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南昌大学物理实验报告课程名称：普通物理实验（2）实验名称：霍尔效应学院：专业班级：I的原理和方法；S2只、电势差计、滑动变阻器、双路直流稳压电源、双刀双掷开关、连接导线15根。
三、实验原理：1、霍尔效应霍尔效应本质上是运动的带电粒子在磁场中受洛仑磁力作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横加电场，即霍尔电场H E .如果H E <0，则说明载流子为电子，则为n 型试样；如果H E >0，则说明载流子为空穴，即为p 型试样。
显然霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力e H E 与洛仑磁力B v e 相等，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故有：e H E =-B v e其中E H 为霍尔电场，v d ，bd v ne neR H 1=S I 、B 和d 可按下（1）由H R 为负，（2）由H R 求载流子浓度n.即eR n H 1=这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。
（3）结合电导率的测量，求载流子的迁移率μ与载流子浓度n 以及迁移率μ之间有如下关系μσne =即μ=σH R ,测出σ值即可求μ。
3、霍尔效应与材料性能的关系由上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是选择霍尔系数大（即迁移率高、电阻率也较高）的材料。
因μρ=H R ,金属导体μ和ρ都很低；而不良导体ρ虽高，但μ极小，所以这两种材料的霍尔系数都很小，不能用来制造霍尔器件。
半导体μ高，ρ适中，是制造霍尔元件较为理想的材料，由于电子的迁移率比空穴迁移率大，所以霍尔元件多采用n 型材料，其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此薄膜型的霍尔元件的输出电压较片状要高得多。
就霍尔器件而言，其厚度是一定的，所以实用上采用nedK H 1=来表示器件的灵敏度，H K )T ∙.4I 、磁感应强度B 的大小5%由于电流输入输出两引线端焊点处的电阻不可能完全相等，因此通电后会产生不同的势效应，使x 方向产生温度梯度。
霍尔点火系统工作原理
霍尔点火系统是一种现代化的点火系统，其工作原理基于霍尔效应。
霍尔效应是指当电流通过一个半导体材料时，由于材料中的自由电子被磁场影响，会产生一定的电压。
在点火系统中，霍尔元件被用来检测转子位置，从而精确地控制点火时间。
霍尔点火系统由以下几个部分组成：霍尔元件、控制电路、点火线圈和火花塞。
当发动机转子转动时，霍尔元件感受到磁场的变化，并产生一个信号。
这个信号被传递到控制电路中，控制电路根据信号判断点火时机，并向点火线圈发送信号。
点火线圈接收到信号后，产生高压电流，使火花塞点火，从而点燃混合气体，推动发动机转子运转。
相比于传统的机械点火系统，霍尔点火系统更加精准和可靠。
它可以实现高速点火、精准点火和多点点火，从而提高发动机的效率和性能。
同时，霍尔点火系统还可以自动适应不同的工作条件，例如气压、温度和海拔高度等，从而保证发动机的正常运行。
总之，霍尔点火系统的工作原理是基于霍尔效应，通过控制电路和点火线圈实现精准点火，从而提高发动机的效率和性能。
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霍尔电流传感器工作原理一、介绍霍尔电流传感器是一种常用的电流测量装置，利用霍尔效应原理来测量电流。
它具有非接触、高精度、低功耗等优点，被广泛应用于电力系统、工业自动化、电动车辆等领域。
本文将详细介绍霍尔电流传感器的工作原理。
