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第一章1、下面那个不是本征半导体的性质________。
A、光敏性B、单向导电性C、热敏性D、掺杂性2、在半导体中掺入三价元素后得半导体为（）A、本征半导体B、P型半导体C、 N型半导体D、半导体3、在P型半导体中，多数载流子为________，N型半导体的多数载流子为________。
A、空穴空穴B、自由电子自由电子C、空穴自由电子D、自由电子空穴4、平衡PN结（未加外部电压时）的扩散电流________漂移电流。
A、大于B、等于C、小于5、在本征半导体中，自由电子浓度________空穴浓度。
A、大于B、小于C、等于D、不等于6、二极管的反向最高工作电压为100V，它的击穿电压是________。
A、50VB、100VC、200V7、半导体二极管的最主要特性是________。
A、单向导电性B、温度特性C、击穿特性D、导通后管压降不变特性8、两个稳压值不同的稳压二极管采用不同的方式串联使用，可以组成的稳压值有________。
A、两种B、三种C、四种D、五种9、温度升高时，下面关于三极管的参数变化描述错误的是________。
A、β增大B、I CBO增大C、UBE增大D、I C增大10、稳压二极管稳压时，其工作在________。
A、反向击穿区B、正向导通区C、反向截止区D、正向截止区11、由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压为_______。
A.-12VB.+6VC.-6VD.+12V12、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将________。
A、减小B、增大C、不变D、不能确定13、杂质半导体中，少子的浓度取决于________。
A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷14、PN结加正向电压时，空间电荷区将________。
A、变窄B、变宽C、基本不变15、图示电路中，D 为理想二极管，则 A、B 两端电压U AB为_________A. -12VB. -6VC. 12VD.6V16、如下图，二极管D是理想的，R=2KΩ，流过电阻的电流I=________。
模电复习题答案一、选择题1. 在模拟电路中，运算放大器的基本工作模式包括：A. 非线性区B. 线性区C. 饱和区D. 所有以上答案：B. 线性区2. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 1欧姆答案：B. 无穷大3. 一个理想的运算放大器的输出阻抗是：A. 无穷大B. 零C. 有限的D. 1欧姆答案：B. 零4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减少增益C. 提高稳定性D. 降低噪声答案：B、C、D5. 差分放大器的主要优点是：A. 提高增益B. 抑制共模信号C. 减少噪声D. 降低功耗答案：B. 抑制共模信号二、填空题1. 运算放大器的________特性使其在模拟电路设计中得到广泛应用。
答案：高输入阻抗，低输出阻抗2. 在设计放大器时，通常使用________来提高电路的稳定性和增益。
答案：负反馈3. 差分放大器能够有效地放大两个输入端之间的________，而抑制两个输入端共同的信号。
答案：差模信号4. 理想运算放大器的开环增益是一个非常大的数值，通常表示为________。
答案：无穷大5. 在模拟电路中，________是用来描述电路对信号进行线性或非线性处理的能力。
答案：放大能力三、简答题1. 简述运算放大器的基本组成及其工作原理。
答案：运算放大器通常由输入级、中间级和输出级组成。
输入级通常为差分放大器，用于接收两个输入信号并放大它们之间的差异。
中间级通常由多级放大器构成，用于提供增益。
输出级则将信号转换为适合负载的电压或电流。
运算放大器的工作原理基于负反馈原理，通过调整反馈网络，可以实现不同的放大功能。
2. 解释什么是负反馈，并说明它在放大器设计中的作用。
答案：负反馈是指将放大器的输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端的过程。
在放大器设计中，负反馈可以减少增益，但同时可以提高电路的稳定性和线性度，降低非线性失真和噪声，改善频率响应。
四、计算题1. 假设有一个非理想的运算放大器，其开环增益为1000，输入阻抗为2MΩ，输出阻抗为100Ω。
模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、射极输出器是典型的（）。
A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。
C、电流串联负反馈；正确答案：B3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案：A4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。
（）A、对 :B、错正确答案：B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。
A、正确 ;B、错误正确答案：A6、双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B7、理想集成运放的输入电阻为（）。
A、0；B、不定。
C、∞；正确答案：C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。
A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。
