天津理工大学模电判断计算题2010

自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。

（ F ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（ T ）3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。

（ F ）二、单选题1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。

A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。

A ．正、反向电阻相等B ．正向电阻大，反向电阻小C ．反向电阻比正向电阻大很多倍D ．正、反向电阻都等于无穷大3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。

(X 轴为电压)A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。

A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。

（三极管可改为电流控制电流源）A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。

A ．增大B ．减少C ．不变D ．不能确定7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。

A ．电流放大系数B ．最大整流电流C ．集电极最大允许电流D ．集电极最大允许耗散功率8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。

A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。

A ．多数载流子B ．少数载流子C ．扩散D ．少数载流子和多数载流子共同10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三极管是（ D ）。

（发正偏集反偏）A ．PNP 型硅管B ．PNP 型锗管C ．NPN 型锗管D ．NPN 型硅管11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。

5套模电大学期末考试试题《模拟电子技术》期末考试试卷一．填空（25 分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子，掺杂越多，则其数量一定越多，相反，少数载流子应是空穴，掺杂越多，则其数量一定越少。

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子扩散形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为0.6V ，锗二极管的导通电压约为0.2V 。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端丌同，可以组成共基、共射、共集电三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而发，称为幅频特性，而输出信号不输入信号的相位差随信号频率而发，称为相频特性。

（8）假设n级放大电路的每一级的放大倍数分别为u u u un A AA ......A 1 23 、、，那么多级放大电路的放大倍数u A ＝u u un A A ......A 1 2（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足振幅平衡和相位平衡两个条件。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是电源变压器、整流、滤波和稳压电路。

二．选择题（每题2 分，共20 分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入（B）；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入（C）。

（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RCf f2π10 = =时呈。

（A）感性（B）阻性（C）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）β （B）β2 （C）2β （D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是（B）；既能放大电流，又能放大电压的电路是（C）。

放大电路自测题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。

（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。

( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，( )它只能放大交流信号。

( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，( )它只能放大直流信号。

( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。

( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。

( )二、选择合适答案填入空内。

（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。

A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是。

A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放入倍数（4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。

A.差B.和C.平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。

A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使。

A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强r=100三、电路如图PT3.4所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bbΩ，静态时｜U B E Q｜≈0.7V。

试求：（1）静态时T1管和T2管的发射极电流。

（2）若静态时u O＞0，则应如何调节R c2的值才能使u O＝0V？若静态u O ＝0V ，则R c 2＝？电压放大倍数为多少？图T3.4解：（1）T 3管的集电极电流I C 3＝（U Z －U B E Q 3）/ R e 3＝0.3mA 静态时T 1管和T 2管的发射极电流 I E 1＝I E 2＝0.15mA （2）若静态时u O ＞0，则应减小R c 2。

【模拟电子技术】模拟试题一一、填空题：〔每空1分共40分〕1、PN结正偏时〔导通〕，反偏时〔截止〕，所以PN结具有〔单向〕导电性。

2、漂移电流是〔温度〕电流，它由〔少数〕载流子形成，其大小与〔温度〕有关，而与外加电压〔无关〕。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为〔0 〕，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为〔无穷〕，等效成断开；4、三极管是〔电流〕控制元件，场效应管是〔电压〕控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结〔正偏〕，集电结〔反偏〕。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic〔变小〕，发射结压降〔不变〕。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是〔共基〕、〔共射〕、〔共集〕放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用〔电压并联〕负反应，为了稳定交流输出电流采用〔串联〕负反应。

9、负反应放大电路和放大倍数AF=〔1/〔1/A+F〕〕，对于深度负反应放大电路的放大倍数AF=〔 1/ F 〕。

10、带有负反应放大电路的频带宽度BWF=〔〕BW，其中BW=〔〕，〔〕称为反应深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为〔〕信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为〔〕信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的〔〕失真，而采用〔〕类互补功率放大器。

13、OCL电路是〔〕电源互补功率放大电路；OTL电路是〔〕电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数〔〕，输入电阻〔〕，输出电阻〔〕等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制〔〕漂移，也称〔〕漂移，所以它广泛应用于〔〕电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为〔〕，未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为〔〕。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=〔〕，电路符号是〔〕。

