最新存储器及其接口
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XINTF Zone访问的建立、激活和跟踪时序(TMS320F28335)XINTF是直接访问外部接口的存储器映射区域。
任何对XINTF空间的读或写操作的时序都可以分为三个阶段:建立、激活和跟踪。
在寄存器XTIMING中可以设置每个XINTF空间访问各阶段时等待的XTIMCLK周期数。
读写访问操作的时序可以独立进行配置。
除此之外,为了能够与慢速外设接口,还可以使用X2TIMING位使访问特定空间的建立、激活和跟踪等待状态延长1倍。
在建立阶段,访问空间的片选信号变为低电平,产生的地址放在地址总线上(XA)。
建立的周期可以通过XTIMING寄存器进行配置。
默认情况下,建立周期设置为最大,读写访问都是6个XTIMCLK周期。
在激活阶段访问外部设备,如果是读访问,读选通信号(XRD)变为低电平,数据锁存到DSP:如果进行的是写访问,写使能(XWE)选通信号变为低电平,数据放到数据总线(XD)上。
如果访问的空间配置为判断XREADY信号操作方式,外设可以控制XREADY信号扩展激活状态周期,使激活状态周期超过寄存器设置的等待周期。
如果不使用XREADY信号,总的激活周期就等于一个XTIMCLK加上XTIMING寄存器中设置的等待周期数。
默认情况下,读写访问的激活等待周期都是14个XTIMCLK周期。
跟踪周期是指读写选择信号变为高电平后,保持片选信号低电平的一段时间。
在XTIMING 寄存器中可以设置跟踪周期的XTIMCLK的个数。
默认情况下,跟踪周期设置为最大,读写访问都是6个XTIMCLK周期。
根据系统设计的要求,可以配置空间的建立、激活和跟踪周期长度,以适合具体外设接口的访问。
在配置过程中,需要考虑以下几个问题:1.最小等待状态的需要;2.XINTF的时序特性,参考相应的数据手册;3.外部器件的时序特性;4.C28x芯片和外设间的附加延时。
在配置的过程中,一定要配合外部器件的时序进行配置,不然会造成读取写入的数据错误。
TMS320DM6437 DMP介绍TMS320DM6437 Digital Media Processor—一种高性能数字媒体处理器:VelociTI.2结构DSP内核,先进超长指令字(VLIW)C64x+指令集特性C64x+ L1/L2存储器结构口仅支持小端模式视频处理子系统(VPSS)外部存储器接口(EMIF)增强型直接存储器访问控制器(EDMA):64个独立通道1个64位看门狗定时器2个UART(带RTS和CTS流控信号)主/从I2C总线控制器两个多通道缓冲串行接口(McBSP)多通道音频串行接口(McASP0)高端CAN控制器(HECC)16位主机接口(HPI)32位、33MHz、3.3V PCI主从接口10/100Mb/s以太网MAC(EMAC)VL YNQ接口(FPGA 接口)VL YNQTM接口(FPGA 接口)片上ROM Bootloader独特的节电模式灵活的PLL时钟产生器IEEE-1149.1(JTAG)多达111个GPIO(与其他功能复用)引脚及封装3.3V/1.8V I/O;1.2V/1.05V内部一、DaVinci DM6437 概述TMS320C64x DSP内核:TMS320DM6437是专门为高性能、低成本视频应用开发的、32位定点DSP达芬奇(DaVinci(TM)) 技术的处理器。
该器件采用TI第2代超长指令字(VLIW)结构(VelociTI.2)的TMS320C64x+ DSP内核,主频可达700MHz,支持8个8位或4个16位并行MAC (multiply-accumulates)运算,峰值处理能力高达5600MIPS。
> C64x片内有2个数据通道、8个功能单元和2个通用寄存器文件(A和B)。
8个功能单元(2个乘法器和6个算术逻辑单元)用于提高影像和图像应用的性能。
每个通用寄存器文件包含32个32-bit寄存器。
这些通用寄存器可以用做数据指针或者数据地址指针。
1.8088CPU的存储器组织
8088有20根地址线,可寻址的最大内存空间为220=1MB,地址范围为00000H~FFFFFH。
每个存储单元对应一个20位的地址,这个地址称为存储单元的物理地址。
每个存储单元都有唯一的一个物理地址。
8088将可直接寻址的1MB的内存空间划分成一些连续的区域,称为段。
每段的长度最大为64KB,并要求段的起始地址必须能被16整除,形式如XXXX0H。
8088将XXXXH称为段基址,存储在段寄存器CS、DS、SS、ES中。
段基址决定了该段在1MB内存空间中的位置。
段内各存储单元地址相对于该段起始单元地址的位移量称为段内偏移量。
段内偏移量从0开始,取值范围0000H~FFFFH。
分段管理要求每个段都由连续的存储单元构成,并且能够独立寻址,而且段和段之间允许重叠。
根据8088CPU分段的原则,1MB的存储空间中有216=64K个地址符合要求,这使得理论上程序可以位于存储空间的任何位置。
程序中使用的存储器地址是由段基址和段内偏移地址组成,这种在程序中使用的地址称为逻辑地址。
逻辑地址通常写成XXXXH:YYYYH的形式,其中XXXXH为段基址,YYYYH为段内偏移地址。
段基址和偏移地址与物理地址之间的关系如下:
物理地址=段基址×10H+段内偏移
段基址乘以10H相当于把16位的段基址左移4位,然后再与段内偏移地址相加就得到物理地址。
例如,逻辑地址A562H:9236H对应的物理地址是AE856H。
A562H×10H=A5620H
A5620H+9236H=AE856H。
