半导体变流技术与可控硅整流装置
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scr可控硅在整流电路上的应用1.引言1.1 概述在整流电路中,可控硅是一种重要的元件。
它具有可控性强、耐压能力高、效率高等优点,因此在电力领域中得到广泛应用。
本文将介绍可控硅的基本原理及其在整流电路中的应用。
可控硅是一种单向导电元件,通过控制其门极电压或电流,可以实现对其导通或截止状态的控制。
由于其具有双向可导电性,可以将交流电信号转换为直流电信号,因此在整流电路中起着重要的作用。
在整流电路中,可控硅通常被用作整流桥电路的主要元件。
整流桥电路主要用于将交流电转换为直流电,常用于电源供给等领域。
可控硅的特性使得它能够控制电流的流动方向,并能够将交流信号转换为单向的直流信号。
可控硅在整流电路中的应用具有很大的优势。
首先,可控硅具有较高的效率和稳定性,可以实现高效的能量转换。
其次,可控硅能够进行迅速的开关控制,可靠地实现交流信号到直流信号的转换。
此外,可控硅的耐压能力较高,能够满足电力系统中的高电压需求。
总之,可控硅在整流电路中具有重要的应用价值。
本文将深入探讨可控硅的基本原理以及其在整流电路中的应用。
同时,还将展望可控硅在电力领域的未来发展,为读者对该领域有一个全面的了解。
1.2 文章结构本文主要讨论了可控硅在整流电路上的应用。
为了更好地组织文章内容,本文将按照以下结构进行论述。
首先,在引言部分,我们会对文章进行概述,介绍可控硅的基本原理和整流电路的应用背景。
并阐明文章的结构和目的,确保读者能够清晰地理解文章的主题和篇章结构。
接下来,在正文部分,我们会详细介绍可控硅的基本原理。
首先,我们将解释可控硅是一种什么样的器件,以及它的工作原理。
然后,我们将重点探讨可控硅在整流电路中的应用。
我们将介绍可控硅在单相和三相整流电路中的作用,并说明它在电力系统中的重要性。
我们还将分析可控硅在整流电路中的优势和限制,并介绍相关的电路拓扑结构和控制策略。
最后,在结论部分,我们将总结可控硅在整流电路上的应用。
我们将回顾本文的主要内容,强调可控硅的优点和局限性,并对其在电力领域的未来发展进行展望。
IGBT逆变焊机与可控硅整流焊机的区别IGBT逆变焊机电源是一种高性能、高效、省材的新型焊机电源,代表了当今焊机电源的发展方向。
由于IGBT大容量模块的商用化,这种电源更有着广阔的应用前景。
它与可控硅整流焊机的区别如下:1、可控硅整流焊机是将50HZ的交流电整流成直流电输出,通过改变可控硅的导通角来改变输出大小,输出波形不平滑,所以焊接效果不好,引弧及其他一些控制功能差。
IGBT逆变焊机电源大都采用交流-直流-交流-直流(AC-DC-AC-DC)变换的方法。
50Hz 交流电经全桥整流变成直流,再经过IGBT逆变,将直流电逆变成20~30kHz的中频矩形波,中频变压器降压,经过二次整流后输出,成为稳定的直流,输出波形好,通过PWM脉宽调制或移相控制IGBT逆变器的导通时间,改变输出的大小。
供电弧使用,引弧及焊接电流易于控制。
2、可控硅整流焊机体积大,较为笨重,不便于搬运和移动,而IGBT焊机由于逆变频率高达20~30kHz,所以变压器体积小,重量轻,易于搬运。
3、逆变焊机比可控硅整流焊机省电约30%左右。
4、IGBT逆变焊机控制及主电路较为简单,所以可靠性高,故障点少,易于维修。
5、IGBT控制技术已经非常成熟,是新一代逆变器的主流器件。
但由于焊机电源的工作条件恶劣,频繁的处于短路、燃弧、开路交替变化之中,因此IGBT逆变式整流焊机电源的工作可靠性问题成为最关键的问题,也是用户最关心的问题。
6、对电网电压的波形影响:电焊机是非线性用电设备。
可控硅整流焊机的谐波产生的原因是由于整流本身有一个阀电压,在小于阀电压时,电流为零(如图所示)。
为了提供平稳的直流电源输出,在电焊机中加入了储能元件(滤波电容和滤波电感),从而使阀电压提高,加激了谐波的产生量。
为了控制焊机的输出电压和电流,在焊机中使用了可控硅,这使得电焊机的谐波污染更严重,而且谐波的次数比较低。
IGBT逆变焊机,在交流变直流过程中产生的谐波与上述的可控硅整流焊机一样,它在直流逆变成交流时又有逆变波形反射到交流电流,因此IGBT逆变焊机产生的谐波分量不仅有低次谐波,还有高次谐波(如图所示)。
