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GM8905C数据手册

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2015.3 成都振芯科技股份有限公司GM8905C版本记录：1.0 当前版本时间：2015年3月新旧版本改动比较：旧版文档页数当前版本文档页数主题（和旧版本相比的主要变化）如果您有技术、交付或价格方面的任何问题，请联系成都振芯科技股份有限公司的相关办公室或当地的代理商，或访问官方网站：谢谢！编制时间：2015年3月由成都振芯科技股份有限公司发布发布地点：成都成都振芯科技股份有限公司版权所有1 概述GM8905C 型24位FPD-LINK II 发送器，其主要功能是实现将并行的24bit 的RGB 数据以及3位控制信号（HS/VS/DE ）转换为1路高速差分信号输出。

芯片内部集成终端电阻，可通过外部I/0或I 2C 总线进行配置，支持power down 模式。

芯片core 电源V DDn 为1.8V ，IO 电源V DDIO 可支持3.3V 和1.8V 两种电压。

该芯片的主要应用领域是视频图像的高速传输，采用1对差分传输线缆即可实现视频信号传输，极大提高了视频图像传输系统的集成度。

2 特征a ） 工作温度范围：-40℃～85℃；b ） 电源电压V DDn ：1.8V ；c ） 电源电压V DDIO ：3.3V 或1.8V ；d ） 封装形式：QFN48；e ） 器件等级：工业级。

3 封装及引脚功能说明本器件采用48引线的方形扁平无引脚封装（QFN48），引脚排序如下所示。

B[6]B[7]B[5]B[4]B[3]B[2]B[1]B[0]R[6]R[7]R[5]R[4]R[3]R[2]R[1]R[0]G[6]G[7]G[5]G[4]G[3]G[2]G[1]G[0]HS VS DE ID[x]VDDL SCL SDAPCLK RFBCONFIG[0]C O N F I G [1]V D D PR E S 0R E S 1V D D H SR E S 2D O U T -D O U T +P D BV D D T XD e -E m p hV O D S E L图 1 GM8905C 引脚排布图该芯片的各引脚功能描述见表1：表1 引脚描述管脚名 序号 类型 描述 LVCMOS 并行接口R[7:0] 34, 33, 32, 29,28, 27, 26, 25I, LVCMOSw/ pull-downRED 并行数据输入端(MSB = 7, LSB = 0)G[7:0] 42, 41, 40, 39,38, 37, 36, 35I, LVCMOSw/ pull-downGREEN并行数据输入端(MSB = 7, LSB = 0)B[7:0]2, 1, 48, 47,46, 45, 44, 43I, LVCMOSw/ pull-downBLUE并行数据输入端(MSB = 7, LSB = 0)HS 3I, LVCMOSw/ pull-downHorizontal Sync数据输入端VS 4I, LVCMOSw/ pull-downVertical Sync 数据输入端DE 5I, LVCMOSw/ pull-downData Enable 数据输入端PCLK 10I, LVCMOSw/ pull-downPixel Clock 数据输入端采样关系通过RFB 管脚配置控制配置接口PDB 21I, LVCMOSw/ pull-downPower-down Mode 控制输入端PDB = 1, 芯片正常工作；PDB = 0, 芯片关断。

VODSEL 24I, LVCMOSw/ pull-down差分摆幅控制输入端VODSEL = 1, LVDS VOD=420 mV；VODSEL = 0, LVDS VOD=280 mV。

