空间电荷引起的非线性共振与束晕形成
- 格式:pdf
- 大小:138.40 KB
- 文档页数:7
* 国家自然科学基金(70371067,10561002,10347001)、广西自然科学基金(0447030)** 收稿日期:2005-10-25BA 网络上的手机短信息传播模型王 静 孔令江 刘慕仁(广西师范大学物理与电子工程学院,广西 桂林 541004)摘 要: 建立了基于BA 网络手机短信息的传播模型,利用该模型研究了网络的参数和手机用户的信息转发概率对手机短信息传播的影响。
关键词: 手机短信息;BA 网络;元胞自动机模型;计算机模拟中图分类号: O55 文献标识码:A 文章编号:1003-7551(2006)01-0020-031 引言随着手机普及率的提高,越来越多的人习惯于使用短信这一简洁便利的交流方式。
无论在节日还是平时,短信已成为手机用户沟通信息、传递情感的最快捷途径之一。
BA 网络,它再现了实际网络的无标度特性,符合朋友越多的人越容易得到朋友的现实,本文将手机短信息的传播模型建立在BA 网络上,以期通过深入地理解短信息的传播特点和规律促进相关产业的发展。
2 Barla Çs-i A lbert 网络和手机短信息模型Barla Çs-i Alber t 模型是第一个增长的网络模型,其算法[1-4]如下:从初始较小节点数量(m 0)的任意或全连接开始,在每个时间间隔增添一个具有m([m 0)条边的新点,连接这个新点到m 各不同的已经存在于系统中的节点上;新节点连接到某节点i 的偏向概率为F (k i )=k i /E j k j ,经过t 个时间间隔后,该算法构造了一个具有N =t +m 0个节点和m #t 条边的网络。
手机短信息模型建立在上面介绍的BA 网络上,假设网络含有N 个节点,每个节点代表一个手机用户,即:手机用户之间的联系是一个BA 网络。
对于一条信息而言,某节点可有四种状态:0表示该节点没有接受到信息;1表示接受到一条信息;2表示接受到并转发过信息;3表示接受到了两条以上信息。
音频信号光纤传输技术实验[目的要求]1.熟悉半导体电光/光电器件的基本性能及主要特性的测试方法。
2.了解音频信号光纤传输的结构及选配各主要部件的原则。
3.学习分析集成运放电路的基本方法。
4.训练音频信号光纤传输系统的测试技术。
[仪器设备]1.YOF—B型音频信号光纤传输技术实验仪。
2.音频信号发生器。
3.示波器。
4.数字万用表。
[实验原理]一.系统的组成图(1)示给出了一个音频信号直接光强调制光纤传输系统的结构原理图, 它主要包括由LED及其调制、驱动电路组成的光信号发送器、传输光纤和由光电转换、I—V变换及功放电路组成的光信号接收器的三个部分。
图1 音频信号光纤传输实验系统原理图本实验采用中心波长0.85μm附近的GaAs半导体发光二极管(LED)作光源、峰值响应波长为0.8~0.9μm的硅光二极管(SPD)作光电检测元件。
由于光导纤维对光信号具有很宽的频带, 故在音频范围内, 整个系统的频带宽度主要决定于发送端调制放大电路和接收端功放电路的幅频特性。
二.光导纤维的结构及传光原理光纤按其模式性质通常可以分成两大类①单模光纤②多模光纤。
无论单模或多模光纤, 其结构均由纤芯和包层两部分组成。
纤芯的折射率较包层折射率大, 对于单模光纤, 纤芯直径只有5~10μm, 在一定的条件下, 只允许一种电磁场形态的光波在纤芯内传播, 多模光纤的纤芯直径为50μm或62.5μm, 允许多种电磁场形态的光波传播;以上两种光纤的包层直径均为125μm。
按其折射率沿光纤截面的径向分布状况又分成阶跃型和渐变型两种光纤, 对于阶跃型光纤, 在纤芯和包层中折射率均为常数, 但纤芯一包层界面处减到某一值后, 在包层的范围内折射率保持这一值不变, 根据光射线在非均匀介质中的传播理论分析可知: 经光源耦合到渐变型光纤中的某些光射线, 在纤芯内是沿周期性地弯向光纤轴线的曲线传播。
本实验采用阶跃型多模光纤作为信道, 现应用几何光学理论进一步说明这种光纤的传光原理。
变压器谐波产生的原因
变压器在电力系统中具有非常重要的作用,它用于将高压电能转换为低压电能,以满足各类设备的供电需求。
