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常用场效应管和晶体管参数大全优选稿

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常用场效应管和晶体管参数大全

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常用场效应管和晶体管参数大全

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常用场效应管和晶体管参数大全

IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应

IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应

IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应

IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应

IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应

IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应

IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应

IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应

IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应

IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应

IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应

IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应

IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应

IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应

IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应

IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应

IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应

IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应

IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应

IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应

IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应

IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应

IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应

IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应

IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应

IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应

IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应

IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应

IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应

IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应

IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应

IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应

IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应

IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应

IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应

IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应

IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应

IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应

IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应

IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应

IRF541 80V 28A 150W * * NMOS场效应

IRF540 100V 28A 150W * * NMOS场效应

IRF530 100V 14A 79W * * NMOS场效应

IRF440 500V 8A 125W * * NMOS场效应

IRF230 200V 9A 79W * * NMOS场效应

IRF130 100V 14A 79W * * NMOS场效应

BUZ20 100V 12A 75W * * NMOS场效应

BUZ11A 50V 25A 75W * * NMOS场效应

BS170 60V 0.3A 0.63W * * NMOS场效应

常用场效应管及晶体管参数(2)

晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型

2SC4582 600V 15A 75W * * NPN?

2SC4517 550V 3A 30W * * NPN?

2SC4429 1100V 8A 60W * * NPN?

2SC4297 500V 12A 75W * * NPN?

2SC4288 1400V 12A 200W * * NPN?

2SC4242 450V 7A 40W * * NPN?

2SC4231 800V 2A 30W * * NPN?

2SC4119 1500V 15A 250W * * NPN?

2SC4111 1500V 10A 250W * * NPN?

2SC4106 500V 7A 50W * 20MHZ NPN?

2SC4059 600V 15A 130W * * NPN?

2SC4038 50V 0.1A 0.3W * 180MHZ NPN?

2SC4024 100V 10A 35W * * NPN?

2SC3998 1500V 25A 250W * * NPN?

2SC3997 1500V 15A 250W * * NPN?

2SC3987 50V 3A 20W 1000 * NPN(达林顿)

2SC3953 120V 0.2A 1.3W * 400MHZ NPN?

2SC3907 180V 12A 130W * 30MHZ NPN?

2SC3893 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN?

2SC3886 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN?

2SC3873 500V 12A 75W * 30MHZ NPN?

2SC3866 900V 3A 40W * * NPN?

2SC3858 200V 17A 200W * 20MHZ NPN?

2SC3807 30V 2A 1.2W * 260MHZ NPN?

2SC3783 900V 5A 100W * * NPN?

2SC3720 1200V 10A 200W * * NPN?

2SC3680 900V 7A 120W * * NPN?

2SC3679 900V 5A 100W * * NPN?

2SC3595 30V 0.5A 1.2W 90 * NPN?

2SC3527 500V 15A 100W 13 * NPN?

2SC3505 900V 6A 80W 12 * NPN?

2SC3460 1100V 6A 100W 12 * NPN?

2SC3457 1100V 3A 50W 12 * NPN?

2SC3358 20V 0.15A * * 7000MHZ NPN

2SC3355 20V 0.15A * * 6500MHZ NPN

2SC3320 500V 15A 80W * * NPN?

2SC3310 500V 5A 40W 20 * NPN?

2SC3300 100V 15A 100W * * NPN?

2SC1855 20V 0.02A 0.25W * 550MHZ NPN?

2SC1507 300V 0.2A 15W * * NPN

常用场效应管及晶体管参数(3)

--------------------------------------------------------------------------------

晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型

2SC1494 36V 6A 40W * 175MHZ NPN?

2SC1222 60V 0.1A 0.25W * 100MHZ NPN?

2SC1162 35V 1.5A 10W * * NPN?

2SC1008 80V 0.7A 0.8W * 50MHZ NPN?

2SC900 30V 0.03A 0.25W * 100MHZ NPN?

2SC828 45V 0.05A 0.25W * * NPN?

