1 磁介质与磁化强度矢量
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磁介质的磁化与磁化强度的计算磁介质是一类能够被磁化并保持磁化状态的物质。
它的磁化过程和磁化强度的计算对于理解磁性材料的性质和应用具有重要意义。
本文将详细介绍磁介质的磁化过程以及如何计算磁化强度。
1. 磁化过程磁介质的磁化过程可以分为自由磁化和感应磁化两个阶段。
自由磁化是指在磁场的作用下,磁介质中的磁性微区域(磁畴)发生磁矩定向的过程。
在自由磁化过程中,磁介质内部的磁矩会逐渐定向,并在达到饱和磁化强度时停止变化。
饱和磁化强度是指磁介质中所有磁矩都在磁场的作用下达到最大定向程度的状态。
感应磁化是指在外加磁场存在的情况下,磁介质中的磁矩发生进一步的调整,以适应外加磁场的变化。
感应磁化过程中,磁介质的磁矩会随着外加磁场的变化而变化,但总体上仍保持相对的定向。
2. 磁化强度的计算磁化强度是描述磁介质磁化程度的物理量,用字母H表示。
磁化强度的计算方法根据磁场类型的不同而有所不同。
对于恒定磁场,磁化强度可以通过以下公式计算:H = B/μ0 - M其中,B为磁感应强度,μ0为真空中的磁导率,M为磁化强度。
恒定磁场中,磁化强度的方向和磁感应强度的方向相同。
对于交变磁场,磁化强度可以通过以下公式计算:H = Im(B)/μ0 - M其中,Im(B)为磁感应强度的实部,μ0为真空中的磁导率,M为磁化强度。
交变磁场中,磁化强度的方向和磁感应强度的实部方向相同。
需要注意的是,磁化强度和磁感应强度的单位一般为安培/米(A/m)。
3. 磁介质的应用磁介质由于其特殊的磁化特性,在很多领域都有广泛的应用。
以下是几个常见的磁介质应用:(1)磁存储器件:磁介质的磁性能使其成为磁存储器件(如硬盘驱动器、磁带等)中的重要组成部分。
(2)变压器:磁介质广泛应用于变压器中,通过磁化和磁感应的相互作用来实现电能的传输和转换。
(3)磁共振成像:磁介质的磁性质使其成为核磁共振成像(MRI)技术中的重要材料,用于获取人体内部的磁共振信号。
(4)磁随机存取存储器:磁介质的磁性使其成为磁随机存取存储器(MRAM)等新型存储器件的关键部件。
11-1 磁介质 磁化强度一、磁介质 磁化强度磁场对处于磁场中的物质也有作用,使其磁化。
一切能够磁化的物质称为磁介质。
而磁化了的磁介质要激起附加磁场,也会对原磁场产生影响。
应当指出的是,磁介质对磁场的影响远比电介质对电场的影响要复杂得多。
不同 的磁介质在磁场中的表现则是很不相同的。
假设没有磁介质(即真空)时,某点的磁感强度为0B ,放入磁介质后,因磁介质被磁化而建立的附加磁感强度为B ',那么该点的磁感强度B 应为这两个磁感强度的矢量和,即B B B '+=0实验表明,附加磁感强度B '的方向随磁介质而异。
有一些磁介质,B '的方向与0B 的方向相同,使得0B B >,这种磁介质叫做顺磁质,如铝、氧、锰等;还有一类磁介质,B '的方向与0B 的方向相反,使得0B B <,这种磁介质叫做抗磁质,如铜、铋、氢等。
但无论是顺磁质还是抗磁质,附加磁感强度的值B '都较0B 要小得多(约几万分之一或几十万分之),它对原来磁场的影响极为微弱。
所以,顺磁质和抗磁质统称为弱磁性物质。
实验还指出,另外有一类磁介质,它的附加磁感强度B '的方向虽与顺磁质一样,是和0B 的方向相同的,但B '的值却要比0B 的值大很多(可达102-104倍),即0B B >>,并且B 和B 0的比值不是常量。
这类磁介质能显著地增强磁场,是强磁性物质;我们把这类磁介质叫做铁磁质,如铁、镍、钴及其合金等。
弱磁性物质的顺磁性和抗磁性的微观机理,与强磁性物质的铁磁性显著不同。
这节用安培的分子电流学说简单说明顺磁性和抗磁性的起源。
关于铁磁质的铁磁性将在第11-3节中介绍。
在物质的分子中,每个电子都绕原子核作轨道运动,从而使之具有轨道磁矩(参阅第10-2节);此外,电子本身还有自旋(参阅第17-10节),因而也会具有自旋磁矩。
一个分子内所有电子全部磁矩的矢量和,称为分子的固有磁矩,简称分子磁矩,用符号 m 表示。
磁介质的磁化与磁化强度在日常生活中,我们常常会接触到一些与磁性有关的物品,比如磁铁、磁卡等等。
