下载文档原格式
半导体常用英文缩写LED – Light Emitting Diode。
FET – Field Effect Transistor。
MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor。
JFET – Junction Field Effect Transistor。
IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor。
BJT – Bipolar Junction Transistor。
MOS – Metal Oxide Semiconductor。
PSP – Power Schottky Diode。
UJT – Unijunction Transistor。
SCR – Silicon-Controlled Rectifier。
SiC – Silicon Carbide。
HBT – Heterojunction Bipolar Transistor。
LDMOS – Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor。
HEMT – High Electron Mobility Transistor。
DFB – Distributed Feedback Laser。
PD – Photodiode。
GaP – Gallium Phosphide。
GaN – Gallium Nitride。
GaAs – Gallium Arsenide。
PJFET – Poly-Junction Field Effect Transistor。
ENSAT – Emitter Switched Bipolar Transistor。
TRIAC – Triode for Alternating Current。
JBS – Junction Barrier Schottky。
FND – Field-effect N-channel Depletion Mode。
半导体器件参英文缩写与中文全称对照半导体器件参英文缩写与中文全称对照A 宽频带放大AM 调幅CC 恒流CHOP 斩波、限幅C-MIC 电容话筒专用D 变频换流DC 直流DIFF 差分放大DUAL 配对管DUAL-GATE 双栅四极FM 调频GEP 互补类型HA 行输出级HF 高频放大（射频放大）HG 高跨导HI-IMP 高输入阻抗HI-REL 高可靠性LMP-C 阻抗变换L 功率放大MAP 匹配对管MIN 微型MIX或M 混频MW 微波NF 音频（低频）N-FET 硅N沟道场效应晶体管P-FET 硅P沟道场效应晶体管GE-N-FET 锗N沟道场效应晶体管O 振荡S 开关SW-REG 开关电源SYM 对称类TEMP 温度传感TR 激励、驱动TUN 调谐TV 电视TC 小型器件标志UHF 超高频UNI 一般用途V 前置/输入级VA 场输出级VHF 甚高频VID 视频VR 可变电阻ZF 中放V-FET V型槽MOSFETMOS-INM MOSFET独立组件MOS-ARR MOSFET陈列组件MOS-HBM MOSFET半桥组件MOS-FBM 全桥组件MOS-TPBM MOSFET三相桥组件GE-P-FET 锗P沟道场效应晶体管GaAS-FET 砷化镓结型N沟道场效应晶体管SB肖特基势垒栅场效应晶体管MES 金属半导体场效应晶体管（一般为N 沟道，若P沟道则在备注栏中注明）HEMT 高电子迁移率晶体管SENSE FET 电流敏感动率MOS场效应管SIT 静电感应晶体管IGBT 绝缘栅比极晶体管ALGaAS 铝家砷。
半导体常用词汇汇总1. 半导体 (semiconductor): 一种材料，具有介于导体和绝缘体之间的导电特性。
2. 硅 (silicon): 最常用的半导体材料之一，其化学符号为Si。
3. pn结 (pn junction): 由n型半导体和p型半导体结合而成的结构。
4. 栅极 (gate): 用于控制场效应晶体管（FET）的电流流动的电极。
5. 晶体管 (transistor): 一种用于放大和开关电信号的电子器件。
6. 集成电路 (integrated circuit): 由一系列电子器件（如晶体管、电容器等）组成的微小芯片。
7. 缺陷 (defect): 半导体中存在的材料缺陷，可以影响其性能。
8. 掺杂 (doping): 向半导体中引入杂质，以改变其电导率。
9. 导带 (conduction band): 半导体中的能带，其中电子可以自由移动。
10. 价带 (valence band): 半导体中的能带，其中电子处于较稳定的状态。
11. 能隙 (band gap): 价带和导带之间的能量差，决定了半导体的导电性质。
12. 内禀载流子 (intrinsic carrier): 在纯净半导体中由热激发产生的自由电子和空穴。
13. 唐氏理论 (Drift-Diffusion theory): 描述半导体中载流子扩散和漂移的物理模型。
14. 热噪声 (thermal noise): 由于温度引起的随机电信号。
15. 热扩散 (thermal diffusion): 载流子由高浓度区向低浓度区扩散的过程。
16. 绝缘体 (insulator): 电阻极高的材料，电流很难通过。
