电子技术期末考试答案B

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精品 2015 学年第 1 学期

《 电子技术基础 》期 末 试卷

（A卷，四大题型34小题）

考试形式： 闭卷

一、填空题（10小题，20空格，每空格1分，共20分。）

1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。

2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR越大，抑制零漂的能力越强。

3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。

4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。

5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。

6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。

7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。

8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。

9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。

10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。

电力电子技术期末考试试题及答案

第1章电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件三类。5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_小于__Ubo。12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。15.IGBT的开关速度__小于__电力MOSFET

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 18.在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT_；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET_，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR_，属于复合型电力电子器件得有IGBT_；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT_，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR_。第2章整流电路

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xxx~xxx学年第x学期

《数字电子技术》期末复习题

第一部分 题目

一、判断题（每题2分,共30分。描述正确的在题号前的括号中打“√”，错误的打“×”）

【 】1、二进制有0 ~ 9十个数码，进位关系为逢十进一。

【 】2、（325）8 ＞（225）10

【 】3、十进制数整数转换为二进制数的方法是采用“除2取余法”。

【 】4、在二进制与十六进制的转换中，有下列关系：（100111010001）2=（9D1）16

【 】5、8421 BCD码是唯一能表示十进制数的编码。

【 】6、十进制数85的8421 BCD码是101101。

【 】7、格雷码为无权码，8421 BCD为有权码。

【 】8、数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。

【 】9、逻辑变量的取值，１比０大。

【 】10、在逻辑代数中，逻辑变量和函数均只有0和1两个取值，且不表示数量的大小。

【 】11、逻辑运算1+1=1

【 】12、逻辑运算A+1+0=A

【 】13、因为逻辑表达式A+B+AB=A+B成立，所以AB=0成立。

【 】14、在时间和幅度上均不连续的信号是数字信号，所以语音信号是数字信号。

【 】15、逻辑函数的运算次序为：先算括号内，后算括号外；先求与，再求或，最后求非。

【 】16、ABACBCABAC

【 】17、逻辑函数表达式的化简结果是唯一的。

【 】18、逻辑真值表、逻辑表达式、逻辑图均是逻辑关系的描述方法。

【 】19、n个变量组成的最小项总数是2n个。

【 】20、逻辑函数的化简方法主要有代数化简法和卡诺图化简法。

【 】21、逻辑函数化简过程中的无关项一律按取值为0处理。

【 】22、数字电路中晶体管工作在开关状态，即不是工作在饱和区，就是工作在截止区。

【 】23、TTL或非门的多余输入端可以接高电平。

【 】24、某一门电路有三个输入端A、B、C，当输入A、B、C不全为“1”时，输出Y为“0”，输入A、B、C全为高电平“1”时，输出Y为“1”，此门电路是或门电路。

0 1.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET .

2.在如下器件：电力二极管(Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管（GTR)、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT)中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET，属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT，属于电流驱动的是晶闸管、GTO 、GTR 。

3.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0—180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U__，续流二极管承受的最大反向电压为__22U_（设U2为相电压有效值)。

4.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为0—180O，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为222U和22U；带阻感负载时,α角移相范围为0—90O ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22U和22U;带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器.

5.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=π-α—； 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角= π—2.

6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于22U,晶闸管控制角α的最大移相范围是0—150o,使负载电流连续的条件为o30（U2为相电压有效值）。