这些物品之所以具有磁性,是因为它们含有一种特殊的物质,即磁介质。
那么,磁介质的磁化与磁化强度是如何产生的呢?首先,我们来了解一下什么是磁介质。
磁介质是指能够被磁场影响而发生磁化的物质,它可以是固体、液体或气体。
在磁介质中,存在着微观的磁性基本元件,如铁磁颗粒或分子磁矩。
当外加磁场作用于磁介质时,这些基本元件会发生重新排列,从而产生宏观上的磁化效应。
磁介质的磁化过程可以分为自发磁化和感应磁化两种方式。
自发磁化是指在没有外加磁场作用时,磁介质自身就具有磁化强度。
这一现象主要存在于铁磁体中,比如铁、镍和钴等物质。
在自发磁化过程中,铁磁体中的微观磁矩会自发地同向排列,并形成磁畴结构。
这种自发磁化的状态使得铁磁体对外加磁场有较强的响应能力,也使得它具有较高的磁导率和磁化强度。
而感应磁化则是指在外加磁场的作用下,磁介质发生磁化的过程。
在感应磁化的过程中,外加磁场会引起磁介质中微观磁矩的重新排列,从而使整个磁介质产生磁化效应。
感应磁化主要存在于顺磁体和抗磁体中。
顺磁体是指在外加磁场作用下,磁介质中的微观磁矩会沿外磁场方向排列,从而增强外磁场的磁感应强度。
相反,抗磁体是指在外加磁场作用下,磁介质中的微观磁矩会沿外磁场方向反向排列,从而减弱外磁场的磁感应强度。
磁化强度是描述磁介质磁化程度的物理量,它反映了磁介质对外磁场的响应能力。
磁化强度可以通过磁化矢量来表示,其大小与物质的磁化程度成正比。
磁化矢量的方向则与磁介质中的微观磁矩排列方向一致。
磁化强度与磁场强度之间存在着一种重要的关系,即磁化强度与磁场强度的比值等于磁介质的磁导率。
磁导率可以分为磁化导率和非磁化导率两种。
磁化导率是指磁介质发生磁化时的磁导率,而非磁化导率则是指磁介质未发生磁化时的磁导率。
一般情况下,磁化导率要远大于非磁化导率。
这是因为磁介质在磁化过程中,其微观磁矩的排列会引起磁感应强度的增大,从而增强了磁导率。
第五章 磁介质
§5-1 磁介质与磁化强度矢量
一、磁化现象与磁化强度矢量M
1、磁化:使物质具有磁性的物理过程。
2、磁介质:一切能磁化的物质。
3、磁化强度矢量——磁化的物理描述
(1)定义:单位体积内所有分子磁矩的矢量和,即
V ∆=∑分子
m M (1)
其中分子m 是安培分子电流的磁矩
注意V ∆的大小应满足:分子间距<<3/1V ∆<<M 的非均匀尺度。
(2)性质:
a. 非磁化状态下,分子固有磁矩为零(见§5-2中的抗磁质);或虽不为零,但由于取向无规(见§5-2中的顺磁质),以至0=∑分子m ,所以M=0。
b. M 反映介质内某点的磁化强度,其值越大,与外磁场的相互作用越强,相应物质的磁性越强。
二、磁化电流
1、定义:磁化状态下,由于分子电流的有序排列,磁介质中出现的宏观电流。
2、与传导电流比较:
(1)相同之处:在激发磁场和受磁场作用方面完全等效。
(2)不同之处:磁化电流无宏观移动,无焦耳效应,不必处于导体中。
3、与M 关系:
⎰∑'=⋅L I dl M (2)
即M 在一闭合回路的环路积分等于该闭合回路中穿过的磁化电流之和
4、推论:均匀磁化介质M 为常量,所⎰=⋅L
0dl M 。
因而磁化电流只出现在非均匀磁化介质内部和介质界面上。
*附:(2)式的证明
引入分子平均磁矩V n ∆=∑分子m m a ,其中n 为分子数密度,则M =n m a 。
再设m a 由一等效分子电流产生,则a a a S I m =。
而V ∆中各分子具有相同m a 。
考虑磁介质中任一闭合回路L 和以它为周线的曲面S (图a ),设通过S 的总磁化电流为∑'I ,其正向与绕行方向满足右手定则。
显然,只有从S 内穿过,且在S 外闭合的分子电流对∑'I 有贡献。
考虑L 上的一段弧元d l ,设该处M 与d l 夹角θ。
当o 90<θ时(图b ),对∑'I 有贡献的分子,其中心应位于以d l 为轴,θcos a S 为底,dl 为高的圆柱体中,总
数为dl nS a θcos ,产生的磁化电流dl nm dl nS I a a a =θcos 。
当o 90>θ时(图c )磁
化电流为负,而θcos 也为负,所以上式仍成立。
所以,穿过的总磁化电流满足⎰∑'=⋅L I dl M 。