半导体常用缩写
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电子元器件的缩写1.电阻固定电阻:RES半导体电阻:RESSEMT电位计;POT变电阻;RVAR可调电阻;res1.....2.电容定值无极性电容;CAP定值有极性电容;CAP半导体电容:CAPSEMI可调电容:CAPVAR3.电感:INDUCTOR4.二极管:DIODE.LIB发光二极管:LED5.三极管 :NPN16.结型场效应管:JFET.lib7.MOS场效应管8.MES场效应管9.继电器:PELAY. LIB10.灯泡:LAMP11.运放:OPAMP12.数码管:DPY_7-SEG_DP (MISCELLANEOUS DEVICES.LIB)13.开关;sw_pb14.磁珠:BD:BEAD的缩写,15.负载电阻:RL:,L指Load,负载的意思16.变压器:T17.调试时用的器件:OP:,正式电路中不焊接18.变压器绕组:NS:一般指变压器绕组19.接插件、U型跳线:JP:原理图常用库文件:Miscellaneous Devices.ddbDallas Microprocessor.ddbIntel Databooks.ddbProtel DOS Schematic Libraries.ddb PCB元件常用库:Advpcb.ddbGeneral IC.ddbMiscellaneous.ddb部分分立元件库元件名称及中英对照AND 与门ANTENNA 天线BATTERY 直流电源BELL 铃,钟BVC 同轴电缆接插件BRIDGE 1 整流桥(二极管)BRIDGE 2 整流桥(集成块)BUFFER 缓冲器BUZZER 蜂鸣器CAP 电容CAPACITOR 电容CAPACITOR POL 有极性电容CAPVAR 可调电容CIRCUIT BREAKER 熔断丝COAX 同轴电缆CON 插口CRYSTAL 晶体整荡器DB 并行插口DIODE 二极管DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3段LEDDPY_7-SEG 7段LEDDPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容FUSE 熔断器INDUCTOR 电感INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感JFET N N沟道场效应管JFET P P沟道场效应管LAMP 灯泡LAMP NEDN 起辉器LED 发光二极管METER 仪表MICROPHONE 麦克风MOSFET MOS管MOTOR AC 交流电机MOTOR SERVO 伺服电机NAND 与非门NOR 或非门NOT 非门NPN NPN三极管NPN-PHOTO 感光三极管OPAMP 运放OR 或门PHOTO 感光二极管PNP 三极管NPN DAR NPN三极管PNP DAR PNP三极管POT 滑线变阻器PELAY-DPDT 双刀双掷继电器RES1.2 电阻RES3.4 可变电阻RESISTOR BRIDGE 桥式电阻RESPACK 电阻SCR 晶闸管PLUG ? 插头PLUG AC FEMALE 三相交流插头SOCKET 插座SOURCE CURRENT 电流源SOURCE VOLTAGE 电压源SPEAKER 扬声器SW 开关SW-DPDY 双刀双掷开关SW-SPST 单刀单掷开关SW-PB 按钮THERMISTOR 电热调节器TRANS1 变压器TRANS2 可调变压器TRIAC 三端双向可控硅TRIODE 三极真空管VARISTOR 变阻器ZENER 齐纳二极管DPY_7-SEG_DP 数码管SW-PB 开关其他元件库Protel Dos Schematic 4000 Cmos .Lib (40.系列CMOS管集成块元件库)4013 D 触发器4027 JK 触发器Protel Dos Schematic Analog Digital.Lib(模拟数字式集成块元件库)AD系列 DAC系列 HD系列 MC系列Protel Dos Schematic Comparator.Lib(比较放大器元件库)Protel Dos Shcematic Intel.Lib(INTEL公司生产的80系列CPU 集成块元件库)Protel Dos Schematic Linear.lib(线性元件库)Protel Dos Schemattic Memory Devices.Lib(内存存储器元件库)Protel Dos Schematic SYnertek.Lib(SY系列集成块元件库)Protes Dos Schematic Motorlla.Lib(摩托罗拉公司生产的元件库)Protes Dos Schematic NEC.lib(NEC公司生产的集成块元件库)Protes Dos Schematic Operationel