电力电子技术的发展趋势及应用半导体的出现成为20世纪现代物理学的一项最重大的突破,标志着电子技术的诞生。
而由于不同领域的实际需要,促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展,其中一个分支即是以集成电路为代表的微电子器件,而另一类就是电力电子器件,特点是功率大、快速化。
自20世纪五十年代末第一只晶闸管问世以来,电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台,以此为基础开发的可控硅整流装置,是电气传动领域的一次革命,使电能的变换和控制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子的诞生。
电子电力技术包括电力电子器件、变流电路和控制电路3部分,是以电力为处理对象并集电力、电子、控制三大电气工程技术领域之间的综合性学科。
电力技术涉及发电、输电、配电及电力应用,电子技术涉及电子器件和由各种电子电路所组成的电子设备和系统,控制技术是指利用外加的设备或装置使机器设备或生产过程的某个工作状态或参数按照预定的规律运行。
电力电子器件是电力电子技术的基础,电力电子器件对电能进行控制和转换就是电子电力技术的利用。
在21世纪已经成为一种高新技术,影响着人们生活的各种领域,因此对对电子电力技术的研究具有时代意义。
传统电力电子技术是以低频技术处理的,现代电力电子的发展向着高频技术处理发展。
其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代,在不断的发展中促进了现代电力电子技术的广泛应用。
电力电子技术在1947年晶体管诞生开始形成,接着1956的晶闸管的出现标志电力电子技术逐渐形成一门学科开始发展,以功率MOS-FET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件的出现,表明已经进入现代电子电力技术发展时代。
1.整流器时代在60年代到70年代被称为电力电子技术的整流时代。
该期间主要是大功率硅整流管和晶闸管的开发与应用。
1948年的晶体管的出现引发了电子工业革命,半导体器件开始应用与通信领域,1957年,晶闸管的诞生扩展了半导体器件功率控制范围,属于第一代电力电子器件。
电气试题(技术员使用)一、填空题:1、电流互感器与继电器常用接线方式有(星形接线)、(不完全星形接线)、(两相电流差接线)、三角形接线。
2、在实际运行中,消弧线圈应避免出现(全补偿)方式,以免出现(谐振)现象。
3、低温对SF6断路器尤为不利,因为当温度低于SF6气体在某一使用压力下的(临界)温度时,SF6气体将(液化),从而降低了绝缘和灭弧能力,使断路器的额定开断电流下降。
4、在阻、容、感串联电路中,只有(电阻)是消耗电能,而(电感)和(电容)只是进行能量变换。
5、SF6的缺点是:它的电气性能受电场均匀程度及(水分),(杂质)影响特别大。
6、变压器油在变压器中起(绝缘)、(灭弧)和(冷却)作用。
变压器油枕的作用(调节)油量、(延长油的)使用寿命。
油枕的容积一般为变压器总量的(十分之一)。
7、电压互感器二次负载愈大,则(变比误差)和(角误差)愈大。
8、变压器的调压分接头装置都装在高压侧原因是高压侧线圈中流过的(电流小), 分接装置因接触电阻引起的(发热量小)9、高压电动机的绝缘电阻,每1伏工作电压不应低于1MQ,绕线式电动机的转子绕组绝缘电阻不应低于亶MQ。
10、促使绝缘材老化的主要原因,在低压设备中是(发热),在高压设备中是(局部放电)。
11、直流电动机根据励磁方式可分为(他励)、(并励)、(串励)、复励)四种类型。
12、丫-△形降压启动是指电动机启动时,把定子绕组接成(星形),以降低启动电压,降制启动电流,待电动机启动后,再把定子绕组改接成(三角形),使电动机全压动行,这种启动方法适用于在正常动行时定子绕组作(三角形)连接的电动机。
13、变压器除了可以改变交变电压、(交变电流)之外还可以用来变换(阻抗)和改变(相位)。
14、电刷按其材质不同,分为(石墨电刷)、(电化石墨电刷)、和(金属石墨电刷)等三类。
