光刻胶大全之令狐文艳创作

光刻胶产品前途无量(半导体技术天地)令狐文艳1 前言光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射,使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工,近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器(FPD)的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,经曝光、显影等过程,

2021-04-11
半导体工艺主要设备大全

清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅片的清洗。超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器,以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。超声波清洗机(超声波清洗器)利用空化效应,短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净,超声波清洗机对清洗器件的养护,提高寿命起到了重要

2020-12-23
KrF光刻胶浸酸残留缺陷的机理研究及解决方案

KrF光刻胶浸酸残留缺陷的机理研究及解决方案进入45/40nm技术节点以后,由于受到分辨率的限制,双栅极蚀刻光刻胶由之前通用的i-line (波长365nm)改成KrF(波长248nm)。另一方面,为减少栅极氧化层(Gate Oxide)去除后对硅表面的损伤,业界普遍将栅极氧化层湿法蚀刻药剂由蚀刻率较快的BOE (DHF+NH4F)改为DHF,导致蚀刻率极大

2019-12-11
国外光刻胶及助剂的发展趋势

应用科技国外光刻胶及助剂的发展趋势中国化工信息中心王雪珍编译光刻是半导体产业常用的工艺,借助光刻胶可将印在光掩膜上的图形结构转移到硅片表面上。光掩膜制备也是一个光刻过程,不过其所用化学品不同。每一层集成电路芯片都需要不同图案的光掩膜。在一些高级的集成电路中,硅片经历了50多步非常精细的光刻工艺。在过去10年里,光刻费用飞速上涨,其中最重要的花费在半导体领域。

2020-01-10
光敏电阻原理及应用大全

光敏电阻的应用光敏电阻可广泛应用于各种光控电路,如对灯光的控制、调节等场合,也可用于光控开关,下面给出几个典型应用电路。1、光敏电阻调光电路图1是一种典型的光控调光电路,其工作原理是:当周围光线变弱时引起光敏电阻R G的阻值增加,使加在电容C上的分压上升,进而使可控硅的导通角增大,达到增大照明灯两端电压的目的。反之,若周围的光线变亮,则R G的阻值下降,导致

2024-02-07
光刻胶知识简介

光刻胶知识简介光刻胶知识简介:一.光刻胶的定义(photoresist)又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像(见图光致抗蚀剂成像制版过程)。二.

2021-03-25
光刻1

光刻1

2024-02-07
光刻胶大全

光刻胶产品前途无量(半导体技术天地)1 前言光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射,使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工,近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器(FPD)的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,经曝光、显影等过程,将所需要

2024-02-07
光敏电阻原理及应用大全

光敏电阻原理及应用大全 The Standardization Office was revised on the afternoon of December 13, 2020光敏电阻的应用光敏电阻可广泛应用于各种光控电路,如对灯光的控制、调节等场合,也可用于光控开关,下面给出几个典型应用电路。1、光敏电阻调光电路图1是一种典型的光控调光电路,其工作原理是:

2024-02-07
第九章 ULSI工艺总汇

第九章 ULSI工艺总汇

2024-02-07
半导体工艺主要设备大全

清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅片的清洗。超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器,以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。超声波清洗机(超声波清洗器)利用空化效应,短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净,超声波清洗机对清洗器件的养护,提高寿命起到了重要

2024-02-07
光敏电阻原理及应用大全

光敏电阻的应用光敏电阻可广泛应用于各种光控电路,如对灯光的控制、调节等场合,也可用于光控开关,下面给出几个典型应用电路。1、光敏电阻调光电路图1是一种典型的光控调光电路,其工作原理是:当周围光线变弱时引起光敏电阻R G的阻值增加,使加在电容C上的分压上升,进而使可控硅的导通角增大,达到增大照明灯两端电压的目的。反之,若周围的光线变亮,则R G的阻值下降,导致

2024-02-07
5光刻与刻蚀工艺汇总

5光刻与刻蚀工艺汇总

2019-12-07
集成电路实用工艺复习资料

1.特征尺寸(Critical Dimension,CD)的概念特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸,是衡量工艺难度的标志,代表集成电路的工艺水平。①在CMOS技术中,特征尺寸通常指MOS管的沟道长度,也指多晶硅栅的线宽。②在双极技术中,特征尺寸通常指接触孔的尺寸。2.集成电路制造步骤:①Wafer preparation(硅片准备)②Wafer fabricat

2024-02-07
集成电路实用工艺复习资料

1.特征尺寸(Critical Dimension,CD)的概念特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸,是衡量工艺难度的标志,代表集成电路的工艺水平。①在CMOS技术中,特征尺寸通常指MOS管的沟道长度,也指多晶硅栅的线宽。②在双极技术中,特征尺寸通常指接触孔的尺寸。2.集成电路制造步骤:①Wafer preparation(硅片准备)②Wafer fabricat

2024-02-07
最新CPU光刻技术分析与展望 zuoye汇总

C P U光刻技术分析与展望z u o y e光刻技术分析与展望西安电子科技大学微电子学院 14081081 鲁镝摘要:光刻在半导体集成电路制造工艺中,无论是从占用的资金、技术还是人员来看,都有举足轻重的地位。光刻工艺的发展历史就是集成电路的发展历史,光刻技术的发展现状就是集成电路的发展现状,不论是最低端的,还是今天最为先进的集成电路制造,光刻技术水平始终决

2024-02-07
光刻胶大全

光刻胶产品前途无量(半导体技术天地)1前言光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射,使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工,近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器(FPD)的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,经曝光、显影等过程,将所需要的

2024-02-07
LED制造工艺流程汇总

LED制造工艺流程汇总

2024-02-07
微系统封装术语汇总表

微系统封装术语汇总表Aaccelerated stress test 加速应力测试accelerator 促进剂active components 有源元件active trimming 有源修调additive plating 加成电镀additive process 加成工艺advanced statistical analysis program(AS

2024-02-07
2020新版江苏省苏州光电玻璃工商企业公司名录名单黄页大全21家

2020新版江苏省苏州光电玻璃工商企业公司名录名单黄页大全21家

2024-02-07