片式多层陶瓷电容器MLCC 多层陶瓷电容器MLCC是英文字母Multi-Layer Ceramic Capacitor的首写字母。在英文表达中又有Chip Monolithic Ceramic Capacitor。两种表达都是以此类电容器外形和内部结构特点进行，也就是内部多层、整体独石(单独细小的石头)的结构，独石电容包括多层陶瓷电容器、圆片陶瓷电容器等，由于元件小型化、贴片化的飞速发展，常规圆片陶瓷电容器逐步被多层陶瓷电容器取代，人们把多层陶瓷电容器简称为独石电容或贴片电容。 片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Capacitor 简称MLCC)是电子整机中主要的被动贴片元件之一，它诞生于上世纪60年代，最先由美国公司研制成功，后来在日本公司(如村田Murata、TDK、太阳诱电等)迅速发展及产业化，至今依然在全球MLCC领域保持优势，主要表现为生产出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高频率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特点。 (片式多层陶瓷电容器，独石电容，片式电容，贴片电容) MLCC —简称片式电容器，是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。 MLCC除有电容器“隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。?随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，?每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在2000亿支以上，70%出自日本（如MLCC大厂村田muRata），其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，?广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。 简单的平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极，基本结构如下： 下图-(片式多层陶瓷电容器，独石电容，片式电容，贴片电容) MLCC实物结构图
Multilayer Chip Power Inductor – MPL Series Operating Temp. : -40℃~+85℃ FEATURES APPLICATIONS PRODUCT IDENTIFICATION MPL 2012 S 2R2 M H T ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ SHAPE AND DIMENSIONS ● High DC bias current due to developed material ● Low DC resistance ● Low profile and thin thickness ● Monolithic structure for high reliability ● Excellent solderability and high heat resistance ● No cross coupling due to magnetic shield ● DC-DC converter circuits for mobile phones, DSCs, DVCs, HDDs, PDAs, etc. ② External Dimensions (L×W) (mm) 1608 [0603] 1.6×0.8 2012 [0805] 2.0×1.25 2016 [0806] 2.0×1.6 2520 [1008] 2.5×2.0 ① Type MPL Chip Power Inductor ③ Feature Type S L C (Internal Code ） ④ Nominal Inductance Example Nominal Value R47 0.47μH 4R7 4.7μH ⑤ Inductance Tolerance M ±20% N ±30% ⑥ Thickness D 0.5mm H 0.9mm W 1.1mm Y 1.25mm ⑦ Packing T Tape & Reel Unit: mm [inch] Type L W T a 0.5±0.1 [.020±.004] 1608 [0603] 1.6±0.15 [.063±.006] 0.8±0.15 [.031±.006] 