Amplifers.lib(运算放大器元件库)Protes Dos Schematic TTL.Lib(晶体管集成块元件库 74系列)Protel Dos Schematic Voltage Regulator.lib(电压调整集成块元件库)Protes Dos Schematic Zilog.Lib(齐格格公司生产的Z80系列CPU集成块元件库)元件属性对话框中英文对照Lib ref 元件名称Footprint 器件封装Designator 元件称号Part 器件类别或标示值Schematic Tools 主工具栏Writing T ools 连线工具栏Drawing Tools 绘图工具栏部分分立元件库元件名称及中英对照Power Objects 电源工具栏Digital Objects 数字器件工具栏Simulation Sources 模拟信号源工具栏PLD Toolbars 映象工具栏7407 驱动门1N914 二极管74Ls00 与非门74LS04 非门74LS08 与门74LS390 TTL 双十进制计数器7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应于4 根线的BCD码7SEG 3-8 译码器电路BCD-7SEG[size=+0]转换电路ALTERNATOR 交流发电机AMMETER-MILLI mA安培计AND 与门BATTERY 电池/电池组BUS 总线CAP 电容CAPACITOR 电容器CLOCK 时钟信号源CRYSTAL 晶振D-FLIPFLOP D 触发器FUSE 保险丝GROUND 地LAMP 灯LED-RED 红色发光二极管LOGIC ANALYSER 逻辑分析器LOGICPROBE 逻辑探针LOGICPROBE[BIG] 逻辑探针用来显示连接位置的逻辑状态LOGICSTATE 逻辑状态用鼠标点击,可改变该方框连接位置的逻辑状态LOGICTOGGLE 逻辑触发MASTERSWITCH 按钮手动闭合,立即自动打开MOTOR 马达OR 或门POT-LIN 三引线可变电阻器POWER 电源RES 电阻RESISTOR 电阻器SWITCH 按钮手动按一下一个状态SWITCH-SPDT 二选通一按钮VOLTMETER 伏特计VOLTMETER-MILLI mV伏特计VTERM 串行口终端Electromechanical 电机Inductors 变压器Laplace Primitives 拉普拉斯变换Memory IcsMicroprocessor IcsMiscellaneous 各种器件AERIAL-天线;ATAHDD;ATMEGA64;BATTERY;CELL;CRYSTAL-晶振;FUSE;METER-仪表;Modelling Primitives 各种仿真器件是典型的基本元器模拟,不表示具体型号,只用于仿真,没有PCBOptoelectronics 各种发光器件发光二极管,LED,液晶等等PLDs & FPGAsResistors 各种电阻Simulator Primitives 常用的器件Speakers & SoundersSwitches & Relays开关,继电器,键盘Switching Devices 晶阊管Transistors 晶体管(三极管,场效应管)TTL 74 seriesTTL 74ALS seriesTTL 74AS seriesTTL 74F seriesTTL 74HC seriesTTL 74HCT seriesTTL 74LS seriesTTL 74S seriesAnalog Ics 模拟电路集成芯片Capacitors 电容集合CMOS 4000 seriesConnectors 排座,排插Data Converters ADC,DACDebugging Tools 调试工具ECL 10000 SeriesAND 与门ANTENNA 天线BATTERY 直流电源BELL 铃,钟BVC 同轴电缆接插件BRIDEG 1 整流桥(二极管) BRIDEG 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器BUZZER 蜂鸣器CAP 电容CAPACITOR 电容CAPACITOR POL 有极性电容CAPVAR 可调电容CIRCUIT BREAKER 熔断丝COAX 同轴电缆CON 插口CRYSTAL 晶体整荡器DB 并行插口DIODE 二极管DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3 段LEDDPY_7-SEG 7 段LEDDPY_7-SEG_DP 7 段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容FUSE 熔断器INDUCTOR 电感INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感JFET N N 沟道场效应管JFET