存储器及其接口
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第五章存储器及其接口1.单项选择题(1)DRAM2164(64K╳1)外部引脚有()A.16 条地址线、2 条数据线B.8 条地址线、1 条数据线C.16 条地址线、1 条数据线 D.8 条地址线、2 条数据线(2)8086 能寻址内存贮器的最大地址范围为()A.64KBB.512KBC.1MBD.16KB(3)若用1K╳4b的组成2K╳8b的RAM,需要()。
A.2 片 B.16 片 C.4 片 D.8 片(4)某计算机的字长是否 2 位,它的存储容量是 64K 字节编址,它的寻址范围是()。
A.16K B.16KB C.32K D.64K(5)采用虚拟存储器的目的是()A.提高主存的速度 B.扩大外存的存储空间C.扩大存储器的寻址空间 D.提高外存的速度(6)RAM 存储器器中的信息是()A.可以读/写的 B.不会变动的C.可永久保留的D.便于携带的(7)用2164DRAM 芯片构成8086 的存储系统至少要()片A.16 B.32 C.64 D.8(8)8086 在进行存储器写操作时,引脚信号 M/IO 和 DT/R 应该是()A.00 B。
01 C。
10 D。
11(9)某SRAM 芯片上,有地址引脚线12 根,它内部的编址单元数量为()A.1024 B。
4096 C。
1200 D。
2K(11)Intel2167(16K╳1B)需要()条地址线寻址。
A.10 B.12 C.14 D.16(12)6116(2K╳8B)片子组成一个 64KB 的存贮器,可用来产生片选信号的地址线是()。
A.A0~A10B。
A~A15C。
A11~A15D。
A4~A19(13)计算一个存储器芯片容量的公式为()A.编址单元数╳数据线位数B。
编址单元数╳字节C.编址单元数╳字长D。
数据线位数╳字长(14)与 SRAM 相比,DRAM()A.存取速度快、容量大B。
存取速度慢、容量小C.存取速度快,容量小D。
存取速度慢,容量大(15)半导动态随机存储器大约需要每隔()对其刷新一次。
存储器接口类型存储器接口类型可分为:异步存储器接口和同步存储器接口两大类型。
异步存储器接口类型是最常见的,也是我们最熟知的,MCU一般均采用此类接口。
相应的存储器有:SRAM、Flash、NvRAM…等,另外许多以并行方式接口的模拟/数字I/O器件,如A/D、D/A、开入/开出等,也采用异步存储器接口形式实现。
同步存储接口相对比较陌生,一般用于高档的微处理器中,TI DSP中只有C55x和C6000系列DSP包含同步存储器接口。
相应的存储器有:同步静态存储器:SBSRAM和ZBTSRAM,同步动态存储器:SDRAM,同步FIFO等。
SDRAM可能是我们最熟知的同步存储器件,它被广泛用作PC机的内存。
C2000、C3x、C54x系列DSP只提供异步存储器接口,所以它们只能与异步存储器直接接口,如果想要与同步存储器接口,则必须外加相应的存储器控制器,从电路的复杂性和成本的考虑,一般不这么做。
C55x、C6000系列DSP不仅提供了异步存储器接口,为配合其性能还提供了同步存储器接口。
C55x和C6000系列DSP的异步存储器接口主要用于扩展Flash和模拟/数字I/O,Flash 主要用于存放程序,系统上电后将Flash中的程序加载到DSP片内或片外的高速RAM中,这一过程我们称为BootLoader同步存储器接口主要用于扩展外部高速数据或程序RAM,如SBSRAM、ZBTSRAM或SDRAM等。
如何设计DSP系统的外部存储器电路,即DSP如何正确地与各种类型的存储器芯片接口。
是存储器设计中的难点。
另外,在DSP外部存储器电路设计中经常会遇到下列一些问题:1.DSP提供的外部存储器接口信号与存储器芯片所需要的接口信号不完全一致,某些DSP支持多种数据宽度的访问,如8/16/32位数据宽度等,存储器电路中如何实现?2.数据线、地址线在PCB布线时,为了走线方便,经常会进行等效交换,哪些存储器可以作等效交换、哪些不行?异步存储器:Flash对于flash,读操作与SRAM相同,擦除和写入操作以命令序列形式给出,厂商不同,命令序列可能稍有不同写入命令序列后,Flash自动执行相应操作,直到完成,随后自动转为读状态。
微机存储器读写及接口应用实验体会
在进行《微机存储器读写及接口应用实验》的过程中,我收获颇丰。
首先,通过实验,我对计算机存储器的工作原理有了更深入的理解。
存储器是计算机中用于存储数据的部件,分为随机存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。
通过实验,我学会了如何使用编程语言控制存储器的读写操作,从而实现了对内存中的数据进行修改。
这使我更加熟悉了计算机硬件的运行机制,为今后的学习和工作打下了坚实的基础。
