多晶硅片成品标准

精心整理
原生多晶硅采购规范
一、产品名称：太阳能级原生多晶硅原料
二、规格：
纯度：≥99.9999%
颗粒状硅料粒度范围为1 mm～3mm
破碎的块状多晶具有无规则的形状和随机的尺寸分布，即线型尺寸最小为3mm，最大可达
六、
多晶硅中碳浓度测量按GB/T1558测试。

多晶硅断面夹层检验按GB/T4061测试。

多晶硅中的Ⅲ-Ⅴ族杂质含量按照SEMIMF1389或SEMIMF1630测试。

我方对产品检验根据以上标准执行，如有技术指标不符合表1中的，则加倍取样抽检复检，对复验结果仍不合格的产品，应直接判定为不合格。

应该拒收
七、来料时候厂家需要提供出货质量证明书或者出货检验合格证
产品应贮存在清洁、干燥环境中。

每批产品应附有质量证明书（合格证），注明：
供方名称；
产品毛重、净重；
各项检验结果及检验部门印记；
出厂日期。

包装袋：免洗多晶包装内外层必须是双层免洗袋包装。

光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号：LW-BZ-009-A1版本：A/1版受控状态：编制部门：技术中心发放编号：编制：日期:审核：日期：批准：日期:实施日期:发布日期:文件更改申请单硅片检验标准1目的规范多晶硅片检测标准。

2适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。

3定义3.1检测工具：数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS20血阻率测试、少子寿命测试 WT-200Q3.2检测术语斑点定义：在光强430-650LUXCF,距离眼睛40cm,成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。

翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即 a值）。

弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即 z值）硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。

崩边：以硅片边缘为参考线向内部延伸深度0 0.5mm长度0 1.5mmt不能崩透的缺损属于崩边c 缺口：光强430-650LUX,目光与硅片成30-45 ° ,距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口, 看不到的不属于缺口。

水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。

表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。

游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘 5mrmA内的黑色区域。

微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞ 10个。

4 职责权限4.1技术部负责制定硅片检验标准；4.2质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。

5正文5.1表面质量表面质量通过生产人员的分选判定，目测外观符合附表1相关要求。

对整包硅片重点查看B4 （崩边），B7 （线痕）、B8 （厚度差值）、缺口、碎片、油污等情况；整包里的 B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；B7、B8片手感表现较重，不易区分或存在争议时，利用分选机重新分选。

5.2外型尺寸几何尺寸符合附表1相关要求，在研磨倒角处控制。

文件编号 类 别 制订日期
检测项目 A级 1.已清洗,切割表面未腐蚀,无油污, 无清洗剂残余;2.硅片表面无明显手 感刀痕,凹坑现象. 无裂痕,裂纹,孔洞V B级 1.已清洗,切割表面未腐蚀,无油污, 无清洗剂残余3.硅片表面无明显手感 刀痕,凹坑现象. 无裂痕,裂纹,孔洞V 1.缺口长度＜1MM深度＜0.5MM崩边缺 口在整片中小于2个. 2.沿硅片径向长度小于1MM,宽度小于 1MM,不超过硅片厚度1/2的崩边,在整 片中不允许超过3个. ＜100＞+2。 ≦3000/CM2 15um~30um P型 0.5-3ohm*cm 3-6ohm*cm ＜15% ≧1.3us ＜1X1018atoms/cm3 ＜5X1016atoms/cm3 B 200+20um ＜单片厚度的15%~20% <30um ＜75um 125+0.5MM*62.5+1MM 0.5 游标卡尺 90+0.3
＜15% 电阻率不均均 （中心点与四个角上距离两边10MM的 性 四个点） 裸片少子寿命 氧含量 碳含量 掺杂剂 厚度 单片厚度变化 TTV 翘曲度 硅片边长尺寸 倒角差 直线段长 直角偏离 ≧1.3us ＜1X1018atoms/cm3 ＜5X1016atoms/cm3 B 200+20um ＜单片厚度的15% <30um ＜50um 125+0.5MM*62.5+0.5MM 0.5 83+1MM 90+0.3
。
SEMILAB RT-110 SEMILAB WT-2000 傅立叶红外光谱仪 傅立叶红外光谱仪
SEMILAB RT-110 SEMILAB RT-110 微分表ID-C 游标卡尺
角规
注:1.不同直径的硅片不可同时包装，必须分开单独包装。 2.待包装的货不可封盒，必须整箱6盒货全部准备后后才可封盒入箱包装。 3.需要并货时要确定好是否是同规格的硅片之后再进行并货。 编制: 审核: 批准:

检验分类：1.正常晶 2.雪花晶 3.微晶 4.分布晶
定义：
正常晶——无典型分布晶、微晶、雪花晶和其他异常晶粒特征的正常多晶硅片。

雪花晶——除典型微晶、分布晶和正常晶外的所有多晶硅片。

包括典型雪花晶和除分布晶和微晶以外的所有非正常晶。

微晶——晶粒尺寸小于等于2mm，呈连续分布具有一定面积的晶体。

分布面积大于1cm2，不具有典型分布晶特征（如图所示）。

分布晶——大晶粒上分布的具有“圈点”特征的小晶粒（如图所示）。

检验流程：
关键点：
1.典型分布晶的特征——“圈点”特征小晶粒。

2.典型微晶特征——密集型连续分布的小晶粒，无典型分布晶特征。

3.对具有一定面积密集型小晶粒分布的多晶硅片要严格把握，尽量归入分布晶（具有典型分
布晶特征）或微晶中。

4.对于极度分散的非典型分布晶，不要归入分布晶。

可归入雪花晶。

典型微晶图
典型分布晶图
以每1000片计算，因原料问题造成的损失为：
1000*返工比例*返工成本+1000*返工比例*返工碎片率*硅片价格+1000*返工比例*降低的转换效率*电池价格/平均转化效率+1000*C级色斑比例*（A级片价格-C级片价格）+1000*B级色斑比例*（A级片价格-B级片价格）。