USB I nterface T echnology for Memory Controlled By MCUWANG Gang1 LI Weihua1 LI Bing21.Southeast Univer sity Electronics Department,Nanjing210018,P.R.China;2.Southeast Univer sity Electronics Department,Wuxi Branch o f Southeast Univer sity,Nanjing210096,P.R.China.Abstract: There exists a contradiction between trans fer speed and system res ources possessed by interface when using traditional serial interface(RS232、RS485)or parallel interface as the interface between mem ory and PC controlled by MC U.The system always trans fers data via MC U and occupies lots of CPU’s time.The trans fer is very inefficient.Uni2 versal Serial Bus(US B)provides a new method for data trans fer that is different from traditional MC U ing US B and DM A m ode,the data trans fer is m ore effective,economic,faster and convenient than traditional method.In this pa2 per,we have a statement about the method that uses US B and DM A m ode for fully autonom ous data trans fer between mem ory and PC.K ey w ords: US B;DM A;Data;trans ferEEACC: 1265MCU控制存储器的US B接口技术王 刚1 李伟华1 李 冰21.东南大学电子工程系,南京 210018;2.东南大学电子工程系,东南大学无锡分校,南京 210096摘要:采用传统串口(RS232、RS485)或者并口作为MC U控制的存储器的接口,存在传输速度与占用系统资源之间的矛盾。
Flash 存储器及其在MCS-51系统中的应用收稿日期:2004-10-11作者简介:刘文洲(1967,2-),男(汉),吉林,高级工程师主要研究微型计算机控制技术及风力发电。
刘文洲1,王贤勇2,任纪川2,孟祥萍3(11长春工程学院爱华公司;21东北电力学院,吉林132012;31电气工程系,长春130012)摘 要:介绍了Flash 存储器的特性和应用场合,在16位地址总线中扩展大容量存储的一般方法。
讨论了MCS-51系列单片机与Flash 存储器的硬件接口方式和软件编程过程,以及在应用中应该注意的问题,并以W29C040为例,给出了实际原理图和有关实现。
关键词:Flash 存储器;单片机;MCS-51;系统扩展中图分类号:TP36811文献标识码:A 文章编号:100928984(2005)01200552041 Flash 存储器的特性和应用场合Flash 存储器是在EPROM 和EEPROM 的制造技术基础上发展起来的一种可擦除、非易失性存储元件。
1983年Intel 公司提出EPROM 隧道氧化层E 2TOX (EPROMTunnelOxide )原理,1988年推出了可快速擦写的非易失性存储器FlashMemory,随后Toshi 2ba 公司又推出基于FowlerNordheim 的冷电子擦除原理和EEPROM 的NAND 体系结构的FlashMemory 。
根据采用的工艺不同,FlashMemory 至少有以下5种常用的体系结构:最初的2种占主流的是Intel的“或非”(NOR )型和Toshiba 的“与非”(NAND )型,后来Hitachi 和Mitsubishi 在NOR 型的基础上吸收NAND 型的优点分别开发出“与”(AND )型和采用划分位线技术的DiNOR (Dividedbit-lineNOR )型,另外美国Sundisk 则采用一种独特的Triple-Poly 结构来提高存储器的密度。
实训二计算机主板和主机背板接口详细图解Last revision date: 13 December 2020.主板接口详细图解主板内存插槽、扩展插槽及磁盘接口:DDR2内存插槽DDR3内存插槽内存规范也在不断升级,从早期的SDRAM到DDR SDRAM,发展到现在的DDR2与DDR3,每次升级接口都会有所改变,当然这种改变在外型上不容易发现,如上图第一副为DDR2,第二幅为DDR3,在外观上的区别主要是防呆接口的位置,很明显,DDR2与DDR3是不能兼容的,因为根本就插不下。
内存槽有不同的颜色区分,如果要组建双通道,您必须使用同样颜色的内存插槽。
目前,DDR3正在逐渐替代DDR2的主流地位,在这新旧接替的时候,有一些主板厂商也推出了Combo主板,兼有DDR2和DDR3插槽。
主板的扩展接口,上图中蓝色的为PCI-E X16接口,目前主流的显卡都使用该接口。