De-Emph 23 I, Analogw/ pull-up去加重控制输入端通过可调电阻下拉到GND可实现不同的去加重控制Resistor Value (kΩ) 去加重设置Open 去加重关断0.6 ～12dB1.0 ～9dB2.0 ～6dB5.0 ～3dBRFB 11I, LVCMOSw/ pull-down时钟采样沿控制RFB = 1, 时钟上升沿采样输入并行数据RFB = 0, 时钟下降沿采样输入并行数据CONFIG [1:0] 13,12I, LVCMOSw/ pull-down模式控制CONFIG[1:0] = 00: 对接DS90UR906或GM8906C,控制信号滤波功能关断CONFIG[1:0] = 01: 对接DS90UR906或GM8906C,控制信号滤波功能开启Pin name Pin# Type Description 控制配置接口ID[x] 6 I, Analog I2C配置芯片地址设置通过RID接地和10 kΩ电阻上拉到1.8V 电源分压控制。

RID kΩ(5% tol) Address 7'b Address 8'b0 appended (WRITE)0.47 7b'110 1001 (h'69) 8b'1101 0010 (h'D2)2.7 7b'110 1010 (h'6A) 8b'1101 0100 (h'D4)8.2 7b'110 1011 (h'6B) 8b'1101 0110 (h'D6)Open 7b'110 1110 (h'6E) 8b'1101 1100 (h'DC) RID ≠ 0Ω，端口禁止直接接到GND.SCL 8 I, LVCMOS I2C配置时钟输入端，需要4.7kΩ电阻上拉到VDDIOSDA 9 I/O, LVCMOSOpen DrainI2C配置数据输入/输出端，需要4.7kΩ电阻上拉到VDDIOBISTEN 31I, LVCMOSw/ pull-downBIST 测试模式控制输入端BISTEN = 1, BIST测试模式使能；BISTEN = 0, BIST 测试模式关断。

RES[2:0] 18,16,15I, LVCMOSw/ pull-down保留管脚，接到GND.串行接口DOUT+ 20 O, LVDS 差分输出正端。

输出必须接100 nF 的AC耦合电容。

DOUT- 19 O, LVDS 差分输出负端。

输出必须接100 nF 的AC耦合电容。

电源和地VDD (VDDn and VDDIO)电源上电时间必须要小于1.5ms，如果慢于1.5ms就需要在PDB管脚增加到地的滤波电容，保证在电源上电完成后，再使能芯片。

输入并行数据摆幅必须配合VDDIO电源进行同步设计，两者保持一致。

VDDL 7 Power 数字电源端, 1.8 V ±5%VDDP 14 Power 锁相环电源端, 1.8 V ±5%VDDHS 17 Power 高速串行电源端, 1.8 V ±5%VDDTX 22 Power 输出驱动电源端, 1.8 V ±5%VDDIO 30 Power LVCMOS I/O电源端, 1.8 V ±5% OR 3.3 V ±10%GND DAP Ground DAP 为芯片GND端，在芯片背面，PCB设计上DAP连接至少需设计9个以上GND通孔，保证芯片有很好的地接触。

4 功能描述功能框图如下图所示。

本器件采用第二代平板显示图像（FPD_LINK Ⅱ）传输的串行压缩方式，实现将并行24位 RGB数据以及3位控制信号（HS/VS/DE）转换为1路高速差分信号输出的功能。

器件内部集成终端电阻，可通过外部I/0或I 2C总线进行配置，主要由输入缓冲器模块、串行器模块、直流平衡编码器、去加重驱动器模块、锁相环模块、I 2C配置模块及误码校验模块构成。

DOUT +DOUT -De-RGB[7：VS图 2 GM8905C 功能框图5 参数指标5.1 极限工作条件绝对最大额定值如下：电源电压（V DDL ，V DDP ，V DDHS ，V DDTX ）：-0.3V ～2.5V 电源电压（V DDIO ）：-0.3V ～4V ； 结温（T j ）：150℃；引线耐焊接温度（T h ）（4s ）：260℃； 功耗（P D ）：1W ； 热阻（R θJc ）：27/℃W ；贮存环境温度（T stg ）：-65℃～150℃； 静电放电敏感度（V ESD ）：2000V 。