P P沟道场效应管LAMP 灯泡LAMP NEDN 起辉器LED 发光二极管METER 仪表MICROPHONE 麦克风MOSFETMOS管MOTOR AC 交流电机MOTOR SERVO 伺服电机NAND 与非门NOR 或非门NOT 非门NPN NPN 三极管NPN-PHOTO 感光三极管OPAMP 运放OR 或门PHOTO 感光二极管Device.lib 包括电阻、电容、二极管、三极管和PCB的连接器符号ACTIVE.LIB 包括虚拟仪器和有源器件DIODE.LIB 包括二极管和整流桥DISPLAY.LIB 包括 LCD、LEDBIPOLAR.LIB 包括三极管FET.LIB 包括场效应管ASIMMDLS.LIB 包括模拟元器件VALVES .LIB 包括电子管ANALOG.LIB 包括电源调节器、运放和数据采样IC CAPACITORS.LIB 包括电容COMS.LIB 包括 4000 系列ECL.LIB 包括 ECL10000 系列OPAMP.LIB 包括运算放大器RESISTORS.LIB 包括电阻FAIRCHLD .LIB 包括 FAIRCHLD 半导体公司的分立器件LINTEC.LIB 包括 LINTEC 公司的运算放大器NATDAC.LIB 包括国家半导体公司的数字采样器件NATOA.LIB 包括国家半导体公司的运算放大器TECOOR.LIB 包括TECOOR公司的SCR 和TRIACTEXOAC.LIB 包括德州仪器公司的运算放大器和比较器PNP 三极管NPN DAR NPN 三极管PNP DAR PNP三极管POT 滑线变阻器PELAY-DPDT 双刀双掷继电器RES1.2 电阻RES3.4 可变电阻RESISTOR BRIDGE ? 桥式电阻RESPACK ? 电阻SCR 晶闸管PLUG 插头PLUG AC FEMALE 三相交流插头SOCKET 插座SOURCE CURRENT 电流源SOURCE VOLTAGE 电压源SPEAKER 扬声器SW 开关SW-DPDY 双刀双掷开关SW-SPST 单刀单掷开关SW-PB 按钮THERMISTOR 电热调节器TRANS1 变压器TRANS2 可调变压器TRIAC 三端双向可控硅TRIODE 三极真空管VARISTOR 变阻器ZENER 齐纳二极管DPY_7-SEG_DP 数码管SW-PB 开关序号英文简写元件英文名元件中文名1 Res semi Semiconductor Resistor 半导体电阻2 Cap semi Semiconductor Capacitor 半导体电容器3 Cap Var Variable or AdjustableCapacitor可变或可调电容4 Cap Pol1 Polarized Capacitor (Radial) 极化电容(径向)5 Cap Pol2 Polarized Capacitor (Axial) 极化电容(轴向)6 Cap Capacitor 电容(径向)7 Cap Pol3 Polarized Capacitor (SurfaceMount)极化电容(表面贴装)8 Cap Feed Feed-Through Capacitor 馈通电容9 Cap2 Capacitor 电容10 ResVaristorVaristor (Voltage-SensitiveResistor)压敏电阻(电压敏感电阻)11 Res Tap Tapped Resistor 抽头电阻12 Res Thermal T hermal Resistor 热敏电阻13 Rpot Potentiometer Resistor (侧调或顶调)电位器14 Rpot SM Square Trimming Potentiometer (顶调)方形电位器15 Res Bridge Resistor Bridge 电阻桥16 Bridge1 Full Wave Diode Bridge 整流桥17 Bridge2 Bridge Rectifier 整流桥集成组件(比1封装较大)18 Res Adj Variable Resistor 可变电阻19 Res3 Resistor IPC的高密度贴片电阻20 D Tunnel2 Tunnel Diode - Dependent SourceModel隧道二极管 - 依赖源模型21 D Varactor Variable Capacitance Diode 变容二极管22 D Schottky Schottky Diode 肖特基二极管23 Diode1N54023 Amp General Purpose Rectifier 3放大器通用整流器其中,cap,cap2,cap pol1和cap pol2分别如下图所示:有极性电容为电解电容,无极性电容为普通电容,电解电容的容量一般比普通电容的大,在滤波时电解电容用于滤低频,普通电容用于滤高频。
