第一章 薄膜及其特性

薄膜材料及其性质

CASIX 13导纳矩阵法光学导纳法的原理是借助于膜层某一侧的电、磁矢量的切 向分量来表达另一侧的电、磁矢量的切向分量的。因为界 面两侧的切向分量是连续的，所以这一方法可以对整个膜

1970年，美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的 概念。他们设想如果用两种晶格匹配很好的半导体材料交 替地生长周期性结构，每层材料的厚度在100nm以下，如 图所示，则电子

薄膜光学技术-1第一章 薄膜光学特性计算基础

空气—薄膜交界面的振幅透射率 薄膜—基片交界面的振幅反射率r1薄膜—基片交界面的振幅透射率t1薄膜内光的位相变化r2t2薄膜的性质——干涉效应R 对特定波长的反射率为 与薄膜系统的

专注 激情 严谨 勤勉13薄膜制备分类 1、物理气相沉积（PVD）采用物理方法使物质的原子或分子逸出，然后沉积 在基片上形成薄膜的工艺根据使物质的逸出方法不同，可分为蒸镀、溅射和

Page 8２、衬底的清洗我们选择 p 型硅片 p-Si(111)，电阻率为 8～13Ω•cm， 片厚 500 15µm。衬底的洁净程度直接关系到薄膜的生长质 量，我们采用半导体的

透射率可由反射率直接计算。薄膜的性质——干涉效应假设：空气的折射率 n 0 单层膜的折射率 n单层膜的膜厚 d基片的折射率 n s 空气—薄膜交界面的振幅反射率 r 1空气—薄膜交

3、内应力产生的原因 （1）薄膜和基片热膨胀系数不同 （2）结晶温度以下的冷却和热收缩 （3）相变过程（液→固；非晶→结晶） （4）薄膜——基片晶格失配 （5）小岛合并 （6）杂质

（b）研究该薄膜具有哪些新的特性（包括光、 热、电、磁、力等方面），研究这些特性 的物理本质；（c）如何把这些薄膜材料应用于各个领域， 尤其是用于高新科技领域。1.2 薄膜材料的分

冰晶石（Na3AlF6），氟化镁（MgF2） 硫化锌（ZnS），硒化锌（ZnSe）（3）氧化物 3.特殊薄膜材料氧化硅（SiO2），二氧化钛（TiO2）， 氧化锆（ZrO2 ），氧

•导电性• 膜厚远远大于平均自由程 • 随着膜厚增加，薄膜的电阻率会接近整块材料的值，但一般仍要比整块的值大一些。 这是由于微晶粒之间的接触电阻核晶体中 存在的晶格缺陷的密度大于整

介质膜的本征击穿 本征击穿由电击穿和热击穿共同作用完成。✓ 电击穿是介质膜中载流子在临界电场作用下产生电子 倍增而形成的击穿。✓ 电击穿时电子雪崩式增加，产生大量焦耳热，介质膜 温

（2）化学吸附薄膜与基体间形成化学键结合（离子键、共价键、 金属键）力产生的一种吸附。 是短程力，数值上比范德华力大，约为0.5~10eV。 薄膜与基片间，化学键力不是普遍存在的，

3.附着性质的实验结果测量附着力的方法有很多种。常用的方法 有划痕法、拉张法和剥离法等。图9-2是在玻璃上各种金属膜 的附着力测试结果。横轴是薄 膜材料氧化物的形成能。图中 各种薄

2. 成膜方法与工艺 真空蒸发镀膜（包括脉冲激光沉积、分子束外延） 溅射镀膜 离子成膜专注 激情 严谨 勤勉Leading Physical Property Analysis o

第四章 薄膜的性质 第一节 薄膜的力学性能 薄膜大都是附着在各种基体上，因而薄膜和基体 之间的附着性能将直接影响到薄膜的各种性能， 附着性不好的薄膜无法使用。 薄膜在制造过程中，

研究薄膜表面对电子输运影响的最完整的理论是 Sondheimer 建立的，该理论描述了关于表面以及尺寸效应 对电导的影响。 Sondheimer 假定，在和表面相碰撞的电子中，发生

targetsubstrateCloud Earth surface -- groundNatural rain Snow HailThunder storm Dust, Poll