5.2 推荐工作条件推荐工作条件如下：电源电压（V DDL ，V DDP ，V DDHS ，V DDTX ）：1.8V±0.09V ； 电源电压（V DDIO ）：3.3V±0.3V 、1.8V±0.09V ； 输入时钟频率（f TCLK ）：5MHz~65MHz ； 电源噪声电压（V noise ）：≤50mV ； 工作温度（T A ）：-40℃～85℃。

5.3 静态参数表 1静态参数表极限值特性符号条 件：除另有规定，-40℃≤T A ≤85℃，V DDIO =3.3V 或1.8V 、 V DDTX =V DDL =V DDHS =V DDP =1.8V最小最大单位V DDIO = 3.6V 2.20 V DDIO 输入高电平电压V IH V DDIO = 1.89V 1.23 V DDIOVV DDIO = 3.0V GND 0.8输入低电平电压 V IL V DDIO = 1.71V GND 0.6V输入漏电流 I IN V IN =0V 或V DDIO ，V DDIO =3.6V -15 15 μA V VODSEL =0 205 400输出差分电压摆幅 V OD R L =100ΩV VODSEL =1320 600mV输出差分共模电压 V OS R L =100Ω，V VODSEL =01 1.8 V 输出短路电流 | I OS | V DOUT ±=0，V VODSEL =0，V DDIO =3.6V－ 72 mA 关断电源电流I DDZV PDB =0V ，其他输入接0V－5 mA5.4 动态参数表 2动态参数表特性符号条 件：除另有规定，-40℃≤T A ≤85℃，V DDIO =3.3V 或1.8V 、 V DDTX =V DDL =V DDHS =V DDP =1.8V极限值单位电源电流 I DD V DDIO =3.6V ，分辨率1024*768，60Hz 刷新率（f =65MHz ）的视频图像传输 － 260 mA 差分输出上升时间 t R R L =100Ω，V VODSEL =0，f =65MHz － 500 ps 差分输出下降时间t F R L =100Ω，V VODSEL =0，f =65MHz － 500 ps 功能测试－分辨率1024*768，60Hz 刷新率（f =65MHz ）的视频图像传输－－－6 机械尺寸本器件采用48引线的方形扁平无引脚封装（QFN48）。

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WM8805数据手册 中英文对照

WM8805数据手册 中英文对照

* WM8805是一种高性能的用户模式S / PDIF收发器,支持8个接收通道和1传输通道。

*用晶振或由外部提供高质量的主时钟用来恢复低抖动地由S / PDIF提供的主时钟。

*用高性能的内部锁相环产生所有典型的音频时钟。

一个专用的CLKOU脚提供了一个高驱动时钟输出。

*通过提供一个选项,允许设备仅仅是用来清理(de抖动)接收到的数字音频信号。

*该设备可用于在软件的控制模式或独立的硬件控制模式。

在软件控制方式,支持2-wire和3-wire接口模式。

*状态和错误监测是内置的,结果可以通过控制接口读出,在“标志”模式下通过音频数据接口GPO脚(音频数据和状态标志附加)。

*音频数据接口支持I2S,向左对齐,右对齐和DSP音频格式的字长16位,与采样率从32到192KHz/秒。

*设备提供一个28脚无铅SSOP封装。

1.数字输入插脚有施密特触发器的输入缓冲区。

2.参考表6设备配置在上电或硬件复位。

1.锁相环和数字供电必须始终在供电电压范围0.3 v以内内。

2.锁相环和数字地必须始终在地电压的0.3 v以内。

1. 锁相环和数字供电必须始终在供电电压范围0.3 v以内内。

2. 锁相环和数字地必须始终在地电压的0.3 v以内。

DEVICE DESCRIPTION设备描述INTRODUCTION FEATURES介绍功能•IEC-60958-3 compatible with 32 to 192k frames/s support.IEC - 60958 - 3兼容32到192 k帧/ s的支持•Supports AES-3 data frames.支持aes 3数据帧•Support for reception and transmission of S/PDIF data.支持S / PDIF数据的接收和传输。

