HC-70WB变压器

HTBC-V 变压器变比组别测试仪一、概述HTBC-V 变压器变比组别测试仪，是最新推出的专业化产品，可用于电力系统的三相变压器测试，特别适合于Z型绕组变压器、整流变压器和铁路电气系统的斯科特、逆斯科特、平衡变压器测试。

仪器采用了大屏幕液晶显示，全中文菜单及汉字打印输出，人机界面友好，功能完善，操作方便，是电力系统、变压器生产厂家和铁路电气系统进行变压器变比、组别、极性、以及角度测试的理想仪器。

本仪器输入单相电源，内部采用功率模块产生三相电源输出到变压器的高压侧，可进行三相变压器或其它特种变压器变比、误差及组别或相位角的测试，另外本仪器还能提供一组相差90°的二相电源输出，可进行逆斯科特变压器的变比及相位差测试。

特点：1. 自动产生幅值稳定、相位恒定的三相、两相、或单相标准电源。

2. 不受变压器内部接线方式的约束，直接测量高、低压侧的电压比值及相角差。

3. 速度快，一组数据的测试时间为几秒钟，且能在测试过程中转换分接开关，一气呵成完成一台变压器的所有分接位置的测量，19分接位置变压器的测试时间只需要10分钟的时间，大大提高工作效率。

4. 内部具有过流保护功能。

5. 测试结果不受工频电源频率及幅值波动的影响。

6. 尤其适用于特种变压器的变比及相位差测试。

7. 真正意义上的三相同时测量。

8. 具备RS232接口，方便生产厂家的测试自动化要求。

具备数据存储功能，可以保存2048组测试数据，并能通过RS232接口上传到计算机。

二、技术指标1.变比测试范围： 1～50002.组别测试范围： 1～123.变比测试准确度：±0.2%4.相位差测试范围：0～360°5.相位差测试准确度：0.2°6.仪器电源输入：220V±22V 、50Hz±1Hz三、仪器外观及面板介绍图 1图 2四、仪器使用接线（注意：高/低压侧不能接反）三相电力变压器或者整流变压器的接线图如图３所示。

cxb船用变压器标准船用变压器是一种在船舶上使用的电气设备，主要用于变换电压以适应船舶系统的电力需求。

为了确保船用变压器的正常性能和安全运行，国际上制定了一系列相关的技术标准和规范。

本文将介绍一些与船用变压器相关的参考内容，这些内容主要涉及国际标准化组织和国际电工委员会等权威组织所制定的标准。

1. IEC 60092-4 "海洋船舶电气装置"：这是国际电工委员会制定的标准，规定了海洋船舶上的电气装置的要求，包括船用变压器的设计、制造、安装和运行等方面。

这一标准为船用变压器的设计和应用提供了指导。

2. IEC 60076 "电力变压器"：这一系列标准是国际电工委员会制定的，其中包括IEC 60076-1至IEC 60076-12等多个标准，涵盖了电力变压器的各个方面。

其中，IEC 60076-10专门规定了海洋电力变压器的设计和性能要求，该标准在船用变压器设计中有较高的参考价值。

3. IEEE C57.12.50 "接地变压器"：这是美国电气和电子工程师协会制定的标准，用于接地变压器（具有特殊绝缘和接地装置的变压器）的设计和应用。

船用变压器的接地设计需要符合该标准的相关要求。

4. ISO 9001 "质量管理体系"：这是国际标准化组织制定的用于组织和实施质量管理的标准。

船用变压器制造商可以依据此标准建立和实施质量管理体系，以保证产品的质量和性能。

5. ISO 14001 "环境管理体系"：这是国际标准化组织制定的用于组织和实施环境管理的标准。

船用变压器制造商可以依据此标准建立和实施环境管理体系，以满足环保要求并减少与生态系统的不良影响。

此外，还有一些国家和地区制定的标准和规范，如美国国家电气制造商协会（NEMA）制定的标准、欧洲电气厂商联盟（EUREL）制定的标准等，这些标准通常针对特定地区的要求和环境进行规范。