0.8±0.15 [.031±.006] 0.3±0.2 [.012±.008]0.5±0.1 [.020±.004] 0.9±0.1 [.035±.004] 2012 [0805] 2.0 (+0.3, -0.1) [.079 (+.012, -.004)] 1.25±0.2 [.049±.008] 1.25±0.2 [.049±.008] 0.5±0.3 [.020±.012]2016 [0806] 2.0 (+0.3, -0.1) [.079 (+.012, -.004)] 1.6±0.2 [.063±.008] 0.9±0.1 [.035±.004] 0.5±0.3 [.020±.012]0.9±0.1 [.035±.004] 2520 [1008] 2.5±0.2 [.098±.008] 2.0 (+0.3, -0.1) [.079 (+.012, -.004)] 1.1±0.1 [.043±.004] 0.5±0.3 [.020±.012]
多层贴片陶瓷电容烧结原理及工艺 多层陶瓷电容器(MLCC)的典型结构中导体一般为Ag或AgPd，陶瓷介质一般为(SrBa)TiO3，多层陶瓷结构通过高温烧结而成。器件端头镀层一般为烧结Ag/AgPd，然后制备一层Ni阻挡层(以阻挡内部Ag/AgPd材料，防止其和外部Sn发生反应)，再在Ni层上制备Sn或SnPb层用以焊接。近年来，也出现了端头使用Cu的MLCC产品。 根据MLCC的电容数值及稳定性，MLCC划分出NP1、COG、X7R、Z5U等。根据MLCC 的尺寸大小，可以分为1206，0805，0603，0402，0201等。 MLCC 的常见失效模式 多层陶瓷电容器本身的内在可靠性十分优良，可以长时间稳定使用。但如果器件本身存在缺陷或在组装过程中引入缺陷，则会对其可靠性产生严重影响。 陶瓷多层电容器失效的原因分为外部因素和内在因素 内在因素主要有以下几种： 1.陶瓷介质内空洞(Voids) 导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染，烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内部局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，严重时导致多层陶瓷电容器开裂、爆炸，甚至燃烧等严重后果。 2.烧结裂纹(firing crack) 烧结裂纹常起源于一端电极，沿垂直方向扩展。主要原因与烧结过程中的冷却速度有关，裂纹和危害与空洞相仿。 3.分层(delamination) 多层陶瓷电容器的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000℃以上。层间结合力不强，烧结过程中内部污染物挥发，烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。分层和空洞、裂纹的危害相仿，为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。 外部因素主要为： 1.温度冲击裂纹(thermal crack) 主要由于器件在焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致，不当返修也是导致温度冲击裂纹的重要原因。
“额定电流” --新型叠层功率电感选型的误区 1.叠层功率电感（铁氧体大电流电感）到底是应该按照叠层的惯例标准温升电流作为额定电流还是应该按照功率 电感惯例？（https://www.doczj.com/doc/5b16941581.html,） 叠层功率电感（铁氧体大电流电感）作为功率电感的一种新发展起来的产品，其在电路中工作承受的实际工作电流比常规的叠层高频信号用滤波电感会大得多.这种大电流工作条件下工作,要求功率电感本身不会随着电流的增加或减少发生过早饱和从而导致电感量下降过大造成电感性能恶化。叠层功率电感作为功率电感应用DC-DC以及AC-DC等开关电源电路作为储能和滤波使用，其本身不仅要考量电感在电路中发热量随电流变化的情况，同时也要考量其动态电感量随电流变化的情况，从而确保功率电感在电路工作时不会因为在电路工作电流范围内出现饱和。基于如上原因新型叠层功率电感其额定电流应该按照传统绕线型功率电感的惯例标准定义其额定电流(即功率电感的额定电流取饱和电流Isat和温升电流Irms两者中较小的一个为标准)。 以下还是以2520系列中的4.7uH叠层功率电感为例对比说明业界目前对电感器额定电流Irat、饱和电流Isat以及温升电流Irms标识状况。 叠层功率电感（铁氧体大电流电感）参数比对表