17. 金属 (metal): 电阻很低的材料，电流可以自由通过。
18. 肖克利效应 (Seebeck effect): 温差引起的电压差效应。
19. 过渡边沿 (rising edge): 信号从低电平向高电平变化的边缘。
半导体常用缩写词汇汇总EPI 外延PM 设备维护与保养PCW 工艺冷却水PMC 生产计划与物料控制PLC 可编程序控制控制器H2 氢气Sb 锑N2 氮气As 砷SiHCl3（TCS）三氯氢硅 B 硼PH3 磷烷CMOS 互补金属氧化物半导体HCl 氯化氢CMP 化学机械抛光Hg 汞（水银）ESD静电释放HNO3 硝酸H2O2双氧水HF 氢氟酸MOS 金属氧化物半导体SPC 统计过程控制PCM 工艺控制监测MRB 异常评审委员会PCN 工艺变更通知单CAB 变更评审委员会ECN 工程变更通知单OCAP 失效控制计划。
指制程过程中失控时所应采取的对应措施。
是一种受控文件，包含造成异常的因素等PSG 磷硅玻璃TF 薄膜PVD物理气相淀积PHO 光刻PCB 印刷电路板DIF 扩散RF 射频II 注入UV紫外线CVD 化学气相淀积VPE气相外延SPV 扩散长度Bubbler 鼓泡器CD 关键尺寸EMO 设备紧急按钮CD-SEM 线宽扫描电镜ScrubbLer 尾气处理器ETCH 刻蚀（腐蚀）Coat 包硅H2-BAKE 氢气烘烤SRP 外延层纵向电阻率分布1号液：（NH4OH:H2O2：H2O）NH4OH : H2O2 : H2O=1 : 2 : 7，2号液：（HCl：H2O2：H2O）HCl : H2O2 : H2O=1 : 2 : 53号液（Caros清洗液）：(H2SO4:H2O2) H2SO4 : H2O2=3 : 1，4#号液:H2O:HF=10:1CV：电容-电压测试BOE混酸：氟化铵氢氟酸混合腐蚀液液CZ：切克劳斯基直拉法Wafer：抛光片FZ：区熔方法THK：膜厚Rs：电阻TTV:总厚度偏差TIR：平整度STIR：局部平整度LTO：背封BOW:弯曲度CHIP:崩边SLIP：滑移线MARK:痕迹WARP：翘曲度CRACK:裂纹SPOT: 斑点HAZE：发雾CROWN：皇冠，边缘突起物OISF:氧化诱生层错ORG: 掺As单晶抛光片O2含量径向均匀性OSF：氧化层错BMV：气体流量控制阀LIFE TIME：寿命POINT DEFECT: 点缺陷Integrated circuit：集成电路epitaxial layer：外延层Buried layer：埋层interface：界面Diameter：直径chemical vapor polish 化学气相抛光Polished surface ：表面抛光back side ;反面Front side ：正面INJ：引入气体流量DIL：稀释气体流量Autodoping：自掺杂Sccm：毫升/每分钟Slm：升/每分钟CDA:压缩空气PN2：工艺氮气Cable：电缆MES：生产过程执行管理系统SFC：生产车间集中MDC：生产数据及设备状态信息采集分析管理系统PDM：制造过程数据文档管理系统MSA:量具测量系统分析KPI：关键表现指标, 销售指标Alarm ：报警MSA: 使用数据统计和图表的方法对测量系统的分辨率和误差进行分析QA: 指质量管理、品质的保证、质量的评估/评价QC: 指质量检验和控制、分析、改善和不合格品控制人员的总称OOC/oos:OOS：检验结果偏差超过规格、不合格OOC : 产品质量失去控制，需要采取返工、召回等手段。
半导体工艺英文缩写半导体工艺是半导体行业中的一个重要领域，涉及到半导体材料和器件的制造过程。
由于该领域技术含量高，专业术语较多，因此人们常常使用英文缩写来简化表达。
下面是一些常见的半导体工艺英文缩写及其解释：1.CMOS: 压缩氧化法半导体互补金属-氧化物半导体CMOS是一种常见的半导体工艺，它使用压缩氧化法在半导体材料上形成金属-氧化物半导体结构。
这种结构可以实现低功耗、低电压操作，并且在集成电路中应用广泛。
2.PVD: 物理气相沉积物理气相沉积是一种半导体材料薄膜制备的技术，它利用物理过程将固体材料转化为气体，然后在半导体表面沉积成薄膜。
这种技术可以实现高质量的薄膜制备，并且广泛用于半导体器件的制造。
3.CVD: 化学气相沉积化学气相沉积是一种半导体材料薄膜制备的技术，它利用化学反应将气体转化为固体材料，并在半导体表面沉积成薄膜。
这种技术可以实现较高的沉积速度和较大的沉积面积，并且在集成电路制造中得到广泛应用。
4.RTP: 快速热退火快速热退火是一种半导体工艺，它通过快速升温和冷却的方式来进行热处理。
这种工艺可以实现材料的结晶、再结晶和晶格调控，从而提高半导体器件的电学性能和稳定性。
5.DUV: 深紫外深紫外是一种波长较短的紫外光，通常用于半导体制造中的光刻工艺。
它具有较高的分辨率和较小的曝光误差，可以实现微细结构的制造和高精度印刷。
6.BEOL: 背端工艺背端工艺是指半导体制造中从晶圆电路层到封装层的工艺步骤，主要包括金属线路的布线、电压与数据传输的测试、集成电路封装等工作。
这些工艺步骤对于确保电路的正常运行和稳定性至关重要。
7.FEOL: 前端工艺前端工艺是指半导体制造中从晶圆加工到背端工艺之前的工艺步骤，主要包括晶圆清洁、刻蚀、沉积、光刻、扩散等工作。
这些工艺步骤对于制备高质量的半导体材料和器件起着关键作用。
总结起来，半导体工艺英文缩写是半导体行业中常用的专业术语，它简化了表达，加快了交流。