•Clock synthesis PLL with reference clock input and low jitter output.时钟合成锁相环根据参考时钟输入并输出低抖晃的信号。

GMS90C51资料

GMS90C51资料


RAM
PORT 0
I/O
256 x 8
T0
PORT 1 8-BIT
I/O
T2
CPU
USART
T1
PORT 2
I/O
ROM / EPROM 8K x 8
PORT 3
I/O
Block Diagram
LG Semicon MCU
2
MAY. 1998
8-Bit CMOS Microcontroller
GMS90 Series
RAM
PORT 0
I/O
128 x 8
T0
PORT 1 8-BIT
I/O
CPU
USART
T1
PORT 2
I/O
ROM / EPROM 4K x 8
PORT 3
I/O
Block Diagram MAY. 1998
1
LG Semicon MCU
GMS90 Series
8-Bit CMOS Microcontroller
externally pulled low will source current because of the
pulls-ups (IIL, in the DC characteristics). Pins P1.0 and
P1.1 also. Port1 also receives the low-order address
8-Bit CMOS Microcontroller
GMS90 Series
GMS90C31/51/31B/51B, GMS97C51 GMS90L31/51/31B/51B, GMS97L51 (Low voltage versions)
74HC595中文资料_数据手册_参数

74HC595中文资料_数据手册_参数

输入引脚上的数据发生移位进入8位移位寄存器.重置（引脚10）低电平有效，异 步，移位寄存器复位输入.一个该引脚上的低电平将复位该器件的移位寄存器部分 不受影响.锁存时钟（引脚12）存储只锁要存. 8时位钟锁输存入器.从低到高的过渡该输入锁存移位 寄存器数据.输出使能（引脚13）低电平有74hc595效输出使能.这个输入的低电平 允许来自锁存器的数据将在输出端呈现.高 在这个输入强制输出（Q A -Q H ）进 入高阻状态.74hc595串行输出不受影响这个控制单元.产出 Q A - Q H （引脚 15，1，2，3，4，5，6，7）非反相的3态锁存器输出. SQ H （9号针）同相的串行 数据输出.这是的输出 8位移位寄存器的第八级.这个输出没有具有三态能力.
onsemicom7功能表手术输入结果函数重启串行输入一个转移时钟闩时钟产量启用转移寄存器内容闩寄存器内容串行产量sqh平行输出大号大号大号将数据移入换档寄存器lh大号dsrsrn锁存寄存器保持不变不变sr移位寄存器内容数据lh逻辑电平低到高取决于复位和移位时钟输入lr保持不变从高到低取决于锁存时钟74hc595输入引脚说明inputsa引脚1474hc595串行数据输入
图 SERIAL数据 INPUT 14 11 10 12 13转移时钟重启 LATCH时钟 OUTPUT ENABLE转 移寄存器 LATCH 15 1 2 3 4五 6 7 9 Q A Q B Q C Q D Q E Q F Q G Q H SQ H一个 V CC = PIN 16 GND = PIN 8平行数据产出 SERIAL数据 OUTPUT引脚分配 13 14 15 16 9 10 11 12五 4 3 2 1 8 7 6锁定时钟输出启用一CK Q E Q D Q C Q B GND Q H Q G Q F订购信息设备包 运输 ? 74HC595DR2G SOIC-16 （无铅） 2500磁带和卷轴 74HC595DTR2G TSSOP-16 * 2500磁带和卷轴 ?