2.现状会误导工程师选型，产生隐患； 目前有相当部分叠层功率电感生产厂家对其产品额定电流规格都是沿用传统信号滤波处理用叠层电感额定电流标准来定义，其根据电感的温升电流值来定义其额定工作电流。这种情况下产品设计工程师往往会按照传统功率电感选型经验并根据供应商电感规格书上定义的额定电流值来衡量其实际电路中的额定工作电流，这样一来很可能会导致因电感饱和电流低于电路的实际工作电流，会存在如下隐患：
片式叠层陶瓷电容的容量计算公式 片式叠层陶瓷电容器（MLCC），简称片式叠层电容器（或进一步简称为CBB大电容贴片电容器），是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器，片式叠层陶瓷电容器是一个多层叠合的结构，其实质是由多个简单平行板电容器的并联体。因此，该电容器的电容量计算公式为：C=NKA／t 式中，C为电容量；N为电极层数；K为介电常数（俗称K值）；A为相对电极覆盖面积；t为电极间距（介质厚度）。 由此式可见，为了实现片式叠层陶瓷电容器大容量和小体积的要求。只要增大N （增加层数）便可增大电容量。当然采用高K值材料（降低稳定性能）、增加A（增大体积）和减小t（降低电压耐受能力）也是可以采取的办法。 这里特别说一说介电常数K值，它取决于电容器中填充介质的陶瓷材料。电容器使用的环境温度、工作电压和频率、以及工作的时间（长期工作的稳定性）等对不同的介质会有不同的影响，通常介电常数（K值）越大，稳定性、可靠性和耐用性能越差。 常用的陶瓷介质的主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。其特点是介质系数较大、介质损耗低、温度系数小、环境温度适用范围广和高频特性好，用在要求较高的场合（I类瓷介电容器）中。
另一类是低频高介材料称为强介铁电陶瓷，常用作Ⅱ类瓷介电容器的介质，一般以BaTiO3为主体的铁电陶瓷，其特点是介电系数特别高，达到数千，甚至上万；但是介电系数随温度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场也有非线性关系。 贴片电容器 目前最常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO是超稳定材料，K值为10～100；X7R是较稳定的材料，K值为2000～4000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K值为5000～25000。在我国的标准里则分为I类陶瓷（CC4和CC41）及Ⅱ类陶瓷（CT4和CT41）两种。上述材料中，COG和NPO为超稳定材料，在-55℃～+125℃范围内电容器的容量变化不超过±30ppm。
多层片式陶瓷电容器 执行标准 总规范：GB/T2693-2001《电子设备用固定电容器第1部分：总规范》 分规范：GB/T9324-1996《电子设备用固定电容器第10部分：分规范》GB/T9325-1996《电子设备用固定电容器第10部分：空白详细规范》 分类介绍 a、电解质种类 容量温度特性是选用电介质种类的一个重要依据。 NPO（CG）：I类电介质，电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变；属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用于对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频的电路。 产品应用：振荡器、混频器、中频/高频/甚高频/超高频放大器、低噪声放大器、时间电路、高频滤波电路、高频耦合。 X7R（2X1）：II类电介质，电气性能较稳定，随温度、电压、时间的改变，其特有性能变化并不显著，属稳定型电容材料类型，适用于隔离、耦合、旁路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路。 产品应用：电源（滤波、旁路）电路、时间电路、储能电路、中频/低频放大器（隔直、耦合、阻抗匹配），高频开关电源（S.P.S）、DC/DC变换器、滤波、旁路电路、隔直、阻抗匹配电路。 Y5V（2F4）：III类电介质，具有较高的介电常数，常用于生产比容比较大的、标称容量较高的大容量电容产品；由于其特有的电介质性能，因而能造出容量比NPO更大的电容器。属低频通用型电容材料类型，由于成本较低，广泛用于对容量、损耗要求偏低的电路。 产品应用：电源滤波电路、隔直、阻抗匹配电路。 b、电容量与偏差 电容量与偏差的选择取决于电路的要求，特别提示，在相同尺寸和容量规格下，偏差较大的电容器的价格相对便宜。 c、电压 额定电压的选择也取决于电路本身的要求，电容的耐压虽然在设计时已有一定的安全系数，但电容器额定电压的选择仍须高于实际工作电压。 d、片状电容器的端头电极：片状电容器端头电极的选择至关重要！ 全银端头：生产工艺简单、成本较低，耐焊性较差、端头物理强度也低，焊接时温度要适当，焊接速度要快，否则会出现银锡熔融现象而损坏端头。 钯全银端头：针对全银的缺点而改进，其耐焊性能、端头强度均获改善，但可焊性随存放时间而改变。 三层电镀端头：（银、镍、锡）耐焊性性能优越，端头物理强度高，可焊性好。适用于自动贴片机焊接、波峰焊接、再流焊接及手工焊接等诸多焊接工艺，符合SMT操作条件。
