1前言
各种电子线路中，电磁干扰源产生的电磁干扰杂波，通过传导和辐射途经对线路其它部分或其它电子线路产生电磁干扰。这一过程中导线起了重要作用，一英寸长的导线在100MHz频率下的电感量约为20nh，其感抗约为12．6Ω，这是不可忽视的。为了消除电磁干扰，方法之一就是在有源和无源电子元器件的引线上套上一些很小的管形或环形的软磁铁氧体磁芯，利用铁氧体材料的电磁损耗机理有效地消除传导和辐射的电磁干扰噪声。这种抗电磁干扰的方法既简便又有效，而且成本很低，所以获得了十分广泛的应用。由于串在引线上用于抗电磁干扰的铁氧体小管或小环有些像一串珍珠，所以它们得到了一个很形象化的名称—磁珠（Bead）。
近年来表面贴装技术（SMT）迅速崛起，传统的插装电路逐步被SMT电路替代，绝大部分带引线的电子元器件均已片式化，变成了无引线或短引线的片式电子元器件。这样一来，上述的传统磁珠（铁氧体小管或小环）已无法在SMT电路中应用。为了解决这一困难，国外一些著名的电子元器件公司，如美国的AEM公司、Coilcraft公司、日本TDK、村田、太阳诱电、Tokin等公司，先后开发了片式磁珠（ChipBead）和片式电感器（ChipInductor），以满足SMT电路的需求。
实质上，磁珠就是一个填充磁芯的电感器，利用它的阻抗|Z|在高频下迅速增加的特性和磁性材料的电磁损耗机理来抑制和吸收高频噪声，从而达到抗电磁干扰的目的。片式磁珠/电感器按结构可分为两大类，即叠层型片式磁珠／电感器（MultilayerChipBead/Inductor，简称MLCB/MLCI）和绕线型片式磁珠/电感器（WoundChipBead/Inductor）。叠层型片式磁珠／电感器是近年来发展起来的一种高新技术产品，其结构如图1所示。由图1可以看出，导体线圈完全被磁性铁氧体介质包围，形成一种独石结构。当电流通过时，激励的磁力线几乎完全被屏蔽在其内部，而不会干扰邻近的其它电子元器件。两端的端头是端电极，与内部的导体线圈连通。端电极由三层金属导体构成，里层是银，中间层是镍，外层是焊锡，也称为三层镀端电极，既适用于波峰焊，也适用于再流焊。此外，这种独石结构具有体积小、紧凑、可靠性高等优点，外形尺寸符合标准化、系列化的要求（与片式电容器和片式电阻器完全相同），并且规格齐全、价格低廉，所以获得了广泛的应用。绕线型片式磁珠/电感器的最大缺点是磁路不屏蔽，当电流通过时激励的磁力线“外溢”，可能干扰邻近的电子元器件，而且其纤细的绕线结构的可靠性较差。本文着重介绍叠层型片式磁珠的特性及其应用。
图1 叠层型片式磁珠/电感器的结构
图2铁氧体材料的典型磁谱曲线
2叠层型片式磁珠的结构及基本特性
叠层型片式磁珠的基本结构如图1所示，由金属导体线圈及其周围的铁氧体磁性介质组成。设没有磁性介质时金属导体线圈的电感为L0，当周围填充磁导率为μ的铁氧体之后，其阻抗Z为：
Z=R0＋jωμL0(1)
式中R0为欧姆电阻，ω=2πf为的角频率。交变电磁场中，由于存在损耗，铁氧体中的磁场强度H与磁感应强度B不是同位相的，所以，此时的磁导率不再是一个实数，而是一个复数，即
μ=μ′－jμ″(2)
式中μ′就是通常所说的磁导率，μ″则表示铁氧体材料的损耗，Q=μ′/μ″称为品质因素。μ′、μ″与铁氧体材料的配方组成、微观结构、制备工艺、所用原材料等诸多因素有关，是表征铁氧体特性的主要参数。μ′、μ″均是角频率ω的函数，图2是典型的铁氧体磁谱曲线。当频率达到ωr时，μ′迅速下降，μ″迅速上升，ωr称为铁氧体材料的临界频率。
将式(2)代入式(1)，则得
Z=R0＋jω(μ′－jμ″)L0
=(R0＋ωμ″L0)＋jωμ′L0=R＋jXL（3)
|Z|=（R2＋XL2）0.5(4)
式中R为等效电阻,XL为感抗。由于μ′、μ″均为频率的函数，所以|Z|、R、XL也都是频率的函数。通过简单计算，可以得到图3所示的结果：在低频段，|Z|随ω线性上升；当达到高频段时，|Z|趋于饱和值2πL0S；在临界频率ωr处，|Z|为最大值的，其中S为一个与铁氧体性能有关的参数。实际上由于导体线圈间不可避免地存在着分布电容，所以当ω很高时，会出现自谐振现象，|Z|将下降，如图3中的虚线所示，有时也会出现尖锐的峰值。
图4是美国著名的AEM公司生产的0603片式磁珠的特性曲线，与图3相比较后可得出结论：理论计算曲线与实际情况是相当吻合的。从图4可以看出，在低频段，|Z|值很小，
信号可以通过；在高频段，|Z|上升到较大值，如100MHz时，可达上千欧姆，而且呈电阻性。这样，高频干扰噪声将被磁珠吸收，转变成热能散发出去，从而达到抗电磁干扰的目的。
3叠层型片式磁珠的制造工艺技术
叠层型片式磁珠／电感器的制造工艺技术主要有以下三种。
3.1内连接技术（湿法）
这是美国AEM公司近年发明的一项重要的专利技术，有人译成优先连接技术或通路形成技术。此技术的特点是依靠相关材料的物理、化学特性完成层间连接，而不是依靠机械方法连接。内连接工艺技术的简要过程是：将性能良好的低烧结温度铁氧体磁粉制成浆料，印刷成铁氧体膜，并在其上印制银浆料导体线圈，然后再印制一层铁氧体膜和银浆料导体线圈，在设定位置上利用物理、化学方法使铁氧体穿孔，这样两层银浆料导体线圈在穿孔处
图3|Z|～ω理论曲线
图4美国AEM公司的0603／1608片式磁珠的特性曲线得以连通。重复上述工艺步骤，就可制成多达数十层的叠层结构。其后通过再切割、排胶、烧结、倒角、制端电极、检测、编带等后续工序，即可完成全部制备工艺流程。
-----------------------|Z|
...................................XL
----------------------------------R
图4美国AEM公司的0603/1608片式磁珠的特性曲线
这种独特的专利技术可以说是独具匠心，是叠层技术的一个突破。它具有工艺流程简化、可靠性高、生产效率高、成本低等许多优点，是目前世界上最先进的叠层工艺技术。这种新的概念和工艺的出现引起了业界的广泛关注。
3.2交迭印刷技术(湿法)
日本TDA公司首先提出这种工艺方法：先在铁氧体膜上印刷3/4周银浆料导体线圈,后在1/2周的区域上印刷铁氧体膜,将银浆料导体线圈覆盖,留下1/4周导体线圈未被铁氧体膜覆盖,在此基础上再印刷第二个3/4周银浆料导体线圈,然后再在与第一个铁氧体膜相差180°的第二个1/2周的区域上印刷铁氧体膜,将银浆料导体线圈覆盖,留下1/4周导体线圈未被铁氧体膜覆盖,在此基础上再印刷第三个3/4周银浆料导体线圈,……。用这样的方法可将铁氧体膜层间的导体线圈连通，也可通过不断重复上述步骤，制备出设定层数的叠层结构。再经过切割、排胶、烧结、倒角、制端电极、检测、编带等后续工序，即可完成全部制备工艺流程。
这种工艺方法的特点是工艺流程繁多，生产效率低。
3.3干膜打孔技术(干法)
将铁氧体浆料利用流延工艺制成铁氧体干膜,在干膜的设定位置上用机械方法打出通孔,在通孔中填充银浆料,然后在干膜上印制银浆料导体线圈。将若干片这样的干膜叠在一起，经过叠压工艺制成叠层结构，再经过切割、排胶、烧结、倒角、制端电极、检测、编带等后续工序，即可完成全部制备工艺流程。
这种工艺方法与使用了多年的多层陶瓷电容器（MLCC）的工艺有着许多共同之处，工艺继承性强，可以减少设备投资，但其最大的缺点是在机械钻孔和叠压过程中很容易出现微裂、分层、鼓形等缺陷，致使产品的可靠性下降。此外，这种工艺方法要求高精密打孔设备，而且工序多，效率低，成品率低。据报道，日本太阳诱电、村田及韩国、台湾的一些公司都使用这种工艺技术方法。
3.4其它技术
除了上述三种主要的工艺技术外,还有多种所谓的干湿结合法,以及日本松下公司1995年在我国申请专利的导体线圈复印法(专利号：CN1127412A)，这些方法未见在生产中使用。
4叠层型片式磁珠的尺寸系列及类别
4.1叠层型片式磁珠的尺寸系列
叠层型片式磁珠／电感器的尺寸系列与片式阻容元件完全一致，符合通用的国际标准。其外形尺寸和焊盘尺寸（推荐）如表1、表2所示。
表1叠层型片式磁珠／电感器的尺寸系列
表2叠层型片式磁珠／电感器在印制电路板上的焊盘尺寸（推荐）
表4大电流型叠层片式磁珠的性能参数（美国AEM公司）
(a)|Z|、XL、R的频率特性
(b)电流对阻抗频率特性的影响
图5大电流型叠层片式磁珠(MCP0805F300)的特性曲线
4.2叠层型片式磁珠的类别
按其特性和用途,可以分成以下7类。
（1）普通型