2SC815 60V 0.2A 0.25W * * NPN?

2SC380 35V 0.03A 0.25W * * NPN?

2SC106 60V 1.5A 15W * * NPN?

2SB1494 120V 25A 120W * * PNP(达林顿）

2SB1429 180V 15A 150W * * PNP?

2SB1400 120V 6A 25W 1000-20000 * PNP(达林顿）

2SB1375 60V 3A 2W * * PNP?

2SB1335 80V 4A 30W * * PNP?

2SB1317 180V 15A 150W * * PNP?

2SB1316 100V 2A 10W 15000 * PNP(达林顿）

2SB1243 40V 3A 1W * 70MHZ PNP?

2SB1240 40V 2A 1W * 100MHZ PNP?

2SB1238 80V 0.7A 1W * 100MHZ PNP?

2SB1185 60V 3A 25W * 75MHZ PNP?

2SB1079 100V 20A 100W 5000 * PNP(达林顿）

2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿）

2SB834 60V 3A 30W * * PNP?

2SB817 160V 12A 100W * * PNP?

2SB772 40V 3A 10W * * PNP?

2SB744 70V 3A 10W * * PNP?

2SB734 60V 1A 1W * * PNP?

2SB688 120V 8A 80W * * PNP?

2SB675 60V 7A 40W * * PNP(达林顿）

2SB669 70V 4A 40W * * PNP(达林顿）

2SB649 180V 1.5A 1W * * PNP?

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5000种场效应管参数

5000种场效应管参数

5000种场效应管参数

场效应管是一种常用的半导体器件，用于放大和开关电路。与双极性晶体管相比，场效应管具有较高的输入阻抗和较低的功耗。根据不同的应用需求，场效应管有很多不同的参数。以下是5000种场效应管的一些常见参数：

1.管子类型：场效应管分为N型和P型两种类型。N型场效应管是以负电压作用于栅极时导通，而P型场效应管是以正电压作用于栅极时导通。

2.最大漏极电流：场效应管可以通过的最大漏极电流。不同型号的场效应管具有不同的最大漏极电流。

3.开启电压：场效应管进入导通状态所需的门源电压。不同型号的场效应管具有不同的开启电压。

4.截止电压：场效应管进入截止状态所需的门源电压。不同型号的场效应管具有不同的截止电压。

5.静态漏极电阻：当场效应管工作在饱和状态时，漏极电压变化与漏极电流之间的比值。

6.转导电导：场效应管的输出电流和输入电压之间的比例关系。

7.最大功耗：场效应管能够承受的最大功率。

8.响应时间：场效应管从关态到开态或开态到关态的响应时间。

9.管脚电容：场效应管各管脚之间的电容。

10.峰值电压：场效应管可以承受的最大电压。 此外，还有许多其他参数，如漏极反向电流、漏极与源极之间的电阻、起始电流、迁移率、温度系数等，这些参数也是来描述场效应管性能的重要指标。

需要注意的是，由于场效应管有很多不同型号，每种型号的参数都有所不同。因此，在实际应用中，需要根据具体的需求选择合适的场效应管型号。以上仅列举了一小部分场效应管的参数，实际上还有许多其他参数。

常用场效应管参数大全(1)

常用场效应管参数大全(1)

型号材料管脚 用途参数

3DJ6NJ低频放大 20V0.35MA0.1W

4405/R9524

2E3C NMOS GDS 开 关 600V11A150W0.36

2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W

2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0・5 2SJ122 PMOS GDS 咼速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15

2SJ136 PMOS GDS 咼速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3

2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035

2SJ172 PMOS GDS 激 励 60V10A40W73/275nS0.18

2SJ175 PMOS GDS 激 励 60V10A25W73/275nS0.18

2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085

2SJ201 PMOS n

2SJ306 PMOS GDS 激 励 60V14A40W30/120nS0.12

2SJ312 PMOS GDS 激 励 60V14A40W30/120nS0.12

2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB

2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB

2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB

2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB

2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB

2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB

2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK794 NMOS GDS 电源开关900V5A150W2.5可驱电机

