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《电路原理》试卷9

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第1页 共7页

阅卷人 得分

一．单项选择题（ 每小题3分，总计30 分 ）
( )1、当图示电路换路时，以下论述中正确的是
A. uL不能跃变 B. iL不能跃变

C. uL有界时, iL不能跃变 D. iL有界时, uL不能跃变

R
i
L

L
u
L

电
路

( )2、电路如图所示，t0时开关断开，则t0时，8电阻的电流
i为

A. 29eAt B. 29eAt

C. 49eAt D. 49eAt

+

_
36V

2
6

4

8
2H

i
t0

( )3、图示电路中端电压U为
A. 8 V B. 2 V C. 2 V D. 4 V


15V3A

4A

+

-
U

( )4、图示电路中节点a的节点方程为
A. 821UUab

B. 17051..abUU

学
号
：
姓
名
：

班
级
：
系
别
：

装
订
线
（
答
题
不
得
超
过
此
线
）
第2页 共7页

C. 17051..abUU
D. 17051..abUU
2A

52
1415V
a

b

( )5、图示电路中，a点对地的电压Ua应为
A. -49 V B. -47 V C. -54V D. -51 V
202

4030

10

4V

50V45V
a

( )6、图示电路中a、b端的等效电阻Rab在开关S打开与闭合时分别
为
A. 3.47 与1.87  B. 3.47 与2.87 
C.4.47 与1.87  D. 4.47 与2.87


20
44

1616

b
a

S

( )7、图示正弦RC串联电路中, 电压uC与电流i的相位关系为
A. i超前uC角90 B. i滞后uC角90
C. i超前uC某一小于90的角度 D. i滞后uC某一小于90的角度
第3页 共7页

uSu
C
C

R

i

( )8、图示正弦交流电路中,ut1045sin() V,则电流iL为
A. 245sintA B. 245cos()tA
C. 245sin()tA D.245cost A



u

i


L5

+

-
( )9、图示两正弦交流二端网络在=2rad/s时互为等效，且2R，
4'R
，则C和'C分别为

A. 41F，21F B. 41F，81F
C. 21F，41F D. 21F，81F

'
R


'
C

R

C
( )10、图示正弦交流电路中，已知30sin20S1tuV，

30sin20S2tu

V，则S1u发出的复功率(功率复量)1~S为

A. 6040VA B. 6020VA
C. 6020VA D. 30340VA

S2
u
-++-

10

S1
u

阅卷人 得分
第4页 共7页

二．填空题（ 每小题3分,共30分 ）
1、图示电路的I为___________。
5

I
24V
2

44V1

2、图示电路中R为___________时获得的功率最大。

3
3
62
V12V10
R
b
a

3、已知正弦电压ut11002120sin()V ut2100230cos()V
它们的相位差为___________。（以2sint或以2cost为10均可）
4、图示电路中a、b端的等效电阻Rab为___________。

a
b
24
24

36
36

36


5、图示电路中的电流I_____________ A。

33

34
2
6
12

24V
I

6、电路如图所示，电流i1 A；电流i A。
第5页 共7页



10i

1020

1A
i
1

i

u30V

7、图示电路中，iIL()00 。则itL()的
零输入响应分量为_______________________，
零状态响应分量为_______________________，
暂态响应分量为_________________________，
稳态响应分量为_________________________，
全响应为________________________________。

+
_
L

i
L

U
s

R

8、图示二端网络戴维南等效电路中的等效电阻为___________。
3+-20V6

5A

9、RL串联电路外施电压为45cos100ttuV，已知电路的(复)阻抗为
6020Z
，则电流ti为___________。
10、图示二端网络的戴维南等效电路开路电压Uab为___________，等效电阻R
eq

为___________。

10
5
5V

2A
2
+-

a

b

20

阅卷人 得分
三、非客观题 （8分 ）
应用等效变换法求图示电路中的I。
第6页 共7页

2
242A25.A1A
I

四．非客观题 （8分 ）
试用戴维南定理求解图示电路中的电流I。

1
V24
I

A4
2

A2

1
2

五．非客观题 （8分 ）
试用叠加定理求图示电路中的电压U。

9
9V4U9V

44

六．非客观题 （8分 ）
电路如图所示，当t1s时开关闭合，闭合前电路已达稳态。试求it()，t1s。



50V13H420V2H

i
t1

《电路原理》试卷9答案
第7页 共7页

一、1.C 2.A 3.B 4.D 5. D 6.A 7.B 8.D 9.B 10.C
二．
1A 2A 1A IRLt0e URRLtS(e)1 ()eSIURRLt0 URS

URIURRLtSS()e0 6045cos20100tA 15V 15Ω
三、
等效电路如图所示

4405.A25.A
I

得I1 A 10
四、
应用戴维南定理

2.3oR
3

V10ocU
6

故 2.3R 8
W8.7maxP
10

五、
解原图=

94U'9V44+4449

U
"
2
a
b

9V
图a：
U'49 44 4+4 V=-3 V
5

图b：U"49 44 4+4 V=-3 V 8
故：U6 V 10

六、
i()A110
2

i()A5
4

12s
6
第8页 共7页

itAt()[e]()55
21
t1
10

七、
2
2

LR
UUU

=86.6V

R=PUR2=37.5 5
I=RUR=2.31A
L=31.2100050IUL=21.6mH 10

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王琪辉《电路原理》2-9 节点分析法

王琪辉《电路原理》2-9 节点分析法



1 20
)U
n1

(1 5

1 20

1 20

1 )U 10
n3


15 5

4 10
Un3 6v
解法2： 令Un3 0
广义节点
(1 5

1 20
)U
n1

(1 20

1 10
)U
n2

15 5

4 10
Un1 Un2 4v 解得Un1 10v Un2 6v
I1

Un1 15 5
求电流Ix
解 N用诺顿模型等效代替
a
先求原网络Ix支路右端部 分的戴维宁等效电路
在(b)图中
I a

4 A 1A 22
b
U 1 4Ia 2Ia 6V
`
a
a
`
b
b
``
a
a
``
b
在(c)图中
在(d)图中
b
Ia

2
2
2
(Is
)