15、晶闸管又叫(可控硅),其管芯是由四层半导体材料组成,具有(3n)个PN 结。
16、使直流电动机实现反转的方法有:改变(磁通)的方法、改变(电枢电流)的方法。
可控硅整流装置的工作原理及保护措施摘要:在整流装置过载或输出短路时,保护措施能起到安全保护功能,归结为限流保护和过电流保护。
这两种保护是否可靠,直接影响控硅整流装置的质量,代表着控硅整流装置的水平。
本文主要介绍了相控可控硅整流装置的控制原理,及限流、过电流保护在相控可控硅整流充电装置的应用。
关键词:可控硅整流装置开环控制闭环控制限流与过电流保护中图分类号: u264.3+71 文献标识码: a 文章编号:1 概述相控整流充电装置不论在电力系统还是在现代工业的各行各业中已得到广泛应用。
例如在电力系统中,即可作为系统控制、保护的工作电源,又可作为蓄电池的充电装置。
可控硅整流装置要安全运行,必须有可靠的保护措施。
在整流装置过载或输出短路时,保护措施能起到安全保护功能,归结为限流保护和过电流保护。
这两种保护是否可靠,直接影响控硅整流装置的质量,代表着控硅整流装置的水平。
2 可控硅整流装置的控制原理可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个pn 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。
可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
可控硅整流就是利用可控硅整流元件把交流电变换成大小可调的直流电。
以单相全桥为例,可控硅整流装置的输出电压ud与可控硅控制角α之间的关系如下式:ud=0.9uz1cosαud:可控硅整流装置输出电压;uz1:整流变压器二次侧线电压;α:可控硅控制角由上式可以看出,可控硅整流装置的输出电压与可控硅控制角α有关。
α实际上由控制电压uy决定.即当uy增加时,α增大,则ud减小;当uy减小时,α减小,ud增大。
什么是PWM整流电路?它和相控整流电路的工作原理和性能有何不同?PWM整流电路(Pulse Width Modulation Rectifier)是一种通过脉宽调制(PWM)技术实现的整流电路。
它通过对输入交流电压进行控制,将其转换成脉冲状的直流电压,以供后续的电力转换和利用。
PWM整流电路的工作原理如下:1.输入交流电压会经过整流桥(通常为可逆桥式整流器),将交流信号转换为带有纹波的直流信号。
2.通过PWM控制技术,根据所需输出电压的要求,调节整流桥的开关器件(如晶闸管、IGBT等)的导通和关断,从而控制输出电压的大小和形状。
3.脉冲宽度调制信号会根据输入交流电压的变化进行相应调整,以实现需要的输出特性。
相控整流电路(Phase Controlled Rectifier)是一种使用可控硅(thyristor)器件控制整流装置的电路。
它通过控制可控硅的导通角度来调节输出电压。
相控整流电路的工作原理如下:1.可控硅作为开关器件,通过控制控制信号的施加时间和角度来控制导通。
2.控制信号(触发脉冲)的施加时间和角度,用于控制可控硅的导通和关断时刻。
3.控制信号的施加时间和角度与输入交流电压的相位关系密切相关,通过改变可控硅的导通时刻来实现调节输出电压的目的。
相控整流电路和PWM整流电路的主要差异在于控制方式和切换频率:1.控制方式:相控整流电路通过控制可控硅的导通角度来调节输出电压,而PWM整流电路则通过调节脉冲宽度调制信号来实现电压控制。
2.切换频率:相控整流电路的切换频率取决于输入交流电压的频率,而PWM整流电路的切换频率可自行选择。
性能方面,PWM整流电路相对于相控整流电路具有以下优势:1.控制精度高:PWM整流电路可以精确控制脉冲宽度调制信号,以实现输出电压的精确调节。
2.谐波内容低:PWM整流电路可以通过控制开关器件的开关频率和脉冲宽度,减少谐波成分,提高电路的功率质量。
3.可以使用高频开关:PWM整流电路可以使用高频开关器件,从而实现更高的开关频率和功率密度,适用于高性能和高效率的应用。
可控硅整流器节能原理可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。
