化学气相沉积法摘要：本文从化学气相沉积法的概念出发，详细阐述了利用化学气相沉积法制备石墨烯以及薄膜，并展望了未来化学气相沉积法可能的发展方向。关键词：化学气相沉积法；制备；应用一、前言近年来，各国科学工作者对化学气相沉积进行了大量的研究，并取得一定的显著成果。例如，从气态金属卤化物（主要是氯化物）还原化合沉积制取难熔化合物粉末及各种涂层（包括碳化物、硼化物、

化学气相沉积法新材料的制备1 化学气相沉积法化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是

化学气相沉积法制备氧化锌纳米结构的研究进展

化学气相沉积法制备碳纳米管材料化学专业制备原料碳源多为乙烯或者乙炔；催化剂颗粒多为亲碳的、过渡金属的纳米粒子如铁、镍、镁、钼等。制备工艺在高温条件下碳源气体在过渡金属纳米颗粒的催化作用下分解，碳原子在催化剂例粒子中熔解、饱和。在催化剂粒子中饱和并析出碳形成了小管状的碳固体即碳纳米管。碳纳米管的性能力学性能：碳纳米管中碳原子采取SP2杂化S轨道成分比较大，使其

收稿日期:2010 12 31; 修回日期:2011 02 14基金项目:国家自然科学基金(50872136,50972147,50921004、中国科学院知识创新项目(K J CX 2 YW 231.通讯作者:任文才,研究员.E m ai:l w cren@i m r .ac .cn;成会明,研究员.E m ai:l chen g @i m r .ac .

化学气相沉积法

石墨烯的化学气相沉积法制备摘要:化学气相沉积(CVD)法是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法，具有产物质量高、生长面积大等优点，逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法。通过简要分析石墨烯的几种主要制备方法(胶带剥离法、化学剥离法、SiC外延生长法和CVD方法)的原理和特点，重点从结构控制、质量提高以及大面积生长等发面评述了CVD法制备石墨烯及其转移技术的研究进展

液相制备纳米材料的原理、方法和形成机理液相法实在液体状态下通过化学反应制取纳米材料方法的总称，又称为湿化学法或溶液法。现在，有各种各样的制备方法，文献中无公认一致的分类方法，相反还有些凌乱。为清晰醒目，特点明显，便于理解。这里将液相材料的纳米制备方法分为：沉淀法、溶胶-凝胶（sol-gel）法、水热法、化学还原法、化学热分解法、微乳胶法、声化学法、电化学法和

21-I-004流化床－化学气相沉积法可控及批量制备碳纳米管骞伟中＊，魏飞清华大学化工系，100084,北京E-mail: qianwz@化学气相沉积法目前已经发展成为批量制备碳纳米管的最有效率方法之一。而流化床－化学气相沉积法更是提供了大量碳纳米管充分生长的超大空间以及均匀的传热传质环境。在此，本文将总结流化床－化学气相沉积法的主要核心。1. 任何可以悬浮

(E)微波等离子体化学气相沉积(MWPECVD)定义：利用微波能电离气体而形成等离子体，将微波 作为CVD过程能量供给形式的一种CVD 新工艺。属于 低温等离子体范围。 特点： ①

0H-吸收提纯技术：精馏法(去金属)、吸附法(去OH-)或精馏吸附混合。 常用精馏吸附混合法：（1）氢氧焰燃烧SiCl4，产生氯化物气体和二氧化硅（粉尘状）。 因温度上升在57.6

➢据载气类型不同可分为还原性气体(H2)、惰性气体 (Ar、He)以及二者的混合气体。➢据生长温度不同可分为高温(>800 ℃)、 中温(600 ℃ ～ 800 ℃) 和低温

原料制 备 原料提 纯 制棒(2种)拉丝涂敷筛选合格光 纤纯度分 质量控 析 制性能测 量图2.4制造光纤的工 艺流程1. 制棒掺杂纤芯折 射 率石英+锗 纯石英包层 匹配

化学气相沉积技术实验一、实验目的1.了解化学气相沉积制备二硫化钼的基本原理；2.了解化学气相沉积方法制备二硫化钼薄膜材料的基本流程及注意事项；3.利用化学气相沉积方法制备二硫化钼薄膜材料。二、实验仪器该实验中用到的主要实验仪器设备以及材料有：干燥箱、CVD生长系统、电子天平、超声清洗机，去离子水机等，现将主要设备介绍如下：1.CVD生长系统本实验所用CVD生

利用碳化硅材料的优异性质，人们研发了制备碳化硅晶须作为复合材料增强剂的方法。晶须是由高纯度单晶生长而成的微纳米级的短纤维，其机械强度等于近邻原子间作用力产生的强度。由于结构上的特点

实验十五化学气相沉积技术实验一、实验目的1.了解化学气相沉积制备二硫化钼的基本原理；2.了解化学气相沉积方法制备二硫化钼薄膜材料的基本流程及注意事项；3.对实验数据进行合理正确的分析。二、实验仪器该实验中用到的主要实验仪器设备以及材料有：干燥箱、CVD系统、电子天平、超声清洗机，去离子水机等，现将主要设备介绍如下：1.CVD生长系统本实验所用CVD生长系统由

Advances in Material Chemistry 材料化学前沿, 2017, 5(1), 1-10 Published Online January 2017 in Hans. /journal/amc /10.12677/amc.2017.51001文章引用: 王洁, 陈秋月, 张永平. 化学气相沉积法制备MoS 2的研究进展[J]. 材料化学

2.氢电弧等离子体法：微粒的生成量随等离子气体 中的氢气浓度增加而上升，已制备出三十多种纳 米金属（等离子体温度高）和合金，也有部分氧 化物，但是要克服等离子体喷射的射流将金属熔

2ZnI2(g) + S2(g) (通常T2<2ZnS(s) + 2I2(g)T1)案例一： 提纯金属钛1、用I2做转移试剂,利用挥发金属碘化物(TiI4)的

化学物质之间的化学反应和向基片的析出是同 时发生的缘故。 基本过程：通过赋予原料气体以不同的能量使其 产生各种化学反应，在基片上析出非挥发性的 反应产物。 图3.14表示从TiCl