这是应用最广泛的一类叠层型片式磁珠／电感器，其典型特性曲线如图4所示。表3列出了美国AEM公司生产的0603／1608规格产品的性能参数，通过查阅各生产厂家的产品目录可了解其它规格产品的性能参数。0603／1608是目前的主流规格。
表3普通型0603／1608片式磁珠的性能参数
（美国AEM公司）
（2）大电流型
由表3可知，普通型磁珠的额定电流只有几百毫安，但在某些应用场合要求额定电流达到几安培。例如：为了消除计算机卡板电源部分及大电流母线排部分的噪声，要求磁珠能承受几安培的电流。为此，选择适当的铁氧体材料或者采用低烧结温度电子陶瓷材料，并采取适当的工艺措施，制成了能够承受大电流的叠层型片式磁珠。表4和图5给出了美国AEM
公司产品的性能参数和频率特性曲线。最大电流的含义是磁珠温升不超过20℃时允许通过的最大电流，虽然此定义不够严格，但目前世界各国生产厂家均如此理解。
（3）尖峰型
如图1所示,叠层型片式磁珠／电感器中的线圈是条形导电带,在条形导电带之间填充铁氧体介质。铁氧体不仅是磁性介质，而且也是电性介质，其介电常数约在十几到几十之间。所以，不可避免地存在分布电容，这样，一个叠层型片式磁珠／电感器的等效电路就是图6所示的LC并联回路。由此可知，在某个频率必然出现谐振现象。经过精密设计，可以使谐振峰很尖锐，并且使谐振频率出现在所希望的范围，如图7所示。具有这种特性曲线的磁珠称为尖峰型。
有时电子线路中在某频率点存在着强烈的干扰噪声，很难消除。这时，可以在此电子线路中加一个谐振频率恰巧在干扰噪声频点的尖峰型磁珠，从而将这一强烈的干扰噪声完全抑制。实际表明，这种方法对某些电子产品相当有效。
图6叠层型片式磁珠/电感器的等效电路
图7尖峰型磁珠的阻抗频率特性曲线
图8片式磁珠阵列
显然，不同电子线路、不同用户对谐振频率的数值要求是不相同的。所以，制造厂家难以像对普通型磁珠那样将尖峰型磁珠的产品系列完整地列出来供用户选择，而只能根据用户的特殊要求进行设计，按“量体裁衣”的方式供货。
（4）高频型
近年来电子产品向高频发展的趋势很强烈，计算机、移动通信最为明显。笔记本电脑中的PCS总线时钟频率已经从几十兆赫提高到100MHz以上。如果仍然使用普通型磁珠，那么，三次谐波信号成分将被大量衰减，致使时钟脉冲信号钝化，将会引起误操作。同时，各种电子元器件的频率都在提高，辐射的电子干扰的频率往往超过1GHz。在这种情况下，要求将磁珠的抑制EMI的频率范围提高，如对500MHz以下的信号频率成分几乎无衰减通过，而对1GHz以上的干扰噪声产生大量衰减。
为了适应这种要求，各生产厂家及时开发了高频叠层型片式磁珠。如美国AEM公司采用高性能、低烧结温度电子陶瓷材料作介质，并精确设计导体线圈的结构和尺寸，从而将高阻抗频率范围提高到1GHz以上，性能优越。日本TDK公司经过多年研究，解决了Z型六角晶系铁氧体的单相问题，研制成功了性能良好的单相六角晶系铁氧体材料，用这种材料做出了GHz级抑制噪声的片式磁珠。在500MHz以下，阻抗很小；当频率超过500MHz时，阻抗突然上升。
（5）阵列型
片式磁珠阵列（ChipBeadsArray)又称为磁珠排，是在片式磁珠基础上发展起来的一种新产品。它是在一个0805或1206的片式元件内并列2～4个片式磁珠，如图8所示。这样就大大缩小了在PCB上所占据的面积，有利于高密度组装。
根据其特性，磁珠阵列同样可以分为普通型、大电流型、尖峰型、高频型等类别，它们由相应类别的片式磁珠组成。片式磁珠阵列特别适用于有排线的电路，如有多条出线的I/O 接口、电源总线母线排、数据总线时钟信号出口等。
（6）叠层型片式共模扼流圈
把两组方向相反的线圈绕在一个铁氧体磁芯上，就构成了一个共模扼流圈。利用两组线圈激励的磁力线方向相反的特点，这种共模扼流圈在电子线路中具有独特的应用。近年来，各生产厂家利用叠层技术已经将共模扼流圈片式化，生产出不同性能的叠层型片式共模扼流圈，而且可以将数个共模扼流圈制作在同一个片式元件中，更提高了灵活性和适用性。
（7）叠层型片式LC组合元件
调整材料配方及工艺流程参数，可以使铁氧体材料与陶瓷材料在900℃以下共烧，共烧后形成一个整体，但两种材料互不反应，各自保持自己的电磁特性。基于这种先进的共烧技术，可以利用叠层工艺将若干个叠层片式电感器和叠层片式陶瓷电容器共烧在一起，形成一个独石结构的片式LC组合元件，如图9所示。利用这种工艺方法，已经生产出各种性能的LC滤波器、陷波器、延迟线等。这种片式LC组合元件大大缩小了电路的体积，是当前最高形式的片式电子元件，已被广泛应用于各个领域。
LC组合元件在EMI抑制技术中的应用最受人们欢迎，应用效果最佳的是叠层片式LC陷波器（其
图9叠层型片式LC组合元件结构示意图
图10片式磁珠在个人数字助理（PDA）中的应用
1，4—用于抑制连接电缆辐射噪声的片式磁珠；
2，3—用于抑制数据线上辐射噪声的片式磁珠。
图11片式磁珠在PC卡片式调制解调器中的应用
1，2，4—用于抑制数字时钟数据线上辐射噪声的片式磁珠;
3—用于抑制来自电源线的噪声的大电流片式磁珠;
5—用于抑制电话线上辐射噪声的片式磁珠;
6，7，8—用于抑制数字数据线上辐射噪声的片式磁珠。
图12笔记本电脑中的片式磁珠／电感器图13数字电话中的片式磁珠／电感器
中有LC并联和LC串联两种）和LC滤波器（包括π型和T型）。这些LC组合元件都是针对EMI设计的。
5叠层型片式磁珠／电感器的应用举例
由于电子产品向高频化、数字化、高组装密度的方向发展，所以对抑制电磁干扰提出了更高的要求。各种类型抑制EMI的片式元件应运而生，迅速发展起来。其中最引人注目的就是叠层型片式磁珠和片式电感器。
如上所述，由于近年来叠层技术突飞猛进，使电感器和磁珠均已成功地片式化，其外形尺寸系列已符合片式阻容元件的标准，而且性能优良、品种规格齐全，为电路设计者提供了广阔的空间。过去未采用片式电感器的电子产品（如彩电、录像机、电话机等），现在也开始大量采用片式电感器和片式磁珠。统计结果表明，单台电子产品使用片式电感器和片式磁珠的数量越来越大，如移动通信手持机单台用量已从前几年的不足10只上升到30只以上。
为了说明叠层型片式磁珠／电感器的广泛应用状况，图10至图13示出了一些应用实例，供用户参考。
图13 数字电话中的片式磁珠/电感器
图14Murata公司片式抑制EMI噪声滤波器的应用
抑制EMI的片式噪声LC滤波器可以去除电子设备中的高频噪声和数字电路的辐射噪声，还可防止高频噪声侵入电子设备中，其应用实例如图14所示。6结束语
近年来信息产业日新月异的发展，对电子元器件（特别是片式电子元器件）的需求量持续大幅度增长，为电子元件的发展创造了良好的机遇。同时由于EMI问题日益严重，以及电子产品EMC标准的推行，大大提高了叠层型片式磁珠／电感器的重要性。世界上各制造厂家都在投入大量人力物力开发性能更优越的叠层型片式磁珠／电感器。我们相信这枝现代叠层技术的奇葩必将绽开得更加光彩夺目，出现在现代电子技术世界的每个角落。
参考文献
1廖绍彬．铁磁学下册．北京：科学出版社，1988
2张继纲．射频铁氧体宽带器件．北京：科学出版社，1986
3施红阳．迭层片式电感器在EMC中的作用．南玻集团EMI研讨会论文集，1997
4孔非吾．抑制EMI之元器件发展新动向．世界电子元器件，1998(5)：21
5谭亮．笔记本电脑的EMI对策．世界电子元器件，1998(5)：27
6美国AEM公司产品目录
7美国Coilcraft公司产品目录
8日本TDK公司产品目录
9日本Murata公司产品目录