具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。
该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件1.整流元件(晶闸管)简单地说:整流器是把单相或三相正弦交流电流通过整流元件变成平稳的可调的单方向的直流电流。
其实现条件主要是依靠整流管,晶闸管等元件通过整流来实现.除此之外整流器件还有很多,如:可关断晶闸管GTO,逆导晶闸管,双向晶闸管,整流模块,功率模块IGBT,SIT,MOSFET等等,这里只探讨晶闸管.晶闸管又名可控硅,通常人们都叫可控硅.是一种功率半导体器件,由于它效率高,控制特性好,寿命长,体积小等优点,自上个世纪六十长代以来,获得了迅猛发展,并已形成了一门独立的学科.“晶闸管交流技术”。
晶闸管发展到今天,在工艺上已经非常成熟,品质更好,成品率大幅提高,并向高压大电流发展。
目前国内晶闸管最大额定电流可达5000A,国外更大。
我国的韶山电力机车上装载的都是我国自行研制的大功率晶闸管。
晶闸管的应用:一、可控整流如同二极管整流一样,可以把交流整流为直流,并且在交流电压不变的情况下,方便地控制直流输出电压的大小即可控整流,实现交流——可变直流二、交流调压与调功利用晶闸管的开关特性代替老式的接触调压器、感应调压器和饱和电抗器调压。
为了消除晶闸管交流调压产生的高次谐波,出现了一种过零触发,实现负载交流功率的无级调节即晶闸管调功器。
交流——可变交流。
三、逆变与变频直流输电:将三相高压交流整流为高压直流,由高压直流远距离输送以减少损耗,增加电力网的稳定,然后由逆变器将直流高压逆变为50HZ三相交流。
过流保护在可控硅整流装置中的应用过流保护是一种常见的电子保护技术,用于保护电气设备或器件免受过高电流的损坏。
在可控硅整流装置中,过流保护是一项重要的应用,它能够保证该装置的安全稳定运行,并保护被供电设备或应用不受损坏。
可控硅整流装置是一种电能转换设备,可将交流电转换为直流电。
在这种装置中,使用可控硅来控制电流的流动,从而实现电压调节和调速等功能。
由于可控硅整流装置涉及高电压和高电流,其操作过程中可能会出现意外事故,例如短路、过电流等问题。
过流保护技术的应用能够有效预防这些问题的发生。
过流保护技术的原理比较简单。
当可控硅整流装置中的电流超过一定传导能力时,由于电阻变小,电流会大量流动,过度电流会通过感应器或其他电子元件通过比较电路进行检测。
此时,检测到过流保护的电路就会打开并停止电流的流动,以保护电气设备不受损坏。
要在可控硅整流器中应用过流保护技术,需要使用一些特殊的过流保护器。
这些保护器多用于各种大型电气设备中,可根据设备的电气特性进行选择。
例如,可控硅整流器中常用的过流保护器有熔断器、开关式保护器和继电器等。
熔断器是一种常见的过流保护器,工作原理是电流过载时,导电体丝将发热并熔断,结束电流流动,从而避免设备被过度电流损坏。
由于熔断器的吹断特性是非恢复性的,一旦吹断就必须更换新的熔断器,限制了其使用寿命和经济效益。
开关式保护器是另一种过流保护器,通过控制开关量器件的导通和断路来实现过流保护,可以使其操作更受控制更有弹性,但其成本与复杂度相对较高。
还有一种继电器,它是一种电磁开关,可根据控制电压大小来控制开关量的导通和断路,实现可控硅整流者过流保护功能。
除了以上的过流保护器,还有一些电子器件,如快速断路器和智能电子开关等,也可以应用到可控硅整流器的过流保护中。
这些器件通常使用在小型电气设备中,可以提供高灵敏度、高性能的过流保护功能。
总之,过流保护技术在可控硅整流器中的应用具有重要意义。
它可以保护设备和应用免受过度电流损坏,并且可以提高设备的稳定性和安全性。
整流器介绍
★整流器:是一种以可控硅(晶闸管)为基础,以智能数字控制电路为核心的交流变直流的可控整流电器。
简称整流器。
又称晶闸管整流器、可控硅整流器、电镀整流器等。
具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快体积小、重量轻等诸多优点。
★可控硅整流器:主电路采用三相桥或双反星形带平衡电抗器电路(或三相五柱式)。
可控硅元件采用大功率元件,节能显着。
