二极管的开关作用和反向恢复时间PN结二极管经常用来制作电开关。在正偏状态，即开态，很小的外加电压就能产生较大的电流，;在反偏状态，即关态，只有很小的电流存在于PN结内。我们最感兴趣的开关电路参数就是电路的开关速度。本节会定性地讨论二极管的开关瞬态以及电荷的存储效应。在不经任何数学推导的情况下，简单给出描述开关时间的表达式。二极管的开关作用利用二极管正、反向电

抑制功率二极管反向恢复几种方案的比较0 引言高频功率二极管在电力电子装置中的应用极其广泛。但PN结功率二极管在由导通变为截止状态过程中，存在反向恢复现象。这会引起二极管损耗增大，电路效率降低以及EMI增加等问题。这一问题在大功率电源中更加突出。常用RC吸收、串入饱和电抗器吸收、软开关电路等开关软化方法加以解决，但关于其效果对比的研究报道尚不多见。本文以Buc

测试二极管反向恢复特性的分析仪作者：Ｌｏｕｉｓ　Ｖｌｅｍｉｎｃｑ，Ｂｅｌｇａｃｏｍ，Ｅｖｅｒｅ，Ｂｅｌｇｉｕｍ测试二极管的反向恢复特性一般都需要复杂的测试设备。必须能够建立正向导通条件、正向闭锁状态、及两者间的过渡。还需要有一种从所得到的波形中提取特征的手段。总而言之，这并不是一项很简单的例行操作，应由专业人员来完成这项复杂的工作。这个事实说明了工程师们为什

教你3种方法抑制功率二极管反向恢复高频功率二极管在电力电子装置中的应用极其广泛。但PN结功率二极管在由导通变为截止状态过程中，存在反向恢复现象。这会引起二极管损耗增大，电路效率降低以及EMI增加等问题。这一问题在大功率电源中更加突出。常用RC吸收、串入饱和电抗器吸收、软开关电路等开关软化方法加以解决，但关于其效果对比的研究报道尚不多见。本文以Buck电路为例

二极管的反向恢复过程一、二极管的反向恢复过程二、在下图的电路中V上输入如下的电压波形：则二极管上的电流波形如下：可以看到，当通入正向电压时，二极管导通，二极管上的电流为I1，当通入的电压突然反向时，二极管上的电流也瞬间反向了，随后才变小，进而进入反向截止状态。这个现象就叫二极管的反向恢复。反向电流保持不变的这段时间称为储存时间ts，反向电流由I2下降到0.1

肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接

因二极管反向恢复引起的MOSFET开关波形

二极管的反向恢复过程 The Standardization Office was revised on the afternoon of December 13, 2020二极管的反向恢复过程一、二极管的反向恢复过程二、在下图的电路中V上输入如下的电压波形：则二极管上的电流波形如下：可以看到，当通入正向电压时，二极管导通，二极管上的电流为I1，当通入的电压

二极管反向恢复时间测试仪满足国家标准：GB/T 8024-2010，使用矩形波法测试反向恢复时间。一：主要特点A ：测量多种二极管B ：二极管反向电流峰值100A （定制）C ：二极管正向电流30A （定制）D ：测量精度10nSE ：二极管接反、短路开路保护F ：示波器图形显示G ：EMI/RFI 屏蔽密封H ：同步触发端二：应用范围A ：快恢复二极管B

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MOSFET体二极管反向恢复过程分析

一、二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程在上图所示的硅二极管电路中加入一个如下图所示的输入电压。在0―t1时间内，输入为+VF，二极管导通，电路中有电流流通。设VD为二极管正向压降（硅管为0.7V左右），当VF远大于VD时，VD可略去不计，则在t1时，V1突然从+VF变为-VR。在理想情况下，二极管将立刻转为截止，电路中应只有很小的反向电流。但实际情况是

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一、二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程在上图所示的硅二极管电路中加入一个如下图所示的输入电压。在0―t1时间内，输入为+VF，二极管导通，电路中有电流流通。设VD为二极管正向压降（硅管为0.7V左右），当VF远大于VD时，VD可略去不计，则在t1时，V1突然从+VF变为-VR。在理想情况下，二极管将立刻转为截止，电路中应只有很小的反向电流。但实际情况是

抑制功率二极管反向恢复几种方案的比较引言高频功率二极管在电力电子装置中的应用极其广泛。但PN结功率二极管在由导通变为截止状态过程中，存在反向恢复现象。这会引起二极管损耗增大，电路效率降低以及EMI 增加等问题。这一问题在大功率电源中更加突出。常用RC吸收、串入饱和电抗器吸收、软开关电路等开关软化方法加以解决，但关于其效果对比的研究报道尚不多见。本文以Buck