光伏升压变压器介绍一、概述光伏升压变压器是一种特殊类型的变压器，专为光伏发电系统设计。

在光伏发电系统中，由于太阳能电池板产生的直流电需要转换为交流电以便并网或本地使用，因此升压变压器在此过程中起着关键作用。

通过将太阳能电池板产生的低电压直流电转换为高电压交流电，升压变压器提高了电力传输和分配的效率。

二、工作原理光伏升压变压器的工作原理基于电磁感应原理。

当一次侧的电流发生变化时，会在铁芯中产生磁通量，进而在二次侧感应出电动势。

通过改变一次侧的匝数或电压，可以调节二次侧的电压。

在光伏发电系统中，升压变压器将太阳能电池板产生的直流电转换为高压交流电。

三、重要参数1. 额定电压：变压器的额定电压是指变压器正常工作时一次侧和二次侧的最高和最低电压值。

对于光伏升压变压器，额定电压通常根据电网电压和太阳能电池板的输出电压来确定。

2. 额定电流：额定电流是指变压器在正常工作条件下一次侧和二次侧的最大和最小电流值。

它反映了变压器的负载能力和效率。

3. 额定容量：额定容量是指变压器的视在功率，表示变压器在额定电压和额定电流下的输出能力。

对于光伏升压变压器，额定容量通常以kV A或kV Arh 为单位。

4. 效率：效率是指变压器传输的功率与输入功率之比。

高效率的变压器能够减少能量损失，提高电力传输和分配的效率。

5. 冷却方式：变压器的冷却方式对其性能和寿命有很大影响。

常见的冷却方式有自然冷却、强制风冷和液体冷却等。

选择合适的冷却方式可以确保变压器的正常运行和延长其使用寿命。

四、选型考虑因素在选择光伏升压变压器时，需要考虑以下因素：1. 电网电压：电网电压决定了变压器的额定电压，应选择与电网电压相匹配的变压器。

2. 负载类型：根据实际负载类型（如感性负载、容性负载等）选择合适的变压器，以确保正常运行和延长使用寿命。

3. 安装环境：考虑变压器安装环境的温度、湿度、海拔高度、地震烈度等因素，选择符合环境要求的变压器型号和防护等级。

HTBC-V多功能变比测试仪HTBC-V多功能变比测试仪基本概述一、概述该变比是针对电力系统的三相变压器、特别是Z型绕组变压器、整流变压器和铁路电气系统的斯科特、逆斯科特、平衡变压器设计的。