主控制系统采用大板高槛抗干扰、大规模集成控制板;模块及集成元件全部采用进口,可靠性高。
具有自动稳压、稳流,稳定精度优于1%。
具有0~60S软起动,电镀氧化着色时间可任意设定,自动定时。
采用多相整流,减小输出电压纹波系数ru,特别适应于镀硬铬工艺,表面光洁度好,镀层厚度均匀。
冷却方式:水冷、风冷、自冷。
★晶闸管全称晶体闸流管(又称可控硅,英文缩写SCR):是一种功率半导体器件。
它具有容量大、效率高、可控性好、寿命长以及体积小等诸多优点,是弱电控制和被控强电之间的桥梁。
从节能的观点出发,电力电子技术被誉为新电气技术。
我国的能源利用率较低,按国民生产单产能耗计算,我国则是法国的4.98倍、日本的4.43倍,因此以晶闸管(可控硅)为核心的电气控制装置的普及使用是我国有效节约电能的一项重要措施。
★晶闸管(可控硅):在我国工农业生产和民用方面主要应用在:交流调压、可控整流以及无触点功率静态开关等领域。
交流调压是利用晶闸管(可控硅)。
半导体器件在电力电子技术中的应用随着电力电子技术的不断进步和发展,半导体器件在电力电子领域中的应用越来越广泛。
本文将着重介绍半导体器件在电力电子技术中的应用,包括功率场效应管、整流器、逆变器以及开关电源等方面。
1. 功率场效应管功率场效应管是电力电子技术中广泛应用的一种半导体器件。
它具有低导通电阻、高开关速度、可靠性高等优点,被广泛应用于电力系统中的电源开关、电机驱动和短路保护等领域。
例如,在直流输电系统中,功率场效应管被用作开关装置,用于实现电力系统的有效控制和保护。
2. 整流器整流器是将交流电转换为直流电的电力电子设备。
半导体器件在整流器中扮演着重要的角色。
常用的整流器包括单相和三相整流器。
半导体整流器通常采用二极管或可控硅等器件,能够实现高效率的电能转换。
这些整流器广泛应用于交流电机驱动、反激式电路等领域。
3. 逆变器逆变器是将直流电转换为交流电的电力电子设备,也是半导体器件在电力电子技术中的一大应用领域。
逆变器通常采用IGBT、MOSFET 等器件,可以将电流转换为不同频率和不同电压的交流电。
逆变器在太阳能光伏系统、风能发电系统以及电动车驱动系统等方面都有广泛的应用。
4. 开关电源开关电源是一种通过开关管实现对输入电源的电能转换的电子设备。
半导体器件在开关电源中扮演着重要的角色。
开关电源通常采用MOSFET等高频开关器件,具有功率密度高、转换效率高等特点。
开关电源在计算机设备、通信设备、工业自动化等领域中得到广泛应用。
总结起来,半导体器件在电力电子技术中的应用非常广泛,包括功率场效应管、整流器、逆变器以及开关电源等方面。
这些器件的应用在电力系统的控制、电机驱动和能量转换等方面起到了关键作用,推动了电力电子技术的发展和进步。
通过半导体器件的应用,电力电子技术在提高电能转换效率、实现电力系统的高效运行以及推动新能源开发利用等方面发挥了重要作用。
随着科技的不断进步和发展,半导体器件在电力电子技术中的应用将会越来越深入,为实现清洁能源和可持续发展做出更加重要的贡献。
电力电子技术在电力系统中的应用******************摘要:随着人们生活水平的不断提高,社会性能的作用越来越大,人们对于电力系统的应用要求也越来越高,电力系统的应用在促进现代化电网事业发展方向方面起着重要的作用。
在现阶段,计算机技术不断地发展进步,被人们应用于生产生活的各个领域,这给电力电子技术实现长足发展提供了可能,是高新技术产业发展的主要基础技术之一,是传统产业改革的重要手段。
电力电子技术还是一个以功率半导体器件、电路技术、计算机技术、现代控制技术为支撑的技术平台,电力电子技术是目前发展较为迅速的一门学科,进而为我国电力系统的日益完善创造了条件。
关键词:电力电子;电力系统;技术应用引言电力电子技术是计算技术在电力系统中的具体实现,随着电力系统计算机化和信息化的水平不断提高,电力电子技术在电力系统中的作用也越发明显。
简单的说,电力电子技术就是通过计算机技术将强电和弱电进行有效的组合,它是计算机应用技术、电子技术、电路技术还有电力控制技术为一体的服务性的技术。
就电力电子技术在我国电力系统中的应用和发展进行了重点阐述,说明电力电子技术在电力系统中的重要性。