常用高频场效应管参数

常用高频场效应管参数

常用高频场效应管参数

场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种常用的半导体器件，用于放大和开关电路中。和双极晶体管相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、温度稳定性好等优点，因此在各种电子设备中得到广泛应用。

常用的高频场效应管参数有：

1. 栅极电压（Vgs）：场效应管的栅极电压是非常重要的参数，它决定了管子是否导通。当栅极电压低于临界电压时，FET管是截止状态（关断状态）；当栅极电压高于临界电压时，FET管变成导通状态。

2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指在栅极电压小于临界电压时，场效应管的漏极电流非常小的电压。它决定了控制FET导通状态时的电压范围。

3. 输入电阻（Rin）：输入电阻是指场效应管输入端所表现的电阻，通常用来衡量FET管的输入电特性和输入信号的干扰度。输入电阻越高越好，因为它可以有效地减小对输入信号源的负载。

4. 输出电阻（Rout）：输出电阻是指场效应管的输出端所表现的电阻。与输入电阻类似，输出电阻也是衡量FET管输出电特性的一个重要参数。输出电阻越低，对负载的驱动能力越强。

5. 最大漏极电流（Idss）：最大漏极电流是指在栅极电压为零时，FET管漏极的最大电流值。它是衡量FET管驱动能力的一个重要参数。

6. 饱和漏极电压（Vdsat）：饱和漏极电压是指当场效应管处于饱和状态时，漏极电压的最大值。当漏极电压高于饱和漏极电压时，FET管开始进入过饱和区。 7. 开关时间（Ton和Toff）：开关时间是指场效应管从导通到截止或从截止到导通的时间。它与FET管的导通速度和截止速度有关。

8. 最大功率（Pmax）：最大功率是指在设定的工作条件下，场效应管能够处理的最大功率。对于高频应用来说，最大功率一般是以稳定性和可靠性为前提进行设计的。

9.噪声系数（NF）：噪声系数是衡量FET管噪声性能的一个重要指标。它表示FET管输入端噪声信号和输出端信号的关系，一般用分贝（dB）为单位进行表示。

cs10n65场效应管参数

cs10n65场效应管参数

cs10n65场效应管参数

摘要：

1.场效应管简介

2.CS10N65 场效应管的主要参数

3.参数的影响及应用

正文：

一、场效应管简介

场效应管（Field Effect Transistor，简称 FET）是一种半导体器件，是基于半导体材料的电子运动方式而设计的。场效应管是三种主要的晶体管之一，另外两种是双极晶体管和绝缘栅双极晶体管。场效应管具有高输入电阻、低噪声和低功耗等特点，在电路设计中有着广泛的应用。

二、CS10N65 场效应管的主要参数

CS10N65 是一种 N 沟道增强型场效应管，它的主要参数包括：

1.型号：CS10N65

2.结构：N 沟道增强型

3.源极和漏极之间的电流 ID（Drain Current，单位：A）：65A

4.漏极和源极之间的电压 VDS（Drain-Source Voltage，单位：V）：10V

5.栅极和源极之间的电压 VGS（Gate-Source Voltage，单位：V）：2V

6.功耗 PC（Power Dissipation，单位：W）：3.5W

7.输入电阻 RIN（Input Resistance，单位：Ω）：10^8Ω

三、参数的影响及应用 CS10N65 场效应管的参数对电路的性能有着重要的影响。

首先，ID（源极和漏极之间的电流）决定了场效应管的导通能力，它直接影响电路的电流放大能力。

其次，VDS（漏极和源极之间的电压）决定了场效应管的电压放大能力，它直接影响电路的电压放大能力。

再次，VGS（栅极和源极之间的电压）决定了场效应管的导通状态，它直接影响电路的开关速度和功耗。

最后，PC（功耗）决定了场效应管的稳定性，它直接影响电路的可靠性和寿命。