在变压器的运行过程中,会产生谐波,给电网带来一定的负担,因此需要对谐波产生的原因进行深入的分析和研究。
首先,变压器中的非线性磁电路是谐波产生的主要原因之一。
在磁通密度过大或磁通变化速度太快时,就会产生非线性效应,从而引起谐波的产生。
此外,变压器中的饱和变化以及磁路的磁滞效应也会对谐波的产生产生较大的影响,特别是对于一些容量较大的变压器来说,这种影响会更加显著。
其次,变压器内部的空间电荷效应也是谐波产生的另一个重要因素。
由于变压器的构造特点,电场强度经常会集中在某些区域,从而导致空间电荷的积累。
当电场强度达到一定程度时,就会产生电晕放电,也就是电弧现象,这会引起一定的谐波。
最后,由于变压器内部的绕组和其他元件都是由材料和制造工艺不同的成分组成而成,因此在变压器中存在一定的温度差异和机械振动,这些都会对变压器的谐波产生产生影响。
特别是对于一些高频谐波来说,它们会因为电磁耦合效应而在变压器内部形成自由振荡,从而进
一步加剧了谐波的产生。
总之,变压器是电力系统中不可或缺的一部分,但同时也是谐波产生的主要源头之一。
通过加强变压器的设计和制造工艺,并加强对谐波的分析和控制,我们才能更好地保障电力系统的稳定运行。
随机共振理论及相关物理过程解释随机共振理论是一种解释一些非线性系统中出现的共振现象的物理原理。
在许多领域中,共振现象被广泛应用于传感器技术、材料科学、生物医学等领域。
通过深入了解随机共振理论及其相关物理过程,我们可以更好地理解共振现象,并在实际应用中做出相应的优化和改进。
随机共振理论的核心概念是“随机激励下的非线性系统共振”。
在实际环境中,许多非线性系统常常受到随机激励的影响,例如噪声、震动等。
这些随机激励可以促使系统的某些特征频率被放大,从而引起共振现象。
首先,让我们来了解一下非线性系统和共振的基本概念。
在物理学中,线性系统是指其输入和输出之间存在简单的线性关系的系统。
而非线性系统则是指其输入和输出之间存在非线性关系的系统。
非线性系统具有更广泛的应用领域,但也具有更为复杂的行为。
共振是指当外部激励频率与系统固有频率相接近时,系统能够表现出最大的响应。
这种响应可以是振幅增大或频率变化等形式。
例如,当一个摆钟的摆动频率与外部力的频率接近时,摆钟会显示出更大的摆动幅度,这就是一种共振现象。
随机共振理论通过引入随机激励,对非线性系统中的共振现象进行解释。
具体来说,随机激励可以被视为一个包含许多频率成分的信号,这些成分在幅度和相位上是随机变化的。
当随机激励频谱中的某些频率成分接近系统固有频率时,共振现象就会发生。
为了更好地解释随机共振的物理过程,我们可以以电子电路中的MOSFET场效应管为例。
在MOSFET管中,源-漏结之间的电阻与输入电压有关。
如果我们考虑一个随机激励信号作用于MOSFET管,随机激励信号会引起电压和电流在管内的变化。
当随机激励信号中的某些频率成分接近MOSFET管的固有频率时,管内电流会被进一步放大,从而产生共振现象。
在实际应用中,了解随机共振的物理过程对于优化系统性能非常关键。
在传感器技术领域,共振现象可以用于提高传感器的灵敏度和可靠性。
通过选择合适的共振频率,并对系统参数进行调节,可以使共振现象在特定条件下实现,从而提高传感器的性能。
空间电荷畸变
空间电荷畸变是指在电子束或离子束传输过程中,由于空间电荷斥力的影响而导致束斑形变或失焦的现象。
空间电荷畸变是粒子束技术中一个不可避免的问题,特别是在高能量、高电荷量、高流强下更加明显。
空间电荷畸变的形成可归结为以下几个方面原因:首先,粒子束中电子或离子的电荷量往往非常大,相互之间的静电斥力很强,如果束流密度过大,就会出现电荷间的相互作用,导致束斑形变。
其次,空间电荷会导致束流内部电子或离子的速度分布非常广泛,因此束流的传输特性也会随之发生变化。
最后,束流在传输过程中还会受到外部环境的影响,如磁场、气体等,这些因素也会引起空间电荷畸变的出现。
为了解决空间电荷畸变的问题,目前研究者们进行了很多探索和实验工作,如使用电极、磁铁、激光等手段来调控粒子束的传输性能,以期达到更好的聚焦效果。