仪器输入单相电源，由内部功率模块产生三相电源或二相电源，输出到变压器的高压侧，然后高压低压同时采样，最后计算出组别、变比、误差、相位差。

仪器采用大屏幕液晶显示，全中文菜单及汉字打印输出。

仪器内置使用说明书，可随时查阅。

仪器可以通过USB口直接由上位机进行控制,完成设置测量上传数据保存打印等操作。

仪器操作十分方便，是电力系统、变压器生产厂家和铁路电气系统理想的变压器变比组别极性测试仪。

二、安全措施1．使用本仪器前一定要认真阅读本手册。

2．仪器的操作者应具备一般电气设备或仪器的使用常识。

3．本仪器户内外均可使用，但应避开雨淋、腐蚀气体、尘埃过 HTBC-V多功能变比测试仪浓、高温、阳光直射等场所使用。

4．仪表应避免剧烈振动。

5．对仪器的维修、护理和调整应由专业人员进行。

6．测试线夹的黄、绿、红分别对应变压器的A、B、C不要接错。

7．高、低压电缆不要接反。

8．测单相变压器时只使用黄色和绿色线夹，不要用错，不用的测试夹要悬空。

9．测试试验变压器时，不可从低压加电，测仪表线圈的电压比，以免发生危险。

10．变压器外壳和仪器的的接地端要良好接地。

但三相变器的中性点不要接地。

单相试验变压器的高压尾不要接地。

三、性能特点1．特别适合特种变压器的变比及相位差测试。

2．特别适合测量带移相的整流变压器的测量，很直观的显示移相的角度3．自动产生幅值稳定、相位恒定的三相(120°)或两相(90°)电源。

4．不受变压器内部接线方式的约束，直接测量高、低压侧的电压比值及相角差。

5．真正意义上的三相同时测量。

HTBC-V多功能变比测试仪6．测试参数一次性设定，转换分接开关后直接测试，自动判断分接位置及转换后的标准变比。

7．速度快，一组数据的测试时间为8秒钟。

一、概述HCYD(JZ)系列轻型交直流高压试验变压器是根据机电部《试验变压器》标准在原同类产品基础上经过大量改进后而生产的。

HCYD(JZ)系列轻型交直流高压试验变压器是在TDM(G)系列试验变压器的基础上按照国家标准《ZBK-41006-89》经过改进后而生产的一种新型产品。

本系列产品具有体积小、重量轻、结构紧凑、功能齐全、通用性强和使用方便等特点。

特别适用于电力系统、工矿企业、科研部门等对各种高压电气设备、电器元件、绝缘材料进行工频或直流高压下的绝缘强度试验。

是高压试验中必不可少的重要设备。

二、产品结构HCYD(JZ)、TDM(G)系列轻型高压试验变压器采用单框芯式铁芯结构。

初级绕组饶在铁芯上，高压绕组在外，这种同轴布置减少了漏磁通，因而增大了绕组间的耦合。

产品的外壳制成与器芯配合较佳的八角形结构，整体外形显得美观大方。

其外部结构图见图1，内部结构图见图2。

图1：单台HCYD(JZ)、TDM(G)试验图2：单台试验变压器内部结构图变压器外部结构示意图1—短路杆D 2—均压球3—高压套管4—变压器提手5—油阀6、7—次压输入a、x 8、9—测量端子E、F 10—变压器外壳接地端11—高压尾X 12—高压输出A 13—高压硅堆14—变压器油15—铁芯16—次低压绕组17—测量绕组18—二次高压绕组在HCYD(JZ)、TDM(G)试验变压器中，a、x为低压输入端子，E、F为仪表测量端子，A、X为高压输出。

三、工作原理HCYD(JZ)、TDM(G)系列轻型高压试验变压器为单相变压器，联结组标号Ⅰ.Ⅰ. 用工频220V(10kV A以上为380V)电源接入XC/TC(为本公司生产的试验变压器配套专用设备，详细资料请见附件)系列操作箱(台)，经操作箱内自偶调压器(50kV A以上调压器外附)调节至0~200V(或0~400V)电压输出至HCYD(JZ)、TDM(G)试验变压器的初级绕组，根据电磁感应原理，在试验变压器高压绕组可获得试验所需的高电压。