电容的分类和应用 一、电容的分类和作用 电容，由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同： 按结构可分为：固定电容，可变电容 按介质材料可分为：空气电容、液体电容、无机固体电容、有机固体电容、电解电容。 按极性分为：有极性电容和无极性电容。 电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐 二、电容的符号 电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法，但电容符号在国内和国际表示都差不多，唯一的区别就是在有极性电容上，国内的是一个空筐下面一根横线，而国际的就是普通电容加一个"＋"符号代表正极。（见下图） 三、电容的单位 电阻的基本单位是：F （法），此外还有μF（微法）、pF（皮法），另外还有一个用的比较少的单位，那就是：nF（纳法）。电容 F 的容量很大，我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位，而不是F的单位。 它们之间的具体换算关系如下： 1F＝1000000μF 1μF=1000nF 1nF=1000pF 四、电容的耐压单位：V（伏特） 每一个电容都有它的耐压值，这是电容的重要参数之一。普通无极性电容的标称耐压值有：63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等，有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低，一般的标称耐压值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。 五、电容的种类 电容的种类可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。 各种电容的优缺点及用途 无极性可变电容 制作工艺： 1、可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷
电子元器件基础知识--电阻电容的品牌大全 2011-05-17 10:42 1、请列举您知道的电阻、电容、电感品牌（最好包括国内、国外品牌）。 电阻： 美国：AVX、VISHAY威世日本：KOA兴亚、Kyocera京瓷、muRata村田、Panasonic 松下、ROHM罗姆、susumu、TDK 台湾： LIZ丽智、PHYCOM飞元、RALEC旺诠、ROYALOHM厚生、SUPEROHM美隆、TA-I大毅、TMTEC泰铭、TOKEN德键、TYOHM幸亚、UniOhm厚声、VITROHM、VIKING 光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨新加坡：ASJ 中国：FH风华、捷比信 电容： 美国：AVX、KEMET基美、Skywell泽天、VISHAY威世英国：NOVER 诺华德国：EPCOS、WIMA威马丹麦：JENSEN战神日本：ELNA伊娜、FUJITSU 富士通、HITACHI日立、KOA兴亚、Kyocera京瓷、Matsushita松下、muRata村田、NEC、nichicon（蓝宝石）尼吉康、Nippon Chemi-Con（黑金刚、嘉美工）日本化工、Panasonic松下、Raycon威康、Rubycon（红宝石）、SANYO三洋、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TK东信韩国：SAMSUNG三星、SAMWHA三和、SAMYOUNG 三莹台湾：CAPSUN、CAPXON（丰宾）凯普松、Chocon、Choyo、ELITE金山、EVERCON、EYANG宇阳、GEMCON至美、GSC杰商、G-Luxon世昕、HEC禾伸堂、HERMEI合美电机、JACKCON融欣、JPCON正邦、LELON立隆、LTEC辉城、OST奥斯特、SACON 士康、SUSCON 冠佐、TAICON台康、TEAPO智宝、WALSIN华新科、YAGEO国巨香港：FUJICON富之光、SAMXON万裕中国：AiSHi艾华科技、Chang常州华威电子、FCON深圳金富康、FH广东风华、HEC东阳光、JIANGHAI南通江海、JICON 吉光电子、LM佛山利明、R.M佛山三水日明电子、Rukycon海丰三力、Sancon 海门三鑫、SEACON深圳鑫龙茂电子、SHENGDA扬州升达、TAI-TECH台庆、TF南通同飞、TEAMYOUNG天扬、QIFA奇发电子 电感： 美国：AEM、AVX、Coilcraft线艺、Pulse普思、VISHAY威世德国：EPCOS、WE 日本：KOA兴亚、muRata村田、Panasonic松下、sumida胜美达、TAIYO YUDEN 太诱、TDK、TOKO、TOREX特瑞仕台湾：CHILISIN奇力新、https://www.doczj.com/doc/304434021.html,yers美磊、TAI-TECH台庆、TOKEN德键、VIKING光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨中国：Gausstek丰晶、GLE格莱尔、FH风华、CODACA科达嘉、Sunlord顺络、紫泰荆、肇庆英达 2、请解释电阻、电容、电感封装的含义：0402、060 3、0805。 表示的是尺寸参数。 0402:40*20mil；0603:60*30mil；0805:80*50mil。
1前言 各种电子线路中，电磁干扰源产生的电磁干扰杂波，通过传导和辐射途经对线路其它部分或其它电子线路产生电磁干扰。这一过程中导线起了重要作用，一英寸长的导线在100MHz频率下的电感量约为20nh，其感抗约为12．6Ω，这是不可忽视的。为了消除电磁干扰，方法之一就是在有源和无源电子元器件的引线上套上一些很小的管形或环形的软磁铁氧体磁芯，利用铁氧体材料的电磁损耗机理有效地消除传导和辐射的电磁干扰噪声。这种抗电磁干扰的方法既简便又有效，而且成本很低，所以获得了十分广泛的应用。由于串在引线上用于抗电磁干扰的铁氧体小管或小环有些像一串珍珠，所以它们得到了一个很形象化的名称—磁珠（Bead）。 近年来表面贴装技术（SMT）迅速崛起，传统的插装电路逐步被SMT电路替代，绝大部分带引线的电子元器件均已片式化，变成了无引线或短引线的片式电子元器件。这样一来，上述的传统磁珠（铁氧体小管或小环）已无法在SMT电路中应用。为了解决这一困难，国外一些著名的电子元器件公司，如美国的AEM公司、Coilcraft公司、日本TDK、村田、太阳诱电、Tokin等公司，先后开发了片式磁珠（ChipBead）和片式电感器（ChipInductor），以满足SMT电路的需求。 实质上，磁珠就是一个填充磁芯的电感器，利用它的阻抗|Z|在高频下迅速增加的特性和磁性材料的电磁损耗机理来抑制和吸收高频噪声，从而达到抗电磁干扰的目的。片式磁珠/电感器按结构可分为两大类，即叠层型片式磁珠／电感器（MultilayerChipBead/Inductor，简称MLCB/MLCI）和绕线型片式磁珠/电感器（WoundChipBead/Inductor）。叠层型片式磁珠／电感器是近年来发展起来的一种高新技术产品，其结构如图1所示。由图1可以看出，导体线圈完全被磁性铁氧体介质包围，形成一种独石结构。当电流通过时，激励的磁力线几乎完全被屏蔽在其内部，而不会干扰邻近的其它电子元器件。两端的端头是端电极，与内部的导体线圈连通。端电极由三层金属导体构成，里层是银，中间层是镍，外层是焊锡，也称为三层镀端电极，既适用于波峰焊，也适用于再流焊。此外，这种独石结构具有体积小、紧凑、可靠性高等优点，外形尺寸符合标准化、系列化的要求（与片式电容器和片式电阻器完全相同），并且规格齐全、价格低廉，所以获得了广泛的应用。绕线型片式磁珠/电感器的最大缺点是磁路不屏蔽，当电流通过时激励的磁力线“外溢”，可能干扰邻近的电子元器件，而且其纤细的绕线结构的可靠性较差。本文着重介绍叠层型片式磁珠的特性及其应用。 图1 叠层型片式磁珠/电感器的结构
1 电容器种类 依照主要材质特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别. 1.1 电解质电容器种类: 依照细部材质、形状、功能特性可再区分为标准型(>11mm高度), 迷你型(7mm高度), 超迷你型(5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型, 迷你低漏电型(7mm高度), 双极性 型, 无极性型, 及低内阻型(Low ESR)等. 1.2 电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片(105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等. 电解电容器是指在铝、钽、铌、钛等金属的表面采用阳极氧化法生成一薄层氧化物作为电 介质，以电解质（常为液体、半液体或胶状的电解液）作为阴极而构成的电容器。电解电容 器的阳极通常采用腐蚀箔或者粉体烧结块结构，其主要特点是单位面积的容量很高，可以做到几万甚至几十万微法的容量,在小型大容量化方面有着其它类电容器无可比拟的优势。目 前工业化生产的电解电容器主要是铝电解电容器和钽电解电容器。 由于构成电解电容器两电极的材料不同，因此有极性的区分，一般极性在壳体上有标注,有时也用引线的长短来表示，长线为正，短线为负,在电路中使用时正、负极不能接错。当 极性被反接或两端所加电压超出规格时因漏电流急剧增大发热，电解液将被气化而爆出,即发生所谓击穿。电解电容器特性受温度、频率的影响很大。 铝电解电容器