此外,也有一些新的技术出现,如束团通量调制、束流相控阵等,这些技术在粒子束聚焦和传输中得到了广泛应用。
总之,空间电荷畸变是粒子束技术中一个重要的挑战,但通过不断的研究和探索,相信我们可以找到更好的方法和技术来解决这个问题,从而推动粒子束应用技术的发展。
- 1 -。
空间电荷是指空间中存在的电荷分布情况,它是电磁场理论中的一个重要概念,广泛应用于物理学、化学、生物学等多个领域。
在医学影像设备学中,空间电荷的概念和应用也是至关重要的,它对影像设备的成像原理和技术发展具有重要影响。
本文将从空间电荷的基本概念、在医学影像设备学中的应用以及未来发展趋势等方面进行深入探讨。
一、空间电荷的基本概念1.1 空间电荷的定义空间电荷是指在空间中分布的电荷量,它不仅包括点电荷,还包括分布在空间中的电荷。
根据电场理论,电荷产生电场,电场又与电荷有相互作用,因此理解和描述空间电荷的分布对于研究电磁场的性质和行为至关重要。
1.2 空间电荷的特性空间电荷具有一些特性,包括电荷的数量、分布情况、电场的强度和方向等。
这些特性不仅影响着空间中电场的分布和变化,也对周围的物质和设备产生影响。
在医学影像设备学中,对空间电荷特性的认识和理解对于影像设备的设计和改进具有重要意义。
二、空间电荷在医学影像设备学中的应用2.1 医学影像设备的成像原理医学影像设备主要包括X射线设备、CT设备、核磁共振设备等,它们的成像原理都离不开对空间电荷的理解和应用。
以X射线设备为例,空间电荷的分布情况会影响X射线的透射和吸收,从而影响成像的质量和清晰度。
对空间电荷的分布情况进行精确的模拟和计算,可以帮助优化影像设备的成像效果。
2.2 影像设备的技术改进随着医学影像设备技术的不断发展,对空间电荷的应用也在不断深化。
利用空间电荷对物质的作用原理,可以开发出新型的成像传感器和探测器,提高影像设备的灵敏度和分辨率。
空间电荷在成像介质的特性和影响的研究也为医学影像设备的改进提供了新的思路和方法。
三、空间电荷在医学影像设备学中的未来发展趋势3.1 新型成像技术的应用随着医学影像技术的不断创新,新型的成像技术也在不断涌现。
基于空间电荷的新型成像技术可以实现对生物组织和细胞的高分辨成像,为医学诊断和治疗提供更多、更精确的信息。
空间电荷在成像装置材料和介质的应用研究也将推动医学影像设备学向更高级的方向发展。
粒子物理学中的粒子共振态与共振现象粒子物理学是研究构成物质及宇宙的基本粒子以及它们之间相互作用的学科。
在粒子物理学中,粒子共振态(resonance)是一种常见的现象,它在研究粒子的性质和相互作用中发挥着重要的作用。
本文将介绍粒子共振态的基本概念、观测方法以及其在粒子物理学研究中的意义。
一、粒子共振态的概念粒子共振态是指一种特殊的粒子态,其寿命相对较短,通常在10^-23秒至10^-24秒的量级上。
这种态在能量与时间上有着短暂而特殊的存在,它产生于粒子的相互作用中。
粒子共振态具有特定的能量和质量,可以通过测量粒子与粒子之间的反应截面随能量的变化来观察和探测。
当粒子的能量与共振态的能量接近时,粒子之间的相互作用会变得非常强烈,从而导致反应截面的异常增大。
二、粒子共振态的观测方法在实验中,粒子共振态可以通过粒子对撞实验中的散射或衰变过程来观测。
通过调整入射粒子的能量,使之接近共振态的能量,可以观测到粒子之间的共振现象。
常用的观测方法包括散射截面测量、能谱分析以及衰变宽度的测量等。
这些实验手段使得粒子物理学家能够精确地确定粒子共振态的质量、自旋和电荷等性质,从而深入研究粒子的内部结构和相互作用。
三、粒子共振态的意义粒子共振态在粒子物理学研究中具有重要的意义。
首先,通过观测粒子共振态,可以验证和精确测量粒子的质量、自旋和电荷等性质,从而验证理论模型的准确性。
其次,粒子共振态的存在和性质反映了粒子内部结构和相互作用的本质。
通过研究共振现象,可以揭示粒子之间的相互作用规律,深入理解宇宙中物质的起源和演化。
最后,粒子共振态还为新粒子的发现提供了线索和证据。
当粒子共振态的性质与已知粒子的性质不符时,科学家可以推断存在着未知的粒子,并进一步展开研究。
综上所述,粒子共振态是粒子物理学中的重要概念和现象。