有关磁带和 卷轴规格的信息，包括零件方向和磁带尺寸，请参阅我们的74hc595磁带和卷轴包 74hc595装规格手册，BRD8011 / D. *该封装本身具有无铅功能.74HC595中文资料第3 页精选内容： 74HC595 3最大额定值符号参数值单元 V CC 直流电源电压（参考GND） - 0.5至+ 7.0 V V IN直流输入电压（参考GND） - 0.5至 V CC + 0.5 V V OUT直流输出电压（参考GND） - 0.5至V CC + 0.5 V 我 在直流输入 电流，每个引脚 ±20嘛 我 出去了直流输出电流，每个引脚 ±35嘛 我 CC DC电源 电流，V CC 和GND引脚 ±75嘛 P D.静止空气中的功率耗散， SOIC封装? TSSOP封 装? 500 450毫瓦 T STG储存温度 - 65至+ 150 _C T L引线温度，距壳体1毫米，持续10 秒 （SOIC或TSSOP封装） 260 _C74hc595强调超过最大额定值74hc595可能会损坏设 备.最大额定值是压力仅限评级.不建议在推荐操作条件之上进行功能操作.长时间暴 露在高于推荐操作条件的应力下可能会影响设备74hc595可靠性. ?降额 - SOIC封 装： - 从65到125°C时为7 MW / _C TSSOP封装： - 从65_到125_C的6.1 MW / _C有 关高频或高负载考虑事项，请参阅安森美半导体高速CMOS数据手册（DL129 / D） 的第2章.推荐工作条件符号参数敏马克斯单元 V CC直流电源电压（参考GND） 2.0 6 V V IN ，V OUT 直流输入电压，输出电压 （参考GND） 0 V CC V T A.工作温 度，所有封装类型 - 55 + 125 _C T R ，T F输入上升和下降时间 V CC = 2.0 V （图1） V CC = 4.5V V CC = 6.0 V 0 0 0 1000 500 400 NS此设备包含保护防止损坏的电路由于高静态电压或电领域.但是，必 须采取预防措施被采取以避免任何应用程序电压高于最大额定值这个高阻抗电路 的电压 - CUIT. 为了正确的操作，V IN 和 V OUT 应该受到限制 范围GND V（V IN 或V OUT ）V V CC .未使用的输入必须始终为绑定到适当的逻辑电压 电平（例 如，GND或V CC ）.未使用的输出必须保持打开状态.74HC595中文资料第1页精选 内容：74HC595中文资料第7页精选内容： 74HC595 7功能表 手术输入结果函数重启串行输入一个转移时钟闩时钟产量启用转移寄存器内容闩 寄存器内容串行产量 SQ H平行输出 Q A - Q H复位移位寄存器大号 X X L，H， ↓ 大→号SR大N号+ 1üü大S号R Gü→将S数R 据H 移ü入移换74h档c5寄95存位器寄H存D器↑保持L，不H变，H↓X大L号，DH→，S↓R LA，; SHR，N↓ 大号 ü ü ü ü转移移位寄存器内容锁定寄存器 H X L，H，↓ ↑大号 ü SR N →LR N ü SR N锁存寄存器保持不变不变 X X X L，H，↓大号 * ü * ü启用并行输 出 X X X X大号 * ** *启用强制输出为高阻抗状态 X X X X H * ** * ? SR =移位寄存器 内容 D =数据（L，H）逻辑电平 ↑=低到高 * =取决于复位和移位时钟输入 LR =锁 存寄存器内容 U =保持不变 ↓=从高到低 ** =取决于锁存时钟74hc595输入引脚说明 I1N4）PU7T4ShcA5（95串引行脚数据输入.该引脚上的数据被移入 8位串行移位寄存器.控制输入移 位时钟（引脚11）移位寄存器时钟输入.从低到高的过渡该输74hc595入会导致串行
芯片数据手册.pdf_1730856625.4795702说明书