铝电解电容器采用铝箔做正极，正极表面生成的氧化铝为介质，电解质为负极。铝电解 电容器制造时是将电解质吸附在吸水性好、拉力强的衬垫上，另外再加一层铝箔作为负极引线，然后与正极铝箔一起卷绕起来放入铝壳或塑料壳中封装。 铝电解电容器单位体积所具有的电容量特别大，可以做到数万微法的大容量，这一点它 比其他类型的电容器有不可比拟的优势.铝电解电容器在工作过程中具有"自愈"特性。不过应注意铝电解电容器经受电击穿后很难完全自愈，即使能勉强使用也极不可靠。 铝电解电容器也有很显著的缺点： 1、其绝缘性能较差。铝电解电容器在所有类别的电容器中绝缘性能几乎是最差的,特别是高压大容量铝质电解电容器的漏电流可达1mA。漏电流会随着温度和电压的升高而增大。 2、损耗因子较大。由于电解质的导电性不太好，电阻较大，因此损耗较大，低压铝电 解电容器的DF（损耗因子）通常在10％以上。Tanδ（损耗角正切值）随着测量频率的增 加而变大，随测量温度的下降而增大。 3、温度特性及频率特性均较差。铝电解电容器的容量随频率的增加而减小；随着温度 的下降，电容量会变小。铝电解电容其一般只能在－20℃～＋70℃的范围内使用（低温时 阴极电解液会固结，高温时会使得电解电容器的性能迅速劣化，寿命及静电容量都缩短到只有原來的几分之一），也有在—40℃～＋105℃范围内应用的型号，要根据设备的运行环境 温度选择合适的温度范围。 4、铝电解电容器的性能容易劣化。使用经过长期存放的铝电解电容器，不宜突然施加 额定工作电压，而应逐渐升压至额定电压。 5、传统铝电解电容器由于采用电解液作为阴极，在片式化方面存在较大的障碍，故其 片式化进程落后于陶瓷电容器及金属化薄膜电容器。 铝电解电容器具有极性。如果极性接反,电容器的漏电流会急剧增大，芯子严重发热，导 致电容器失效，并可能燃烧爆炸，损害线路板上的其它器件。所以使用时要注意极性问题。 不过近年来也出现了无极性铝电解电容器，它适宜在要求容量大、体积小、耐压高、有电平翻转可能的电路中选用。但要注意，除非必要，一般不选用无极性铝电解电容器，因为和普通的极性铝电解电容器相比，它成本高，等效串联电阻大，且长期在极性状态下工作后介质 的翻转性能会变差。 近年来出现一种PA-Cap系列聚合物固体片式铝电解电容器，采用导电性高分子聚合物 材料作为固体电解质制成,相对于其它电解电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）值、有更好的容量频率曲线、稳定的温度特性，电性能也更好一些。在高频滤波、抗干扰、电源补 偿等电路中可以用作传统铝电解电容器和钽电解电容器的更新换代产品。 钽电解电容器
叠层片式天线应用指南 1、介绍 片式天线系列是基于ISM 频段2.4GHz 的应用，如蓝牙，家庭网络无线射频，中国移动多媒体广播等。它们具有结构紧密、重量轻、嵌入式应用、合适的增益及带宽、全方位和低损耗等特点。同时，它们可以进行通用的SMT 贴装。 众所周知，小尺寸的片式天线对于应用环境非常敏感，如同K 值和FR4板的厚度。因此它们需要合适的由电感和电容组成的匹配电路，从而保证在一个良好的状态下工作。这就意味着需要在最终产品方案上进行天线的匹配以获得最好的性能。产品规格书上的性能(如下表)是在我司自己的测试板上测量的。 调整后，天线的中心频率会下降到2.45GHz 。我们可以提供不同种类的天线，它们具有不同的尺寸及中心频率，因此客户可以根据自己产品基板的情况选择最合适的一款。 2、匹配电路&元件 片式天线可以与成品的环境进行匹配，通常这个步骤需要用到以下的电容和电感。 *串联：用串联方式连接天线和反馈线 *并联：用并联方式连接天线和反馈线 客户需要在放置天线前设置好π型电路，然后可以灵活地选择以下的电路类型。 型号 尺寸 (mm) 谐振频率 (GHz) 带宽 (MHz) 平均增益 (dBi) 增益 (dBi) SLDA31 3.2×1.6×1.0 2.80 100 -0.5 0.5 SLDA52 5.0×2.0×1.0 2.54 200 0.5 2.5 SLDA62 6.0×2.0×1.0 2.64 200 0.7 2.6 SLDA72 7.2×2.0×1.0 2.86 250 1.0 2.7 SLDA81 8.0×1.0×1.0 3.01 200 2.0 0.5 SLDA92 9.0×2.0×1.0 2.66 300 1.0 3.0 SLDA35050 35.0×5.0×1.0 0.65 50 - -2.0dBi (710MHz). -7.0dBi (474MHz) 元件 描述 数值 *Series C 0.5 ~ 10 pF Capacitor *Shunt C 33, 100 pF Series L 1.0 ~ 6nH Inductor Shunt L 1.0 ~ 6nH
电容的分类、标识及识读（一） 电容(名词解释)： 由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同。 一、电容的分类 1.按结构可分为：1）固定电容、2）可变电容、3）半可变电容（微调电容） 2.按介质材料可分为： 1)气体介质电容：空气电容 2)电解电容：液态电解电容（如铝质电解液电容）、固态电解电容 3)无机介质电容： 瓷介电容、云母电容、璃釉电容 4)有机介质电容： 聚乙酯电容(Mylar电容)、金属化聚乙酯电容(MKT电容)、聚丙烯电容(PP电容) 金属化聚丙烯电容(MKP电容)、聚苯乙烯电容(PS电容)、聚碳酸电容、聚酯电容（涤纶电容） 3.按极性分为:1)有极性电容、2)无极性电容。 二、电容的主要参数： 标称容量、耐压、绝缘电阻、损耗、允许误差、温度系数、频率特性 1.电容量的单位及换算关系： 1F＝103mF、1mF=103μF、1μF=103 nF、1nF=103pF 2.耐压单位V（伏）：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。无极性电容的耐压值有： 63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等 有极性电容的耐压值有：（与无极性电容相比要低） 4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。 3.绝缘电阻：电容的是指电容器两极之间的电阻，或称漏电阻。绝缘电 阻的大小决定于电容器介质性能的好坏。使用电容器时应选绝缘电阻大的。 绝缘电阻越小，漏电越严重，这样会影响电路的正常工作。 4.允许误差：电容器的标称容量与其实际容量之差，再除以标称容量所得的百分数，就是电容器的允许误差。 表2-1常用电容其精度等级（与电阻的表示方法相同） 表2-2 电容偏差标识符号 表2-3 电容标称容量系列