通过观测和研究粒子共振态,科学家可以深入探究粒子的性质和相互作用,进一步拓展对物质结构和宇宙演化的认识。
粒子共振态的研究为粒子物理学的发展和进步提供了重要的科学依据和理论基础。
中红外纳米粒子共振的原理
中红外纳米粒子共振是指在中红外波段(3-5微米或8-12微米)下纳米粒子与电磁波发生共振现象。
其原理可以通过以下几个方面来解释:
1. 表面等离子体共振(SPR):纳米粒子的表面存在自由电子,当中红外波长的电磁辐射入射时,会激发纳米粒子表面的等离子体振荡,产生共振现象。
这种共振现象强烈地增加了纳米粒子对中红外波段的吸收和散射。
2. 外场诱导共振(SERS):外界电磁场的作用下,纳米粒子的表面等离子体振荡会受到可观测的放大。
这是因为外界电磁场的入射能量与纳米粒子表面自由电子的共振频率相匹配,产生共振共振现象。
这导致了纳米粒子局部电场的巨大增强,从而产生增强的光学信号。
3. 多级共振:在中红外波段,纳米粒子表面的等离子体振荡与纳米粒子的晶体振荡之间可以相互耦合形成多级共振效应。
这种多级共振导致了纳米粒子在中红外波长下的吸收和散射的显著增强。
综上所述,中红外纳米粒子共振是通过纳米粒子表面等离子体振荡、外场诱导共振和多级共振等机制来实现的。
中红外波段的电磁辐射与纳米粒子之间的相互作用增强了纳米粒子的吸收和散射,从而可以在中红外波段下进行相关的应用和探测。
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。
PN结具有单向导电性。
P是positive的缩写,N是negative的缩写,表明正荷子与负荷子起作用的特点。
PN结(PN junction)一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。
PN结有同质结和异质结两种。
用同一种半导体材料制成的PN 结叫同质结,由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。
制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。
制造异质结通常采用外延生长法。
P型半导体(P指positive,带正电的):由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成,会在半导体内部形成带正电的空穴;N型半导体(N指negtive,带负电的):由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成,会在半导体内部形成带负电的自由电子。
在P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。
在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的。
N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。
当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P 型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散。
空穴和电子相遇而复合,载流子消失。
因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区。
P 型半导体一边的空间电荷是负离子,N 型半导体一边的空间电荷是正离子。
正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散,达到平衡。
在PN结上外加一电压,如果P型一边接正极,N型一边接负极,电流便从P 型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过。
如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过。