二、选择题〔每空2分共30分〕1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在〔〕状态，但其两端电压必须〔〕，它的稳压值Uz才有导通电流，否那么处于〔〕状态。

1.双极型晶体管（BJT）工作在放大区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置。

2.射极输出器的输入信号从极间输入，而输出是从极间取出。

因此，射极输出器是一个共极放大器。

3.双端输出差动放大器在电路完全对称时，其共模增益为，共模抑制比为。

4.若两个输入信号电压的大小相等，极性相反，就称为输入信号。

5.为了稳定放大器的静态工作点，应引入负反馈；为了稳定放大器的性能，应引入负反馈。

6.如果在本征半导体中掺入少量三价元素，将产生，形成型半导体。

7.双极型晶体管BJT工作在饱和区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置。

8.多级放大电路有三种耦合方式，即阻容耦合，直接耦合，变压器耦合。

静态工作点相互独立的是电路，既能放大直流信号又能放大交流信号的电路是。

9.单级共射电路与两级共射放大电路比较，多极放大电路的电压放大倍数数值，下限频率f L，上限频率f H。

10.X f/X O表示反馈网络的；X O/X i表示放大器的放大倍数；`/XiXo表示放大器的放大倍数。

11.三种基本放大电路中，频率特性最好的是电路。

12.二极管的反向电阻比正向电阻，当温度升高时二极管的反电流。

13.双极型晶体管BJT工作在截止区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置。

14.在基本放大电路中，负载电阻R L阻值越小，则电压放大倍数的值，信号源内阻R S越大，则电压放大倍数的值。

15.在单管基本共射放大电路中为消除饱和失真，应使静态工作点Q点移，集电极静态电流。

16. 若两个输入信号电压的大小 ，极性 ，就称为共模输入信号。

17. 双端输出差动放大器在电路完全对称时，其共模增益为 ，共模抑制比为 。

18. 对于单管共射放大电路，当 f ＝ f L 时，oU 与i U 相位关系是 。

当f ＝ f H 时，oU 与i U 的相位关系是 。

19. 二极管的正向电阻比反向电阻 ，当温度升高时二极管的正向压降 。

20. 双极型晶体管BJT 工作在饱和区时，其发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性 C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A 空穴B 三价元素硼C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P 沟道增强型MOS 型B P 沟道耗尽型MOS 型C N 沟道增强型MOS 型D N 沟道耗尽型MOS 型E N 沟道结型F P 沟道结型 图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

《模拟电子技术》考试试卷（01）一、填空题（本大题共4小题，每空1分，共10分）1．PN结正向偏置时，反向偏置时，所以PN结具有导电性。

2．有三个单管BJT放大电路，已知其电压增益分别为A v1＝20，A v2＝－10，A v3＝1，则可知它们分别为放大电路、放大电路、放大电路。

3．乙类互补功率放大电路存在失真，可以利用类互补功率放大电路来克服。

4．负反馈将使输出电阻减小，负反馈将使输出电阻增加。

一、1．导通，截止，单向；2．共基极，共发射极，共集电极；3．交越，甲乙类；4．电压，电流。

二、单项选择题(本大题共5小题，每小题2分，共10分)1．对BJT下列说法正确的是。

A．发射极和集电极可以调换使用，因为BJT发射区和集电区的结构对称B．发射极和集电极可以调换使用，因为BJT发射极和集电极的电流基本相同C．发射极和集电极不能调换使用，因为BJT发射区和集电区的结构不对称，发射区掺杂浓度比集电区高D．发射极和集电极不能调换使用，因为BJT发射区和集电区的结构不对称，发射区掺杂浓度比集电区低2．测得某电路中PNP型晶体管的三个管脚的电位分别为V B＝5V、V C＝2V、V E＝5．7V，则该管工作在状态。

A．放大B．截止C．饱和D．不能确定3．互补对称功率放大电路中的两个功放管应采用。

A．一个NPN型管和一个PNP型管B．两个NPN型管C．两个PNP型管D．任意组合4．理想运算放大器的两个输入端的输入电流近似等于零的现象称为。

A．断路B．虚短C．虚地D．虚断5．正弦波振荡电路的输出信号最初由产生的。

A．基本放大器B．选频网络C．干扰或噪声信号D．稳幅环节三、判断题(本大题共5小题，每小题2分，共10分)1．影响放大电路高频特性的主要因素是耦合电容和旁路电容的存在。