二、霍尔效应原理霍尔效应是指当电流通过导体时，垂直于电流方向的磁场作用下，导体两侧产生一种电势差的现象。
这种现象是由霍尔元件（霍尔晶体）产生的，霍尔元件是一种半导体材料，具有特殊的电子结构。
当电流通过霍尔元件时，磁场会对霍尔元件中的载流子（通常为电子）施加一个力，使得载流子在霍尔元件中产生一个偏转。
这个偏转会导致霍尔元件两侧产生一个电势差，即霍尔电压。
霍尔电压与通过霍尔元件的电流和施加在霍尔元件上的磁场强度成正比。
三、霍尔电流传感器的工作原理霍尔电流传感器利用霍尔效应原理来测量电流。
它由霍尔元件、电源、信号处理电路和输出接口等组成。
1. 电源：为霍尔元件提供工作电压，一般为3.3V或5V。
2. 霍尔元件：将待测电流通过导线传入霍尔元件，电流通过霍尔元件时会在其两侧产生一个霍尔电压。
霍尔元件的输出电压与待测电流成正比。
3. 信号处理电路：用于放大和滤波霍尔元件的输出信号，以提高测量的精度和稳定性。
4. 输出接口：将处理后的电流信号输出给用户，一般为模拟电压信号或数字信号。
四、工作流程1. 将霍尔电流传感器与待测电路相连，确保电流通过霍尔元件。
2. 提供适当的工作电压，使霍尔元件正常工作。
3. 通过信号处理电路对霍尔元件的输出信号进行放大和滤波处理。
4. 将处理后的电流信号输出给用户，用户可以通过接口连接到其他设备进行进一步处理或显示。
五、优点和应用1. 非接触：霍尔电流传感器不需要与待测电路直接接触，避免了传统电流互感器中存在的接线问题和安全隐患。
2. 高精度：霍尔电流传感器具有较高的测量精度，通常可达到0.5%以内。
3. 低功耗：由于霍尔电流传感器采用半导体器件，功耗较低，适用于长时间工作。
42霍尔参数
42霍尔参数是一种用于描述材料磁性特性的物理参数。
霍尔效应是指当一个导体中有电流流过时，垂直于电流方向的磁场会产生一种电势差，这种现象被称为霍尔效应。
42霍尔参数是对这种效应进行量化和描述的参数。
42霍尔参数通常包括霍尔电阻RH、霍尔电压VH和霍尔系数RH。
霍尔电阻RH是指在给定电流和磁场下，垂直于电流方向的电压与电流之间的比例关系。
霍尔电压VH是指在给定电流和磁场下，垂直于电流方向的电压大小。
霍尔系数RH是指在给定电流和磁场下，霍尔电压与电流、磁场之间的关系。
42霍尔参数的精确测量对于研究材料的磁性特性和应用具有重要意义。
通过测量和分析42霍尔参数，可以了解材料的载流子类型、浓度和迁移率等重要参数。
此外，42霍尔参数还可以用于研究材料的磁性行为、磁场效应和磁性器件的设计与优化。
测量42霍尔参数的方法一般包括利用霍尔效应的实验装置，通过施加电流和磁场，并测量垂直电压来得到相关参数。
在实验中，需要选择合适的电流大小和磁场强度，以确保测量结果的准确性和可重复性。
此外，还需要注意消除可能的干扰因素，如温度变化、材料表面的污染等。
总之，42霍尔参数是描述材料磁性特性的重要物理参数，通过精确测量和分析这些参数，可以揭示材料的载流子特性和磁性行为，为材料研究和应用提供重要参考。
霍尔传感器工作原理一、引言霍尔传感器是一种常用的非接触式传感器，广泛应用于工业、汽车、电子设备等领域。
本文将详细介绍霍尔传感器的工作原理及其应用。
二、霍尔效应霍尔效应是指在导电材料中，当通过其垂直于电流方向的磁场时，会在材料两侧产生电势差。
这种现象是由霍尔效应元件（霍尔元件）产生的，通常由半导体材料制成。
三、霍尔传感器的构成1. 霍尔元件：霍尔传感器的核心部件是霍尔元件。
霍尔元件通常由硅材料制成，具有正、负两个电极。
当磁场作用于霍尔元件时，会在正、负电极之间产生电势差。
2. 偏置磁场：为了使霍尔传感器正常工作，需要在霍尔元件周围产生一个恒定的磁场，称为偏置磁场。
偏置磁场可以通过永久磁铁或者电磁线圈实现。
3. 信号处理电路：霍尔传感器的输出电压较低，需要通过信号处理电路进行放大和滤波，以提高信号的稳定性和可靠性。
四、霍尔传感器的工作原理当霍尔元件处于偏置磁场中时，磁场的作用会导致霍尔元件两侧产生电势差。
