改善BaZrO3基质子导体导电性能研究进展

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第41卷 第2期华北理工大学学报(自然科学版)Vol.41 No.22019年04月JournalofNorthChinaUniversityofScienceandTechnology(NaturalScienceEdition)Apr.2019

收稿日期:2018-11-08 修回日期:2019-03-19基金项目:河北省自然科学基金重点项目(E2017209260),国家自然科学基金(50772030,50972038)。

文章编号:2095-2716(2019)02-0046-06改善BaZrO3基质子导体导电性能研究进展康立阳1,李跃华1,2,刘永光,朱靖1,2,周会珠,戴磊1,2,何章兴1,2,王岭1,2(1.华北理工大学化学工程学院,河北唐山063210;2.河北省环境光电催化材料重点实验室,河北唐山063210)

关键词:BaZrO3质子导体;电导率;烧结助剂;掺杂

摘 要:稀土掺杂的BaZrO3是一种化学稳定性良好的质子导体,有着非常广泛的应用前景,

但由于其烧结性能差,导致晶界电阻大,总电导率低,因此许多学者对如何改善其导电性能进行了大量研究。该项目主要从元素掺杂、烧结助剂添加等改善BaZrO3导电性能的方法进行归纳总结,为进一步研究BaZrO3导电性能提供了参考。中图分类号:TM911.4 文献标识码:A

0引言

自从1981[1]年Iwahara发现Yb掺杂的SrCeO3具有质子导电性,人们陆续发现稀土掺杂的SrZrO3

,

CaZrO3,BaZrO3,BaCeO3等[2-6]具有钙钛矿结构的氧化物均有一定的质子导电能力。因为这些材料是在高

温下、特定气氛中才具有质子传导能力,所以被称作高温质子导体。高温质子导体在氢分离、氢传感器、氢泵、燃料电池、电解水制氢、电化学加氢或脱氢等方面有着非常广泛的应用前景[7]。掺杂的BaCeO3与Ba-

ZrO3是高温质子导体中研究最广泛的两类质子导体。在所有高温质子导体中,BaCeO3基质子在含氢气氛

中具有较高的电导率。然而,化学稳定性差是BaCeO3基质子导体的致命弱点,严重影响了其应用[8-9]。相

反,BaZrO3基质子导体在CO2与H2等腐蚀性气氛中均有良好的化学稳定性,且有较高的晶粒电导率,但由于BaZrO3烧结性能差导致了晶界电阻大,导电性较差。所以提高BaZrO3基质子导体导电性能是高温质子导体的研究热点之一。目前,提高BaZrO3电导率方法主要采用元素掺杂或添加烧结助剂等方法来实现,本文主要从这两方面的研究进展进行评述。1质子传导机制

钙钛矿结构BaZrO3中的Zr4+被三价元素M取代后,在Zr4+处产生负电荷缺陷,为了保持电中性,形成氧空位V••o[10]

,掺杂时进行的反应如下:

M2O3+2Zrx+Oxo=2M'+V••o+2ZrO2(1)

式(1)中:Zrx和Oox分别表示处于正常晶格中的锆离子和氧离子,M表示掺杂的元素,表示氧空位。在含H2或H2O(g)的气氛中,由下述反应产生质子:

H2+2h•=2H•(2) H2O+V••o=Oxo+2H•(3)

式(2)中H•为质子,h•是电子空穴,而在晶格中质子主要以OH•o的形式存在,而较少以质子形式存在,所以式(2)和(3)可写为: H2+2Oxo+2h•=2OH•o(4) H2O(g)+Oxo+V••o=2OH•o(5)

式(4)中:OH•o表示质子与晶格氧键结合所形成的氢氧根离子Saiful[11]