1.电力电子技术的发展1.1电力电子技术的产生电力电子技术的产生要追溯到上世纪50年代时期,电力电子技术的产生是以晶闸管的问世为里程碑的。
作为现代电力系统中的重要传动技术,电力电子技术在晶闸管的基础上可发出了可控硅整流装置,可控硅整流装置的问世,代表了电力系统传动技术的一次巨大的跨越。
从此以后,电能的变换和控制正式步入了电力电子器件构成的变流器时代。
所以说,电力电子技术的产生是以可控硅整流装置为标志的。
1.2电力电子器件的发展电力电子技术产生自以后在电力系统中有了十足的发展。
第一代的电力电子器件主要以电力二极管和晶闸管为代表。
第一代电力电子器件的特点是体积小、耗能低。
在电力电子技术产生以后其迅速的取代了原有电力系统中的老式汞弧整流器,为电力电子技术的推广和发展奠定了良好的基础。
可控硅整流器工作原理
可控硅整流器是一种电力电子设备,主要用于将交流电转换为直流电。
它的工作原理如下:
1. 可控硅:可控硅是一种半导体元件,具有两个PN结,类似于二极管。
但是不同的是,可控硅还有一个控制端,可以通过控制端的信号来控制可控硅的导通和关断。
2. 实现整流:可控硅整流器的输入是交流电,将其通过一个变压器降压或升压到适当的电压。
然后将其输入到可控硅整流器的整流器电路中。
3. 控制可控硅导通:通过控制端的信号,可以控制可控硅的导通和关断。
当可控硅导通时,正向电流会通过可控硅,使得整流器输出直流电;当可控硅关断时,电流无法通过可控硅,整流器输出电压为零。
4. 控制导通角:通过控制端的信号,可以控制可控硅的导通角度。
导通角度是指可控硅导通的时间与每个交流周期的时间的比例。
控制导通角可以改变输出电压的大小。
5. 脉宽调制:为了实现可控硅整流器的精确控制,可以使用脉宽调制技术。
脉宽调制通过控制每个周期内可控硅的导通时间来调节输出电压的大小和波形。
总的来说,可控硅整流器通过控制可控硅的导通和关断,以及
控制导通角度和脉宽来将交流电转换为直流电。
这样可以实现对直流电的控制和调节。
半导体变流技术与可控硅整流装置钢板总厂热卷板检修车朱广永一. 概述半导体变流技术是近代工业发展到半导体时代最典型的技术之一,他不仅在发电机励磁系统方面得到广泛的应用,在冶金、化工、机械制造、交通运输等各方面都得到广泛的应用。
可以说,现代生活、生产无处不存在变流技术。
半导体变流技术是现代励磁系统最基本的技术之一。
在发电机励磁系统上他不仅取代了传统的直流励磁机,而且在励磁调节方面取代了传统的磁放大器、相复励变压器和整流器,甚至在灭磁方面也部分取代了磁场断路器和灭磁电阻的作用。
现代发电机励磁系统中,从电源的变换到发电机励磁能量的提供,无处不存在变流技术的应用。
本课程主要就半导体变流技术的几种典型应用和具体电路进行分析。
另外还利用一定的篇幅根据整流装置在现场的应用介绍一些装置的故障判断和处理方法。
二. 变流技术的种类单相半波整流单相全波整流不可控整流单相桥式整流单相整流单相半波可控整流单相桥式半控整流可控整流单相桥式全控整流半导体变流三相零式整流不可控整流三相桥式整流三相整流三相半控桥可控整流三相全控桥上面的分类只是按照应用最多的情况进行的分类,实际应用中远较上面的要多。
比如六相整流、十二相整流等等。
由于这些电路在励磁系统中应用的较少,我们在分类时就没有将他们列入。
实际上,在早期的模拟式自动励磁调节器的电压测量回路中,为了保证测量电压的纹波系数,六相和十二相整流电路应用的还是很普遍的,只是现代微机励磁调节器采用交流电压采样方式以后,对测量电压的纹波要求相对降低了而不怎么采用了。
三. 单相整流电路 3.1单相半波整流电路单相半波整流电路接线图及波形图见图一单相半波整流是半导体变流技术中最基本的电路。
他是利用半导体二极管的单向导电性,将交流电转换为直流电最基本的方法。
由于二极管的单向导电性,变压器二次电压只有正方向电流才能够通过二极管而施加到负载上,而负方向由于二极管的阻断作用而不能施加到负载上,因此,负载上获得的平均电压仅为变压器二次电压的一半。
由于存在二极管导通压降和变压器二次绕组的压降,故电路中:245.0U U d =由于在电路的输出侧装有滤波电容器,负载上的最高电压将可以达到变压器二次电压的峰值电压,即22u u d =;同时,由于电容器的放电作用,在变压器二次电压下降时,负载上的电压并不随二次电压下降而下降,而是由电容器的放电曲线所决定。