北京芯联科泰电子有限公司https://www.doczj.com/doc/5b16941581.html, 贴片叠层瓷介电容器（SMD贴片电容）详细介绍： 贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。 英文缩写：MLCC。 基本概述 贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册 尺寸 贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法， 04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同型号尺寸（mm）英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20 1206 3216 3.00±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20
1210 3225 3.00±0.30 2.54±0.30 1.25±0.30 1.50±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00 命名 贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。例风华系列的贴片电容的命名： 0805CG102J500NT 0805：是指该贴片电容的尺寸套小，是用英寸来表示的08 表示长度是0.08 英寸、05 表示宽度为 0.05 英寸 CG ：是表示做这种电容要求用的材质，这个材质一般适合于做小于10000PF以下的电容，102 ：是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个零102=10×102 也就是= 1000PF J：是要求电容的容量值达到的误差精度为5%，介质材料和误差精度是配对的 500：是要求电容承受的耐压为50V 同样500 前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。 N：是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镍、锡 T：是指包装方式，T 表示编带包装，B 表示塑料盒散包装贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄，和青灰色，这在具体的生产过程中会有产生不同差异贴片电容上面没有印字，这是和他的制作工艺有关（贴片电容是经过高温烧结面成，所以没办法在它的表面印字），而贴片电阻是丝印而成（可以印刷标记）。贴片电容有中高压贴片电容和普通贴片电容，系列电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、 4000V 贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容系列的型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225 等。贴片电容的材料常规分为三种，NPO,X7R,Y5V NPO
叠层片式天线应用指南 MULTILAYER CHIP ANTENNA APPLICATION GUIDE 1.介绍 片式天线系列可用于ISM 频段2.4GHz 如蓝牙、家庭网络无线射频，及CMMB 等。它们具有结构紧密、重量轻、嵌入式应用、合适的增益及带宽、全方位和低损耗等特点。同时，它们可以进行通用的SMT 贴装。 众所周知，小尺寸的片式天线对于应用环境非常敏感，如K 值、FR4板的厚度等。因此它们需要合适的由电感和电容组成的匹配电路，从而保证在一个良好的状态下工作。这就意味着需要在最终产品方案上进行天线的匹配以获得最好的性能。产品规格书上的性能(如下表)是在我司的测试板上测量的。 调整后，天线的中心频率会下降到2.45GHz 或CMMB 频段。我们可以提供不同种类的天线，它们具有不同的尺寸及中心频率，因此客户可以根据自己产品基板的情况选择最合适的一款。 2.