无锡干式变压器说明书一、产品概述无锡干式变压器是一种高效、可靠的电力设备，广泛应用于工业、商业和住宅领域。

它采用干式绝缘材料，不需要油浸，因此具有防火、防爆、环保等优点。

本说明书将详细介绍无锡干式变压器的结构、工作原理、安装方法以及维护保养等内容。

二、产品结构无锡干式变压器由高压绕组、低压绕组、铁芯和外壳等部分组成。

高压绕组和低压绕组之间通过铁芯进行电磁耦合，实现电能的变换。

外壳采用防火材料制成，具有良好的绝缘性能和防护功能。

三、工作原理无锡干式变压器的工作原理基于电磁感应定律。

当高压绕组通电时，产生的磁场通过铁芯传导到低压绕组，从而使电能在不同电压之间进行转换。

同时，干式绝缘材料的使用避免了油浸变压器可能存在的漏油、爆炸等安全隐患。

四、安装方法1. 安装位置：无锡干式变压器应安装在通风良好、干燥无尘的场所，远离易燃易爆物品。

2. 接地：变压器应进行可靠的接地，确保安全运行。

3. 连接：按照电气图纸的要求，正确连接高压绕组和低压绕组。

五、维护保养1. 清洁：定期清洁变压器外壳，保持通风良好。

2. 检查：定期检查变压器的绝缘性能、接地情况和温度等指标，确保正常运行。

3. 维修：如发现异常情况，应及时联系专业人员进行维修，切勿私自拆卸或修理。

六、注意事项1. 严禁超负荷运行，以免损坏变压器或引发安全事故。

2. 避免长时间空载运行，以免影响变压器的正常工作。

3. 禁止在变压器周围堆放杂物，保持通风畅通。

七、总结无锡干式变压器是一种安全、可靠的电力设备，具有防火、防爆、环保等优点。

正确安装、定期维护和注意事项的遵守，能够确保变压器的正常运行和延长使用寿命。

如有任何疑问或需要进一步了解，请联系我们的专业团队。

磁性元件及高频变压器设计成继勋 2009.12.31（2011.3.22修改）1 磁性材料的磁化1.1 磁化曲线在外磁场（或电流）的作用下，磁性材料被磁化，磁化曲线如图图1.1 图1.2 在交变磁场的作用下，形成磁滞回线。

H H B r 0μμμ== （1.1）H -磁场强度，SI 单位制A/m ；CGS 制：Oe （奥斯特），1A/m=4π×10-3OeB -磁通密度（磁感应强度，磁化强度）SI 单位制：T （Tesla 特斯拉）；CGS 制：Gs （高斯），1T=104Gs μ-磁导率，H/m （亨利/米）；μ0-真空磁导率，SI 单位制中μ0= 4π×10-7H/m ，CGS 制中μ0=1。

μr -相对磁导率，无量纲 在均匀磁场中SB ϕ=（1.2）φ-磁通量，SI 单位制：Wb （韦，韦伯）；CGS 制：Mx （麦，麦克斯韦）1Wb=10-8Mx S -面积，SI 单位制：m 2; CGS 制：cm 2Hs 称饱和磁场强度，Hc 称矫顽力 Bs 饱和磁通密度，Br 剩余磁通密度（剩磁）1.2 几个磁导率的概念（1）初始磁导率)0(0→∆∆=H HBi μμ （2）最大磁导率μm ：磁化曲线上μm 的最大值max0HB m μμ=（3）增量磁导率(脉冲磁导率) μΔDCH H HB =∆∆∆=0μμ图1.3即在具有直流偏置磁场时，再加上一个交流磁场，这时测得的磁导率。

（4）幅值磁导率 μa没有直流偏置时，交变磁场强度的幅值与磁通密度幅值的关系称为幅值磁导率μa（5）有效磁导率μe在磁路中存在气隙，即非闭合磁路条件下，测得的磁导率为有效磁导率1.3 安培环路定律图1.4 图1.5∑⎰⎰==I dl H l d H lαcos （1.3） 对绕N 匝线，电流为I 的磁环NI Hl l d Hl==⎰ （1.4）式中，l=2πr 为磁路长度，H 为磁芯中的磁场强度为lNIH =（1.5） NI F = （1.6）称为磁（动）势，单位A ，常称为安匝。

技术前沿2020.16 电力系统装备丨205Technology Frontier电力系统装备Electric Power System Equipment2020年第16期2020 No.16LLC 电路是大功率电力电子DC-DC 变换器一种常用谐振电路，它的优点是：对变压器输入端功率管的零电压开通，对变压器输出整流端的功率管在零电流时关断，实现了变换器软开关技术，从而降低功率管及变压器磁件的损耗，提高了系统的功率密度和效率，而其中的高频变压器就是系统的一个关键器件。