单相半波整流电路的波形图见图一(b )。
图中:兰色曲线为变压器二次电压,红色曲线为无滤波电容器时的整流输出电压,棕色曲线为有滤波电容器时负载上的电压。
当整流二极管换为可控硅,电路变化为可控单相整流电路时,负载上的平均整流电压由:2cos 145.0)(sin 22122αωωππα+==⎰U t td U U d 决定。
式中:U 2——变压器二次绕组电压的有效值;α——移相角。
由式可以看出,当α改变时,负载上获得的平均整流电压会有不同的值。
3.2 单相全波整流单相全波整流电路接线图及波形图见图2。
在变压器副边电压的正半周,二极管D1处于正向偏置而D2处于反向偏置状态,D1在正向电压的作用下导通,D2在反向电压的作用下截止,负载上获得e21电压;在变压器副边电压的负半周,二极管D1处于反向偏置状态,而D2处于正向偏置状态,D2在正向电压的作用下导通,D1在反向电压的作用下截止,负载上获得e22电压。
负载上的电压波形如图2b中棕色曲线。
与单相半波整流电路相比,全波整流的输出要多一个波,因此,输出电压也较半波要高一倍,故: U d=0.9U2与单相半波一样,在有滤波电容器时,负载上的最高电压为变压器二次电压的峰值,使用中应当特别注意。
3.3单相桥式整流单相桥式整流是实际应用最多的单相整流电路。
电路接线见图3。
在电路中,四只整流管组成桥式整流。
在变压器二次电压的正半周,电流通过D1→Rfz→D2→W2形成通路,而在负半周,电流通过D3→Rfz→D4→W2形成通路,负载上电压波形见图3(b)棕色曲线。
与全波整流一样,桥式整流电路的平均输出电压:U d=0.9U2当有滤波电容器时,负载上的最高电压为变压器二次电压的峰值。
当整流管换为可控硅时,桥式整流可以很方便地变换为可控整流。
单相桥式可控整流电路的输出电压由:2cos 19.02α+=U U d 决定。
当可控整流桥接入感性负载时,由于电感电流不能突变,在可控硅关断期内,必须在负载两端接入续流二极管以保持电感电流的通路,以防止可控硅关断时在电感负载两端产生危险的过电压和可控硅能够换相导通。
四. 三相整流电路三相整流电路是励磁系统最基本的变流技术之一。
现代发电机自励励磁系统几乎全部采用三相整流电路来解决励磁系统的功率部分。
根据应用场合的不同,三相整流电路分为三相零式、三相半控桥、三相全控桥、多相整流等多种电路形式。
三相整流不仅输出波形的纹波小,而且输出电压等级高、电流大,特别适合于大功率整流的场合。
4.1三相零式(半波)整流三相零式整流是多相整流电路的基础电路,可以说,其他多相整流电路是三相零式整流电路的叠加,掌握这一部分是解决其他多相整流电路的基础,应当引起足够的重视。
三相零式整流电路的接线图和波形图见图4。
由图4可以看出,在ωt1~ωt2时段,u2a 为正,u2b 、u2c 均低于u2a ,D1受正向电压而导通,D2、D3元件关断;在ωt2~ωt3时段,u2b 电压上升u2a 下降,而u2c 则处于最低电压,故D2导通,D1、D3关断;在ωt2~ωt3时段,u2c 上升为最高值,其他两相电压则下降到较低的值,故此时轮换到D3导通而D1、D2关断。
负载上获得的电压如图4b 中兰线所示波形。
整流电压Ud 与变压器二次电压的关系有:U d=1.17U 2当整流元件换为可控硅时,整流电压Ud 与变压器二次电压的关系有:U d =1.17U 2cos α 负载上的电流与变压器二次绕组间电流关系有:I 2=0.59I d 负载功率与变压器容量的关系有:d dd P I U U I S 5.117.1359.03222=== 这里需要说明,当可控整流电路的负载为电感元件时,要注意在电感两端并联续流二极管,以保持电流的连续通路和可控硅的可靠换相。
上面的半波整流电路称为共阴极三相零式电路,他的输出为正电压。
在实际应用中,为了获得负电压,可以将整流元件的阳极作为公共极而输出,称为共阳极三相零式电路。
电路的分析方法与共阴极三相零式电路一样,只是要注意电压的极性应相反。
从前面的分析可知,三相零式整流只是利用了变压器二次电压的相电压,相对利用变压器二次线电压的三相全波整流来说输出电压也较低。