simion空间电荷效应空间电荷效应是指在离子运动的过程中,由于离子电荷的影响,其运动轨迹受到电场的影响而发生偏转的现象。
这种效应在很多领域中都有重要的应用,尤其在粒子加速器、质谱仪等仪器中起着关键作用。
是一种对这种效应进行数值模拟的工具,通过模拟离子在电场中的运动轨迹,可以帮助研究人员更好地理解离子在复杂电场中的行为。
在粒子加速器中,离子的运动轨迹受到空间电荷效应的影响,往往会导致加速器的性能下降。
特别是在高能加速器中,由于离子束的强度较大,空间电荷效应更加明显。
为了有效地抑制这种影响,研究人员需要深入了解空间电荷效应的机制,并找到相应的解决方法。
simion空间电荷效应作为一种模拟工具,可以帮助研究人员对空间电荷效应进行深入研究。
通过对离子在复杂电场中的运动轨迹进行模拟,可以得到更准确的结果,从而指导实验设计和优化。
除了在粒子加速器中的应用外,simion空间电荷效应在质谱仪、离子束刻蚀等领域也有着广泛的应用。
在质谱仪中,离子在分析过程中同样会受到空间电荷效应的影响。
由于质谱仪中需要对离子进行分离和检测,空间电荷效应可能会导致离子分辨率下降,影响质谱分析的精确度。
通过simion空间电荷效应的模拟,可以帮助研究人员优化质谱仪的设计,改善离子分析的效果。
除了在实验中的应用外,simion空间电荷效应还可以帮助研究人员对空间电荷效应的机理进行深入的理论研究。
通过对电场中离子的运动轨迹进行数值模拟,可以揭示空间电荷效应对离子运动的影响规律,为进一步的研究提供基础。
这种理论研究不仅可以帮助我们更好地理解空间电荷效应的机制,还可以为相关技术的改进提供指导。
在离子束刻蚀领域,simion空间电荷效应也发挥着重要的作用。
离子束刻蚀是一种常用的微纳加工技术,通过利用离子束对材料表面进行加工,可以实现微米甚至纳米级的加工精度。
然而,由于空间电荷效应的存在,离子束在加工过程中容易产生偏转,影响加工的精度和效率。
收稿日期:1999203226;修回日期:1999211210基金项目:国家自然科学基金资助项目(19775069);核工业基金资助项目(H7196D0121)作者简介:陈银宝(1940—),女,浙江嘉兴人,研究员,加速器物理专业 第34卷第4期原子能科学技术Vol.34,No.4 2000年7月Atomic Energy Science and Technology J uly 2000空间电荷引起的非线性共振与束晕形成陈银宝,黄志斌(中国原子能科学研究院核技术和计算机应用研究所,北京 102413)摘要:采用束核2单粒子模型研究强流束中由空间电荷引起的非线性共振与束晕形成的关系。
借助Poincare 截面技术,对粒子在相空间的运动进行数值分析。
从束核包络振荡的两个本征模出发,推导得到强流束中非线性共振范围随束流空间电荷效应变化的表达式,以及由非线性共振而激发的束晕形成的空间电荷极限的表达式,并给出相应的结果。
关键词:非线性共振;束晕形成;Poincare 截面;空间电荷极限中图分类号:TL50115 文献标识码:A 文章编号:100026931(2000)0420289207束晕形成机理的研究已有不少报道[1~10],并且得到一些共识。
对于空间电荷占主导地位的束流,在均匀聚焦的传输管道里,初始束流的root 2mean 2square (rms )失配是束晕形成的一个重要原因;在周期性聚焦的传输系统中,rms 匹配束的电荷密度涨落也会引起束晕;混沌粒子运动和发生在束核粒子所占有的相空间边界附近的非线性共振,更是匹配束产生束晕的重要机制。
不变的KAM (K olomogorov 2Arnold 2Morse )表面在约束与传播方向垂直的方向上的束晕粒子起重要作用。
rms 匹配束的束晕比失配束相对要微弱些。
根据Fedotov 和G lucksturn 等[6]对计入束流横向(r )和纵向(z )耦合效应的研究,以及32D 的数值模拟计算,发现两个方向的耦合效应对束晕形成有明显的影响。
即使对于非常小的失配(如10%)也会引起束晕,特别是对于短束团(z /r <2),横向和纵向耦合效应更明显。
1 运动方程采用束核2单粒子模型,首先研究束核包络在聚焦管道里的演变规律,然后再分析注入束核附近的试验粒子的行为。