白色长槽为传统的PCI接口,也是一个非常经典的接口了,拥有10多年的历史,接如电视卡之类的各种各样的设备。
最短的接口为PCI-E X1接口,对于普通用户来说,基于该接口的设备还不多,常见的有外置声卡。
有些主板还会提供迷你PCI-E接口,用于接无线网卡等设备SATA2与IDE接口横向设计的IDE接口,只是为了方便理线和插拔SATA与IDE是存储器接口,也就是传统的硬盘与光驱的接口。
现在主流的Intel主板都不提供原生的IDE接口支持,但主板厂商为照顾老用户,通过第三方芯片提供支持。
新装机的用户不必考虑IDE设备了,硬盘与光驱都有SATA版本,能提供更高的性能。
SATA3接口SATA已经成为主流的接口,取代了传统的IDE,目前主流的规范还是SATA s,但已有很多高端主板开始提供最新的SATA3接口,速度达到s。
如上图,SATA3接口用白色与SATA2接口区分。
主板其他内部接口介绍:4PIN CPU供电接口8PIN CPU供电接口随着CPU的功耗的升高,单靠CPU接口的供电方式已经不能满足需求,因此早在Pentium 4时代就引入了一个4PIN的12V接口,给CPU提供辅助供电。
第10章存储器及其接口典型试题一.填空题1.只读存储器ROM有如下几种类型:____。
答案:掩膜ROM、PROM、EPROM、E2PROM2.半导体存储器的主要技术指标是____。
答案:存储容量、存储速度、可靠性、功耗、性能/价格比3.在16位微机系统中,一个存储字占用两个连续的8位字节单元,字的低8位存放在____、高8位存放在____。
答案:低地址单元、高地址单元4.SRAM芯片6116(2K×8B)有____位地址引脚线、____位数据引脚线。
答案:11 85.在存储器系统中,实现片选控制有三种方法,它们是____。
答案:全译码法、部分译码法、线选法6.74LS138译码器有三个“选择输入端”C、B、A及8个输出端,当输入地址码为101时,输出端____有效。
答案:7.半导体静态存储器是靠____存储信息,半导体动态存储器是靠____存储信息。
答案:触发器电荷存储器件8.对存储器进行读/写时,地址线被分为____和____两部分,它们分别用以产生____和____信号。
答案:片选地址片内地址芯片选择片内存储单元选择二.单项选择题1.DRAM2164(64K×1)外部引脚有()。
A.16条地址线、2条数据线B.8条地址线、1条数据线C.16条地址线、1条数据线D.8条地址线、2条数据线分析:从芯片容量(64K×1B)来看,有64K个编址单元,应有16条地址线(216=64K)。
但DRAM芯片集成度高、容量大、引脚数量不够,一般输入地址线采用分时复用锁存方式,即将地址信号分成二组、共用一组线,分两次送入片内。
而2164却有二条数据线,一条作为输入,一条作为输出。
答案:D 2.8086能寻址内存贮器的最大地址范围为()。
A.64KBB.512KBC.1MBD.16KB分析:8086有20条地址总线A0~A19,它可以表示220=1M个不同的状态。
答案:C3.若用1K×4的芯片组成2K×8的RAM,需要()片。
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存储器的种类、特性和结构
一、 分类
按元件组成:半导体M,磁性材料存储器(磁芯),
激光存储器
按工作性质:内存储器:速度快,容量小(64K〜8Gbyte)
外存储器:速度慢,容量大(20MB〜640GB)
二、半导体存储分类
RAM
SRAM 静态
DRAM 动态
IRAM 集成动态
ROM
掩膜ROM
PROM 可编程
EPROM 可改写
E PROM 可电擦除
三、内存储器性能指标
1. 容量 M可容纳的二进制信息量,总位数。
总位数=字数×字长 bit,byte,word
2. 存取速度
内存储器从接受地址码,寻找内存单元开始,到它
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取出或存入数据为止所需的时间,T
A。
TA 越小,计算机内存工作速度愈高,半导体M存储
时间为 几十ns〜几百ns ns=mus
3.功耗
维持功耗 操作功耗
CMOS NMOS TTL ECL
(低功耗.集成度高) (高速.昂贵.功耗高)
4、可靠性
平均故障间隔时间
MTBF(Mean Time Between Failures)
越长,可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关.
5、集成度
位/片 1K位/片〜1M位/片
在一块芯片上能集成多少个基本存储电路
(即一个二进制位)
四、存储器的基本结构
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随机存储器 RAM 或读写存储器
一、基本组成结构
存储矩阵
寄存二进制信息的基本存储单元的集合体,为便于读写,基本 存储单元都排
列成一定的阵列,且进行编址。
N×1—位结构:常用于较大容量的SRAM,DRAM
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N×4
N×8 —字结构 常用于较小容量的静态SRAM
2、地址译码器
它接收来自CPU的地址信号,产生地址译码信号。选中
存储矩阵中某一个或几个基本存储单元进行读/写操作
两种编址方式:
单译码编址方式. 双译码编址方式
(字结构M) (复合译码)
存储容量
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