金属前介质层(PMD)金属间介质层(IMD)W 塞(WPLUG)钝化层(PaSSiVaIion)acceptor受主,如B,掺入Si中需要接受电子Acid:酸actuator 激励ADI After develop inspection 显影后检视AEI After etching inspection 蚀科后检查AFM atomic force microscopy 原子力显微ALD atomic layer deposition 原子层淀积Align mark(key):对位标记Alignment排成一直线,对平Alloy:合金Aluminum:铝Ammonia:氨水Ammonium fluoride: NHFAmmonium hydroxide: NHOHAmorphous silicon:α -Si,非晶硅(不是多晶硅) amplifier放大器AMU原子质量数Anak>g:模拟的analyzer magnet 磁分析器Angstrom: A (E-m)埃AniSOtrOPiC:各向异性(如PoLYETCH) Antimony(Sb)Warc chamber 起弧室ARC: anti-reflect coating 防反射层Argon(Ar)MArsenic Eoxide(AsO)三氧化二珅Arsenic(As)WArsine(AsH)Cassette装晶片的晶舟CD: critical dimension关键性尺寸,临界尺寸Chamber反应室Chart图表Child lot 子批chiller制冷机Chip (die)晶粒Chip:碎片或芯片。
clamp夹子CMP化学机械研磨Coater光阻覆盖(机台)Coating涂布,光阻覆盖Computer-aided design (CAD):计算机辅助设计。
Contact Hole 接触窗Control Wafer 控片Correlation:相关性。
半导体tf工艺
半导体tf工艺是指在半导体制造过程中使用的一个工艺技术,用于制造稳定和高效的半导体器件。
TF是「Thermal Field」
的缩写,意为热场,是指利用热力学和热流动学原理进行半导体加热和冷却的过程。
半导体TF工艺主要用于以下方面:
1. 清洗和去除表面杂质:在半导体制造过程中,需要对半导体材料进行清洗和去除表面杂质,以确保器件的纯净性和性能稳定性。
2. 沉积和形成薄膜:TF工艺可以用于沉积各种材料的薄膜,
如氮化硅(SiN)、氮化铟锡(InSnN)等,并形成所需的结
构和形状。
3. 热处理和退火:通过控制半导体材料的温度和热处理时间,可以改变材料的结晶度、晶格缺陷和电学性能,提高半导体器件的品质和性能。
4. 制造和形成结构:TF工艺可以用于制造和形成各种半导体
器件结构,如晶体管、二极管、电阻器等,并确保其精度和一致性。
5. 封装和封装材料:在半导体器件制造完成后,需要使用TF
工艺进行封装和封装材料的选择和加工,以保护器件和提高其可靠性。
半导体TF工艺的发展和应用对于半导体产业的进步和发展具
有重要意义,可以提高半导体器件的性能和可靠性,推动科技的进步和创新。
半导体fab是什么意思半导体fab是半导体工艺的缩写,意思是半导体工厂。
半导体fab用于生产和制造半导体元件,是半导体行业的核心设施和重要技术服务。
半导体fab是新兴技术领域的核心,为半导体行业的发展和创新提供技术支持和支撑。
半导体fab的概念可以追溯到1960年代,当时企业开始大规模生产并销售半导体器件。
到了1970年代,随着科技水平的不断提高,生产和销售半导体器件的企业也开始建立起工厂,即半导体fab,用于生产和销售半导体器件。
半导体fab建立在复杂的设计、图像科学、自动化控制、数据分析、计算机网络等科技技术基础之上。
半导体fab的建立使企业能够大规模生产集成电路(IC),特别是大规模集成电路(VLSI),是芯片的关键技术和装置,至今仍被广泛应用于产品设计和制造。
半导体fab的运营包括基础设施建设、生产技术、环境控制和平衡、设备的开发和维修、人员的培训和指导等多个方面。
半导体fab 的建设需要大量的资本建设投资,投资周期长,并且要求半导体fab 在技术、设备和流程方面不断革新,以应对市场变化和需求变化。
半导体fab具有重要的经济和技术意义。
根据一项调查,半导体fab的建设为半导体行业的发展起到了重要的作用,其经济贡献率高达80%。
另外,半导体fab的发展为行业提供了核心技术和装备,促进了半导体制造技术的发展和创新。
此外,半导体fab也对培养人才具有重要意义,已在中国培养了大批专业人员和技术人员,为我国半导体行业提供了人才支持。
半导体fab的发展改变了半导体行业的格局,为半导体制造技术的发展和创新提供了强有力的支撑。
可以预见,在未来的发展过程中,半导体fab的地位将会更加重要,对半导体行业的发展和创新将产生深远的影响。
MFG 常用英文单字Semiconductor半导体导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小,决定了电子的移动速度。