Multilayer Chip Power Inductor – MPL Series Operating Temp. : -40℃~+85℃ FEATURES APPLICATIONS PRODUCT IDENTIFICATION MPL 2012 S 2R2 M H T ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ SHAPE AND DIMENSIONS ● High DC bias current due to developed material ● Low DC resistance ● Low profile and thin thickness ● Monolithic structure for high reliability ● Excellent solderability and high heat resistance ● No cross coupling due to magnetic shield ● DC-DC converter circuits for mobile phones, DSCs, DVCs, HDDs, PDAs, etc. ② External Dimensions (L×W) (mm) 1608 [0603] 1.6×0.8 2012 [0805] 2.0×1.25 2016 [0806] 2.0×1.6 2520 [1008] 2.5×2.0 ① Type MPL Chip Power Inductor ③ Feature Type S L C (Internal Code ） ④ Nominal Inductance Example Nominal Value R47 0.47μH 4R7 4.7μH ⑤ Inductance Tolerance M ±20% N ±30% ⑥ Thickness D 0.5mm H 0.9mm W 1.1mm Y 1.25mm ⑦ Packing T Tape & Reel Unit: mm [inch] Type L W T a 0.5±0.1 [.020±.004] 1608 [0603] 1.6±0.15 [.063±.006] 0.8±0.15 [.031±.006] 0.8±0.15 [.031±.006] 0.3±0.2 [.012±.008]0.5±0.1 [.020±.004] 0.9±0.1 [.035±.004] 2012 [0805] 2.0 (+0.3, -0.1) [.079 (+.012, -.004)] 1.25±0.2 [.049±.008] 1.25±0.2 [.049±.008] 0.5±0.3 [.020±.012]2016 [0806] 2.0 (+0.3, -0.1) [.079 (+.012, -.004)] 1.6±0.2 [.063±.008] 0.9±0.1 [.035±.004] 0.5±0.3 [.020±.012]0.9±0.1 [.035±.004] 2520 [1008] 2.5±0.2 [.098±.008] 2.0 (+0.3, -0.1) [.079 (+.012, -.004)] 1.1±0.1 [.043±.004] 0.5±0.3 [.020±.012]
1.瓷介电容器 （CC） 结构：用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金 属（银）薄膜，再经高温烧结后作为电极而成。瓷 介电容器又分 1 类电介质（NPO、CCG） ）；2 类电介质（X7R、2X1）和 3 类电介质（Y5V、 2F4）瓷介电容器。 用途：主要应用于高频电路中。 2.涤纶电容器 （CL） 结构：涤纶电容器，是用有极性聚脂薄膜为介质制 成的具有正温度系数（即温度升高时，电容量变大） 的无极性电容。 用途：一般应用于中、低频电路中。 常用的型号有CL11、CL21等系列。
3.聚苯乙烯电容 器（CB） 结构：有箔式和金属化式两种类型。 用途：一般应用于中、高频电路中。 常用的型号有CB10、CB11（非密封箔式）、CB14~16 （精密型）、CB24、CB25（非密封型金属化）、CB80 （高压型）、CB40 （密封型金属化）等系列。 4.聚丙烯电容器 （CBB） 结构：用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温 度系数无极性电容。有非密封式（常用有色树脂漆 封装）和密封式（用金属或塑料外壳封装）两种类 型。 用途：一般应用于中、低频电子电路或作为电动机 的启动电容。常用的箔式聚丙烯电容：CBB10、 CBB11、CBB60、CBB61 等；金属化式聚丙烯电 容：CBB20、CBB21、CBB401 等系列。
5.独石电容器 结构：独石电容器是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结 制成的多层叠片状超小型电容器。 用途：广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等。 常用的有CT4 （低频）、CT42（低频）；CC4 （高频）、CC42（高频）等系列。 6.云母电容器 （CY） 结构：云母电容器是采用云母作为介质，在云母表 面喷一层金属膜（银）作为电极，按需要的容量叠 片后经浸渍压塑在胶木壳（或陶瓷、塑料外壳）内 构成。 用途：一般在高频电路中作信号耦合、旁路、调谐 等使用。常用的有CY、CYZ、CYRX等系列。
电容器是电子设备中常用的电子元件，下面对几种常用电容器的结构和特点作以简要介绍，以供大家参考。 1铝电解电容器： 它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质，插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理，做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性，适于电源滤波或低频电路中，使用时，正、负极不要接反。 2钽铌电解电容器 它用金属钽或者铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。其特点是：体积小、容量大、性能稳定、寿命长。绝缘电阻大。温度性能好，用在要求较高的设备中。 3瓷电容器 用瓷做介质。在瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜作极板制成。其特点是：体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，但容量小，适用于高频电路。铁电瓷电容容量较大，但损耗和温度系数较大，适用于低频电路。 4云母电容器： 用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。其特点是：介质损耗小、绝缘电阻大。温度系数小，适用于高频电路。 5薄膜电容器
结构相同于纸介电容器，介质是涤纶或聚苯乙烯。涤纶薄膜电容，介质常数较高，体积小、容量大、稳定性较好，适宜做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容器，介质损耗小、绝缘电阻高，但温度系数大，可用于高频电路。 6纸介电容器 用两片金属箔做电极，夹在极薄的电容纸中，卷成圆柱形或者扁柱形芯子，然后密封在金属壳或者绝缘材料壳中制成。它的特点是体积较小，容量可以做得较大。但是固有电感和损耗比较大，适用于低频电路。 7金属化纸介电容器 结构基本相同于纸介电容器，它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代金属箔，体积小、容里较大，一般用于低频电路。 8油浸纸介电容器 它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里，能增强其耐压。其特点是电容量大、耐压高，但体积较大。此外，在实际应用中，第一要根据不同的用途选择不同类型的电容器;第二要考虑到电容器的标称容量，允许误差、耐压值、漏电电阻等技术参数;第三对于有正、负极性的电解电容器来说，正、负极在焊接时不要接反。