根据霍尔效应的原理，电势差的大小与磁场强度成正比，与电流方向和霍尔元件之间的夹角有关。
霍尔传感器通常有两种工作方式：线性模式和开关模式。
1. 线性模式：当磁场作用于霍尔元件时，霍尔元件两侧产生的电势差与磁场强度成正比。
通过信号处理电路将电势差转化为电压信号，可以得到与磁场强度线性相关的输出电压。
线性模式的霍尔传感器适合于需要测量磁场强度大小的场合。
2. 开关模式：当磁场作用于霍尔元件时，霍尔元件两侧的电势差会发生突变，从而改变输出状态。
当磁场超过一定阈值时，输出状态由低电平切换为高电平，反之亦然。
开关模式的霍尔传感器适合于检测磁场的开关状态，如接近开关、位置检测等。
五、霍尔传感器的应用1. 速度测量：霍尔传感器可以用于测量旋转物体的速度，如机电、风扇等。
通过将霍尔传感器安装在旋转物体上，当旋转物体经过磁场时，霍尔传感器可以检测到磁场的变化，从而测量旋转速度。
2. 位置检测：霍尔传感器可以用于检测物体的位置，如门窗的开关状态、阀门的开关状态等。
大学物理实验报告课程名称：普通物理实验（2）实验名称：霍尔效应学院：专业班级：学生：学号：实验地点：座位号：实验时间：一、 实验目的： 1、了解霍尔效应法测磁感应强度S I 的原理和方法；2、学会用霍尔元件测量通电螺线管轴向磁场分布的基本方法；二、 实验仪器：霍尔元件测螺线管轴向磁场装置、多量程电流表2只、电势差计、滑动变阻器、双路直流稳压电源、双刀双掷开关、连接导线15根。
三、 实验原理：1、霍尔效应霍尔效应本质上是运动的带电粒子在磁场中受洛仑磁力作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横加电场，即霍尔电场H E .如果H E <0，则说明载流子为电子，则为n 型试样；如果H E >0，则说明载流子为空穴，即为p 型试样。
显然霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力e H E 与洛仑磁力B v e 相等，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故有：e H E =-B v e其中E H 为霍尔电场，v 是载流子在电流方向上的平均速度。
若试样的宽度为b ，厚度为d ，载流子浓度为n ，则 bd v ne I由上面两式可得：dB I R d BI ne b E V S H S H H ===1 （3）即霍尔电压H V （上下两端之间的电压）与B I S 乘积成正比与试样厚度d 成反比。
比列系数neR H 1=称为霍尔系数，它是反应材料霍尔效应强弱的重要参量。
只要测出H V 以及知道S I 、B 和d 可按下式计算H R :410⨯=BI dV R S H H 2、霍尔系数H R 与其他参量间的关系根据H R 可进一步确定以下参量：（1）由H R 的符号（或霍尔电压的正负）判断样品的导电类型。
判别方法是电压为负，H R 为负，样品属于n 型；反之则为p 型。
（2）由H R 求载流子浓度n.即eR n H 1= 这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。
大学物理实验讲义实验12-用霍尔效应法测量磁场实验目的：1.熟悉霍尔效应的基本原理。
2.掌握用霍尔效应法测量磁场的方法。
3.了解LCR电路的基本原理及其在霍尔效应实验中的应用。
实验原理：1.霍尔效应当一个半导体片被放置在一个磁场中时，正常的电流方向将被改变，这是霍尔效应的重要特征。
在一个横向磁场中，电子将受到一个力，使它们沿一个轴移动，这个轴垂直于电流和磁场之间的平面。
由于电荷的分布而产生的电压称为霍尔电压，它与磁感应强度和电流成正比。
2.LCR谐振电路LCR谐振电路是一种电路，可以在给定频率下将电压最小化。
它包括一个电感，一个电容和一个电阻器。
在特定的谐振频率下，当电感和电容的电流达到平衡时，电阻器的电流将为零。