1 高频变压器设计输入LLC 电路中的高频变压器较常规高频变压器多了两个L 的要求，一是励磁感量，二是漏感，本文变压器设计输入主要参数如下：额定输入功率70kV A ，额定频率18kHz ，额定输入电压1060V ，最大输入电流75A ，输出电压618V （电压比12/7），最大输出电流130A ，励磁感量1.5mH ，漏感5uH ，环境温度-25~50℃，最高温升70K ，两倍电压下磁芯不饱和。

2 高频变压器磁芯选择高频变压器磁芯选择在工程上一般有两种材质选择（1）一是纳米晶，优点是损耗低，缺点是加工工艺高对应力敏感单价高，在现阶段还属于新型材料，大都订制化生产，加上LLC 电路的高频变压器对励磁感量有要求，体现在磁芯上就是需要开气隙，而开气隙对于纳米晶磁芯就是需要切割，纳米晶在切割时受应力及切割工艺的影响磁芯的损耗会加大2-6倍，所以一般用在对效率要求高及对励磁感量无要求的系统或者是小批量应用。

（2）二是铁氧体，优点是量产好，标准化尺寸及工艺，价格相对纳米晶低。

缺点是对温度敏感，磁芯温度超120℃容易进入不稳定状态，在低温下（-40℃）感量下降超10%。

根据以上信息，评估系统对稳定性要求高及价格敏感，而选择铁氧体，针对铁氧体缺点特选择宽温低损的材质型号PC95（日本某公司），取国内对标型号LP9（国内某公司），磁芯形状选择EE 型（由于高频变压器线圈绕法一般是初次初，选择EE 型只有一个线圈，绝缘方面好处理且窗口利用率高），由于系统要求在两倍电压下不饱和，而这个型号的磁芯饱和磁密高温下在0.42T 左右，所以实际磁芯只能选择小于或等于0.21T 。

3kV～10kV厂用变压器微机式（WBH）保护装置原理论述摘要变压器在电力系统中起着不可或缺的作用，变压器的保护装置型号根据电压等级分为许多种，现介绍一下10kv厂用变压器微机式（wbh-1）保护装置的原理。

关键词变压器；微机室；保护装置中图分类号tm40 文献标识码a 文章编号 1674-6708（2013）84-0170-02变压器在电力系统中起着不可或缺的作用，变压器的保护装置型号根据电压等级分为许多种，现介绍一下10kv厂用变压器微机式（wbh-1）保护装置的原理。

1 过负荷保护当三相电流中任一相超过过负荷定值时，启动过负荷延时，当延时满足后发告警或跳闸。

告警或跳闸可经控制字整定。

yb=1表示过负荷保护软压板投入；cb=1表示过负荷保护出口控制字投跳闸，cb=0表示投告警信号；imax 表示三相电流中最大的一个电流、igfh表示过负荷电流定值、t 表示过负荷保护延时。

2 高压侧零序定时限过流保护（高压侧接地保护）当高压侧零序电流超过高压侧零序过流定值时，启动延时，当延时满足后发告警或跳闸。

告警或跳闸可经控制字整定。

yb=1表示零序过电压保护软压板投入；cb=1表示零序过电压保护出口控制字投跳闸，cb=0表示投告警信号；3uo为零序电压，uoset为零序过电压保护定值、t 表示零序过电压保护延时。

