ASIC课程-基于Cadence实现的SRAM Structure设计与仿真

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中北大学

微电子科学与工程

ASIC设计实践设计报告书

设 计 题 目: SRAMStructure的设计与仿真

班 级: xxx

姓 名: xxx

学 号: xxx 2016年 5 月 21 日

目 录

目录

SRAMStructure设计与仿真实验报告书 ................................................ 1

一. 实验目的 ..................................................................................................... 1

二. 实验内容及原理 ......................................................................................... 1

1. 实验内容 ................................................................................................................. 1

2. 实验原理 ................................................................................................................. 1

三. 实验步骤及实验结果 ................................................................................. 1

1. 前仿真Spice网表文件 .......................................................................................... 1

2. 前仿真波形 ............................................................................................................. 4

3. SRAMStructure版图绘制(virtuso) ................................................................... 5

4. 版图的gds文件 ...................................................................................................... 5

5. DRC验证无错截图 ................................................................................................ 6

6. LVS报告 ................................................................................................................. 7

7. LPE得到的PRENET.DAT文件 ............................................................................ 9

8. Post Layout Simulation的spice网表文件 .......................................................... 10

9. 后仿波形 ............................................................................................................... 11

四. 设计心得与体会 ....................................................................................... 12

五. 结束语 ....................................................................................................... 12 参考文献 ................................................................................................. 13

微电子科学与工程ASIC设计实践报告书

1 SRAMStructure设计与仿真实验报告书

一. 实验目的

(1). 学会编写SRAMStructure的网表文件;

(2). 熟练使用Cadence IC绘制SRAMStructure的版图;

(3). 熟练使用H-Spice进行SRAMStructure的前仿真与后仿真。

二. 实验内容及原理

1. 实验内容 (1). SRAMStructure的前仿真网表文件编写

(2). SRAMStructure的电路前仿真

(3). 绘制SRAMStructure的版图

(4). 对版图做DRC验证(Diva)

(5). 对版图和原理图做LVS验证(Dracula)

(6). 做LPE参数与提取(Dracula)

(7). Post Layout Simulation(后仿真) 2. 实验原理 (1). DRC:对 IC 版图做几何空间检查,以确保线路能够被特定加工工艺实现。(Design Rules Check)

(2). ERC:检查电源、地的短路,悬空器件和节点等电气特性。(Electrinic Rules Check)

(3). LVS:将版图与电路原理图做对比,以检查电路的连接,与MOS的长宽值是否匹配。(Layout Versus Schematic)

(4). LPE:从版图数据库提取电气参数(如MOS的W、L值BJT、二极管的面积,周长,结点寄生电容等)并以Hspice 网表方式表示电路。(Layout Parasitic Extraction)

三. 实验步骤及实验结果

1. 前仿真Spice网表文件 *XDEC

**************************************LIBRARY***********************************.INCLUDE "hua05.sp"

微电子科学与工程ASIC设计实践报告书

2 .GLOBAL VDD GND

**************************************TRICELL************************************

.SUBCKT TRICELL XADR EN OUTA OUTB

*MOS drain ploy source base TYPE W L

M1 ENB EN VDD VDD PMOS W=12U L=0.6U

M2 ENB EN GND GND NMOS W=4U L=0.6U

M3 1 XADR VDD VDD PMOS W=6U L=0.6U

M4 T1 ENB 1 VDD PMOS W=6U L=0.6U

M5 T1 EN 2 GND NMOS W=4U L=0.6U

M6 2 XADR GND GND NMOS W=4U L=0.6U

M7 OUTA T1 VDD VDD PMOS W=12U L=0.6U

M8 OUTA T1 GND GND NMOS W=6U L=0.6U

M9 T11 T1 VDD VDD PMOS W=12U L=0.6U

M10 T11 T1 GND GND NMOS W=4U L=0.6U

M11 OUTB T11 VDD VDD PMOS W=12U L=0.6U

M12 OUTB T11 GND GND NMOS W=4U L=0.6U

.ENDS TRICELL

************************************AND2**************************************

.SUBCKT AND2 A B OUT

*MOS drain ploy source base TYPE W L

M1 Y1 A VDD VDD PMOS W=10u L=0.6U

M2 Y1 B VDD VDD PMOS W=10u L=0.6U

M3 Y1 B N1 GND NMOS W=5u L=0.6U

M4 N1 A GND GND NMOS W=5u L=0.6U

M5 OUT Y1 VDD VDD PMOS W=10U L=0.6U

M6 OUT Y1 GND GND NMOS W=5U L=0.6U

.ENDS AND2

**************************************DFF**************************************

.SUBCKT DFF D CLK Q

微电子科学与工程ASIC设计实践报告书

3 *MOS drain ploy source base TYPE W L

M1 NCLK CLK VDD VDD PMOS W=5u L=0.6U

M2 NCLK CLK GND GND NMOS W=5u L=0.6U

M3 D CLK D1 VDD PMOS W=10u L=0.6U

M4 D NCLK D1 GND NMOS W=10u L=0.6U

M5 D1 D11 VDD VDD PMOS W=2u L=1u

M6 D1 D11 GND GND NMOS W=2u L=2u

M7 D11 D1 VDD VDD PMOS W=30u L=0.6U

M8 D11 D1 GND GND NMOS W=15u L=0.6U

M9 D11 NCLK D111 VDD PMOS W=15u L=0.6U

M10 D11 CLK D111 GND NMOS W=15u L=0.6U

M11 D111 Q VDD VDD PMOS W=2u L=1u

M12 D111 Q GND GND NMOS W=2u L=2u

M13 Q D111 VDD VDD PMOS W=80u L=0.6U

M14 Q D111 GND GND NMOS W=50u L=0.6U

.ENDS DFF

**************************************SRAMSTRUCTURE********************************