading to a superior beahviour for e.g. energy-volume calculations。

For calculations with more than one species, the maximum cutoff (ENMAX or ENMIN) value is used for the calculation (see below, Sec. 6.10). For consistency reasons we still recommend to specify the cutoff manually in the INCAR ?le and keep in constant throughout a set of calculations。

3 PRECPREC= high ENMAX 的1.3倍PREC=accurate medium ENMAXPREC=LOW ENMIN4 ISPIN指定体系总自旋5 ISTRAT= 0 重新计算ISTRAT= 1 根据元胞几何和ENCUT 读入wavecar restart 时几何和ENCUT 改变时采用此操作ISTRAT= 2 元胞几何和ENCUT 固定读入wavecar6 ICHARG =0 从初始波函计算电荷密度ICHARG =1 从CHGCAR 文件读入ICHARG =2 用原子电荷密度组装(LCAO)ICHARG = +10 非自洽计算ICHARG =10 从初始波函计算电荷密度并保持不变ICHARG =11 由给点的电荷密度求的能级本征值和态密度用于能带计算ICHARG =12 以LCAO密度进行的非自洽计算可以用来进行第一性原理分子动力学模拟7 INIWAV =0 凝胶波函数从低能开始填充INIWAV =1 随机数填充波函8 NBLOCK = 1 默认每过NBLOCK次离子运动，计算一次对关联函数，DOS,输出离子构型每过KBLOCK X NBLOCK 次离子运动输出平均对关联函数和DOS9 IBRION= -1 离子不运动但要作NSW 次外循环IBRION= 0 分子动力学IBRION=1 准牛顿法离子驰誉IBRION=2 CG法离子驰誉IBRION=3 衰减二阶运动方程进行离子驰誉IBRION=410 POTIMIBRION=0 分子动力学离子运动时间步长fsIBRION=1，2，3 POTIM为作用在力上的比例系数11 ISIF12 PSTRESS 是外加压力导致的应力，指定此参数时，在应力张量中增加一项，总能同时也要加入E=V X PSTRESS12 IWAVPR13 ISYM 默认1具有0 不具有2 内存对电荷密度的对称处理更有效14 LCORR 默认.TURE.对力进行Harris校正15 默认TEBEG = 0TEEND=TEBEG16 SMASS 是分子动力学模拟的参数，控制速度在模拟中如何变默认-3 体系能量在模拟过程中不变-2 保持初速度不变-1 MOD(NSTEP,NBLOCK).EQ.1>= 0 采用Nose算法的正则系综Nose质量控制模拟过程中的温度振荡频率，应设置的与研究体系的典型声子频率相当。

INCAR‎是决定ho‎w to do 的文件限于能力，只对部分最‎基本的一些‎参数(>,没有这个标‎志的参数都‎是可以不出‎现的)详细说明，在这里只是‎简单介绍这‎些参数的设‎置，详细的问题‎在后文具体‎示例中展开‎。

部分可能会‎干扰VAS‎P运行的参‎数在这里被‎刻意隐去了‎，需要的同学‎还是请查看‎V ASP自‎带的帮助文档‎原文。

参数列表如‎下：>SYSTE‎M name of Syste‎m任务的名字‎***>NWRIT‎E verbo‎s ity write‎-flag (how much is writt‎e n)输出内容详‎细程度0-3 缺省2如果是做长‎时间动力学‎计算的话最好选0或‎1(首末步/每步核运动‎输出)据说也可以‎结合she‎l l的ta‎i l或gr‎e p命令手‎动输出>ISTAR‎T start‎j ob:resta‎r t选项0-3 缺省0/1 for 无/有前次计算的‎W AVEC‎A R(波函数)1 'resta‎r t with const‎a nt energ‎y cut-off'2 'resta‎r t with const‎a nt basis‎set'3 'full resta‎r t inclu‎d ing wave funct‎i on and charg‎e predi‎c tion‎'ICHAR‎G charg‎e: 1-file 2-atom 10-const‎Defau‎l t:if ISTAR‎T=0 2 else 0ISPIN‎spin polar‎i zed calcu‎l atio‎n (2-yes 1-no) defau‎l t 2MAGMO‎M initi‎a l mag momen‎t / atom Defau‎l t NIONS‎*1INIWA‎V initi‎a l elect‎r wf. : 0-lowe 1-randDefau‎l t 1 only used for start‎jobs (ISTAR‎T=0)IDIPO‎L calcu‎l ate monop‎o le/dipol‎e and quadr‎u pole‎corre‎c tion‎s1-3 只计算第一‎/二/三晶矢方向‎适于sla‎b的计算4 全部计算尤其适于就‎算孤立分子‎>PREC prece‎s sion‎: mediu‎m, high or low(VASP.4.5+ also: norma‎l, accur‎a te) Defau‎l t: Mediu‎m VASP4‎.5+采用了优化‎的accu‎r ate来‎替代hig‎h,所以一般不‎推荐使用high。

INCAR文件说明
SYSTEM=GaN-Ge
ISTART=0 开始新的计算，按INIWAV初始化波函数
ICHARG=2 构造原子密度
ISMEAR=0 高斯smearing方法确定每个波函数的占有数
SIGMA=0.2 展宽为0.2
ENCUT=400 平面波的切断能为400ev
IBRION=2 采用共轭梯度算法来优化原子的位置
ISIF=3 计算离子所受的力,计算原胞的stress tensor,离子位置驰豫,改变原胞的形状，改变原胞的体积
POTIM=0.5 原子每步移动的大小
LREAL=Auto 原子数目大于20
ALGO=F 确定电子优化的算法,blocked Davidson 方法和RMM-DIIS 算法混着使用
EDIFF=0.001 在电子自洽迭代的循环中，总能收敛的标准
EDIFFG=-0.001 原子迟豫收敛的标准
PRCE=Accurate 精度
NSW=100 原子迟豫的最大步数和分子动力学的步数。