1 2
I
s
Us 1 (Is 4Ia) 2Ia Is 2Ia 0
a
I a

1 2
A
I1

8 4

2A
Isc I1 (3Ia ) 0.5A
在(b)图中 3Ia Ia
b
a
`
`
` b
Ia 0
Req
Us Is
4
a
``
a
其诺顿
``
等效电
集成电路技术集成电路工艺原理试卷(练习题库)(2023版)

集成电路技术集成电路工艺原理试卷(练习题库)(2023版)

集成电路技术集成电路工艺原理试卷（练习题库）1、用来做芯片的高纯硅被称为（），英文简称（），有时也被称为（）。

2、单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。

3、晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。

4、晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。

5、从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、O 和（）。

6、CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。

7、CZ直拉法的目的是（）。

8、影响CZ直拉法的两个主要参数是O和（）。

9、晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。

10、制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、O011、热氧化工艺的基本传输到芯片的不同部分。

77、多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。

78、阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。

79、关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。

80、传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。

81、溅射是个化学过程，而非物理过程。

82、表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。

83、化学机械平坦化，简称CMP,它是一种表面全局平坦化技术。

84、平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。

85、反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。

86、电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。

87、在CMP为零的转换器。

133、CD是指硅片上的最小特征尺寸。

134、集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。

简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜135、人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。

136、硅片制造厂可分为六个的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。

137、世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。

东大奥鹏《电路原理》在线作业1参考资料

东大奥鹏《电路原理》在线作业1参考资料

A.错误
B.正确
正确答案:A
11.非正弦电路的谐波阻抗是随着谐波的频率不同而变化的。( )
A.错误
B.正确
正确答案:B
12.
己知：US=10V,R3=1Ω,R1=2Ω,R2=7Ω.则b点的电位Ub=9V。( )
A.错误
B.正确
正确答案:B
13.电流表A1的读数为5A，A2为20A，A3为25A，电流表A的读数为7.07A。（）
东北大学
《电路原理》在线作业
参考答案
试读一页
20春学期《电路原理》在线作业1-0001
试卷总分:100
一、单选题(共5道试题,共25分)
1.图中所示电路C=0.1F,R=10Ω,求冲击响应i1(t)A C其它
A.A
B.B
C.C
D.D
正确答案:A
2.如图理想变压器的电压方程为( )。
A u1=nu2 , B u1=-nu2 , C其它
A.A
B.B
C.C
D.D
正确答案:A
3.8-1图中所示电路L=0.2H,R=2Ω,求冲击响应i为（）。
A 5e-t1(t)A B 0 C其它
A.A
B.B
C.C
D.D
正确答案:A
4.图中，L=20mH, C=50pF, R=1kW, Ù=10Ð00 V。电路的谐振频率w0为( )弧度/秒。
A 106其它B 159155 C
A.A
B.B
C.C
D.D
正确答案:A
5.图中所示为矩形脉冲，试求其象函数F（S）为（）。
电路基础试卷总带答案

电路基础试卷总带答案

一、判断题(每题1分，共20分)1、选择参考点不同时，电路中其余各点的电位不同，这就是电位的相对性。

（√）2、电流的方向是指正电荷定向移动的方向。

( √）3、世界各国使用的交流电都是一样的50Hz、220V。

（×）4、通路是指电路各部分连接成闭合的电路.（√ )5、在串联电路中,阻值越大的电阻,其两端分得的电压越小.( ×）6、1kWh单位表示1kW的用电器在额定情况下1h内所消耗的功率。

（×）7、有一个100Ω的负载要想从内阻为50Ω的电源获得最大功率，采用一个相同的100Ω（× )8、电路中任意两个结点之间连接的电路统称为支路。

（×）9、电容在直流稳态电路中相当于开路.（√）10、一个实际电源即可用实际电压源也可用实际电流源来等效。

（√ )11、电功率也称功率，是指单位时间内电路产生或消耗的电能,基本单位是W。

（√）12、电容器和电感器只进行能量转换，所以说它们是贮能元件。

（√）13、变压器两侧的电压有效值与两侧绕组的匝数成正比。

（√ )14、实用中的任何一个两孔插座对外都可视为一个有源二端网络。

（√）15、正弦量的三要素是指它的最大值、角频率和初相位。

（√）16、220V 60W灯泡,若接在110V的电源上能正常发光。

（×）17、在三相四线制供电系统中，规定中性线上可以安装开关和熔断器。

（×）18、负载星形连接时，相电压等于线电压,相电流不等于线电流。

( ×）19、RLC串联电路谐振时阻抗最大。

（× )20、R—C串联电路，V1、V2的读数分别是30V、40V，则V的读数为10V。

（× )21、选择参考点不同时，电路中某两点的电压相同。

( √）22、我们规定正电荷定向移动的方向为电流的方向。

( √）23、我国使用的交流电频率为60Hz.( ×）24、断路是指电路各部分连接成闭合的电路。