导体:金、银、铜、铁、人、水……导电系数大,传导容易绝缘体:塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不容易半导体:硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电Wafer 芯片或晶圆:原意为法国的松饼,饼干上有格子状的饰纹,与FAB内生产的芯片图形类似。
Lot 批;一批芯片中最多可以有25片,最少可以只有一片。
ID Identification的缩写。
用以辨识各个独立的个体,就像公司内每一个人有自己的识别证。
Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号,叫Wafer ID。
Lot ID 每一批芯片有自己的批号,叫Lot ID。
Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号,叫Part ID。
WIP Work In Process,在制品。
从芯片投入到芯片产品,FAB内各站积存了相当数量的芯片,统称为FAB内的WIP 。
一整个制程又可细分为数百个Stage和Step,每一个Stage所堆积的芯片,称为Stage WIP。
Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。
Super Hot Run的优先级为1,视为等级最高,必要时,当Lot在上一站加工时,本站便要空着机台等待Super Hot Run。
Hot Run的优先级为2,紧急程度比Super Hot Run次一级。
Normal的优先级为3,视为正常的等级,按正常的派货原则,或视常班向生产指令而定。
Cycle time 生产周期,FAB Cycle Time 定义为:从芯片投入到芯片产生的这一段时间。
Stage Cycle Time:Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截止。
Spec. 规格Specification的缩写。
产品在机台加工过程中,每一站均设定规格。
机台加工后,产品或控片经由量测机台量测,该产品加工后,是否在规格内。
半导体专业词汇1. ADI 显影后检查.定义:After Developing Inspection 的缩写.目的:检查黄光室制程;光刻胶覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后,如覆盖不良、显影不良等即予修改,以维护产品良率、品质。
.方法:利用目检、显微镜为之。
2. AEI 刻蚀后检查.定义:AEI即After Etching Inspection,在蚀刻制程光刻胶去除前及光刻胶去除后,分别对产品实施全检或抽样检查。
.目的:a. 提高产品良率,避免不良品外流。
b.达到品质的一致性和制程的重复性。
c.显示制程能力的指针。
d.阻止异常扩大,节省成本.通常AEI检查出来的不良品,非必要时很少作修改,因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加,生产成本增高,以及良率降低的缺点。
3. AIR SHOWER 空气洗尘室 进入洁净室的前,需穿无尘衣,因在外面更衣室的故,无尘衣上沾着尘埃,故进洁净室的前,需经空气喷洗机将尘埃吹掉。
4. AL/SI 铝/硅靶 此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar(氩)游离的离子,让其撞击此靶的表面,把Al/Si的原子撞击出来,而镀在芯片表面上,一般使用的组成为Al/Si (1%),将此当作组件与外界导线连接。
5. AL/SI/CU 铝/硅/铜 金属溅镀时所使用的原料名称,通常是称为TARGET,其成分为0.5﹪铜,1﹪硅及98.5﹪铝,一般制程通常是使用99﹪铝1﹪硅,后来为了金属电荷迁移现象、(ELECTROMIGRATION)故渗加0.5﹪铜,以降低金属电荷迁移。
6. ALUMINUN 铝 此为金属溅镀时所使用的一种金属材料,利用Ar(氩)游离的离子,让其撞击此种材料做成的靶表面,把Al的原子撞击出来,而镀在芯片表面上,将此当作组件与外界导线的连接。
7. ANGSTRON 埃 埃是一个长度单位,其大小为1公尺的百亿分之一,约为人的头发宽度的五十万分之一。
半导体fe工程师半导体FE工程师是一种专门从事半导体前端工艺工程的职业。
FE 即Front-End的缩写,指的是半导体制造过程中的前端工艺流程,也被称为半导体制程工程师。
半导体FE工程师在半导体行业中扮演着至关重要的角色,他们负责将设计好的电路转化为实际可制造的芯片产品。
作为半导体FE工程师,他们需要具备扎实的物理、化学和工艺知识。
他们需要了解半导体材料的性质和制备方法,理解半导体器件的结构和工作原理,并熟悉各种半导体制程工艺的步骤和要求。
除此之外,他们还需要熟悉各种先进的制程设备和工具的操作和维护,以及相关的测试和分析方法。