匹配电路和元件 片式天线可以与成品的环境进行匹配，通常这个步骤需要用到以下的电容和电感。 *串联：用串联方式接入天线和反馈线间； *并联：用并联方式接入天线和反馈线间。 客户需要在放置天线前设置好π型电路，然后可以灵活地选择以下的电路类型。 型号 尺寸 (mm) 谐振频率 (GHz) 带宽 (MHz) 平均增益 (dBi) 增益 (dBi) SLDA31 3.2×1.6×1.0 2.80 100 -0.5 0.5 SLDA52 5.0×2.0×1.0 2.54 200 0.5 2.5 SLDA62 6.0×2.0×1.0 2.64 200 0.7 2.7 SLDA72 7.2×2.0×1.0 2.47 250 0.8 2.7 SLDA81 8.0×1.0×1.0 3.01 200 0.5 2.0 SLDA92 9.0×2.0×1.0 2.66 300 1.0 3.0 SLDA35050 35.0×5.0×1.0 0.65 50 - -2.0 dBi@710 MHz -7.0 dBi@474 MHz 元件 描述 数值 *Series C 0.5 ~ 10 pF Capacitor *Shunt C 0.5 ~ 10 pF Series L 1.0 ~ 10 nH Inductor Shunt L 1.0 ~ 10 nH
如何选择新型叠层功率电感 1.叠层功率电感（铁氧体大电流电感）现存的品牌、现状. 1.1. 叠层功率电感主要有胜美达(SUMIDA)的，村田（MURATA）LQM系列；太诱MLCI系列；TDK MLP系列；顺络MPL系列；TOKO DFE系列；日立HSLI系列和麦捷的MGFL系列.(https://www.doczj.com/doc/5b16941581.html,) 1.2. 叠层功率电感目前现状: a. 各日系、台系以及大陆民营等电感生产厂家本着对市场上目前叠层功率电感所具备的体积小、重量轻及价格便宜的热潮争先恐后推出 自己的叠层电感产品，力争在市场上能占有一席之地;TDK,MURATA在数码产品市场有着多年的客户基础，是最早把他们的叠层功率电感设计进智能手机芯片商的方案里的，接着就是SUMIDA，成功DESIGN IN 了如今最火的手机终端商苹果里，微软也被SUMIDA攻下了，国产名牌顺络和麦捷也不甘落后，正密锣紧鼓地向国内是手机方案商努力推进，TOKO也不甘落后。 b. 叠层功率电感为近期应部分便携式数码和通讯产品要求体积小、元件高密度布局发展需求并在一定程度上能替代传统绕线功率电感 的新生产品。但因为当前业界对叠层功率电感产品在规格定型等方面缺乏统一、明确的行业标准，加之各生产厂家存在着生产设备、研发能力、技术革新差异，导致其生产出来产品品质、器件的电气和机械性能、可靠性等方面参差不齐;当前客户在选用叠层功电感时因业界没有明确技术标准作参考，加上对该新型产品本身特性了解不足及其产品参差不齐境况，导致其选型过程中对额定电流等重要规格参数的理解产生误解，目前存在着样品在实际电路测试过程中出现电感量下降过大、噪声等异常.所有这些因客户对叠层功率电感选型不当导致产品测试出现的一系列问题在一定程度上产生了“叠层功率电感并不适合应用于开关电源电路中作DC-DC储能或滤波”的误解，目前部分客户存在着对叠层功率电感的应用和特性认识不足甚至存在应用上的盲区. 以下为分析各家叠层功率电感的电气性能（以下图表均参考各品牌型号规格书，需要下载请链接https://www.doczj.com/doc/5b16941581.html,）
多层片式陶瓷电容器（MLCC）的研究进展及发展 趋势 多层片式陶瓷电容器（MLCC）是片式元件的一个重要门类，由于具有结构紧凑、体积小、比容高、介电损耗低、价格便宜等诸多优点，被大量应用在计算机、移动电话、收音机、扫描仪、数码相机等电子产品中。MLCC特别适合片式化表面组装，可大大提高电路组装密度，缩小整机体积，这一突出特性使MLCC成为当今世界上发展最快、用量最大的片式电子元件。 MLCC的应用领域决定了其介质材料必须具有以下性能： （1）高介电常数 MLCC的比容与材料的介电常数关系如下: C为电容，V为体积，C/V为比电容，t为介电层厚度，ε为介电常数。在介电层厚度确定的情况下，材料的介电常数越高，电容器比电容越大。介电材料的介电常数越高，越易于实现电容器的小型化，这是目前电容器的一个发展方向，自从MLCC问世以来，其比容一直不断上升，介电层的厚度不断下降。如图1所示。 （2）良好的介温特性 介温特性用来描述电容随温度变化情况。一般来说，在工作状态下，电容器的电容随温度的变化越小越好。由于电容随温度发生变化来源于介质材料介电常数的变化，因此要求节电材料具有良好的介温特性。 （3）高绝缘电阻率 （4）介电损耗小，抗老化 1.研究进展 MLCC用高介电常数的介电材料可以归结为以下三个体系：BaTiO3