研究认为在钙钛矿结构氧化物中,质子的传导主要在晶格间进行,晶格内的迁移则不容易进

行。质子在传导过程中,首先吸附在晶格氧上,形成微弱的O-H键,[ZrO6

]八面体发生倾斜,接近相邻的氧

离子,O-H键中的质子围绕O2-旋转重新确定方向,然后O-H键断裂,质子旋转的同时与其他的O2-形成新的O-H键,质子与O2-在晶格中不断形成新的O-H键即可使质子发生传导。2元素掺杂提高电导率

根据传导机理,氧空位的产生对质子传导起着非常重要的作用。基于离子价态和半径,常用的掺杂离子主要有Y,Yb,Gd,In,Pr,Sm,Sc,Nd,Dy,Pd等,掺杂可分为单元素掺杂和多元素共掺杂。2.1 单元素掺杂对BaZrO3导电性影响

Y是一种最普遍的掺杂元素,其掺杂的BaZrO3基质子导体有良好的导电性和致密性。BaZr0.8Y0.2O3-δ

在1600℃可致密化烧结,600℃空气下的电导率为3.0×10-3S·cm-1[12],当Y的掺杂量过高时,由于质子

迁移率的受阻和电荷载流子浓度的降低,电导率反而随之下降[12]。WenpingSun发现,制备的电解质Ba-

Zr0.8Y0.2O3-δ在温度高于600℃时,晶界电阻在总阻值中起主要作用,晶粒电阻则是在较低温度下才起主导

作用,电解质BaZr0.8Y0.2O3-δ在1400℃烧结后600℃时的电导率可以达到1.43×10-3S·cm-1[13-14]

In也是常用的掺杂元素,In的掺杂不仅可以增加BaZrO3氧空位,还可以提高其烧结性能,增加样品的

致密度,从而减小质子导体的晶界电阻,提高BaZrO3的总电导率。WenpingSun[15]通过柠檬酸-柠檬酸盐凝胶燃烧法在1600℃烧结了24h合成了立方钙钛矿结构的BaZr0.8In0.2O3-δ质子导体,比相同条件下制备的BaZr0.8Y0.2O3-δ具有更好的致密性,在700℃时在湿润H2中的电导率达到1.0×10-3S·cm-1。LeiBi[16]在1

600℃下烧结10h后制备了BaZr0.7In0.3O3-δ,其在700℃下湿润的H2中质子传导率达到1.7×10-3S·cm-1

BaZr0.7In0.3O3-δ电解质材料还表现出了对CO2和H2O良好的化学稳定性,这非常有利于其在燃料电池中的

应用。D.ZeudmiSahraoui用Sc部分取代BaZrO3中的Zr制备了电解质BaZr1-xScxO3(x=0.125,0.25和0.

375),样品均具有钙钛矿结构[17],获得的BaZr0.75Sc0.25O3-δ样品总电导率在500℃时达到2.68×10-5S·

cm-1[18],与Y掺杂的BaZrO3相当。

2.2 共掺杂对BaZrO3导电性影响

共掺杂是指将2种或多种元素共同取代部分Zr,可同时实现改善烧结性能、增加电导率的目的。YuLiu等在1600℃下烧结得到致密的BaZr0.7Nd0.1Y0.2O3-δ样品,600℃时在湿润的空气下其导电率达到4.64×10-3S·cm-1[19],明显高于单一掺杂的材料。M.H.Paydar通过共沉淀法成功合成了质子导体BaZr0.8-x

DyxY0.2O3-δ(0≤x≤0.2),当Dy的掺杂量为0.15时,样品相对密度可达到98%,晶粒尺寸也从0.5μm增加

到3μm,在600℃,10%氢气氛下电导率可达到1.02×10-2S·cm-2,说明Dy3+的掺杂对BaZrO3的电导率增加效果明显,且BaZrO3优异的化学稳定性不受引入Dy3+的影响[20]。EmilianaFabbri[21]合成了钙钛矿结构的BaZr0.8-xPrxY0.2O3-δ(0.1≤x≤0.4),证明了其具有质子导体的特性,且其导电性随着掺杂元素Pr的含量增加而增强,但过大的掺杂量会导致稳定性下降。Seung-SeokBaek[22]制成了BaZr0.8-0.01xPd0.01xY0.2O3-δ