这时电路的表现出来的阻抗是最小的，因此在谐振频率下可以测量出磁场。
实验器材：霍尔效应实验装置、电源、导线、万用表、量角器、磁铁。
实验步骤：1.首先将霍尔效应实验装置放在静磁场中，并用万用表确认磁场的磁感应强度。
2.将红色电缆夹子连接到霍尔片上的直流电极，将黑色夹子连接到其左边的垂直电极，用导线将电缆夹子连接到电源上。
3.用万用表检查电源输出电压的值。
将电源输出电压调整到所需的范围。
4.将量角器放在霍尔片上，测量电流通过载流电极时，霍尔片的垂直电极与磁场之间的夹角。
5.打开电源，调整电流强度至所需范围。
6.将电阻器调至LCR电路上的电阻元件的最佳位置。
7.使用万用表或示波器测量在谐振频率下所具有的最小值。
8.再次使用量角器，测量电流通过霍尔片时，霍尔电压与磁场之间的夹角。
9.用霍尔电压和磁感应强度计算出霍尔常数。
1.通过等式VH = IBZH / e d，我们可以计算出横向电场的霍尔电压，其中IB是电流，ZH是霍尔电阻，e是电子的带电量，d是半导体晶片的厚度。
3.使用等式R = V/IH计算出霍尔电阻。
实验结果分析：通过实验数据处理，我们可以计算出霍尔电阻和霍尔常数，并使用它们来确定磁场的强度。
霍尔效应及应用实验数据霍尔效应是指当有导电材料（如金属、半导体等）中通过电流时，如果垂直于电流方向施加一个磁场，就会在导体上产生横向的电势差，这种现象就是霍尔效应。
之所以会出现霍尔效应，是因为载流子在磁场下受到洛伦兹力的作用，导致横向电势差的产生。
在霍尔效应中，电势差（Hall voltage）与电流方向、磁场强度以及材料的特性都有关系。
根据霍尔效应的不同类型，可以分为正常霍尔效应和反常霍尔效应两种情况。
正常霍尔效应是指当导体中的电流方向与外加磁场垂直时，电势差的方向与电流方向垂直，且呈现线性关系。
正常霍尔系数RH是描述该现象的物理量，它与载流子类型、密度、电荷量以及材料的性质有关。
反常霍尔效应是指当导体中电流方向与外加磁场平行时，电势差不再与电流方向垂直，而是与之平行。
反常霍尔效应通常出现在低温下、高磁场强度以及特殊材料中，与电子的自旋极化、轨道耦合等有关。
霍尔效应有很多实际应用，其中最常见的是霍尔传感器。
霍尔传感器是一种利用霍尔效应来检测磁场的仪器，广泛应用于电机控制、磁记录、磁导航等领域。
通过测量霍尔电势差可以确定磁场的强度和方向，进而实现对磁场的控制和检测。
另外，霍尔效应也可以应用于测量电流的传感器。
当电流通过导体时，根据霍尔效应产生的电势差可以推导出电流的大小。
这种基于霍尔效应的电流传感器具有响应速度快、精度高、抗干扰能力强等特点，被广泛应用于电力系统、电动汽车等领域。
除了传感器应用外，霍尔效应还可以用于研究材料的性质和物理现象。
测量材料在不同磁场下的霍尔电势差可以获取载流子的运动方式和性质，进而研究材料的输运行为、自旋极化等重要物理现象。
在实验中，通常会通过在导体上施加电流、外加磁场并测量产生的电势差来验证和研究霍尔效应。
实验数据包括电流大小、磁场强度、电势差的测量结果以及相关的计算和分析。
综上所述，霍尔效应是一种导体在磁场中产生横向电势差的现象。
它具有广泛的应用价值，包括传感器、电流测量、材料研究等领域。
霍尔电压产生原理霍尔电压产生原理是指在磁场作用下，通过霍尔元件产生的电势差，即霍尔电压的产生机制。
霍尔电压是指当电流通过一块薄片时，垂直于电流方向施加一个磁场，会在薄片两侧产生一个电压差。
霍尔电压产生原理是基于霍尔效应的。
霍尔效应是指当电流通过导体时，如果垂直于电流方向施加一个磁场，会在导体两侧产生一个电压差。
这个现象是由美国物理学家艾德温·赫尔在1879年首次发现并描述的，因此被称为霍尔效应。
霍尔元件是一种特殊的半导体材料，通常由镓砷化镓（GaAs）或硅（Si）材料制成。
它通常是一个长方形的薄片，通常被称为霍尔片。
霍尔片上有三个电极，分别是电流输入端（IN）、电压输出端（OUT）和接地端（GND）。