此种方式在冶金系统用的更多一些,而在电力系统应用较少。
共阴极电路和共阳极电路组合以后,可以形成具有正、负极性输出的整流电源,也可以提高整流输出电压。
4.2 三相桥式整流三相桥式整流是电力系统特别是发电机励磁系统应用最多的方式。
在三相桥式整流方式下,他充分利用了变压器的二次线电压,不仅提高了整流装置的输出电压水平,还大大降低了整流变压器的二次电流和损耗。
三相桥式整流的电路图和波形图见图5。
与三相零式整流电路不同的是,三相桥式整流是以线电压为基础进行分析的。
如图所示,在ωt1~ωt2区间,D1、D6承受的电压最高,电流通过a →D1→Rfz →D6→b →变压器a 、b 相副绕组形成闭环通路;在ωt2~ωt3区间,D1、D2承受的电压最高,电流通过a →D1→Rfz →D2→c →变压器a 、c 相绕组形成闭环通路,整流元件D6、D2在ωt2点换相;在ωt3点,a 相电压下降而b 相电压上升且高于a 相电压,电流由D1换到D3,在ωt3~ωt4区段形成D3→Rfz →D2→变压器b 、c 相绕组的闭环通路;在ωt4点,再次由D2换流到D4,在ωt4~ωt5区段形成D3→Rfz →D4→变压器b 、a 相绕组的闭环通路;以下类推。
负载上的电压波形见图5b 兰色曲线。
三相整流元件的导通换流顺序如下:三相桥式整流电路的整流电压与变压器二次电压的关系为:L d U U 235.1式中:U 2L ——整流变压器二次线电压三相桥式整流电路的整流输出电流与变压器二次绕组电流的关系为:d I I 817.02= 变压器与整流功率的关系为:d d dP I U I U S 05.1817.024.333222=⨯== 4.3 三相半控桥式整流三相半控桥式整流是在三相桥式整流电路的基础上,改变其中一组整流元件为可控硅的整流电路。
电路的工作原理与三相桥式整流电路完全一样,所不同的是使用可控硅以后,整流元件的换流不是在自然换流点,而是在触发点换流。
电路接线图及换流情况见图6。
三相半控桥式整流电路在控制角为00时的输出波形与三相半波整流时完全一致;控制角在00≤α≤600范围内,每个周波有6个波头,而在600≤α≤1800范围内,每个周期只有三个波头,且波形之间有间距;α=600时波形刚好连续。
α<600时每个周期的六个波头中三个相互间隔的波头为可控波,三个间隔的波头为二极管整流波。
结合前面对三相整流桥的分析可以看出:1)α=00时,三相半控桥的输出和波形与三相整流桥的波形完全一致。
2)α≤600时,三相半控桥波形为六个连续波;α>600时只有三个波且不连续,其整流电压与变压器副绕组之间的关系为:)cos 1(2232απ+=L d U U 由于三相半控桥在α为不同角度时输出波形有较大的区别,因此,整流电压与变压器二次电压不能维持一个固定的比例关系。
α=00时,35.12=ld U U ;α=900时,675.02=L d U U 。
3)通过整流元件和变压器二次绕组的电流由于α角的不同而有较大的差别,他需要按α角的区段进行分析。
⑴在00≤α≤600区段内波形连续的情况下,通过整流元件的电流为:))2cos 1(433(21αππ++=Mscr I I 因 )cos 1(23)cos 1(2232απαπ+=+==M l fz d d I R U R U I 故 )]2cos 1(433[21)cos 1(32αππαπ+++=Id Iscr ⑵在00≤α≤600区段内波形连续的情况下,通过变压器副绕组的电流:)2cos 1(433[12αππ++=MI I 将)cos 1(32απ+=M I 代入式中,得:)2cos 1(433[1)cos 1(322αππαπ+++=d I I ⑶在600≤α≤1800区段内波形不连续的情况下,通过整流元件的电流为:)42sin 2(21ααππ+-=MI Iscr 则:)42sin 2(21)cos 1(32ααππαπ+-+=d scr I I ⑷在600≤α≤1800区段内波形不连续的情况下,通过变压器副绕组的电流为:)42sin 2(12ααππ+-=MI I将I M 代入式中得:)42sin 2(1)cos 1(322ααππαπ+-+=d I I4.4三相全控桥整流电路三相全控桥整流电路是发电机自并励励磁系统应用最多的电路。