半导体FE工程师在工作中主要负责以下几个方面的内容:1. 工艺开发和优化:半导体制程是一个复杂而精密的过程,FE工程师需要通过实验和数据分析来开发和优化制程流程,以提高产品的性能和可靠性。
他们需要设计实验方案,制备样品,进行各种工艺步骤,并使用相应的设备和工具进行测试和分析。
2. 制程监控和改进:半导体制程是一个动态的过程,受到各种因素的影响。
FE工程师需要及时监控制程的各个参数和指标,发现异常情况并采取相应的措施进行调整和改进,以确保产品的质量和稳定性。
3. 缺陷分析和解决:半导体制程中常常会出现各种缺陷和故障,FE 工程师需要使用各种测试和分析方法来确定缺陷的来源和原因,并提出解决方案。
他们需要与其他相关部门和团队密切合作,共同解决问题,以确保制程的稳定性和产品的可靠性。
4. 新技术和新工艺的引入:随着半导体技术的不断发展,新的材料、工艺和设备不断涌现。
FE工程师需要及时了解和学习新技术和新工艺,评估其在实际制程中的应用潜力,并引入到公司的生产线上。
他们需要与设备供应商和研发团队密切合作,共同推动新技术的落地和产业化。
半导体FE工程师是半导体制造过程中不可或缺的一环。
他们的工作直接关系到产品的质量和性能,对整个半导体行业的发展起着重要的推动作用。
随着半导体技术的不断进步和应用领域的不断拓展,半导体FE工程师的需求也在不断增加。
半导体常用英语词汇MFG 常用英文单字Semiconductor半导体导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小,决定了电子的移动速度。
导体:金、银、铜、铁、人、水……导电系数大,传导容易绝缘体:塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不容易半导体:硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电Wafer 芯片或晶圆:原意为法国的松饼,饼干上有格子状的饰纹,与FAB内生产的芯片图形类似。
Lot 批;一批芯片中最多可以有25片,最少可以只有一片。
ID Identification的缩写。
用以辨识各个独立的个体,就像公司内每一个人有自己的识别证。
Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号,叫Wafer ID。
Lot ID 每一批芯片有自己的批号,叫Lot ID。
Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号,叫Part ID。
WIP Work In Process,在制品。
从芯片投入到芯片产品,FAB内各站积存了相当数量的芯片,统称为FAB内的WIP 。
一整个制程又可细分为数百个Stage和Step,每一个Stage所堆积的芯片,称为Stage WIP。
Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。
Super Hot Run的优先级为1,视为等级最高,必要时,当Lot在上一站加工时,本站便要空着机台等待Super Hot Run。
Hot Run的优先级为2,紧急程度比Super Hot Run次一级。
Normal的优先级为3,视为正常的等级,按正常的派货原则,或视常班向生产指令而定。
Cycle time 生产周期,FAB Cycle Time 定义为:从芯片投入到芯片产生的这一段时间。
Stage Cycle Time:Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截止。
Spec. 规格Specification的缩写。
产品在机台加工过程中,每一站均设定规格。
机台加工后,产品或控片经由量测机台量测,该产品加工后,是否在规格内。
半导体常用缩写词汇汇总
EPI 外延PM 设备维护与保养
PCW 工艺冷却水PMC 生产计划与物料控制
PLC 可编程序控制控制器
H2 氢气Sb 锑
N2 氮气As 砷
SiHCl3(TCS)三氯氢硅 B 硼
PH3 磷烷CMOS 互补金属氧化物半导体
HCl 氯化氢CMP 化学机械抛光
Hg 汞(水银)ESD静电释放
HNO3 硝酸H2O2双氧水
HF 氢氟酸MOS 金属氧化物半导体
SPC 统计过程控制PCM 工艺控制监测
MRB 异常评审委员会PCN 工艺变更通知单
CAB 变更评审委员会ECN 工程变更通知单
OCAP 失效控制计划。
指制程过程中失控时所应采取的对应措施。
是一种受控文件,包含造成异常的因素等
PSG 磷硅玻璃
TF 薄膜PVD物理气相淀积
PHO 光刻PCB 印刷电路板
DIF 扩散RF 射频
II 注入UV紫外线
CVD 化学气相淀积VPE气相外延
SPV 扩散长度Bubbler 鼓泡器
CD 关键尺寸EMO 设备紧急按钮
CD-SEM 线宽扫描电镜ScrubbLer 尾气处理器
