va vs规格

聚积科技2007 台湾新竹市埔顶路18号6F之4 电话：+886-3-579-0068，传真：+886-3-579-7534 E-mail: info@ - 1 - 规格书 MBI5024 16位等电流LED驱动器

2007年5月，VA.01特色 z 16个等电流输出通道 z 等电流输出值不受输出端负载电压影响 等电流范围值， 3–45mA@VDD=5V； 3–30mA@VDD=3.3V z 极为精确的电流输出值， 通道间最大差异值：<±3％； 芯片间最大差异值：<±6％。 z 利用一个外接电阻，可设定电流输出值 z 快速的输出电流响应，OE(一般值)：100ns z 高达 25MHz时钟频率 z 具 Schmitt trigger 输入装置 z 操作电压：3.3/5伏特 z “Pb-Free & Green”封装 产品说明 MBI5024是利用最新PrecisionDrive™技术，专为 LED 显示面板设计的驱动IC，它内建的 CMOS位移缓存器与栓锁功能，可以将串行的输入数据转换成平行输出数据格式。MBI5024的输入电压范围值为3.3伏特至5伏特，提供16个电流源，可以在每个输出级提供 3 - 45 mA定电流量以驱动 LED；且单一颗IC内输出通道的电流差异小于±3%；多颗IC间的输出电流差异小于±6%；电流随着输出端耐受电压(VDS)变化，被控制在每伏特0.1%；且电流受供给电压(VDD)、环境温度的变化也被控制在1%。使用者可以经由选用不同阻值的外接电阻器来调整 MBI5024各输出级的电流大小，藉此机制，使用者可精确地控制LED的发光亮度。 MBI5024的设计保证其输出级可耐压17伏特，因此可以在每个输出端串接多个LED。此外，MBI5024亦提供25MHz的高时钟频率以满足系统对大量数据传输上的需求。 电流精确度 通道间 芯片间 条件 <±3% <±6% IOUT=3mA~30mA@VDS=0.7V; VDD=3.3V IOUT=3mA~45mA@VDS=0.7V; VDD=5.0V Shrink SOP GP/GPA: SSOP24L-150-0.64 Small Outline PackageGF: SOP24L-300-1.00 MBI5024 16位等电流LED驱动器

TR-5000 Series A-6治具規格 (Ver.1.0) 1/21

TR-5000 Series

治具規格

Test Research, Inc.

April, 2004

Better Testing Better Quality ©Test Research, Inc. TR-5000 Series A-6治具規格 (Ver.1.0) 2/21

A-6 TR-5001 治具規格 (TR-5001 Fixture Specification ).................................3

A-6-6壓床治具User Relay Card接線........................................................18

A-6-7壓床行程調整及壓床結構..................................................................19

A-6-1壓床治具介面(Vacuum Type Fixture Interface)...................................3

A-6-2壓床治具電源接線...............................................................................6

A-6-3壓床治具OBP Board接線.................................................................11

A-6-4壓床治具Buffer Card接線................................................................14

A-6-5壓床治具TestJet接線.......................................................................17

1 mos厄利电压va

在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，厄利电压（Early voltage）通常用符号VA表示。厄利电压是一个重要的参数，它定义为在MOSFET的输出特性曲线（I-V curve）上，当集电极电流（drain current）达到其最大值一半时的集电极-源极电压（Vds）。这个定义是在长沟道MOSFET的情况下提出的，对于短沟道和超短沟道器件，这个定义可能需要做一些调整。

厄利电压的物理意义在于，它反映了MOSFET在饱和区的行为，即当器件的沟道已经完全导电，集电极电流不再随集电极-源极电压的增加而增加时的电压值。在这个电压下，器件的输出阻抗开始下降，因为集电极电流的增加不再需要额外的电压变化。

在实际应用中，厄利电压是衡量MOSFET开关性能的一个重要指标。一个较低的厄利电压意味着器件在饱和区的电压降较小，这有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度。然而，厄利电压也与器件的耐压能力相关，一个较低的厄利电压可能意味着器件的耐压能力较弱。

需要注意的是，厄利电压并不是所有MOSFET规格书都会提供的参数，特别是对于非标准的或特殊的器件。在设计和评估电路时，应该参考具体器件的数据手册以获取准确的厄利电压值。

5HOW TO ORDER

Technical Data:All technical data relate to an ambient temperature of +25°C

Capacitance Range:0.1 µF to 2200 µFCapacitance Tolerance:±10%; ±20%

Rated Voltage (VR)Յ+85°C:

2.5

4

6.3

10

16

20

253550

Category Voltage (VC)

Յ+125°C:1.72.7 4 71013172333

Surge Voltage (VS)Յ+85°C: 3.35.28132026324665

Surge Voltage (VS)Յ+125°C:2.23.4581316202840

Temperature Range:-55°C to +125°C

Reliability:1% per 1000 hours at 85°C, VRwith 0.1Ω/Vseries impedance,

60% confidence level

Qualification:CECC 30801 - 005 issue 2

EIA 535BAAC

Meets requirements of AEC-Q200TAJ SeriesStandard Tantalum

TECHNICAL SPECIFICATIONSCASE DIMENSIONS:millimeters (inches)

CodeEIAL±0.20 (0.008)W+0.20 (0.008)H+0.20 (0.008)W1±0.20 (0.008)A+0.30 (0.012)S Min.Code-0.10 (0.004)-0.10 (0.004)-0.20 (0.008)

A3216-183.20 (0.126)1.60 (0.063)1.60 (0.063)1.20 (0.047)0.80 (0.031)1.10 (0.043)