A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。
正确答案：B11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。
（）A、对 :B、错正确答案：B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。
A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。
正确答案：A13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。
D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共1基组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基2极偏置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
模电试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 滤波B. 整流C. 放大D. 调制答案：C2. 运算放大器的差分输入电压是指（）。
A. 两个输入端电压之和B. 两个输入端电压之差C. 两个输入端电压之积D. 两个输入端电压之商答案：B3. 理想运算放大器的开环增益是（）。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 共发射极放大电路中的电流放大倍数β是指（）。
A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 发射极电流与集电极电流之比5. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。
A. 直接耦合B. 变压器耦合C. 电容耦合D. 电感耦合答案：C6. 晶体管的静态工作点设置不正确可能导致（）。
A. 截止失真B. 饱和失真C. 截止和饱和失真D. 线性放大答案：C7. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 保持不变D. 先增加后减少答案：B8. 在模拟电路中，电源去耦是指（）。
A. 增加电源的内阻B. 减少电源的内阻C. 增加电源的纹波D. 减少电源的纹波答案：D9. 场效应管的控制极是（）。
B. 源极C. 漏极D. 基极答案：A10. 模拟信号的数字化过程包括（）。
A. 采样、量化、编码B. 滤波、放大、调制C. 调制、解调、编码D. 放大、滤波、编码答案：A二、填空题（每空1分，共10分）1. 放大器的输入电阻越大，对前级电路的________越好。
答案：负载效应2. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗________。
答案：高3. 差分放大器可以有效地放大两个输入端之间的________。
答案：差模信号4. 运算放大器的饱和输出电压通常为________V或________V。
答案：+Vcc -Vee5. 晶体管的截止频率是指晶体管的放大倍数下降到________的频率。
一、填空题1．二极管最主要的特性是单向导电性。
2. 测得放大电路中某BJT各极直流电位V1=12V，V2 =11.3V，V3 =0V，则该BJT的基极电位等于，由材料制成，管型为。
3．稳压管是一种特殊的二极管，它工作在____________ 状态.4．双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
1．若三级放大电路中A u1 A u2为30 d B，A u3为20 d B，则其总电压增益为80dB，折合为104倍。
2．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC= 0 。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到78.5%，但这种功放有交越失真。
3．甲类、乙类和甲乙类放大电路中，_______________电路导通角最大；_______________电路效率较高；_______________电路交越失真最大，为了消除交越失真而又有较高的效率一般电路_______________。
4．直接耦合放大电路存在____________ 现象。
5．在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是放大器，A u2是放大器，A u3是放大器。
6．如图所示的功率放大电路处于类工作状态；其静态损耗为；电路的最大输出功率为；每个晶体管的管耗为最大输出功率的倍。
1．集成运放内部一般包括四个组成部分，它们是______________，_ __________，______________和_______________。
2. 通用型集成运放通常采用耦合方式；适合于放大频率信号；输入级一般为放大器，其目的是为了。
3．差分放大电路，若两个输入信号u I1 u I2相同，则输出电压，u O 0；若u I1=100μV，u I 2=80μV则差模输入电压u Id= 20μV；共模输入电压u Ic= 90μV。
1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。
A.增大B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.3解图P1.3解：波形如解图P1.3所示。