实验过程中,我学会了如何使用各种接口与存储器进行通信。
例如,通过I2C接口,我们可以实现对EEPROM、实时时钟等设备的读写操作;通过SPI接口,我们可以实现对FLASH等闪存存储器的读写操作。
这些接口的应用使得我们能够更加灵活地控制存储器,满足不同场景下的需求。
同时,我也学会了如何使用汇编语言编写程序来控制这些接口,提高了自己的编程能力。
实验还让我认识到了计算机系统的重要性。
一个完整的计算机系统包括中央处理器(CPU)、内存、输入输出设备等多个组成部分。
各个部分之间需要通过总线进行通信,共同完成复杂的任务。
通过实验,我学会了如何设计和搭建一个简单的计算机系统,这使我对计算机系统的结构有了更加清晰的认识。
《微机存储器读写及接口应用实验》是一次非常有益的学习经历。
通过这次实验,我不仅加深了对计算机存储器工作原理的理解,还学会了如何使用各种接口与存储器进行通信。
同时,实验也让我认识到了计算机系统的重要性和复杂性。
这些知识和技能对我今后的学习和工作具有重要的指导意义。
第10章存储器及其接口典型试题一.填空题1.只读存储器ROM有如下几种类型:____。
答案:掩膜ROM、PROM、EPROM、E2PROM2.半导体存储器的主要技术指标是____。
答案:存储容量、存储速度、可靠性、功耗、性能/价格比3.在16位微机系统中,一个存储字占用两个连续的8位字节单元,字的低8位存放在____、高8位存放在____。
答案:低地址单元、高地址单元4.SRAM芯片6116(2K×8B)有____位地址引脚线、____位数据引脚线。
答案:11 85.在存储器系统中,实现片选控制有三种方法,它们是____。
答案:全译码法、部分译码法、线选法6.74LS138译码器有三个“选择输入端”C、B、A及8个输出端,当输入地址码为101时,输出端____有效。
答案:7.半导体静态存储器是靠____存储信息,半导体动态存储器是靠____存储信息。
答案:触发器电荷存储器件8.对存储器进行读/写时,地址线被分为____和____两部分,它们分别用以产生____和____信号。
答案:片选地址片内地址芯片选择片内存储单元选择二.单项选择题1.DRAM2164(64K×1)外部引脚有()。
A.16条地址线、2条数据线B.8条地址线、1条数据线C.16条地址线、1条数据线D.8条地址线、2条数据线分析:从芯片容量(64K×1B)来看,有64K个编址单元,应有16条地址线(216=64K)。
但DRAM芯片集成度高、容量大、引脚数量不够,一般输入地址线采用分时复用锁存方式,即将地址信号分成二组、共用一组线,分两次送入片内。
而2164却有二条数据线,一条作为输入,一条作为输出。
答案:D 2.8086能寻址内存贮器的最大地址范围为()。
A.64KBB.512KBC.1MBD.16KB分析:8086有20条地址总线A0~A19,它可以表示220=1M个不同的状态。
答案:C3.若用1K×4的芯片组成2K×8的RAM,需要()片。
存储器的种类、特性和结构
一、分类
按元件组成:半导体M,磁性材料存储器(磁芯),
激光存储器
按工作性质:内存储器:速度快,容量小(64K〜8Gbyte)
外存储器:速度慢,容量大(20MB〜640GB)二、半导体存储分类
RAM
SRAM 静态
DRAM 动态
IRAM 集成动态
ROM
掩膜ROM
PROM 可编程
EPROM 可改写
E PROM 可电擦除
三、内存储器性能指标
1. 容量M可容纳的二进制信息量,总位数。
总位数=字数×字长bit,byte,word
2. 存取速度
内存储器从接受地址码,寻找内存单元开始,到它
取出或存入数据为止所需的时间,T A。
T A越小,计算机内存工作速度愈高,半导体M存储
时间为几十ns〜几百ns ns=mus
3.功耗
维持功耗操作功耗
CMOS NMOS TTL ECL
(低功耗.集成度高)(高速.昂贵.功耗高)
4、可靠性
平均故障间隔时间
MTBF(Mean Time Between Failures)
越长,可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关. 5、集成度
位/片1K位/片〜1M位/片
在一块芯片上能集成多少个基本存储电路
(即一个二进制位)
四、存储器的基本结构
随机存储器RAM 或读写存储器
一、基本组成结构
存储矩阵
寄存二进制信息的基本存储单元的集合体,为便于读写,基本存储单元都排列成一定的阵列,且进行编址。
N×1—位结构:常用于较大容量的SRAM,DRAM
N×4
N×8 —字结构常用于较小容量的静态SRAM
2、地址译码器
它接收来自CPU的地址信号,产生地址译码信号。
选中存储矩阵中某一个或几个基本存储单元进行读/写操作
两种编址方式:
单译码编址方式. 双译码编址方式
(字结构M)(复合译码)
存储容量。