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●Designed for Complementary Use with BDX33, BDX33A, BDX33B, BDX33C and BDX33D●70 W at 25°C Case Temperature ●10 A Continuous Collector Current ●Minimum h FE of 750 at 3 V, 3 Aabsolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)NOTES:1.Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.56 W/°C.2.Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.RATINGSYMBOLVALUE UNITCollector-base voltage (I E = 0)BDX34BDX34ABDX34B BDX34C BDX34D V CBO -45-60-80-100-120V Collector-emitter voltage (I B = 0)BDX34BDX34ABDX34B BDX34C BDX34DV CEO -45-60-80-100-120V Emitter-base voltage V EBO -5V Continuous collector current I C -10A Continuous base currentI B -0.3A Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 1)P tot 70W Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 2)P tot 2W Operating free air temperature range TJ -65 to +150°C Storage temperature rangeTstg -65 to +150°C Operating free-air temperature rangeT A -65 to +150°CNOTES:3.These parameters must be measured using pulse techniques, t p = 300 µs, duty cycle ≤ 2%.4.These parameters must be measured using voltage-sensing contacts, separate from the current carrying contacts.electrical characteristics at 25°C case temperature (unless otherwise noted)P ARAMETERTEST CONDITIONSMIN TYPMAXUNITV (BR)CEOCollector-emitter breakdown voltageI C = -100 mAI B = 0(see Note 3)BDX34BDX34ABDX34B BDX34C BDX34D-45-60-80-100-120VI CEOCollector-emitter cut-off currentV CE =-30V V CE =-30V V CE = -40 V V CE = -50 VV CE = -60 V V CE =-30V V CE =-30V V CE = -40 V V CE = -50 V V CE = -60 V I B =0I B =0I B =0I B =0I B =0I B =0I B =0I B =0I B =0I B =0T C = 100°C T C = 100°C T C = 100°C T C = 100°C T C = 100°CBDX34BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D BDX34BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D -0.5-0.5-0.5-0.5-0.5-10-10-10-10-10mA I CBOCollector cut-off currentV CB =-45V V CB =-60V V CB = -80 V V CB = -100 VV CB = -120 V V CB =-45V V CB =-60V V CB = -80 V V CB = -100 V V CB = -120 VI E =0I E =0I E =0I E =0I E =0I E =0I E =0I E =0I E =0I E =0T C = 100°C T C = 100°C T C = 100°C T C = 100°C T C = 100°C BDX34BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D BDX34BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D-1-1-1-1-1-5-5-5-5-5mA I EBOEmitter cut-off currentV EB = -5 V I C =0-10mA h FEForward current transfer ratioV CE = -3 VV CE = -3 V V CE = -3 V V CE = -3 V V CE = -3 V I C =-4 A I C =-4 A I C =-3 A I C =-3 A I C =-3 A (see Notes 3 and 4)BDX34BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D 750750750750750V BE(on)Base-emitter voltageV CE = -3 VV CE = -3 V V CE = -3 V V CE = -3 V V CE = -3 V I C =-4 A I C =-4 A I C =-3 A I C =-3 A I C =-3 A (see Notes 3 and 4)BDX34BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D -2.5-2.5-2.5-2.5-2.5VV CE(sat)Collector-emitter saturation voltageI B = -8 mAI B = -8 mA I B = -6 mA I B = -6 mA I B = -6 mAI C =-4 A I C =-4 A I C =-3 A I C =-3 A I C =-3 A (see Notes 3 and 4)BDX34BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D-2.5-2.5-2.5-2.5-2.5V V ECParallel diode forward voltageI E = -8 AI B = 0-4Vthermal characteristicsPARAMETER MIN TYP MAX UNIT RθJC Junction to case thermal resistance 1.78°C/W RθJA Junction to free air thermal resistance62.5°C/Wresistive-load-switching characteristics at 25°C case temperaturePARAMETER TEST CONDITIONS †MIN TYP MAX UNITt on T urn-on time I C = -3 AV BE(off) = 3.5 V I B(on) = -12 mAR L = 10 ΩI B(off) = 12 mAt p = 20 µs, dc ≤ 2%1µst off T urn-off time5µs† Voltage and current values shown are nominal; exact values vary slightly with transistor parameters.。