贴片电容，贴片电阻，贴片电感基础知识--品牌大全 1、请列举您知道的电阻、电容、电感品牌（最好包括国内、国外品牌）。 电阻： 美国：AVX、VISHAY威世日本：KOA兴亚、Kyocera京瓷、muRata村田、Panasonic 松下、ROHM罗姆、susumu、TDK 台湾： LIZ丽智、PHYCOM飞元、RALEC旺诠、ROYALOHM厚生、SUPEROHM美隆、TA-I大毅、TMTEC泰铭、TOKEN德键、TYOHM幸亚、UniOhm厚声、VITROHM、VIKING 光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨新加坡：ASJ 中国：FH风华、捷比信 电容： 美国：AVX、KEMET基美、Skywell泽天、VISHAY威世英国：NOVER 诺华德国：EPCOS、WIMA威马丹麦：JENSEN战神日本：ELNA伊娜、FUJITSU 富士通、HITACHI日立、KOA兴亚、Kyocera京瓷、Matsushita松下、muRata村田、NEC、nichicon（蓝宝石）尼吉康、Nippon Chemi-Con（黑金刚、嘉美工）日本化工、Panasonic松下、Raycon威康、Rubycon（红宝石）、SANYO三洋、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TK东信韩国：SAMSUNG三星、SAMWHA三和、SAMYOUNG 三莹台湾：CAPSUN、CAPXON（丰宾）凯普松、Chocon、Choyo、ELITE金山、EVERCON、EYANG宇阳、GEMCON至美、GSC杰商、G-Luxon世昕、HEC禾伸堂、HERMEI合美电机、JACKCON融欣、JPCON正邦、LELON立隆、LTEC辉城、OST奥斯特、SACON 士康、SUSCON 冠佐、TAICON台康、TEAPO智宝、WALSIN华新科、YAGEO国巨香港：FUJICON富之光、SAMXON万裕中国：AiSHi艾华科技、Chang常州华威电子、FCON深圳金富康、FH广东风华、HEC东阳光、JIANGHAI南通江海、JICON 吉光电子、LM佛山利明、R.M佛山三水日明电子、Rukycon海丰三力、Sancon 海门三鑫、SEACON深圳鑫龙茂电子、SHENGDA扬州升达、TAI-TECH台庆、TF南通同飞、TEAMYOUNG天扬、QIFA奇发电子 电感： 美国：AEM、AVX、Coilcraft线艺、Pulse普思、VISHAY威世德国：EPCOS、WE 日本：KOA兴亚、muRata村田、Panasonic松下、sumida胜美达、TAIYO YUDEN 太诱、TDK、TOKO、TOREX特瑞仕台湾：CHILISIN奇力新、https://www.doczj.com/doc/304434021.html,yers美磊、TAI-TECH台庆、TOKEN德键、VIKING光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨中国：Gausstek丰晶、GLE格莱尔、FH风华、CODACA科达嘉、Sunlord顺络、紫泰荆、肇庆英达 2、请解释电阻、电容、电感封装的含义：0402、060 3、0805。 表示的是尺寸参数。 0402:40*20mil；0603:60*30mil；0805:80*50mil。
各种电容器的分类及特点 电容器是电子设备中常用的电子元件，下面对几种常用电容器的结构和特点作以简要介绍，以供大家参考。 1．铝电解电容器： 它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质，插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理，做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性，适于电源滤波或低频电路中，使用时，正、负极不要接反。 2．钽铌电解电容器： 它用金属钽或者铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。其特点是：体积小、容量大、性能稳定、寿命长。绝缘电阻大。温度性能好，用在要求较高的设备中。 3．陶瓷电容器： 用陶瓷做介质。在陶瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜作极板制成。其特点是：体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，但容量小，适用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大，但损耗和温度系数较大，适用于低频电路。 4．云母电容器： 用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。其特点是：介质损耗小、绝缘电阻大。温度系数小，适用于高频电路。 5.薄膜电容器： 结构相同于纸介电容器，介质是涤纶或聚苯乙烯。涤纶薄膜电容，介质常数较高，体积小、容量大、稳定性较好，适宜做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容器，介质损耗小、绝缘电阻高，但温度系数大，可用于高频电路。 6.纸介电容器： 用两片金属箔做电极，夹在极薄的电容纸中，卷成圆柱形或者扁柱形芯子，然后密封在金属壳或者绝缘材料壳中制成。它的特点是体积较小，容量可以做得较大。但是固有电感和损耗比较大，适用于低频电路。 7、金属化纸介电容器： 结构基本相同于纸介电容器，它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代金属箔，体积小、容里较大，一般用于低频电路。 8、油浸纸介电容器：
磁珠分类及选用 磁珠由软磁铁氧体材料组成，具有独石结构。目前磁珠有以下几类： 普通型 这是应用最广泛的一类叠层型片式磁珠/电感器，1608、2012是目前的主流规格，同时还有3216、3225等多个规格。 大电流型 普通型磁珠的额定电流只有几百毫安，但在某些应用场合要求额定电流达到几安培;例如：为了消除计算机卡板电源部分及大电流母线部分的噪声，要求磁珠能承受几安培的电流。为此，选择适当的铁氧体材料或者采用低烧结温度电子陶瓷材料，并采取适当的工艺措施，制成了能够承受大电流的叠层型片式磁珠，阻值比较低。 尖峰型 当电子线路中在某频率点存在着强烈的干扰噪声很难消除时，可以在此电子线路中加一个谐振频率恰巧在干扰噪声频点的尖峰型磁珠，从而将这一强烈的干扰噪声完全抑制;不同电子线路、不同用户对谐振频率的数值要求是不相同的。 高频型 各种电子元器件的频率都在提高，辐射的电子干扰的频率往往超过1GHz;如果使用普通型磁珠，那么，三次谐波信号成分将被大量衰减，致使时钟脉冲信号钝化，将会引起误操作。所以要求将磁珠的抑制EMI 的频率范围提高，如对500MHz 以下的信号频率成分几乎无衰减通过，而对1GHz 以上的干扰噪声产生大量衰减。 阵列型 磁珠阵列(Chip Beads Array)又称为磁珠排(如图)，即在一个0805 或1206 的片式元件内并列2～4 个片式磁珠。这样就大大缩小了在PCB 上所占据的面积，有利于高密度组装。
铁氧体磁珠(Ferrite Bead)是目前应用发展很快的一种抗干扰元件，廉价、易用，滤除高频噪声效果显著。在应用上，片式铁氧体磁珠大致可分为电源线路用和信号线路用两大类产品。作为用在信号线路中所要求的性能，最重要的是所有信号波形应与抑制噪声措施相互依存和适应。电源线路上使用的产品有低直流电阻和高耐能量型。片式磁珠的外形尺寸系列已符合片式阻容元件的标准，而且性能优良、品种规格齐全，为电路设计者提供了广阔的空间。过去未采用电子产品(如彩电、录像机、电话机等)，现在也开始大量采用片式电感器和片式磁珠。
一：电解电容： 1．铝电解电容：电容量：0.47--10000u / 额定电压：6.3--450V / 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 / 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等 2．钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）：电容量：0.1--1000u / 额定电压：6.3--125V / 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 / 应用：在要求高的电路中代替铝电解电容 二：无极电容： 1．瓷片电容： A．低频瓷介电容（CT）: 电容量：10p--4.7u / 电压：50V--100V / 特点：体积小，价廉，损耗大， 稳定性差/ 应用：要求不高的低频电路。 B: 高频瓷介电容（CC）: 电容量：1--6800p / 额定电压：63--500V / 主要特点：高频损耗小，稳定 性好/ 应用：高频电路。 2．独石电容：容量范围：0.5PF--1UF 耐压：二倍额定电压主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好,温度系数很高应用范围：广泛应用于电子精密仪器,各种小 型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。 