3 pt断线告警本装置pt断线判据采用下面两个条件，当任一条件满足时，延时80ms 发装置pt断线闭锁，用于闭锁装置内部有关的保护。

经9秒延时发pt断线告警信号。

三相电压均小于20v，且某相电流大于0.2a；三相电压相量和大于18v，且最大线电压与最小线电压之差大于18v。

如果 pt 断线发生时某段复合电压闭锁过流保护的电流已满足启动条件，则不闭锁该段保护。

4电流越限告警当三个电流中最大的电流超过电流越限告警定值时，启动电流越限告警延时，当延时满足后，装置发“电流越限告警”。

5 小电流接地选线当本装置应用于小电流接地系统时，有两种选线方式供选择（装置参数表中设定）。

BAV70W, SBAV70WDual Switching Diode Common CathodeFeatures•S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable•These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant*MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C)Rating Symbol Max Unit Reverse Voltage V R100V Forward Current I F200mA Peak Forward Surge Current I FM(surge)500mA Forward Surge Current(60 Hz @ 1 cycle)I FSM 2.0ARepetitive Peak Forward Current(Pulse Wave = 1 sec, Duty Cycle = 66%)I FRM0.7AStresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected. THERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Max UnitTotal Device Dissipation FR−5 Board (Note 1)T A = 25°CDerate above 25°C P D2001.6mWmW/°CThermal Resistance, Junction−to−Ambient R q JA625°C/WTotal Device DissipationAlumina Substrate (Note 2) T A = 25°C Derate above 25°C P D3002.4mWmW/°CThermal Resistance, Junction−to−Ambient R q JA417°C/W Junction and Storage Temperature T J, T stg−55 to+150°C1.FR−5 = 1.0 0.75 0.062 in.2.Alumina = 0.4 0.3 0.024 in. 99.5% alumina.*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOT−323CASE 419STYLE 5MARKING DIAGRAMA4 M GG123†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our T ape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.Device Package Shipping†ORDERING INFORMATIONBAV70WT1G SOT−323(Pb−Free)3,000 / Tape & Reel312A4= Specific Device CodeM= Date CodeG= Pb−Free Package(Note: Microdot may be in either location)SBAV70WT1G SOT−323(Pb−Free)3,000 / Tape & ReelELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)Characteristic Symbol Min Max UnitReverse Breakdown Voltage (I(BR) = 100 m A)V(BR)100−VReverse Voltage Leakage Current (Note 3) (V R = 100 V)(V R = 50 V)I R−−1.0100m AnAForward Voltage (I F = 1.0 mA) (I F = 10 mA) (I F = 50 mA) (I F = 150 mA)V F−−−−71585510001250mVDiode Capacitance(V R = 0 V, f = 1.0 MHz)C D− 1.5pFReverse Recovery Time(I F = I R = 10 mA, R L = 100 W, I R(REC) = 1.0 mA) (Figure 1)t rr− 6.0nsForward Recovery Voltage(I F = 10 mA, t r = 20 ns) (Figure 2)V RF− 1.75VProduct parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.3.For each individual diode while the second diode is unbiased.Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuitt r t10%90%V RINPUT PULSEV R 100 WFigure 2.VOUTPUT PULSE t100V F , FORWARD VOLTAGE (VOLTS)101.00.110V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)1.00.10.011.00V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)0.90.80.70.6C D , D I O D E C A P A C I T A N C E (p F )2468I F , F O R W A R D C U R R E N T (m A )Figure 3. Forward Voltage Figure 4. Leakage CurrentFigure 5. CapacitanceI R , R E V E R S E C U R R E N T (μA )t p , PULSE ON TIME (ms)I F S M , F O R W A R D S U R G E M A X C U R R E N T (A )0240.0010.010.111010010006810Figure 6. Forward Surge Current12141618PACKAGE DIMENSIONSSC−70 (SOT−323)CASE 419−04ISSUE NSTYLE 5:PIN 1.ANODE 2.ANODE 3.CATHODENOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.ǒmm inchesǓSCALE 10:1*For additional information on our Pb−Free strategy and solderingdetails, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*DIM A MIN NOM MAX MIN MILLIMETERS0.800.90 1.000.032INCHESA10.000.050.100.000A20.70 REF b 0.300.350.400.012c 0.100.180.250.004D 1.80 2.10 2.200.071E 1.15 1.24 1.350.045e 1.20 1.30 1.400.0470.0350.0400.0020.0040.0140.0160.0070.0100.0830.0870.0490.0530.0510.055NOM MAX L 2.002.10 2.400.0790.0830.095H Ee10.65 BSC 0.380.028 REF 0.026 BSC 0.0150.200.560.0080.022ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent coverage PUBLICATION ORDERING INFORMATION。