ETCH 刻蚀(腐蚀)Coat 包硅
H2-BAKE 氢气烘烤SRP 外延层纵向电阻率分布
1号液:(NH4OH:H2O2:H2O)NH4OH : H2O2 : H2O=1 : 2 : 7,
2号液:(HCl:H2O2:H2O)HCl : H2O2 : H2O=1 : 2 : 5
3号液(Caros清洗液):(H2SO4:H2O2) H2SO4 : H2O2=3 : 1,
4#号液:H2O:HF=10:1
CV:电容-电压测试
BOE混酸:氟化铵氢氟酸混合腐蚀液液
CZ:切克劳斯基直拉法Wafer:抛光片
FZ:区熔方法THK:膜厚
Rs:电阻TTV:总厚度偏差
TIR:平整度STIR:局部平整度
LTO:背封BOW:弯曲度
CHIP:崩边SLIP:滑移线
MARK:痕迹WARP:翘曲度
CRACK:裂纹SPOT: 斑点
HAZE:发雾CROWN:皇冠,边缘突起物
OISF:氧化诱生层错ORG: 掺As单晶抛光片O2含量径向均匀性OSF:氧化层错BMV:气体流量控制阀
LIFE TIME:寿命POINT DEFECT: 点缺陷
Integrated circuit:集成电路epitaxial layer:外延层
Buried layer:埋层interface:界面
Diameter:直径chemical vapor polish 化学气相抛光
Polished surface :表面抛光back side ;反面
Front side :正面INJ:引入气体流量
DIL:稀释气体流量Autodoping:自掺杂
Sccm:毫升/每分钟Slm:升/每分钟
CDA:压缩空气PN2:工艺氮气
Cable:电缆MES:生产过程执行管理系统
SFC:生产车间集中
MDC:生产数据及设备状态信息采集分析管理系统
PDM:制造过程数据文档管理系统
MSA:量具测量系统分析
KPI:关键表现指标, 销售指标
Alarm :报警
MSA: 使用数据统计和图表的方法对测量系统的分辨率和误差进行分析
QA: 指质量管理、品质的保证、质量的评估/评价
QC: 指质量检验和控制、分析、改善和不合格品控制人员的总称
OOC/oos:
OOS:检验结果偏差超过规格、不合格
OOC : 产品质量失去控制,需要采取返工、召回等手段。
处理过程需要加入偏差报告
PDCA: 策划- 实施- 检查- 改造
ROSH: 电子产品中有害物质的含量(如Pb鉛、Cd镉、Hg 汞、六价Cr铬)见下一页!
BPM -----文件审批流程
CAB ------变更评审委员会
COC-----表示产品的一致性,不提供实测数据是一个证明
COA-----实测数据在中体现
EHS-----是环境Environment、健康Health、安全Safety的缩写
EOS------去除边缘氧化层
GRR ----Gauge Reproducibitity and Repwtabitity 测量再现性(测量设备变异)和再生性(测量人员/方法变异)
IQC------对供应商的来料进行检验
MES -----生产制造执行管理系统(面向车间的生产管理技术与实时信息系统。
快速反应、有弹性、精细化的制造业环境,提高产品质量降低生产成本。
)MO ----- 没有按制订的规程操作
OEE -----设备实际可利用时间/ 日历可利用时间;-设备理论可利用时间/ 日历可利用时间就是UPTIME
OCC-----质量改进小组
OCAP------对产生错误制订应急计划
PDIC------含光明管集成电路
SPV-----重金属杂质的含量-测试系统
SIA-----美国半导体工业协会
SWR -----special work Requirement 特殊工作需要
TEEP----设备完全有效生产率
TXIF------测量硅表面重金属杂质的含量。
是全反X射线荧光分析仪(多元素分析)
WAT-----测试系统
KPI -----绩效指标法(Key Performance Indicator,KPI),它把对绩效的评估简化为对几个关键指标的考核,将关键指标当作评估标准,把员工的绩效与关键
指标作出... 企业关键业绩指标(KPI-Key Process Indication)是通过对
组织内部某一流程的输入端、输出端的关键参数进行设置、取样、计算、
分析,衡量流程绩效...
MRB-Material Review Board 即生产评审委员会,一般由品质部、物料
部、总工办、制造厂、经营部负责人等组成。
主要负责对来料及生产中
物料的不合格情况进行评审。
MRB----- 所有异常原材料、在制品,客户
退片
PCN --- Process Change Notice 的缩写(工序改动通知)
MSA(MeasurementSystemAnalysis)----测量系统分析。
使用数理统计和图表的
方法对测量系统的分辨率和误差进行分
析,以评估测量系统的分辨率和误差对
于被测量的参数来说是否合适,并确定
测量系统误差的主要成分。