独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，I型性能挺好，但容量小，一般小于0.2U，另一种 叫II型，容量大，但性能一般 3．CY-云母电容：电容量：10p--0。1u 额定电压：100V--7kV 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小。应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路 4．CI-玻璃釉电容：电容量：10p--0.1u 额定电压：63--400V 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）。应用：脉冲、耦合、旁路等电路 5．空气介质可变电容器：可变电容量：100--1500p 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备薄膜介质可变 电容器可变电容量：15--550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用： 通讯，广播接收机等。 6．薄膜介质微调电容器：可变电容量：1--29p 主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿陶瓷介质微调电容器可变电容量：0。3--22p 主要特点：损耗较小， 体积较小应用：精密调谐的高频振荡回路。 7．CL-聚酯涤纶电容（常见绿皮封装CL11）：电容量：40p--4u 额定电压：63--630V 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差。应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路。 CL21：金属化聚脂膜电容，红皮环氧树脂封装/或黄皮塑壳封装（外观类似CBB电容）。 CL21X/CL23/CL233X：超小型金属化聚脂膜电容，红皮、环氧树脂封装/或多色塑壳封装。8．CB/PS-聚苯乙烯电容（常见水晶封装）：电容量：10p--1u 额定电压：100V--30KV 主要特点：稳定，
磁珠选型与应用知识 磁珠的全称为铁氧体磁珠滤波器(另有一种是非晶合金磁性材料制作的磁珠)，是一种抗干扰元件，滤除高频噪声效果显著。磁珠的主要原料为铁氧体。铁氧体是一种立方晶格结构的亚铁磁性材料。铁氧体材料为铁镁合金或铁镍合金，它的制造工艺和机械性能与陶瓷相似，颜色为灰黑色。磁珠有很高的电阻率和磁导率，他等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。他比普通的电感有更好的高频滤波特性，在高频时呈现阻性，所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果。 磁珠的电路符号就是电感，但是型号上可以看出使用的是磁珠。在电路功能上，磁珠和电感是原理相同的，只是频率特性不同而已。 一、磁珠的型号命名方法（风化高科系列磁珠为例） 磁珠的型号一般由下列五部分组成: 第一部分:类别，多用字母表示. 第二部分:尺寸，用数字表示（英制） 第三部分:材料，用字母表示，其中X代表小型。第四部分:阻抗，100MHz时阻抗第五部分:包装方式，用字母表示如某型号磁珠命名如下 铁氧叠层片式磁珠（普通型） Ferrite chip beads 尺寸：1005 （0402）1608（0603）2012（0805） 产品规格命名方法： CBG 100505/、160808/ 201209、 V 121 T ↓↓↓↓↓ 叠层片式规格尺寸材料阻抗包装方式 通用型 磁珠 应指出的是，目前磁珠型号命名方法各生产厂有所不同，尚无统一的标准。 二、磁珠的结构特点 铁氧体磁珠 (Ferrite Bead) 是目前应用发展很快的一种抗干扰组件，廉价、易用，滤除高频噪声效果显着。在电路中只要导线穿过它即可（我用的都是象普通电阻模样的，导线已穿过并胶合，也有表面贴装的形式，但很少见到卖的）。当导线中电流穿过时，铁氧体对低频电流几乎没有什么阻抗，而对较高频率的电流会产生较大衰减作用。高频电流在其中以热量形式散发，其等效电路为一个电感和一个电阻串联，两个组件的值都与磁珠的长度成比例。磁珠种类很多，制造商应提供技术指标说明，特别是磁珠的阻抗与频率关系的曲线。有的磁珠上有多个孔洞，用导线穿过可增加组件阻抗（穿过磁珠次数的平方），不过在高频时所增加的抑制噪声能力不可能如预期的多，而用多串联几个磁珠的办法会好些。 铁氧体是磁性材料，会因通过电流过大而产生磁饱和，导磁率急剧下降。大电流滤波应采用结构上专门设计的磁珠，还要注意其散热措施。铁氧体磁珠不仅可用于电源电路中滤除高频噪声（可用于直流和交流输出），还可广泛应用于其它电路，其体积可以做得很小。特别是在数字电路中，由于脉冲信号含有频率很高的高次谐波，也是电路高频辐射的主要根源，所以可在这种场合发挥磁珠的作用。铁氧体磁珠还广泛应用于信号电缆的噪声滤除。
电容的分类和作用 2008-05-06 15:44 一、电容的分类和作用 电容，由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同： 按结构可分为：固定电容，可变电容按介质材料可分为：空气电容、液体电容、无机固体电容、有机固体电容、电解电容。按极性分为：有极性电容和无极性电容。电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐 二、电容的符号电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法，但电容符号在国内和国际表示 都差不多，唯一的区别就是在有极性电容上，国内的是一个空筐下面一根横线，而国际的 就是普通电容加一个"＋"符号代表正极。 三、电容的单位 电阻的基本单位是：F （法），此外还有μF（微法）、pF（皮法），另外还有一个用的比较少的单位，那就是：nF（纳法）。电容F 的容量很大，我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位，而不是F的单位。 它们之间的具体换算关系如下： 1F＝1000000μF 1μF=1000nF 1nF=1000pF 四、电容的耐压单位：V（伏特）每一个电容都有它的耐压值，这是电容的重要参数之一。普通无极性电容的标称耐压值有： 63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等，有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低，一般的标称耐压值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。 五、电容的种类电容的种类可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材 料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。 各种电容的优缺点及用途无极性可变电容 制作工艺：1、可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷底座；动片为同轴金属片，定片为有机薄膜片作介质 优点：容易生产，技术含量低。缺点：体积大，容量小 用途：改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射/接收电路无极性无感CBB电容 制作工艺：2 层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。优点：无感，高频特性好，体积较小 缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。用途：耦合/震荡，音响，模拟/数字电路，高频电源滤波/退耦无极性CBB电容 制作工艺：2 层聚乙烯塑料和 2 层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。优点：有感，高频特性好，体积较小 缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。用途：耦合/震荡，模拟/数字电路，电源滤波/退耦无极性瓷片电容 制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。优点：体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）缺点：易碎！容量低 用途：高频震荡、谐振、退耦、音响无极性云母电容 制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜优点：容易生产，技术含量低。缺点：体积大，容量小用途：震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有
