高级模拟集成电路设计(Analog Design Essentials)2009年9月11日唐长文副教授zwtang@/Courses.htm复旦大学/微电子学系/射频集成电路设计研究小组版权©2009，版权所有，侵犯必究MOST与双极性晶体管模型的比较SIA线路图在深亚微米工艺下模拟设计的挑战Ref.: SNUG2004, San JoseISSCC 20

模拟集成电路设计概述

经典模拟集成电路设计基础

集成电路设计实习Integrated Circuits Design LabsI t t d Ci it D i L b单元实验三（第二次课）模拟电路单元实验－差分放大器版图设计2007-2008 Institute of Microelectronics Peking University实验内容、实验目的、时间安排z实验内容：z完成差分放大器的版图z完成

模拟集成电路设计流程

1、 CMOS analog circuit design by P.E.ALLEN评定：理论性90 实用性70 编写100精彩内容：运放的设计流程、比较器、开关电容这本书在国内非常流行，中文版也翻译的很好，是很多人的入门教材。建议大家读影印版，因为ic 领域的绝大部分文献是以英文写成的。如果你只能读中文版，你的学习资料将非常有限。笔者对这本书的评价并不高，

《模拟集成电路设计原理》期末考试一．填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较

模拟集成电路版图设计基础

模拟集成电路设计软件实验教程月4年20061目录实验一自上而下(Top-Down)的电路设计 (3)Lab 1.1 启动软件 (3)Lab 1.2 自上而下的系统级仿真 (3)Lab 1.3 电路图输入 (7)Lab 1.4 模块的创建 (10)Lab 1.5 电源的创建 (12)Lab 1.6 建立运放测试电路 (14)实验二使用Spectre Direc

模拟集成电路设计.ppt

Hspice/Spectre 介绍罗豪2008.9.222009-12-7共88页1模拟集成电路的设计流程1.交互式电路图输入2.电路仿真全定制3.版图设计4.版图的验证（DRC LVS）5.寄生参数提取6.后仿真7.流片2009-12-7 共88页各种仿真器简介�SPICE: 由UC Berkeley 开发。用于非线性DC分析，非线性瞬态分析和线性的AC分

华中科技大学文华学院2009～2010学年度第一学期《模拟集成电路设计原理》期末考试A卷课程性质：必修使用范围：本科考试时间：2009年11月27日考试方式：开卷学号专业班级学生姓名成绩题号一二三四五总分得分一．填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本

模集复习笔记By 潇然 I/V特性1. I-V特性2. 跨导定义：V GS对I DS的控制能力（I DS对V GS变化的灵敏度）饱和区跨导gm表达式：,2. 线性电阻表达式二级效应1. 体效应γ为体效应系数，典型值沟道长度调制效应`MOS器件模型定义：信号相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算由gm、gmb、r O等构成低频小信

模拟集成电路设计流程PPT课件

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《模拟集成电路设计》复习大纲概念:1.密勒定理：如果将图(a)的电路转换成图(b)的电路，则Z]=Z/(l・Av), Z2=Z/(1-A V'1)>其中A V=V Y/V X O这种现象町总结为密勒定理。ihi2.沟道长度调制效应：当栅与漏Z间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说，L实际上是V DS的函数，这种效应称为沟道长度调制。AT3.等效

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模拟集成电路设计训练报告院系：信息学院电子工程系专业：集成电路设计与集成系统学号：姓名：……指导教师：…..模拟集成电路设计实验目录一、二、三、实验环境........................................................................................................

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