默认值为0。

在每一步内，电子进行自洽计算，并精确计算原子所受的H-F力和和应力
NELM=60 允许电子自洽迭代的最大步数。

默认值为60。

如果超过了40步还没有收敛的话，推荐对IALGO、LDIAG和混合参数进行手动设置到合理的值。

VASP输入输出文件一输入文件INCAR（标红为建议值）SYSTEM = ⨯⨯⨯#自定义计算任务的名称，例：fcc SIISTART = 0/1/2/3 #是否读取WAVECAR里波函数信息：0-不读，由程序初猜产生；1-读如无法读则如0；2-读如无法读则退出。

3-重启分子动力学计算时使用，同时需要WAVECAR和TMPCAR文件ICHARG=0/1/2/4/10/11/12 #控制如何做电荷密度初猜，CHGCAR是保存电荷密度信息的文件。

每个计算都会产生一个CHGCAR文件0-由WAVECAR计算电荷信息，如果没有WAVECAR则自动ICHARG=21从CHGCAR（保存电荷密度信息的文件）里读取外推，如果没有CHGCAR，则进行初猜产生；2初猜，通过原子电荷密度叠加产生；3在重启分子动力学计算时使用，同时需要TMPCAR文件10/11/12做非自洽计算时使用，电荷密度读CHGCAR保持不变，DOS和能带计算时使用ENCUT=⨯⨯⨯ #平面波的截断能，选取与赝势文件POTCAR有关，大概取EMAX 1.25~1.5倍，一般取400eV对计算表面科学足够了，在优化晶胞或精度计算时需要提高ENCUT。

ISMEAR=-5/-4/-3/-2/-1/0/[integer]>0 默认1 #如何加弥散，处理分数占据的轨道SIGMA=默认0.2 #弥散的展宽（eV）计算晶体单点能建议值：KPOINTS K点理论基础Name #自定义0 #0,格子自动生成G #Gamma centered Monkhorst-Pack grids1 1 1 #1⨯1⨯1对于正交晶系（α=β=γ=90°）用POSCAR中的晶格矢量，如图每一行代表一个基矢，取模，然后取倒数。

这三个倒数的比值就是三个方向上KPOINTS密度的取值：≈1.4:1:1然后KPOINTS有几种选择：3 2 2；4 3 3 ；6 4 4 ；7 5 5都可以。

在VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）中，INCAR文件是用来控制整个VASP计算的参数文件。

对于溶剂化参数的设置，你需要考虑以下两个方面：
1. ENCUT：这个参数用于控制截断能，它决定了波函数展开的基组大小。

一般来说，ENCUT越大，计算越精确，但计算时间也会增加。

通常，ENCUT的值在200-400eV之间。

2. ISMEAR：这个参数用于控制波函数和电荷密度的混合与平滑。

ISMEAR=-5表示使用Fast Fourier Transform（FFT）进行混合与平滑，而ISMEAR=0则表示不进行混合与平滑。

至于溶剂化参数的具体设置，你需要根据具体的计算需求和体系来决定。

一般来说，你需要先确定溶剂的种类和浓度，然后根据这些信息来设置相应的溶剂化参数。

需要注意的是，VASP是一个非常复杂的软件包，对于初学者来说可能有一定的难度。

如果你对VASP的使用还不熟悉，建议先参考相关的教程和文档，或者寻求专业人士的帮助。

石墨炔掺杂铁原子incar参数设置步长
在VASP软件中设置步长，通常是在INCAR文件中的EDIFF选项进行设置。

EDIFF参数是自洽场迭代过程中，电荷密度的变化允许的最小值，即当两次迭代间的电荷密度的变化小于这个值时，认为自洽场收敛，停止迭代。

步长的大小取决于你的计算需求，一般来说，步长设置的越小，计算的精度就越高，但同时计算的时间也会增加。

通常，步长的取值范围在1e-6到1e-3之间。

例如，如果你希望每一步的收敛标准是1e-6，那么你可以这样设置：
```
EDIFF = -1.0E-6
```
注意，EDIFF的值是负数，表示的是允许的最大变化量。

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vasp计算差分电荷密度的incar
最近，为解决在材料科学研究中存在的各种实际问题，通过VASP的计算差分
电荷密度（DCD）成为研究者的热门话题。

VASP是一款由著名材料科学家和分子科
学家提供支持与帮助的量子机器研究及应用软件，是一款基于DFT（密度泛函理论）技术领先的全电子结构计算软件。

DCD被用于计算体系的总体电荷密度的差异，它
能够反映体系的小尺度改变，加深人们对材料和反应机理的理解。

VASP计算DCD的incar工具包中包含了 ICUT-多种能量收敛和定义收敛能量、EDIFF-控制优化收敛，ISHFT-对密度收敛设置它的抹累和精度以及ICHARG-定义分
子和电荷密度的初始化值等参数，这些参数均采用改进的有效泛函和核型来计算DCD。

如此能更有效地获得更好的精度，从而有效控制体系间的电荷差异，从而提
高结构分析的准确性。

由此可见，VASP的DCD计算能力在材料和反应机理的分析研究中发挥了非常
重要的作用，可以有效改善电学特性，提高分子设计与制备，以及电子结构表征的准确性，因此受到许多材料科学研究者的高度重视和关注。