在正常情况下，当没有施加磁场时，霍尔片的电势差为零。
当通过霍尔片的电流受到磁场的作用时，电势差会发生变化，产生一个霍尔电压。
霍尔电压的大小与电流、磁场的强度和方向以及霍尔片的特性有关。
当电流通过霍尔片时，电子受到洛伦兹力的作用，导致电子在霍尔片内发生偏转。
在没有磁场作用下，电子受到的洛伦兹力平衡，不会发生偏转。
但是当施加磁场时，洛伦兹力会使电子发生偏转，从而在霍尔片的一侧产生电子富集，另一侧产生电子稀疏。
由于霍尔片上存在电势差，在电势差作用下，电子会从高电势一侧转移到低电势一侧，形成电流。
这个电流被称为霍尔电流。
霍尔电流的大小与电子的迁移速率有关，而电子的迁移速率又与磁场的强度和方向以及霍尔片的特性有关。
当霍尔电流通过霍尔片时，会在霍尔片的两侧产生一个电压差，即霍尔电压。
霍尔电压的大小与霍尔电流、磁场的强度和方向以及霍尔片的特性有关。
一般情况下，霍尔电压与磁场的强度成正比，与电流的大小成正比，与霍尔片的特性有关。
通过测量霍尔电压的大小，可以间接测量电流和磁场的强度。
这使得霍尔电压广泛应用于磁场测量、电流测量和速度测量等领域。
例如，在电动汽车中，可以利用霍尔电压测量电动机的转速，从而控制电动机的运行状态。
霍尔效应科技名词定义中文名称：霍尔效应英文名称：Hall effect定义1：在物质中任何一点产生的感应电场强度与电流密度和磁感应强度之矢量积成正比的现象。
应用学科：电力（一级学科）；通论（二级学科）定义2：通过电流的半导体在垂直电流方向的磁场作用下，在与电流和磁场垂直的方向上形成电荷积累和出现电势差的现象。
应用学科：机械工程（一级学科）；工业自动化仪表与系统（二级学科）；机械量测量仪表-机械量测量仪表一般名词（三级学科）百科名片霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。
这个电势差也被叫做霍尔电势差。
发现霍尔效应在1879年被E.H. 霍尔发现，它定义了磁场和感应电压之间的关系，这种效应和传统的感应效果完全不同。
当电流通过一个位于磁场中的导体的时候，磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的的作用力，从而在导体的两端产生电压差。
虽然这个效应多年前就已经被大家知道并理解，但基于霍尔效应的传感器在材料工艺获得重大进展前并不实用，直到出现了高强度的恒定磁体和工作于小电压输出的信号调节电路。
根据设计和配置的不同，霍尔效应传感器可以作为开/关传感器或者线性传感器。
霍尔效应（图中电场方向应向上）解释在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子与电洞受到不同方向的洛伦兹力而往不同方向上聚集，在聚集起来的电子与电洞之间会产生电场，此一电场将会使后来的电子电洞受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子电洞能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。
而产生的内建电压称为霍尔电压。
方便起见，假设导体为一个长方体，长度分别为a,b,d，磁场垂直ab平面。
电流经过ad，电流I = nqv(ad)，n为电荷密度。
霍尔效应的原理及应用1. 引言霍尔效应是指当电流通过一块导体时，当该导体中有磁场存在时，会在垂直于电流方向和磁场方向的方向上产生电势差，即霍尔电压。
霍尔效应在现代电子技术领域具有广泛的应用，如磁传感器、霍尔电流传感器、霍尔电磁流量计等。
2. 霍尔效应的原理霍尔效应的原理基于洛伦兹力和电荷守恒定律。
当电流通过一段导体时，导体内的自由电子受到洛伦兹力的作用，导致电子在导体内部发生偏转运动。
此时，若垂直于电流方向和磁场方向的方向上存在电势差，即霍尔电压。
霍尔电压和电流、外加磁场以及导体特性有关。
3. 霍尔效应的类型根据霍尔电压的极性，霍尔效应可分为正常霍尔效应和反向霍尔效应。