2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的β＝80，r b e＝1kΩ，i U ＝20mV；静态时U B E Q＝0.7V，U C E Q＝4V，I B Q＝20μA。
判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
图P2.5（1）200102043-=⨯-=-uA （ ） （2）71.57.04-≈-=u A （ ） （3）4001580-=⨯-=u A （ ） （4）20015.280-=⨯-=u A （ ） （5）Ω=Ω=k 1k )2020(i R （ ） （6） Ω=Ω=k 35k )02.07.0(i R （ ） （7）Ω≈k 3i R （ ） （8）Ω≈k 1i R （ ）（9）Ω≈k 5o R （ ） （10）Ω≈k 5.2o R （ ）（11）s U ≈20mV ( ) （12）s U ≈60mV ( )解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）×（7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√2.13 电路如图P2.13所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
自测题1一、选择题1. 在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度 空穴浓度。
A. 大于B. 小于C. 等于2. PN 结在外加正向电压时，其载流子的运动中，扩散 漂移。
A. 大于B. 小于C. 等于3. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它 。
A . 带负电荷 B. 带正电荷 C . 呈中性4. 处于放大状态的晶体管，集电结的载流子运动形式 运动。
A . 只有漂移B .只有扩散 C.兼有漂移和扩散 5. 当环境温度增加时，稳压二极管的正向电压将 。
A.增大 B. 减小 C.不变解：1、C 2、A 3、C 4、A 5、B二、判断题1．PN 结加上反向电压时电流很小，是因为空间电荷减少了。
（ ）2．当共射晶体管的集电极电流几乎不随集—射电压的变化而改变时，则称晶体管工作在饱和状态。
（ ）3．P 型半导体中空穴占多数，因此它带正电荷。
（ ） 4．晶体管有电流放大作用，因此它具有能量放大作用。
（ ）5. 二极管正向偏置时，PN 结的电流主要是多数载流子的扩散运动。
（ ）6. 结型场效应管的漏源电压u DS 大于夹断电压U P 后，漏极电流i D 将为零。
（ ） 解：1、× 2、× 3、× 4、× 5、√ 6、×三、二极管电路如图T1－3所示，写出各电路的输出电压值。
设u D =0.7V 。
(a) (b) (c)(d) (e) (f)图T1－3解：(a) 二极管截止，故u o1 =0V（b）二极管导通，故u o2 =5－0.7=4.3V(c) 二极管导通，故u o3 =3＋0.7=3.7V(d) 二极管截止，故u o4=5V(e) 二极管导通，故u o5 =0.7－3=－2.3V(f) 二极管截止，故u o6 =－3V四、稳压二极管电路如图T1－4所示，已知D Z1、D Z2的稳定电压分别为U Z1=5V，U Z2 =8V，试求输出电压U O1，U O2。
(a) (b)图T1－4解：（a）u o1 =15－U Z1－U Z2＝2V（b）D Z2两端的电压小于其反向击穿电压8V，故D Z2截止，u o2 =0V五、电路如图T1－5所示，设U CC =10V，β=100，U BE =0.7V，U CES=0V试问：1. R B =100KΩ，U BB =3V时，I C =？解：30.723100BB BEBBU UI ARμ--===10023 2.3C BI I mAβ==⨯=2. U BB =2V时，U O =5V时，R B =？U i+O1-U i+O2-解：10515CC OCCU UI mAR--===110100CBII Aμβ===20.71300.01BB BEBBU UR kI--===W自测题2一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2－2解：（a ）不能。
因为输入信号被直流电源U B B 短路。
（b ）可能。
（c ）不能。
因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载（叠加）在静态电压之上，必然失真。
（d ）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e ）不能。
因为输入信号被C 2短路。
（f ）不能。
因为输出信号被U C C 短路，恒为零。
（g ）可能。
（h ）可能。
（i ）不能。
因为T 截止。
三、在图T2－3所示电路中， 已知U CC ＝12V ，晶体管的 ＝100，'b R ＝100k Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
（1）当i U ＝0V 时，测得U BEQ ＝0.7V ，若要基极电流I BQ ＝20μA ， 则'bR 和R W 之和R b ＝ ≈ k Ω；而若测得U CEQ ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。
（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数uA ＝ ≈ 。
(3) 若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载后输出电压有效值o U ＝ ＝ V 。