2．在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。

3．集成运放是一种高增益的、直接耦合的多级放大电路。

4．P型半导体带正电，N型半导体带负电。

模拟电子技术（判断，共 47 题）您的姓名： [填空题] *_________________________________1. 在N型半导体中如果加入足够的三价元素，可将其改为P型半导体。

[判断题] *对(正确答案)错2. 由集成运放组成的电压比较器，其运放必须工作在开环或正反馈状态下。

[判断题] *对(正确答案)错3.[判断题] *对(正确答案)错4. 共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。

[判断题] *对错(正确答案)5. 线性稳压电源效率比开关稳压电源高得多。

[判断题] *对错(正确答案)6. 利用两只 NPN 型管构成的复合管只能等效为 NPN 型管。

[判断题] *对(正确答案)错7. 直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

[判断题] *对(正确答案)错8. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

[判断题] *对(正确答案)错9. 只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。

[判断题] *对错(正确答案)10. 若 U2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为 [判断题] *对(正确答案)错11. 高通滤波器是容许低于截止频率的信号通过，但高于截止频率的信号不能通过的电子滤波装置。

[判断题] *对错(正确答案)12. P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

[判断题] *对错(正确答案)13. 反向放大器容易做到输入电阻很大。

[判断题] *对错(正确答案)14. 同相并联差动放大电路的要求是：前级并联的两个电路参数完全对称。

[判断题] *对(正确答案)错15. 只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。

[判断题] *对错(正确答案)16. 单限比较器的主要优点是电路简单、灵敏度高和抗干扰能力强。

[判断题] *对错(正确答案)17. 既能放大电压、也能放大电流的是共射组态电路。

第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。

（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。

（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。

（×）（3）线性电路一定是模拟电路。

（√）（4）模拟电路一定是线性电路。

（×）（5）放大器一定是线性电路。

（√）（6）线性电路一定是放大器。

（×）（7）放大器是有源的线性网络。

（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。

（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。

（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。

（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。

（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。

（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。

（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。

（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。

（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。

（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。

（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。

（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。

（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。

3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。

如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。

答案第一章 电路模型和电路定律【题1】：D 。

【题2】：D 。

【题3】：D 。

【题4】：P US1=50 W ；P US26=- W ；P US3=0；P IS115=- W ；P IS2 W =-14；P IS315=- W 。

【题5】：C 。

【题6】：3；-3。

【题7】：-5；-13。

【题8】：4（吸收）；25。

【题9】：0.4。

【题10】：3123I +⨯=；I =13A 。

【题11】：I 43=A ；I 23=-A ；I 31=-A ；I 54=-A 。

【题12】：I =-7A ；U =-35V ；X 元件吸收的功率为P UI =-=-245W 。

【题13】：由图可得U EB =4V ；流过2 Ω电阻的电流I EB =2A ；由回路ADEBCA 列KVL 得U I AC=-23；又由节点D 列KCL 得I I CD =-4；由回路CDEC 列KVL 解得；I =3；代入上式，得U AC =-7V 。

第二章 电阻电路的等效变换【题1】：[解答]I =-+9473A =0.5 A ；U I ab .=+=9485V ； I U 162125=-=ab .A ；P =⨯6125. W =7.5 W ；吸收功率7.5W 。

【题2】：[解答]【题3】：[解答] C 。

【题4】：[解答] 等效电路如图所示，I 005=.A 。

【题5】：[解答] 等效电路如图所示，I L =0.5A 。

【题6】：[解答]【题7】：[解答]由图可得U=4I-4。

【题8】：[解答]⑴U =-3 V 4⑵1 V 电压源的功率为P =2 W （吸收功率） 7⑶1 A 电流源的功率为P =-5 W （供出功率） 10【题9】：[解答]A【题10】：()a i i i =-12；()b u u u =-12；()c ()u u i i R =--S S S ；()d ()i i R u u =--S SS 1。