3.1 正常霍尔效应正常霍尔效应是指当电流流经导体时，在垂直于电流方向和磁场方向上产生的电势差为正值。
在正常霍尔效应中，电流、磁场和霍尔电压的关系如下： - 当电流与磁场方向相同，霍尔电压为正值； - 当电流与磁场方向相反，霍尔电压为负值。
3.2 反向霍尔效应反向霍尔效应是指当电流流经导体时，在垂直于电流方向和磁场方向上产生的电势差为负值。
在反向霍尔效应中，电流、磁场和霍尔电压的关系如下： - 当电流与磁场方向相同，霍尔电压为负值； - 当电流与磁场方向相反，霍尔电压为正值。
4. 霍尔效应的应用霍尔效应在许多领域都具有重要的应用价值。
4.1 磁传感器磁传感器是一种通过检测磁场变化来感知物理量的装置。
基于霍尔效应的磁传感器具有灵敏度高、响应速度快、非接触式等优点，广泛应用于机械工程、自动化控制、航空航天等领域。
4.2 霍尔电流传感器霍尔电流传感器是一种通过测量电流和获得霍尔电压来感知电流大小的装置。
霍尔电流传感器具有无功率损耗、高线性度、高精度等特点，在电力、电子设备等领域被广泛应用。
4.3 霍尔电磁流量计霍尔电磁流量计是一种通过测量流体中的霍尔电压来获得流速和流量的装置。
霍尔电磁流量计具有抗压力能力强、体积小、精度高等特点，在工业、农田灌溉等领域被广泛使用。
实验二霍尔效应及其应用引言霍耳效应是一种磁电效应。
在匀强磁场中放一金属薄板，使板面与磁场方向垂直，当沿垂直磁场方向给金属板通以电流时，在垂直电流和磁场方向的金属板两侧会产生一附加横向电场。
这一现象是霍耳（Hall, Ａ.Ｈ. 1855-1938）于1879年发现的，因此被称为霍耳效应。
后来发现半导体、导电流体等也有这种现象。
而半导体的霍耳效应比金属强得多。
霍耳效应不仅是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用霍耳效应原理将半导体制成磁敏器件被广泛应用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。
流体中的霍耳效应已成为研究“磁流发电”的理论基础。
本实验一方面了解霍耳效应产生的原理，一方面学习用霍耳效应测磁场的方法。
原理１）霍耳效应图1 霍尔效应霍耳效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。
对于图1所示的半导体试样，若在ｘ方向通以电流I，在ｚ方向加磁场Ｂ，则在ｙ方向即试样A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相S应的附加电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
显然，该电场是阻止载流子继续向侧面eE与洛仑兹力相等时，样品两侧电荷的积累就达到平偏移，当载流子所受的横向电场力H衡，故有：H eE evB =（1）其中：H E 为霍耳电场；v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
设试样的宽度为ｂ，厚度为ｄ，载流子浓度为ｎ，则S I nevbd =（2）由式（１）和式（２）可得：1S H H H S I BI U E b R n d d===B （3）H U （A 、A ′电极之间的电压）即霍耳电压，1H R ne=称为霍耳系数，是反映材料霍耳效应强弱的重要参数。
只要测出、()B U V ()B T 以及知道()S I A 和，可按下式计算(d cm ))3(/H R m c ：H H S U d R I B=（4）根据H R 可进一步确定以下参数。
霍尔效应英文名称：Hall effect定义1：在物质中任何一点产生的感应电场强度与电流密度和磁感应强度之矢量积成正比的现象。
定义2：通过电流的半导体在垂直电流方向的磁场作用下，在与电流和磁场垂直的方向上形成电荷积累和出现电势差的现象。
霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。
这个电势差也被叫做霍尔电势差。
发现：霍尔效应在1879年被E.H. 霍尔发现，它定义了磁场和感应电压之间的关系，这种效应和传统的感应效果完全不同。
当电流通过一个位于磁场中的导体的时候，磁场会对导体中的电子产生一个垂直于弟子运动方向上的的作用力，从而在导体的两端产生电压差。
虽然这个效应多年前就已经被大家知道并理解，但基于霍尔效应的传感器在材料工艺获得重大进展前并不实用，直到出现了高强度的恒定磁体和工作于小电压输出的信号调节电路。
根据设计和配置的不同，霍尔效应传感器可以作为开/关传感器或者线性传感器。
解释：在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子与电洞受到不同方向的洛伦兹力而往不同方向上聚集，在聚集起来的电子与电洞之间会产生电场，此一电场将会使后来的电子电洞受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子电洞能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。
而产生的内建电压称为霍尔电压。
方便起见，假设导体为一个长方体，长度分别为a,b,d，磁场垂直ab平面。
电流经过ad，电流I = nqv(ad)，n为电荷密度。
设霍尔电压为VH，导体沿霍尔电压方向的电场为VH / a。
设磁场强度为B。
（霍尔效应推导）相关反应: 量子霍尔效应、热霍尔效应：垂直磁场的导体会有温度差。
、Corbino效应：垂直磁场的薄圆碟会产生一个圆周方向的电流。
内容?举例如下:物理实验报告一、实验名称：霍尔效应原理及其应用二、实验目的：1、了解霍尔效应产生原理；2、测量霍尔元件的、曲线，了解霍尔电压与霍尔元件工作电流、直螺线管的励磁电流间的关系；3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法，测量长直螺旋管轴向磁感应强度及分布；4、学习用对称交换测量法（异号法）消除负效应产生的系统误差。
三、仪器用具：YX-04型霍尔效应实验仪（仪器资产编号）四、实验原理：1、霍尔效应现象及物理解释霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。
对于图1所示。
半导体样品，若在x方向通以电流，在z方向加磁场，则在y方向即样品A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场，电场的指向取决于样品的导电类型。
显然，当载流子所受的横向电场力时电荷不断聚积，电场不断加强，直到样品两侧电荷的积累就达到平衡，即样品A、A′间形成了稳定的电势差（霍尔电压）。
设为霍尔电场，是载流子在电流方向上的平均漂移速度；样品的宽度为，厚度为，载流子浓度为，则有：（1－1）因为，，又根据，则（1－2）其中称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
只要测出、以及知道和，可按下式计算：（1－3）（1—4）为霍尔元件灵敏度。
根据RH可进一步确定以下参数。
（1）由的符号（霍尔电压的正负）判断样品的导电类型。
判别的方法是按图1所示的和的方向（即测量中的＋，＋），若测得的＜0（即A′的电位低于A的电位），则样品属N型，反之为P型。
（2）由求载流子浓度，即。
应该指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。
严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》）。
（3）结合电导率的测量，求载流子的迁移率。
电导率与载流子浓度以及迁移率之间有如下关系：（1－5）2、霍尔效应中的副效应及其消除方法上述推导是从理想情况出发的，实际情况要复杂得多。