该模型中,束核的空间电荷效应为单粒子运动提供微扰力,并假设单粒子的运动不对束核运动产生影响。
111 束核运动方程以X —和Y —分别表示x 和y 方向的包络函数,它们不同于匹配半径R ,是z 的函数,束核运动满足包络方程[11]:X —″+k 20X —-2K X —+Y —-ε2X—3=0(1)Y ″—+k 20Y —-2K X —+Y —-ε2Y —3=0(2)其中:ε为束流发射度,这里假设ε=εx =εy ;K 为束流的广义导流系数,K =2I/I 0(βγ)3,I 为电流,I 0为特征电流,β、γ分别为粒子速度与能量的相对论因子;k 0=σ0/S 表示外聚焦力,k 0和σ0分别称为无空间电荷效应的波数和每周期的相移,S 为一个聚焦周期长度。
在匹配束中,X —=Y —=R 为常数,方程(1)和(2)变为:k 20R -K R -ε2R 3=0(3)若引入与空间电荷有关的波数和每周期的相移k 和σ,则有k 2=σ2S 2=k 20-K R 2=σ20S 2-K R 2(4)代入式(3),即可得匹配束的平均半径R :R =εk =εS σ(5) 当束流失配不大时,设束流包络X —(z )和Y —(z )与R 的偏离分别为x (z )和y (z ):X —(z )=R +x (z )(6)Y —(z )=R +y (z )(7)将式(6)和(7)代入式(1)和(2),在光滑近似下,利用式(3)和(4)消去K 和R ,可得描写两个耦合谐振子行为的联立方程,并从中解得振荡的两个本征模,分别称为偶数模和奇数模,其相应的波数和相移分别为:k e =2(k 20+k 2), σe =2(σ20+σ2)(8)k o =k 20+3k 2, σo =σ20+3σ2(9)两式中的脚标e 和o 分别表示偶数本征模和奇数本征模,包络的任何其他振荡都可表示成这两个基模的叠加。
112 单粒子运动方程在束核附近运动的单粒子满足方程:r ″+k 20r -K R 2r =0 (r <R )(10)r ″+k 20r -K r =0 (r >R )(11)式(10)和(11)分别表示束核内粒子和束核外粒子的运动规律。
2 数值结果对上述的包络方程(1)、(2)及单粒子方程(10)、(11)进行数值模拟计算,并利用Poincare 映射技术,使连续“流”降为低维的离散映射。
从得到的Poincare 截面图(粒子每次经过束峰时的相空间或实空间位置记录,也可以是粒子每次经过束谷时的相空间或实空间位置记录),对包络和试验粒子的振荡行为进行分析,以研究束晕的形成。
对于均匀聚焦系统和周期性聚焦系统,可得到粒子相轨迹的Poincare 截面图(图1和2)。
其中,失配因子μ被定义为束流的初92原子能科学技术 第34卷始半径与匹配半径之比,η称为谐衰减(tune depression ),η=k/k 0,表示空间电荷效应的强弱。
从图1可见:在均匀聚焦系统中,随着束流失配的加剧,束核附近的KAM 曲线被破坏,出现共振岛;并且,由于空间电荷的非线性效应的增强,共振岛的分界线的交会区出现混沌现象,混沌的演化促进了束晕的形成。
由图2可见:在周期性聚焦系统中,随着每周期相移的增大,Poincare 截面图变得复杂,出现混沌,形成束晕。
图2中的K ^=σ20(1-η2)/η。
图1 均匀聚焦系统中粒子相轨迹的Poincare 截面图Fig.1 Poincare surface of section for different μand ηin a continuous focusing channela ———μ=110,η=015;b ———μ=015,η=015;c ———μ=115,η=014图2 周期性聚焦系统中粒子相轨迹的Poincare 截面图Fig.2 Poincare surface of section for different K ^and σ0in a periodic focusing channela ———K ^=0,σ0=4515;b ———K ^=3,σ0=85;c ———K ^=5,σ0=115192第4期 陈银宝等:空间电荷引起的非线性共振与束晕形成3 非线性共振单粒子与一个振荡束核的相互作用可引起共振,从而形成束晕。