元器件知识点----选型与故障分析
当中的控制模块（驱动模块，集联模块，PWM产生模块等），在MCU的设计过程之中悬空的引脚也需要关注的是上拉或者是下拉，因为悬空的引脚会对静态电流会有相对应的影响。 磁珠磁珠选型时要注意冲击电流问题。常用0805和0603封装磁珠承受冲击电流建议。 多脉冲且微秒级 :10 ~ 40 倍额定电流 单脉冲 5~20uS，30~500倍额定值，如果是多脉冲降额到 30% 使用 1A 通流能力磁珠可至少承受 40A 电流 20 次脉冲电流冲击 从可靠性角度来看如果冲击电流大于 25A 以上的应用场合，均需评估和分析考虑可靠性问题。 连接器对于有弹性要求连接器(如网口)接插件材料一般选用铍青铜(CuBe)，镀层为金(Au) 连接器接插件材料一般选用黄铜或锡青铜，镀层一般选镀锡 Tin(Sn) 或镀金(Au) 对频繁插拔和有电流要求的连接器，镀层选镀金(Au)的 在震动频繁的场合不建议用镀锡Tin(Sn)的连接器 超大电流的情况下可以选择镀银(Ag)的连接器 瞬时保护 器件 瞬态保护器件(TVS 和 TSS)在选型时要考虑结电容 Cj 对信号的影响 其他器件电感选型时要根据用途(电源使用、射频或高频电路)，选择不同封装的产品 拨码开关应尽量避免使用，焊接时失效风险很大 ;电位器应尽量避免使用，焊接时失效风险很大光耦一般不用于高速信号(>1MHz)和模拟信号隔离 保险丝选型时要考虑 IEC 标准和 UL 标准的区别等等 同样对于硬件原理图之中的组成部分也缺少不了其他的元器件：磁珠，连接器，瞬时保护器件，电杆，拨码开关等等，而里面的选型同样的也和样品的可靠性有关，如果在这个环节之中元器 件有着一些方面的纰漏，导致样件的功能受到了影响，那么接下来就来集中的说说元器件失效 分析当中的知识点，以及在实验的过程当中到底拥有哪些方面的原因导致出现了失效，失效的 机理到底是什么:机理大致如下图所编制的内容。
电容按功能分一般可分为耦合电容，滤波电容，谐振电容和旁路电容等，如何在电路设计过程中选择电容的大小和耐压值呢？ 一、首先我们了解一下电容的基础知识： 1、电容的分类和作用 电容(Electric capacity)，由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同： 按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。 按介质材料可分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容电解电容。 按极性分为：有极性电容和无极性电容。我们最常见到的就是电解电容。 电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用。 2、电容的符号 电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法，但电容符号在国内和国际表示都差不多，唯一的区别就是在有极性电容上，国内的是一个空筐下面一根横线，而国际的就是普通电容加一个“＋”符号代表正极。 在电路图示中，电容一般用C符号标识。 3、电容的单位 电阻的基本单位是：F （法），此外还有μF（微法）、nF（纳法）、pF（皮法），由于电容F 的容量非常大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF，而不是F。 他们之间的具体换算如下：1F＝1000000μF1μF=1000nF=1000000pF 4、电容的耐压单位：V（伏特） 每一个电容都有它的耐压值，这是电容的重要参数之一。普通无极性电容的标称耐压值有：63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等，有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低，一般的标称耐压值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。 5、电容的种类
电子元器件基础知识--电阻电容的品牌大全1、?? 请列举您知道的电阻、电容、电感品牌（最好包括国内、国外品牌）。 电阻： 美国：AVX、VISHAY威世? 日本：KOA兴亚、Kyocera京瓷、muRata村田、Panasonic松下、ROHM罗姆、susumu、TDK 台湾： LIZ丽智、PHYCOM飞元、RALEC旺诠、ROYALOHM厚生、SUPEROHM美隆、TA-I大毅、TMTEC泰铭、TOKEN德键、TYOHM幸亚、UniOhm厚声、VITROHM、VIKING光颉、WALSIN 华新科、YAGEO国巨? 新加坡：ASJ? 中国：FH风华、捷比信 电容： ???????? 美国：AVX、KEMET基美、Skywell泽天、VISHAY威世 ??英国：NOVER诺华德国：EPCOS、WIMA威马丹麦：JENSEN战神? 日本：ELNA伊娜、FUJITSU富士通、HITACHI 日立、KOA兴亚、Kyocera京瓷、Matsushita松下、muRata村田、NEC、nichicon（蓝宝石）尼吉康、Nippon Chemi-Con（黑金刚、嘉美工）日本化工、Panasonic松下、Raycon 威康、Rubycon（红宝石）、SANYO三洋、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TK东信? 韩国：SAMSUNG 三星、SAMWHA三和、SAMYOUNG三莹台湾：CAPSUN、CAPXON（丰宾）凯普松、Chocon、Choyo、ELITE金山、EVERCON、EYANG宇阳、GEMCON至美、GSC杰商、G-Luxon世昕、HEC 禾伸堂、HERMEI合美电机、JACKCON融欣、JPCON正邦、LELON立隆、LTEC辉城、OST奥斯特、SACON士康、SUSCON 冠佐、TAICON台康、TEAPO智宝、WALSIN华新科、YAGEO国巨? 香港：FUJICON富之光、SAMXON万裕??? 中国：AiSHi艾华科技、Chang常州华威电子、FCON深圳金富康、FH广东风华、HEC东阳光、JIANGHAI南通江海、JICON吉光电子、LM佛山利明、R.M佛山三水日明电子、Rukycon海丰三力、Sancon海门三鑫、SEACON深圳鑫龙茂电子、SHENGDA扬州升达、TAI-TECH台庆、TF南通同飞、TEAMYOUNG天扬、QIFA 奇发电子 电感： 美国：AEM、AVX、Coilcraft线艺、Pulse普思、VISHAY威世? 德国：EPCOS、WE? 日本：KOA兴亚、muRata村田、Panasonic松下、sumida胜美达、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TOKO、TOREX特瑞仕? 台湾：CHILISIN奇力新、https://www.doczj.com/doc/304434021.html,yers美磊、TAI-TECH台庆、TOKEN德键、VIKING光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨? 中国：Gausstek丰晶、GLE格莱尔、FH风华、CODACA科达嘉、Sunlord顺络、紫泰荆、肇庆英达 2、?? 请解释电阻、电容、电感封装的含义：0402、060 3、0805。 ???????? 表示的是尺寸参数。 0402:40*20mil；0603:60*30mil；0805:80*50mil。 3、?? 请说明以下字母所代表的电容的精度：J、K、M、Z。