系材料；（Ba，Ca）（Ti，Zr）O3系材料；复合含Pb 钙钛矿系材料。 系材料 1.1BaTiO 3 BaTiO3系材料是最早研究的用于MLCC的介电材料，也是最早实现商业化的MLCC用介电材料。从20世纪60年代初期到70年代末，为了实现MLCC贱金属化，降低电容器的成本，人们对BaTiO3系材料的研究多集中在抗还原方面。常用的手段是向BaTiO3中添加过渡元素的氧化物，这些元素的离子在还原气氛下俘获电子发生变价，从而提高还原烧结BaTiO3材料的绝缘电阻。但是由于受主掺杂BaTiO3材料中氧空位的迁移，使用后不久，材料的绝缘电阻就大幅下降，MLCC的性能严重劣化。抑制材料中氧空位的迁移主要有三种方法。早期人们通过将还原烧成的MLCC进行轻微的氧化来实现控制氧迁移的目的。进入20世纪90年代以后，人们开始采取同时向材料中添加施主和受主离子来控制氧空位的迁移。现在人们更倾向于采用向BaTiO3中添加稀土元素的方法来抑制材料中氧空位的迁移。 人们对BaTiO3基介电材料另一个感兴趣的研究方向是提高它的介电常数。一般通过优化工艺和添加改性成分来改善材料的介电性能。优化工艺包括：采取合适的BaTiO3粉体预烧温度，增加四方相BaTiO3含量；选择合适的浆料球磨条件以及烧成制度；选择合适的助烧剂和移动剂；控制BaTiO3的晶粒尺寸。 BaTiO3系材料电气性能较稳定，在温度、电压与时间改变时性能的变化并不显著，适用于隔直、偶合、旁路、鉴频等电路。BaTiO3系材料是一种强电介质，因而能造出容量比较大的电容器。 系材料 1.2（Ba，Ca）（Ti，Zr）O 3 在BaTiO3中引入Ca2+和Zr4+，二者分别进入晶格中部分Ba2+和Ti4+位置，形成（Ba，Ca）（Ti，Zr）O3系材料，缩写成BCTZ。BCTZ系材料明显的特点就是其常温介电常数高。但是BCTZ系材料在使用温度范围内的介电常数变化明显高于BaTiO3系材料，此类材料的容量、损耗对温度和电压等测试条件较敏感。因此常用于生产比容较大的、标称容量较大的大容量电容器产品。BCTZ系材料适合用来生产对稳定性要求不是很高的电容器。BaTiO3常见的生产方式有水热合成和共沉淀两种方法，在生产过程中的选择主要依靠具体的工艺要求来确定。 1.3复合含Pb 钙钛矿系材料 复合含Pb 钙钛矿系材料介电常数通常比较高，在提高比容率，促进产
区别在于：叠层的散热性更好，ESR值更小。但耐电流较绕线小。 绕线的散热性不如叠层，ESR值更高，但耐电流会更大。 叠层的成本比绕线低。 叠层体积做得较小，耐电流能力较差，Q也较差，绕线式高频电感Q值高。 Q值越大，谐振的通频带就越宽，也就是包含的频率范围更宽，如果需要宽一点的通频带，Q值越大越好。 高频电感[浏览次数：286次] 高频电感（High frequency inductors），是一种具有效率最高、速度最快，且低耗环保特点的地磁感应元件。它是用绝缘导线（例如漆包线、纱包线等）绕制而成的，主要由骨架、绕组、屏蔽罩、封装材料、磁心或铁心等组成。目前，高频电感在生活中的应用比较广泛。 目录 ?高频电感的等效电路模型 ?高频电感的应用 ?高频电感的使用注意事项 高频电感的等效电路模型 ? 当考虑电感元件寄生电容时，高频电感的等效电路模型可以采用上图来表示。图中 Rc，为磁心损耗的等效电阻，C为电感绕组的寄生电容，Rac为代表绕组铜损的交流电阻，由于绕组铜线高频电流的集肤效应（在后面介绍），使Rac>Rdc，Rdc 为铜线的直流电阻。Rac/Rdc与频率、铜线直径、温度等因素有关。例如，圆铜线在20℃，fs＝100kHz时，Rac/Rdc＝1.7。 为使集肤效应的影响减小，导线的直径应不大于2△，△为渗透深度（Penetraticn depth）（cm）。
△值与温度有关，100℃时铜电阻率ρ＝2.3×1o-6Ω·cm，μ。为空气磁导率，fs为电流频率，下表为计算所得的几个典型频率的△值。 高频电感的应用 ?1、移动电话，寻呼机和GPS产品。 2、振荡器，晶体振荡器电路和射频收发器模块。 3、无线局域网，蓝牙模块，通讯设备。 高频电感的使用注意事项 ?使用场合的注意： 注意环境的潮湿与干燥、温度的高低、高频或低频环境、要让电感表现的是感性，还是阻抗特性等。 电感设计要承受的最大电流，及相应的发热情况。 使用部分，找出对应的L值，对应材料的使用范围。 注意导线（漆包线、纱包或裸导线），常用的漆包线。要找出最适合的线经。电感Q值 目录 电感Q值定义 电感Q值的高低的功用 电感Q值的换算 影响电感Q值的因素 编辑本段电感Q值定义 电感Q值：也叫电感的品质因素，是衡量电感器件的主要参数。是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。 编辑本段电感Q值的高低的功用