(

x

=0.5,1,2,3)质子导体,其电导率均随Pd掺杂量的增加而增加,其中BaZr0.77Pd0.03Y0.2O3-δ在600℃时湿润

H2中的电导率为8.60×10-3S·cm-1。AnnaMagraso通过燃烧法制备了BaZr0.9-xPrxGd0.1O3-δ

(

x=0.3

0.6),发现Pr的掺杂可以促进晶粒生长,同时有助于提高导电性能。但是,过高的Pr掺杂量会降低材料的

74 第2期 康立阳,等:改善BaZrO3基质子导体导电性能研究进展化学稳定性[23-24]。YuLiu等研究了电解质BaZr0.6M0.2Y0.2O3-δ(M=Zr4+,Ce4+,Pr3+,Nd3+,Sm3+和Gd3+

)

的化学稳定性和导电性,结果显示,掺杂元素离子半径越小其在二氧化碳气氛中的稳定性越好[25],BaZr0.6Nd0.2Y0.2O3-δ具有最高的电导率,在氢气气氛下600℃时达到8.56×10-3S·cm-1

3添加烧结助剂提高电导率

BaZrO3基质子导体因烧结性能较差,导致其晶界电导率较低。所以改善BaZrO3基质子导体的烧结能

力则有可能提高其导电性,烧结助剂法是改善其烧结性能行之有效的方法之一。目前,经常使用的烧结助剂主要包括ZnO,CuO,NiO,Li2O,Bi2O3等。3.1 单一烧结助剂

3.1.1ZnO作烧结助剂

ZnO可以有效地提高BaZrO3基电解质材料的烧结性,降低烧结温度[26]。ChaoJin等通过添加ZnO烧

结助剂成功地制备了致密的BaxCe0.7Zr0.1Y0.1Yb0.1O3-δ(x=0.9,0.94,0.98,1.0,1.03,1.06和1.1)样品,其达

到致密化的烧结温度从1550℃降低至1250℃[27]。M.Amsif通过添加ZnO促进烧结,BaZr0.9Y0.1O3-δ的烧结温度降低至1300℃[28]。ShanwenTao添加1wt%氧化锌做烧结助剂在1325℃时烧结的质子导体BaZr0.8Y0.2O2.9相对密度可达到96%,在600℃时BaZr0.8Y0.2O3-δ+1wt%ZnO的总电导率可以达到

3.62×10-3S·cm-1,在900℃时可以达到2.69×10-2S·cm-1[14]。YuLiu[29]等添加4mol%的ZnO在1250

℃时成功制备了BaZr0.4Ce0.4Y0.2O3-δ,相对密度达到95%以上,在600℃湿润空气下电导率达到

0.46×10-2S·cm-1。Ashok等通过添加2wt%ZnO做烧结助剂制备了BaCe0.35Zr0.5Y0.15O3-δ电解质,将烧结

温度从1600℃降至1100℃,但其晶粒电导率比不加入2wt%ZnO时降低了一个数量级,晶界电导率保持不变[30]。这些结果显示,适当加入ZnO助剂,有利于提高烧结性能,增加电导率,但过度添加也会造成负面影响。3.1.2CuO作烧结助剂

BaZrO3基质子导体也可添加CuO来增强烧结性能。研究表明,添加1mol%CuO的BaZr0.9Y0.1O2.95在

1400℃烧结4h后相对密度可达到96.8%,且电导率与不添加时相近[31-32]。Ka-YoungPark[33]

分别选择

CuO,NiO,ZnO,SnO,MgO或Al2O3作为烧结助剂,合成了BaZr0.85Y0.15O3-δ电解质,就电导率而言,CuO是