解：（1）3 )( 565 )(BQ CEQ CC BQ BEQ CC ，；，I U U I U U β-- 。
（2）'L o i o C L120 (3)0.3R U U U R R -⋅－；＋图T2－3四、已知图T 2－3所示电路中U CC ＝12V ，R C ＝3k Ω，静态管压降U CEQ ＝6V ；并在输出端加负载电阻R L ，其阻值为3k Ω。
选择一个合适的答案填入空内。
（1）该电路的最大不失真输出电压有效值U om ≈ ； A.2VB.3VC.6V（2）当iU ＝1mV 时，若在不失真的条件下，减小R W ，则输出电压的幅值将 ； A.减小B.不变C.增大（3）在iU ＝1mV 时，将R w 调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将 ；A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将 。
A.R W 减小B.R c 减小C.U CC 减小解：（1）A （2）C （3）B （4）B五、未画完的场效应管放大电路如图T2－5所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。
要求给出两种方案。
图T2－5解：根据电路接法，可分别采用耗尽型N 沟道和P 沟道MOS 管，如解图所示。
六、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。
A.3dBB.4dBC.5dB解：（1）A （2）B，A （3）B A自测题3一、选择：选择：（请选出最合适的一项答案）1、在三种常见的耦合方式中，静态工作点独立，体积较小是（）的优点。
A）阻容耦合B) 变压器耦合C）直接耦合2、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越（）。
A) 大B) 小C) 和放大倍数无关3、在集成电路中，采用差动放大电路的主要目的是为了（）A) 提高输入电阻B) 减小输出电阻C) 消除温度漂移D) 提高放大倍数4、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（ ）A) 等于60 B) 等于900 C) 小于900 D) 大于9005、将单端输入——双端输出的差动放大电路改接成双端输入——双端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）；改接成单端输入——单端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）。
A) 不变 B ）增大一倍 C) 减小一半 D) 不确定 解：1、A 2、A 3、C 4、C 5、A C二、填空：6、若差动放大电路两输入端电压分别为110i u mV =，24i u mV =，则等值差模输入信号为id u = mV ，等值共模输入信号为ic u = mV 。
若双端输出电压放大倍数10ud A =，则输出电压o u = mV 。
7、三级放大电路中，已知1230u u A A dB ==，320u A dB =，则总的电压增益为 dB ，折合为 倍。
8、在集成电路中，由于制造大容量的 较困难，所以大多采用 的耦合方式。
9、长尾式差动放大电路的发射极电阻e R 越大，对 越有利。
10、多级放大器的总放大倍数为 ，总相移为 ， 输入电阻为 ，输出电阻为 。
解：6、3mV 7mV 30mV7、80 4108、电容 直接耦合 9、提高共模抑制比 10、各单级放大倍数的乘积 各单级相移之和 从输入级看进出的等效电阻 从末级看进出的等效电阻三、计算：11、如图T 3－11，设12C E V =，晶体管50β=，300bb r Ω'=，11100b R k Ω=，2139b R k Ω=，16c R k Ω=，1 3.9e R k Ω=，1239b R k Ω=，2224b R k Ω=，23c R k Ω=，2 2.2e R k Ω=，3L R k Ω=，请计算uA 、i r 和o r 。
（15分）（提示：先求静态工作点EQ I ，再求be r ）图T3－11解：V 1管的直流通路如图11-1所示：2111211139120.70.7100390.6843.9b C b b EQ e R E R R I mAR ⨯--++===be1bb'EQ126mV(1) 2.24r r k I β=++≈W同理可得：2212222224120.70.72439 1.762.2b Cb b EQ e R E R R I mA R ⨯--++===be2bb'EQ226mV(1) 1.05r r k I β=++≈W交流等效电路如图11-2所示：2211(//)o b c L u i b be U I R R A U I r β-== 又有：1112222112222(////)(////)b c b b b c b b be I R R R I R R R r β-=+故：1122221122221(////)(//)1344(////)c b b c L uc b b be be R R R R R A R R R r r ββ--=⨯≈+11211//// 2.07i b b be r R R r k =≈W 23o c r R k ==W12、如图T 3－12所示，12100e e R R Ω==，BJT 的100β=，0.6BE U V =。
求：（1）当V 0o2o1==u u 时，Q 点（1B I 、1C I 、）；（2）当V 01.0i1=u 、V 01.0i2-=u 时，求输出电压o2o1o u u u ==的值； （3）当1c 、2c 间接入负载电阻 5.6L R k Ω=时，求u o 的值；（4）求电路的差模输入电阻r id 、共模输入电阻r ic 和输出电阻r o 。