类比于非相干的束2束相互作用,把这种束晕形成的源称为非相干空间电荷效应。
由于谐衰减(tune depression)η可表示为:η=kk0=σσ(12)若引入谐散度(tune spread)ν:ν=kk c =ωpωc(13)式中:k c和ωc表示束核振荡的波数和频率;ωp表示粒子振荡的频率。
对于束核包络振荡的偶数模,由式(8)得:k c=k e=2(k20+k2)=2(1+η2)k0(14)于是,k k e =η2(1+η2)≡νe(15)k=k0时变为:k k e =12(1+η2)≡νe,∞(16)而对于包络振荡的奇数模,从式(9)得:k c=k o=1+3η2k0(17)于是,k k o =η1+3η2≡νo(18)k=k0时有:k k o =11+3η2≡νo,∞(19)因此,当束流失配时,包络振荡的两个本征频率激发起的共振范围分别可表示为对于束核包络振荡的偶数模:η2(1+η2)≤νe<12(1+η2)(20)对于束核包络振荡的奇数模,η1+3η2≤νo<11+3η2(21)试验粒子在束核附近的共振由η确定。
图3显示了ν随η变化的曲线。
从图上可以明显看出:当η≤011时,束核包络振荡的两个本征模(偶数模和奇数模)可能激起2/3、1/2、1/3、1/4、1/5、1/6、1/10等共振;当η≥014时,其中的1/4、1/5等强共振可以避免;当η≥017时,可以避免2/3、1/3、1/4、1/5、1/6、1/10等共振。
但是,无论η为何值,在0<η<1范围内,即使对292原子能科学技术 第34卷于一个均匀聚焦管道,νe =1/2和νo =1/2的共振始终存在,也就是说,半整数共振是无法避免的。
图3 共振区范围随谐衰减η的变化Fig.3 Range of resonance vs η由式(20)和(21)及图3可见:整个共振区的范围是由偶数模共振范围的下边界和奇数模共振范围的上边界构成的。
并且,从偶数模共振范围的下边界可得:η≤2ν2e1-2ν2e (22)从奇数模共振范围的上边界可得:η≤1-ν2o3ν2o (23) 利用不等式(22)和(23),可计算出相应的偶数模共振和奇数模共振的起始η。
例如:当出现2/3的偶数模共振时,计算出η≤016455;当出现1/3的奇数模共振时,计算出η≤015345;当出现1/4的奇数模共振时,计算出η≤013780;当出现1/5的奇数模共振时,计算出η≤012949;当出现1/6的奇数模共振时,计算出η≤012425;当出现1/10的奇数模图4 (1-η2)/η随η的变化关系Fig.4 (1-η2)/ηvs η共振时,计算出η≤011429等。
由此可以求出整个共振区范围的起始η。
因为有空间电荷与无空间电荷的相移有关[11]:σ=(1+u 2-u )σ0(24)其中:u =KS /2εσ0。
于是,根据电流I 与束流广义导流系数的关系K =2I/I 0(βγ)3,利用式(12)和式(24)不难推得:I =εσ0S I 02(βγ)31-η2η(25)式(25)表明了束流强度I 与η的关系。
图4示出了(1-η2)/η随η的变化关系,也即在同样条件下,束流强度I 与η间的变化关系。
从前面讨论可知:整个共振区的范围由偶数模共振范围的下边界和奇数模共振范围的上边界构成。
并且,根据不等式(22)和(23)可计算出偶数模共振和奇数模共振的起始η,从而可以求出整个共振区范围的起始η。
式(25)则示出,若已知整个共振区范围的起始η,就可计算相应的束流强度,也即可以求出整个共振区范围相应的空间电荷极限。
例如:假设质子束能量为20MeV ,σ0=π/2,S =014m ,ε392第4期 陈银宝等:空间电荷引起的非线性共振与束晕形成492原子能科学技术 第34卷=10-7m,而最先出现的2/3的偶数模共振的起始η=016455,由式(25)算得相应的束流强度I=391279mA。
鉴于νe=1/2和νo=1/2的共振是无法避免的,如果把束流强度设计在39 mA以下,从图3可见,也就避免了2/3、1/3、1/4、1/5、1/6、1/10等共振。